JPWO2017037837A1 - 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置 - Google Patents

半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017037837A1
JPWO2017037837A1 JP2016563150A JP2016563150A JPWO2017037837A1 JP WO2017037837 A1 JPWO2017037837 A1 JP WO2017037837A1 JP 2016563150 A JP2016563150 A JP 2016563150A JP 2016563150 A JP2016563150 A JP 2016563150A JP WO2017037837 A1 JPWO2017037837 A1 JP WO2017037837A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plate
semiconductor device
wiring board
ceramic substrate
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016563150A
Other languages
English (en)
Inventor
高彰 宮崎
高彰 宮崎
靖 池田
靖 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of JPWO2017037837A1 publication Critical patent/JPWO2017037837A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B60R16/00—Electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for; Arrangement of elements of electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for
    • B60R16/02—Electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for; Arrangement of elements of electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for electric constitutive elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B61—RAILWAYS
    • B61C—LOCOMOTIVES; MOTOR RAILCARS
    • B61C17/00—Arrangement or disposition of parts; Details or accessories not otherwise provided for; Use of control gear and control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H01L23/4924—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1425—Converter
    • H01L2924/14252—Voltage converter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T30/00—Transportation of goods or passengers via railways, e.g. energy recovery or reducing air resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Transportation (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体チップと、半導体チップを支持し、半導体チップに電気的に接続された配線基板と、配線基板を支持する第１金属板と、配線基板と第１金属板との間に配置された第２金属板と、配線基板および第２金属板を接合する第１接合部と、第１金属板および第２金属板を接合する第２接合部とを有し、第２金属板の中央部の厚みよりも、第２金属板の外周部の厚みが大きい、半導体装置を提供する。

