JP2009239083A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザダイオード70は、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。基板1は、m面を主面としたGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造2が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造2は、n型半導体層11、発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。発光層10は、InGaN量子井戸層とAlGaN障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。AlGaN障壁層は、InGaN量子井戸層の圧縮応力を緩和する歪み補償層として機能する。
【選択図】図1
Description
青色や緑色といった短波長のレーザ光源は、DVDに代表される光ディスクへの高密度記録、画像処理、医療機器、計測機器などの分野で活用されるようになってきている。このような短波長レーザ光源は、たとえば、GaN半導体を用いたレーザダイオードで構成されている。
T. Takeuchi et al., Jap. J. Appl. Phys. 39, 413-416, 2000
ところが、c面を主面として成長された発光層から生じる光はランダム偏光であるため、TEモードの発振に寄与する光の割合が少ない。そのため、レーザ発振の効率が必ずしもよくなく、閾値電流を低減するうえで、改善の余地がある。
ところが、m面GaN層上にInGaN量子井戸層およびInGaNガイド層をコヒーレントに成長させると、これらの層には、面内異方性圧縮応力が働く。より具体的には、c軸に垂直な方向、すなわち、a軸方向に沿って比較的大きな圧縮応力が生じる。これは、InGaNのa軸格子定数が、GaNのa軸格子定数よりも大きいからである。そのため、InGaN量子井戸層またはInGaNガイド層のIn組成や膜厚を大きくしたりすると、a軸方向に沿って結晶欠陥が生じる。この結晶欠陥は、蛍光顕微鏡により観察したときに、a軸方向に平行なダークラインとして観察される。したがって、非発光性の欠陥であると考えられる。この非発光性の欠陥を抑制することができれば、さらに発光効率を高めることができると考えられる。
そこで、この発明の目的は、非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体発光素子を提供することである。
前記歪み補償層が隣接層に設けられるときには、発光層よりも前に形成される隣接層内に設けられることが好ましい。これにより、発光層内の量子井戸層における圧縮応力を効果的に緩和することができる。たとえば、基板上にIII族窒化物半導体を成長させる場合には、発光層と基板との間に配置される隣接層内に歪み補償層を設けることが好ましい。
前記障壁層の全部が歪み補償層であってもよいし、障壁層の一部が歪み補償層であってもよい。より具体的には、障壁層全体をAlGaN層としてもよく、障壁層をInGaN層(ただし、量子井戸層よりもIn組成が少ないもの)とAlGaN層(歪み補償層)とで構成してもよい。InGaN層とAlGaN層とで歪み補償層を構成する場合には、InGaN層と量子井戸層との間にAlGaN歪み補償層を介在させることが好ましい。
請求項4記載の発明は、前記歪み補償層が、前記隣接層内に設けられ、前記量子井戸構造に接している、請求項1記載の半導体発光素子である。この構成によれば、隣接層内に設けられる歪み補償層が、量子井戸構造に接しているので、量子井戸層の圧縮応力を効果的に低減でき、その結晶欠陥を抑制できる。
請求項6記載の発明は、前記歪み補償層が、前記隣接層内に設けられ、前記量子井戸構造に接していない、請求項1記載の半導体発光素子である。このような構成でも、量子井戸層の圧縮歪みの低減に効果があり、量子井戸層における結晶欠陥を低減できる。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための斜視図であり、図2は、図1のII−II線に沿う縦断面図であり、図3は、図1のIII−III線に沿う横断面図である。
この半導体レーザダイオード70は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成されたIII族窒化物半導体積層構造2と、基板1の裏面(III族窒化物半導体積層構造2と反対側の表面)に接触するように形成されたn型電極3と、III族窒化物半導体積層構造2の表面に接触するように形成されたp型電極4とを備えたファブリペロー型のものである。