Description

本発明は、半導体装置、鉄道車両および自動車に関し、特にインバータに使用されるパワー系の半導体装置の構造に関する。
パワー系の半導体装置（パワーモジュール）の構造としては、半導体素子（以下、半導体チップまたは単にチップとも言う）と絶縁基板とをはんだ等で接合した構造、または絶縁基板と放熱用金属板とをはんだ等で接合した構造が知られている。
近年、高温動作が可能で、かつ機器の小型軽量化が可能なＳｉＣ（炭化シリコン）またはＧａＮ（窒化ガリウム）等のワイドギャップ半導体を用いた半導体装置の開発が推し進められている。一般的にＳｉ（シリコン）の半導体素子は動作温度の上限が１５０〜１７５℃であるのに対し、ＳｉＣの半導体素子は１７５℃以上での使用が可能である。
また、電機・電子機器の部品の電気的接続に使用されている接続部材であるはんだには、一般的に鉛（Ｐｂ）が含まれていたが、近年、環境への意識が高まる中、鉛の規制が始まっている。例えば、欧州では自動車中の鉛使用を制限するＥＬＶ指令（End of Life Vehicles directive、廃自動車に関する指令）が施行されている。また、欧州では、電機・電子機器中の鉛使用を禁止するＲｏＨＳ（Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment)指令が施行されている。
これまで、高耐熱性が要求される半導体装置、特に自動車または建機、鉄道、情報機器分野等に用いられる半導体装置の接続部材としては鉛入りはんだが使用されてきたが、環境負荷低減のため、鉛フリーの接続部材を使用することが強く要求されている。
特許文献１（特表平０８−５０９８４４号公報）には、「本出願の目的は、電力半導体素子に関し、その際、セラミック基板（ＳＵＢ）及び金属底板（ＢＰ）は、順番に、接合層（２）、低い降伏点及び高い熱伝導率を有する材料からなる緩衝層（ＤＰ）並びにもう１つの接合層（３）を介して接合されており、その際、セラミック基板と底板間の機械的接合は、高い剪断強さを有し、かつセラミック基板と底板との異なる熱膨張による早期の物質疲労及び亀裂形成は、緩衝層の塑性変形により回避される。接合層は、例えば、低温接合技術において、電力半導体素子の際に有利に使用されるような、焼結された銀粉層である。」ことが記載されている（要約参照）。
また、特許文献２（特開２０１２−２８６７４号公報）には、「半導体素子３と、半導体素子３の電極に、接合材６ａを介して、一方の面が接合された第１の緩衝板７Ａと、第１の緩衝板７Ａの他方の面に、接合材６ｂを介して、一方の面が接合された第２の緩衝板７Ｂと、第２の緩衝板７Ｂの他方の面に接合された配線部材４と、を備え、第１の緩衝板７Ａは、半導体素子の線膨張係数αＣと配線部材４の線膨張係数αＷの間であって、半導体素子３の線膨張係数αＣとの差が第１の所定値より小さい線膨張係数αＢＡを有し、第２の緩衝板７Ｂは、第１の緩衝板７Ａの線膨張係数αＢＡと配線部材４の線膨張係数αＷの間であって、配線部材４の線膨張係数αＷとの差が第１の所定値より大きな第２の所定値より小さい線膨張係数αＢＢを有する、ように構成した。」ことが記載されている（要約参照）。
特表平０８−５０９８４４号公報 特開２０１２−２８６７４号公報
パワーモジュールにおいて絶縁基板と放熱ベース板間のはんだ接合部（基板下接合部）の信頼性確保が課題となっている。パワーモジュールでは、通電によってチップが発熱する。そのため、ＯＮ／ＯＦＦが繰り返されることではんだ接合部に繰り返し温度変化が生じ、部材間の線膨張係数差によってはんだ接合部に繰り返しひずみが生じる。これにより、当該はんだ接合部の端部から破壊が生じる。接合部に破壊が生じると接合面積が減少し、放熱性が劣化するため、接合部温度が上昇して加速的に破壊が進行し、最終的にはパワーモジュールが破壊される。
一般的にチップおよび基板間の接合部と比較して、基板下接合部の方が部材間の線膨張係数差は小さい。しかし、上記のような接合部の破壊は、基板下接合部においても進展しやすい。その理由は、チップおよび基板間の接合部に比べて基板下接合部の接合面積が大きいため、基板下接合部の端部に生じるひずみ量は小さくないということにある。
特許文献１は、基板下接合部に低い降伏点を持つ金属の平板を挿入し、金属層が塑性変形することで高信頼化を実現しようとするものであるが、当該金属層が塑性変形すると接合部が大きく変形するため、より破壊が加速される可能性が考慮されていない。また、特許文献２は、チップ上のＡｌ（アルミニウム）配線接合部の信頼性を向上させるために、チップとＡｌ配線との間に線膨張係数を調整した金属板を挿入するものであるが、チップ接合部に比べて接合面積が著しく大きい基板下接合部に適用することが考慮されていない。
また、薄い金属平板を基板下接合部に挿入した場合、片面を接合した段階で金属平板が大きく反り、その後の工程を行うことが困難になるとともに、金属平板が反ることによってはんだに生じるひずみが増えるため、半導体装置の信頼性が低下することも考慮されていない。
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
代表的な実施の形態による半導体装置は、半導体チップを支持する配線基板と、配線基板を支持する金属板と、配線基板と金属板との間に配置されたひずみ低減用の金属板と、配線基板およびひずみ低減用金属板を接合する第１接合部と、金属板およびひずみ低減用金属板を接合する第２接合部とを有し、第２金属板の厚さは、その中央部よりも外周部の方が大きいものである。
代表的な実施の形態によれば、半導体装置における信頼性を向上させることができる。
本発明の実施の形態１である半導体装置を示す断面図である。 比較例の解析モデルを示す断面図である。 比較例の解析モデルを示す平面図である。 図３のＡ−Ａ線における断面図である。 比較例の解析モデルを示す断面図である。 比較例の解析モデルを示す斜視図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置に対応する解析モデルの断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置に対応する解析モデルの平面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置に対応する解析モデルの斜視図である。 図９のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置に対応する解析モデルの断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置に対応する解析モデルの平面図である。 本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置に対応する解析モデルの斜視図である。 図２のＣ−Ｃ線における断面図である。 接合部端部に生じるひずみ量の解析結果を示すグラフである。 接合部端部に生じるひずみ量の解析結果を示すグラフである。 接合部端部に生じるひずみ量の解析結果を示すグラフである。 本発明の実施の形態２である鉄道車両を示す側面図である。 本発明の実施の形態２である鉄道車両に設置されたインバータの内部構造を示す平面図である。 本発明の実施の形態３である自動車を示す斜視図である。 比較例の半導体装置を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置（パワーモジュール）の構造の一例を示す断面図である。
本実施の形態の半導体装置は、例えば、鉄道の車両または自動車の車体等に搭載される半導体モジュール（パワーモジュール）である。つまり、当該パワーモジュールは、複数のパワー系の半導体チップ（半導体素子）１を備えており、放熱対策が必要な半導体装置である。半導体チップ１は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等を搭載したものであるが、これに限定されるものではない。本願でいうパワー系の半導体チップ（半導体素子）とは、例えば電力用に用いられる素子であって、比較的大きい電圧および大きい電流を扱うことが可能な半導体素子を指す。また、そのような素子を含む装置をパワーモジュールと呼ぶ。
図１に示すパワーモジュール２０の構成について説明する。パワーモジュール２０は、半導体チップ１と、半導体チップ１を支持するセラミック基板（配線基板）３とを有している。また、パワーモジュール２０は、半導体チップ１の上面（主面）の電極１ｃとセラミック基板３の上面の電極３ｃｂとを電気的に接続する導電性のワイヤ６を有し、また、セラミック基板３の電極３ｃｂに電気的に接続され、外部に引き出された端子（リード）７を有している。なお、図では半導体チップ１を１つのみ示しているが、セラミック基板３上には複数の半導体チップ１が配置されている。