III族窒化物半導体積層構造2を形成する各層は、基板1に対してコヒーレントに成長されている。コヒーレントな成長とは、下地層からの格子の連続性を保った状態での結晶成長をいう。下地層との格子不整合は、結晶成長される層の格子の歪みによって吸収され、下地層との界面での格子の連続性が保たれる。無歪みの状態でのInGaNのa軸格子定数はGaNのa軸格子定数よりも大きいので、InGaN層にはa軸方向への圧縮応力(圧縮歪み)が生じる。これに対して、無歪みの状態でのAlGaNのa軸格子定数はGaNのa軸格子定数よりも小さいので、AlGaN層にはa軸方向への引っ張り応力(引っ張り歪み)が生じる。
発光層10は、たとえばInGaNを含むMQW(multiple-quantum well)構造(多重量子井戸構造)を有しており、電子と正孔とが再結合することにより光が発生し、その発生した光を増幅させるための層である。
共振器端面21,22は、それぞれ絶縁膜23,24(図1では図示を省略した。)によって被覆されている。共振器端面21は、+c軸側端面であり、共振器端面22は−c軸側端面である。すなわち、共振器端面21の結晶面は+c面であり、共振器端面22の結晶面は−c面である。−c面側の絶縁膜24は、アルカリに溶けるなど化学的に弱い−c面を保護する保護膜として機能することができ、半導体レーザダイオード70の信頼性の向上に寄与する。
一方、六角柱の側面がそれぞれm面(10-10)であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がa面(11-20)である。これらは、c面に対して直角な結晶面であり、分極方向に対して直交しているため、極性のない平面、すなわち、非極性面(Nonpolar Plane)である。さらに、c面に対して傾斜している(平行でもなく直角でもない)結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているため、若干の極性のある平面、すなわち、半極性面(Semipolar Plane)である。半極性面の具体例は、(10-1-1)面、(10-1-3)面、(11-22)面などの面である。
たとえば、m面を主面とするGaN単結晶基板は、c面を主面としたGaN単結晶から切り出して作製することができる。切り出された基板のm面は、たとえば、化学的機械的研磨処理によって研磨され、(0001)方向および(11−20)方向の両方に関する方位誤差が、±1°以内(好ましくは±0.3°以内)とされる。こうして、m面を主面とし、かつ、転位や積層欠陥といった結晶欠陥のないGaN単結晶基板が得られる。このようなGaN単結晶基板の表面には、原子レベルの段差が生じているにすぎない。
m面を主面とするGaN単結晶基板1上にm面を成長主面とするIII族窒化物半導体積層構造2を成長させてa面に沿う断面を電子顕微鏡(STEM:走査透過電子顕微鏡)で観察すると、III族窒化物半導体積層構造2には、転位の存在を表す条線が見られない。そして、表面状態を光学顕微鏡で観察すると、c軸方向への平坦性(最後部と最低部との高さの差)は10Å以下であることが分かる。このことは、発光層10、とくに量子井戸層のc軸方向への平坦性が10Å以下であることを意味し、発光スペクトルの半値幅を低くすることができる。
また、m面を結晶成長の主面とすることにより、III族窒化物半導体結晶の成長を極めて安定に行うことができ、c面やa面を結晶成長主面とする場合よりも、結晶性を向上することができる。これにより、高性能のレーザダイオードの作製が可能になる。
さらにまた、実質的に転位のないGaN単結晶基板上にIII族窒化物半導体積層構造を成長させることにより、このIII族窒化物半導体積層構造2は基板1の再成長面(m面)からの積層欠陥や貫通転位が生じていない良好な結晶とすることができる。これにより、欠陥に起因する発光効率低下などの特性劣化を抑制することができる。
図9は、III族窒化物半導体積層構造2を構成する各層を成長させるための処理装置の構成を説明するための図解図である。処理室30内に、ヒータ31を内蔵したサセプタ32が配置されている。サセプタ32は、回転軸33に結合されており、この回転軸33は、処理室30外に配置された回転駆動機構34によって回転されるようになっている。これにより、サセプタ32に処理対象のウエハ35を保持させることにより、処理室30内でウエハ35を所定温度に昇温することができ、かつ、回転させることができる。ウエハ35は、前述のGaN単結晶基板1を構成するGaN単結晶ウエハである。
一方、処理室30には、サセプタ32に保持されたウエハ35の表面に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給路40が導入されている。この原料ガス供給路40には、窒素原料ガスとしてのアンモニアを供給する窒素原料配管41と、ガリウム原料ガスとしてのトリメチルガリウム(TMG)を供給するガリウム原料配管42と、アルミニウム原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMAl)を供給するアルミニウム原料配管43と、インジウム原料ガスとしてのトリメチルインジウム(TMIn)を供給するインジウム原料配管44と、マグネシウム原料ガスとしてのエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を供給するマグネシウム原料配管45と、シリコンの原料ガスとしてのシラン(SiH4)を供給するシリコン原料配管46とが接続されている。これらの原料配管41〜46には、それぞれバルブ51〜56が介装されている。各原料ガスは、いずれも水素もしくは窒素またはこれらの両方からなるキャリヤガスとともに供給されるようになっている。