複数の半導体チップ１および複数の端子７が搭載されたセラミック基板３は、はんだ（接合材、接合部、はんだ合金）５を介してベース板（金属板）４上に搭載されている。すなわち、ベース板４は、はんだ５を介して、ベース板４上のセラミック基板３を支持している。ここで、セラミック基板３の上面に接して、複数の電極３ｃａおよび複数の電極３ｃｂが形成されており、セラミック基板３の下面に接して、電極３ｃｃが形成されている。半導体チップ１は、はんだ２を介して電極３ｃａの上面に接着されている。セラミック基板３の材料には、熱伝導性の高いＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）またはＳｉ３Ｎ４（窒化シリコン）等の材料が使用されている。
これらの電極３ｃａ、３ｃｂおよび、３ｃｃは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）メタライズからなる。すなわち、電極３ｃａ、３ｃｂおよび３ｃｃは、例えばＣｕまたはＡｌからなる電極をめっき処理することでニッケル膜により覆った構造を有している。そして、セラミック基板３の下面側に形成された電極３ｃｃは、はんだ５を介してベース板４に電気的に接続されている。
平面視において、半導体チップ１よりもセラミック基板３の方が面積が大きく、セラミック基板３よりもベース板４の方が面積が大きい。よって、半導体チップ１とセラミック基板３とを接合するはんだ２よりも、セラミック基板３とベース板４とを接合するはんだ５の方が、平面視における面積が大きい。
すなわち、本実施の形態のパワーモジュール２０は、半導体チップ１が、はんだ２を介してセラミック基板（配線基板、絶縁性基板、被接続部材）３に接続されたものであり、さらに、半導体チップ１の動作時の熱を逃がす役割を果たす放熱用のベース板（金属板）４とセラミック基板３とが、はんだ５を介して接続されている。つまり、セラミック基板３とベース板４との間に配置されたはんだ５によってセラミック基板３とベース板４とが接合されている。ベース板４は放熱板としての役割を有するため、熱伝導性の高い金属板により構成されている。
パワーモジュール２０の具体的構造について説明すると、パワーモジュール２０は、半導体チップ１と、半導体チップ１に対してはんだ（接合材）２介して接続されたチップ支持部材であるセラミック基板３と、半導体チップ１と電気的に接続された複数のワイヤ６とを有している。セラミック基板３の基材の上面には、配線パターン等の一部である電極（導体部、配線部）３ｃａが形成され、この電極３ｃａ上にはんだ２を介して半導体チップ１が搭載されている。
また、放熱板でもあるベース板４、複数の半導体チップ１、複数のワイヤ６およびセラミック基板３は、ケース８により囲まれており、そのケース８内には図示しない封止用の樹脂が充填されている。すなわち、ベース板４の側壁に接して、平面視において矩形の環状構造を有する壁状のケース８が設けられており、半導体チップ１、複数のワイヤ６およびセラミック基板３等と、ケース８とは互いに離間している。複数の半導体チップ１、複数のワイヤ６およびセラミック基板３は、上記封止用の樹脂によって封止されている。上記樹脂は、例えばゲル状の樹脂材を用いることが好ましい。
また、半導体チップ１は、セラミック基板３の上面の電極３ｃａ上にはんだ２を介して接合されている。つまり、半導体チップ１の下面とセラミック基板３の上面とが対向しており、半導体チップ１の裏面電極とセラミック基板３の電極３ｃａとがはんだ２を介して電気的に接続されている。
また、半導体チップ１の上面には、例えばゲート用の電極１ｃが形成されており、セラミック基板３の電極３ｃｂとワイヤ６を介して電気的に接続されている。端子７は、その一端が、セラミック基板３の上面側の電極３ｃｂに接合されており、さらに他端がケース８の外部に引き出されている。複数のワイヤ６のそれぞれは、例えばＡｌ線または銅線等からなる。
そして、本実施の形態のパワーモジュール２０では、セラミック基板３の下面に配線部である電極３ｃｃが形成され、この電極３ｃｃの下面に接合材（接合部）であるはんだ５aを介してひずみ低減板である金属板９が接合されている。金属板９の下面には、接合材（接合部）であるはんだ５ｂを介して放熱用のベース板（金属板、放熱部材）４が接合されている。
すなわち、セラミック基板３とベース板４との間のはんだ５中に金属板９が挿入されており、はんだ５は、金属板９上のはんだ５ａと、金属板９の下のはんだ５ｂとを含んでいる。言い換えれば、ベース板４の上面は、ベース板４上に順に形成されたはんだ５ｂ、金属板９およびはんだ５ａを介してセラミック基板３の下面に接合されている。平面視において、はんだ５ａ、５ｂのそれぞれは、はんだ２よりも大きい面積を有している。
上方から眺めた平面視における金属板９の大きさは、セラミック基板３の平面視における大きさと同じであるか、またはセラミック基板３の平面視における大きさより大きい。言い換えると、ひずみ低減材からなる金属板９の平面視での大きさは、セラミック基板３の平面視の大きさ以上であればよい。
ここでは、ベース板４の上面に沿う方向におけるはんだ５ａ、５ｂのそれぞれの幅は、図１に示すように、当該方向におけるセラミック基板３の幅および金属板９の幅よりも小さい。ただし、はんだ５ｂの当該方向における幅は、当該方向のセラミック基板３の幅より大きくてもよく、当該方向の金属板９の幅より大きくてもよい。また、はんだ５ａの当該方向における幅は、当該方向のセラミック基板３の幅より大きくてもよい。
ここで、金属板９の外周部９ａの厚さは、金属板９の外周部９ａの内側の部分である内部（中央部）９ｂの厚さより大きい。ここでいう外周部９ａおよび内部９ｂは、それぞれ金属板９の一部である。外周部９ａとは、金属板９の上面または下面に沿う方向における端部、つまり、平面視における金属板９の端部を意味する。したがって、外周部９ａは平面視において金属板９の周縁に沿う環状構造を有し、平面視において内部９ｂは外周部９ａに囲まれている。本願でいう厚さとは、ベース板４の上面に対して垂直な方向における各物体の長さを指す。
金属板９は厚さが均一な単なる平板ではなく、その外周部９ａの厚さが他の部分（内部９ｂ）の厚さよりも大きい形状を有している。ここでは、金属板９の底面の高さの位置は外周部９ａおよび内部９ｂのどちらにおいても同じであるが、外周部９ａの金属板９の上面は、内部９ｂの金属板９の上面よりも上に位置する。すなわち、金属板９の外周部９ａは、金属板９の内部９ｂに比べて上方に突出している。なお、本願でいう上方（上）とは、ベース板４の上面に対して垂直な方向における方向であって、ベース板４側からセラミック基板３側に向かう方向であり、本願でいう下方（下）は、当該上方とは反対側に向かう方向である。
はんだ５ａの厚さが小さい場合に、上方に突出する外周部９ａとセラミック基板３とが接触すると、はんだ５ａにより電極３ｃｃと金属板９とを適切に接合することができなくなる虞がある。よって、金属板９の平面視における幅は、セラミック基板３の平面視における幅よりも大きいことが望ましい。言い換えれば、平面視においてセラミック基板３と重ならない位置、つまりセラミック基板３の外側に金属板９の外周部９ａが位置すれば、凸形状の外周部９ａとセラミック基板３とが接触することを防ぐことができる。
すなわち、金属板９の内部９ｂの上面に対して外周部９ａがセラミック基板３側に突出した長さが、はんだ５ａの厚さよりも大きくても、外周部９ａとセラミック基板３とが接触することを防ぐことができる。言い換えれば、ベース板４の上面に対して垂直な方向において、金属板９の内部９ｂの上面から金属板９の外周部９ａの上面までの間の距離が、金属板９の内部９ｂの上面からセラミック基板３の下面までの間の距離より大きくても、外周部９ａとセラミック基板３とが接触することを防ぐことができる。
また、金属板９の線膨張係数は、ベースベース板４の線膨張係数と回路付き絶縁基板であるセラミック基板３、の線膨張係数との間の値である。金属板９の材料には、例えばＣｕ（銅）およびＭｏ（モリブデン）の合金、またはＣｕおよびＭｏの積層膜などを用いることができる。また、金属板９の材料には、ＣＩＣ（銅／インバー／銅）を用いることもできる。金属板９の線膨張係数は、例えば上記ＣｕおよびＭｏの混合比を変更することで調整することが可能である。
はんだ５ａ、５ｂは、好ましくは、Ｓｎ（錫）系はんだ合金からなり、例えば、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｓｂ、または、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のＳｎ系はんだ合金からなる。さらに、はんだ５ａ、５ｂは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ若しくはＮｉ等の金属粒子による焼結接合、または、Ｚｎ−Ａｌ、Ａｕ−Ｇｅ若しくはＡｕ−Ｓｉ等の接合材により構成されていてもよい。また、はんだ５ａ、５ｂはそれぞれ異なる接合材により構成されていてもよい。