ウエハ35(GaN単結晶基板1)上にIII族窒化物半導体積層構造2の構成層10,13〜19を成長するのに際しては、いずれの層の成長の際も、処理室30内のウエハ35に供給されるガリウム原料(トリメチルガリウム)のモル分率に対する窒素原料(アンモニア)のモル分率の比であるV/III比は、1000以上(好ましくは3000以上)の高い値に維持される。より具体的には、n型クラッド層14から最上層のp型コンタクト層19までにおいて、V/III比の平均値が1000以上であることが好ましい。これにより、n型クラッド層14、発光層10およびp型クラッド層18の全ての層において、点欠陥の少ない良好な結晶を得ることができる。
リッジストライプ20の形成後には、絶縁層6が形成される。絶縁層6の形成は、たとえば、リフトオフ工程を用いて行われる。すなわち、ストライプ状のマスクを形成した後、p型AlGaNクラッド層18およびp型GaNコンタクト層19の全体を覆うように絶縁体薄膜を形成した後、この絶縁体薄膜をリフトオフしてp型GaNコンタクト層19を露出させるようにして、絶縁層6を形成できる。
次の工程は、個別素子への分割である。すなわち、ウエハ35をリッジストライプ20に平行な方向およびこれに垂直な方向に劈開して、半導体レーザダイオードを構成する個々の素子が切り出される。リッジストライプに平行な方向に関する劈開はa面に沿って行われる。また、リッジストライプ20に垂直な方向に関する劈開はc面に沿って行われる。こうして、+c面からなる共振器端面21と、−c面からなる共振器端面22とが形成される。
図10は、この発明の第2の実施形態に係る半導体レーザダイオードの発光層の構成を示す図解的な断面図である。図1〜図3を併せて参照し、本実施形態の半導体レーザダイオードを説明する。
一方、図7から理解されるとおり、In組成が少ないInGaN層223は、In組成が多い量子井戸層221よりもa軸方向圧縮歪みεxxが小さい。そして、これらの間に、a軸方向引っ張り歪みを生じるAlGaN層(図8参照)からなる歪み補償層224が介在されている。したがって、主として歪み補償層224の働きによって、量子井戸層221のa軸方向圧縮応力が緩和されるので、第1の実施形態の場合と同様に、量子井戸層221における結晶欠陥を抑制でき、発光効率を向上できる。
この実施形態の半導体レーザダイオードの製造工程は、第1の実施形態の半導体レーザダイオードの製造工程と類似しており、図9に示す装置を用いてIII族窒化物半導体積層構造2の各層を形成できる。ただし、発光層10の形成工程は、以下の通りとなる。
図11は、この発明の第3の実施形態に係る半導体レーザダイオードの発光層付近の構成を示す図解的な断面図である。図1〜図3を併せて参照し、本実施形態の半導体レーザダイオードを説明する。
量子井戸層221での圧縮応力の低減に対する寄与は、発光層10上に設けられたp型歪み補償層61pよりも、発光層10とGaN基板1との間に設けられたn型歪み補償層61nの方が大きい。これは、n型歪み補償層61nが、発光層10よりも前に成長されるからである。したがって、n型歪み補償層61nだけで充分な応力緩和効果が得られる場合には、p型歪み補償層61pは省かれてもよい。
この実施形態では、発光層10とGaN基板1との間に設けられたn型ガイド層15の膜厚途中位置にn型歪み補償層62nが介在されている。すなわち、n型ガイド層15は、n型AlGaNクラッド層14側の第1InGaN部分151と、発光層10側の第2InGaN部分152とに分割されており、これらの間にn型AlGaN歪み補償層62が介在されている。
このような構成により、歪み補償層62n,62pの働きによって、量子井戸層221のa軸方向圧縮応力が緩和されるので、第1〜第3の実施形態の場合と同様に、量子井戸層221における結晶欠陥を抑制でき、発光効率を向上できる。
量子井戸層221での圧縮応力の低減に対する寄与は、発光層10よりも上に設けられたp型歪み補償層62pよりも、発光層10とGaN基板1との間に設けられたn型歪み補償層62nの方が大きい。これは、n型歪み補償層62nが、発光層10よりも前に成長されるからである。したがって、n型歪み補償層62nだけで充分な応力緩和効果が得られる場合には、p型歪み補償層62pは省かれてもよい。
多重量子井戸層102としては、前述の図4(第1実施形態)または図10(第2実施形態)の構造が適用される。これにより、量子井戸層221の圧縮応力がAlGaNからなる障壁層222(図4)または歪み補償層224(図10)によって緩和される。そのため、量子井戸層221は結晶欠陥の少ない優れた結晶性を有するので、優れた発光効率を有することになる。