ここで、図２１を用いて比較例のモジュール構造を説明し、本実施の形態のパワーモジュール２０（図１参照）と上記比較例との違いを説明する。図２１は本発明者らが比較検討を行った比較例の半導体装置の構造を示す断面図である。
図２１に示す比較例の半導体装置であるモジュール（パワーモジュール５０）の構造は、セラミック基板３の下面側の電極３ｃｃとベース板４とがはんだ５ｃにより接合されている点、および、金属板９（図１参照）が設けられていない点を除いて、図１に示すパワーモジュール２０の構造と同様である。
高い電圧を扱うパワー系デバイスでは、当該デバイスが有する半導体素子のＯＮ状態およびＯＦＦ状態が繰り返し切り替わる際に、はんだ接合部に繰り返し温度変化が生じる。このとき、部材間の線膨張係数差に起因して、はんだ接合部に繰り返しひずみが生じることで、接合部に破壊が生じる問題がある。接合部に破壊が生じると接合面積が減少し、放熱性が劣化する。このため、接合部温度が上昇して加速的に破壊が進行し、最終的にはパワーモジュールが破壊される。特に、使用環境温度が高温になると、半導体装置（パワーモジュール）の半導体素子において電流の通電と遮断とが繰り返された際に、接合部に生じる熱応力が大きくなる。したがって、パワーモジュールでは、耐通電熱疲労性および環境温度の変化に対する耐亀裂進展性が要求される。
図２１に示すようなパワーモジュール５０では、発熱部である半導体チップ１に近い接合部、つまり、半導体チップ１とセラミック基板３とを接合するはんだ２のみならず、セラミック基板３の下の接合部においても破壊が生じ得る。つまり、セラミック基板３と放熱用のベース板４との接合部であるはんだ５ｃにおいても、半導体チップ１の動作に伴う半導体チップ１の発熱によって、温度上昇が起こる。
また、はんだ５ｃは、平面視において、はんだ２に比べて数倍以上の面積を有することが考えられる。この場合、温度の上昇とはんだ５ｃが大面積であることとに起因して、接合部であるはんだ５ｃの端部のひずみ量が著しく増加し、はんだ５ｃの当該端部から破壊が進展する。
パワーモジュール５０ではその動作時に、半導体チップ１が発熱する。その際、セラミック基板３とベース板４の接合部であるはんだ５ｃにおいては、特に半導体チップ１の直下の部分において半導体チップ１とほぼ同等程度まで温度が上昇する。これは、セラミック基板３に熱伝導性の高いＡｌ、Ｃｕ、ＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４等の材料が使用されているためである。放熱経路であるはんだ５ｃにおいて破壊が進展すると放熱性が低下し、チップの温度が上昇してさらに破壊が加速する。このため、最終的にはパワーモジュール５０の破壊に至る。
セラミック基板の下のはんだの端部からの破壊を抑制可能な接合方法として、接合後に高い機械的強度を有する焼結金属接合、または、Ａｕ（金）系はんだによる接合等が候補として想定される。ここで、焼結金属接合は、数ｎｍ〜数１００μｍの微細な金属粒子をアルコール等の溶剤でペースト状にしたものを用い、接合の際には加熱によって溶剤の除去を行い、また、加圧を行うことが必要である。
しかしながら、セラミック基板３およびベース板４との間を接合する場合のように、大面積の接合を行う際には、接合部の面積が大きいため、接合部の中心部まで溶剤を除去することが難しく、適用が難しい。さらに、大きな加圧力が必要となり大規模な設備が必要となるため、大面積の接合部への適用は困難である。また、Ａｕ系はんだを適用した場合、Ａｕは高コストなため大面積の接合部に適用した場合コストが高くなるといった懸念がある。
これに対し、図１に示す本実施の形態のパワーモジュール２０では、セラミック基板（絶縁基板）３とベース板（放熱用金属板）４との間の大面積の接合部において、金属板９を挟み込むことで、はんだ ５ａ、５ｂの材質に関わらず、はんだ端部に発生するひずみを低減し、高信頼化を実現することができる。これは、セラミック基板３の線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値の線膨張係数を有する材料からなる金属板９をセラミック基板３およびベース板４の間に挿入することで、セラミック基板３およびベース板４の間に生じるひずみを低減することができるためである。
次に、図２〜図１７を用いて、本実施の形態における金属板９（図１参照）の外周部９ａが内部（内周部、中央部）９ｂよりも大きい厚さを有することの効果を、所定のモデルを用いて解析的に求めた結果に基づいて説明する。なお、本解析では、コンピュータでのシミュレーションソフトウェアを用い、公知の熱応力解析手法によりひずみの解析を行った。また、以下に示すモジュールは解析モデルであるため、実際に製品として用いられるパワーモジュールに比べ、セラミック基板上の電極のレイアウト等が異なる。図１５〜図１７は、接合部端部に生じるひずみ量の解析結果を示すグラフである。
図２に比較例の解析モデルの端部の断面図を示す。図２に示す比較例の解析モデルのモジュールは、図２１を用いて説明した比較例と同様に、セラミック基板３の下面側の電極３ｃｃと、ベース板４との間にひずみ低減用の金属板を設けずに、電極３ｃｃおよびベース板４をはんだ５ｃにより接合させた構造を有している。図２において、ベース板４の厚さは５ｍｍ、はんだ５ｃの厚さは０．２ｍｍ、電極３ｃｃの厚さは０．３ｍｍ、セラミック基板３の厚さは０．６ｍｍ、セラミック基板３上の電極３ｃｂの厚さは０．２ｍｍである。
また、もう一つの比較例の解析モデルを、図３〜図６に示す。図３は、比較例の解析モデルの平面図である。図４は、比較例の解析モデルの断面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線における断面図である。図５は、比較例の解析モデルの端部を拡大して示す断面図である。図６は、比較例の解析モデルにおいてひずみ低減用に用いられる金属板１０の斜視図である。なお、図４の断面図では、ハッチングの図示を省略している。
平面視において、図３に示す電極３ｃｂの縦および横の寸法は、４４ｍｍ×５４ｍｍである。セラミック基板３の縦および横の寸法は、４８ｍｍ×５８ｍｍである。ベース板４の縦および横の寸法は、５２ｍｍ×６２ｍｍである。つまり、電極３ｃｂの平面視における面積よりも、セラミック基板３の平面視における面積の方が大きく、セラミック基板３の平面視における面積よりも、ベース板４の平面視における面積の方が大きい。このような電極３ｃｂ、セラミック基板３およびベース板４の面積の大小関係は、図２および図７〜図１４に示す解析モデルにおいても同様である。
また、図５に示す電極３ｃｂ、３ｃｃ、セラミック基板３およびベース板４のそれぞれの厚さは、図２を用いて説明したものと同様である。図２を用いて説明した解析モデルに対し、図５に示す解析モデルでは、セラミック基板３とベース板４との間に、ひずみ低減用の金属板１０を設けている。つまり、ベース板４上には、はんだ５ｂ、金属板１０、はんだ５ａ、電極３ｃｃおよびセラミック基板３が順に設けられている。平面視において、金属板１０の幅はセラミック基板３の幅よりも小さい。図５に示すはんだ５ａ、５ｃのそれぞれの厚さは０．１ｍｍであり、金属板１０の厚さは１ｍｍである。
図５および図６に示すように、金属板１０の厚さは、金属板１０の外周部から中央部に亘って均一である。つまり、金属板１０は、上面および下面が平坦な平板である。図６に示す金属板１０の縦および横の寸法は、４７ｍｍ×５７ｍｍである。
図７〜図１０には、本実施の形態の半導体装置に対応する解析モデルを示す。当該解析モデルは、図１に示す構造と同様に、外周部９ａが内部９ｂより厚い金属板９を含むものである。図７は、当該解析モデルの端部を拡大して示す断面図である。図８は、当該解析モデルを示す平面図である。図９は、当該解析モデルを示す斜視図である。図１０は、当該解析モデルが有する金属板９の端部を示す断面図である。図１０は、図８のＢ−Ｂ線における断面図である。
図７に示す電極３ｃｂ、３ｃｃ、セラミック基板３およびベース板４のそれぞれの厚さは、図２を用いて説明したものと同様である。また、はんだ５ａ、５ｂのそれぞれの厚さは０．１ｍｍである。図８〜図１０に示す金属板９の平面視における縦および横の寸法は、５１ｍｍ×６１ｍｍである。金属板９の外周部９ａの幅は、１．２５ｍｍである。よって、金属板９の内部（中央部）９ｂの平面視における縦および横の寸法は、４８．５ｍｍ×５８．５ｍｍである。図１０に示す金属板９の内部９ｂの厚さは１ｍｍであり、外周部９ａの厚さは１．５ｍｍである。ここでいう外周部９ａの幅とは、金属板９の４辺のそれぞれに沿う外周部９ａの延在方向に対して直交する方向における外周部９ａの長さを指す。