p型コンタクト層104は、p型ドーパントとしてのマグネシウムを高濃度に添加したGaN層からなる。層厚は、たとえば、70nmである。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、1020cm-3とされる。p型コンタクト層104の表面はIII族窒化物半導体層82の表面82aをなし、この表面82aは鏡面となっている。この表面82aは、多重量子井戸層102で発生した光が取り出される光取り出し側表面である。
GaN単結晶基板81は、非極性面(この実施形態ではm面)を主面とするGaN単結晶からなる基板である。より具体的には、GaN単結晶基板81の主面は、非極性面の面方位から±1°以内のオフ角を有する面である。
この発光ダイオード80のIII族窒化物半導体層82の形成には、前述の図9に示された装置を用いることができる。
次いで、p型電子阻止層103が形成される。すなわち、窒素原料バルブ51、ガリウム原料バルブ52、アルミニウム原料バルブ53およびマグネシウム原料バルブ55が開かれ、他のバルブ54,56が閉じられる。これにより、ウエハ35に向けて、アンモニア、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたAlGaN層からなるp型電子阻止層103が形成されることになる。このp型電子阻止層103の形成時には、ウエハ35の温度は、1000℃〜1100℃(たとえば1000℃)とされることが好ましい。
このようなウエハプロセスの後に、ウエハ35の劈開によって個別素子が切り出され、この個別素子は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングによってリード電極に接続された後、エポキシ樹脂等の透明樹脂中に封止される。こうして、発光ダイオード素子80が作製される。
たとえば、前述の第1〜第4の実施形態では、リッジストライプ20をc軸に平行に形成した構造について説明したが、リッジストライプ20をa軸に平行とし、共振器端面をa面としてもよい。また、基板1の主面は、m面に限らず、他の非極性面であるa面としてもよいし、半極性面としてもよい。
また、III族窒化物半導体積層構造2を形成した後にレーザリフトオフなどで基板1を除去し、基板1のない半導体レーザダイオードとすることもできる。
また、前述の第5の実施形態では、多重量子井戸層102内に歪み補償層を設ける例について説明したが、図11または図12に示す構成をとることもできる。つまり、多重量子井戸層102に隣接するn型コンタクト層101にn型AlGaN歪み補償層を設けてもよい。このn型AlGaN歪み補償層は、図11の構成に倣って、多重量子井戸層102に接するように設けられることが好ましいが、図12の構成に倣って、n型コンタクト層101の層厚途中に設けられてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 III族窒化物半導体積層構造
3 n側電極
4 p側電極
6 絶縁層
10 発光層
221 量子井戸層
222,222A,222B 障壁層
223 InGaN層
224 歪み補償層
11 n型半導体層
12 p型半導体層
13 n型GaNコンタクト層
14 n型AlGaNクラッド層
15 n型ガイド層
151 第1InGaN部分
152 第2InGaN部分
16 p型ガイド層
161 第1InGaN部分
162 第2InGaN部分
17 p型AlGaN電子ブロック層
18 p型AlGaNクラッド層
19 p型GaNコンタクト層
20 リッジストライプ
21,22 端面
23,24 絶縁膜
26 n型InGaN層
30 処理室
31 ヒータ
32 サセプタ
33 回転軸
34 回転駆動機構
35 基板
36 排気配管
40 原料ガス導入路
41 窒素原料配管
42 ガリウム原料配管
43 アルミニウム原料配管
44 インジウム原料配管
45 マグネシウム原料配管
46 シリコン原料配管
51 窒素原料バルブ
52 ガリウム原料バルブ
53 アルミニウム原料バルブ
54 インジウム原料バルブ
55 マグネシウム原料バルブ
56 シリコン原料バルブ
61n,61p 歪み補償層
62n,62p 歪み補償層
70 半導体レーザダイオード
80 発光ダイオード
81 GaN単結晶基板
82 III族窒化物半導体層
83 p型電極
84 接続部
85 n型電極
87 凹部
90 支持基板
91,92 配線
93,94 ボンディングワイヤ
101 n型コンタクト層
102 多重量子井戸層
104 p型コンタクト層
Claims (10)
- 非極性面または半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなり、発光層にInを含む量子井戸層を有する半導体発光素子において、
無歪みの状態での格子定数が前記量子井戸層の格子定数よりも小さく、Alを含むIII族窒化物半導体からなる歪み補償層が、量子井戸層および障壁層を有する量子井戸構造の発光層内、または当該発光層に隣接する隣接層内に介在していることを特徴とする、半導体発光素子。 - 前記歪み補償層が、前記障壁層内に設けられている、請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記歪み補償層が、前記量子井戸層に接するように設けられている、請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記歪み補償層が、前記隣接層内に設けられ、前記量子井戸構造に接している、請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記歪み補償層が、前記量子井戸構造の障壁層に接している、請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記歪み補償層が、前記隣接層内に設けられ、前記量子井戸構造に接していない、請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記隣接層が、Inを含むIII族窒化物半導体からなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記隣接層が、ガイド層およびクラッド層を含み、前記クラッド層が、Alの平均組成が5%以下のIII族窒化物半導体からなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記量子井戸構造は、厚さ100Å以下の少なくとも1つの量子井戸層を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記成長主面がm面である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8698123B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
CN109390442A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-02-26 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 | 基于无层错(20-21)面GaN基板制备发光器件的方法及其发光器件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112029A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Hewlett Packard Co <Hp> | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2000261106A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 |
JP2001168385A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
WO2007029655A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法 |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008084219A patent/JP2009239083A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112029A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Hewlett Packard Co <Hp> | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2000261106A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 |
JP2001168385A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
WO2007029655A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8698123B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
US8872158B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
CN109390442A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-02-26 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 | 基于无层错(20-21)面GaN基板制备发光器件的方法及其发光器件 |
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