図１１〜図１４に、図７〜図１０を用いて説明した解析モデルの変形例の解析モデルを示す。つまり、図１１〜図１４には、本実施の形態の半導体装置の変形例に対応する解析モデルを示す。図１１は、当該解析モデルの端部を拡大して示す断面図である。図１２は、当該解析モデルを示す平面図である。図１３は、当該解析モデルを示す斜視図である。図１４は、当該解析モデルが有する金属板１３の端部を示す断面図である。図１４は、図１２のＣ−Ｃ線における断面図である。
当該解析モデルの構造および寸法は、図７〜図１０を用いて説明した解析モデルとほぼ同様であるが、図１１および図１４に示すように、金属板１３の外周部１３ａの底部が、金属板１３の内部１３ｂの底部に比べて下方に突出している点が、図７〜図１０を用いて説明した解析モデルと異なる。つまり、金属板１３の外周部１３ａは、１ｍｍの厚さを有する内部１３ｂに比べ、上方に０．５ｍｍ突出し、かつ、下方に０．０５ｍｍ突出している。よって、外周部１３ａの厚さは１．５５ｍｍである。
解析条件として、半導体モジュールに生じる温度変化を再現するため、モジュール全体を２５℃から１７５℃まで昇温させた。その際の各部材の線膨張係数などの機械的強度の違いによってはんだ５、５ａ、５ｂまたは５ｃに生じる最大のひずみ量を計算し、図２〜図１４の解析モデルを比較した。なお、配線でもある電極３ｃｂ、３ｃｃは、密度８９２０ｋｇ／ｍ３、線膨張係数１．７×１０−５、ヤング率１３０ＧＰａ、ポアソン比０．３とした。セラミック基板３は、密度３３００ｋｇ／ｍ３、線膨張係数４．５×１０−６、ヤング率３２０ＧＰａ、ポアソン比０．２４とした。ベースベース板４は、密度２９００ｋｇ／ｍ３、線膨張係数７．８×１０−６、ヤング率１５０ＧＰａ、ポアソン比０．３とした。はんだ５、５ａ〜５ｃは、密度７３００ｋｇ／ｍ３、線膨張係数２．２×１０−５、ヤング率４０、ポアソン比０．３とした。
また、金属板９、１０および１３は、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値の線膨張係数を有する。すなわち、金属板９、１０および１３には、密度９０５７ｋｇ／ｍ３、線膨張係数８．５×１０−６、ヤング率２２５ＧＰａ、ポアソン比０．３の材料を用いて解析を行った。なお、ここでいうセラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数とは、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃを含む構造体の全体の線膨張係数を指す。
また、金属板９、１０および１３が、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値以外の値の線膨張係数を有する場合についても解析を行った。つまり、金属板９、１０および１３が、ベース板４密度８９２０ｋｇ／ｍ３、線膨張係数１．７×１０−５、ヤング率１３０ＧＰａ、ポアソン比０．３の材料からなる場合についても解析を行った。金属板９、１０および１３の線膨張係数の値が、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値である場合とそうでない場合との２種類の材料を用いた比較結果は、図１６を用いて後述する。
図１５にひずみ低減用の金属板の有無および内部より外周部が厚い金属板を適用した場合の解析結果を示す。図１５は、縦軸に、セラミック基板およびベース板間の接合部の端部における最大ひずみ量の比を表わした棒グラフである。図１５では、左から順に、金属板が無い場合（図２参照）の解析結果のグラフＸ１、厚さが均一な金属板を有する場合（図３〜図６参照）の解析結果のグラフＸ２、外周部が上方に突出している金属板を有する場合（図７〜図１０参照）の解析結果のグラフＹ１、および、外周部が上方および下方に突出している金属板を有する場合（図１１〜図１４参照）の解析結果のグラフＹ２を示している。
すなわち、図１５の左側の２つのグラフＸ１、Ｘ２は、比較例の解析モデルを用いたひずみ量の比を示すものであり、右側の２つのグラフＹ１、Ｙ２は、本実施の形態の半導体装置の構造に対応する解析モデルを用いたひずみ量の比を示すものである。ここでは、図１５の一番左側のグラフＸ１のひずみ量、つまり金属板が無い場合（図２参照）のひずみ量を基準として、他の解析結果のひずみ量の比を示している。つまり、金属板が無い場合（図２参照）のひずみ量の比を、グラフＸ１に表わされているように、１００％に設定している。
これに対し、他の比較例の解析結果であるグラフＸ２では、図５に示す金属板１０をセラミック基板３の下の接合部に挿入しているにもかかわらず、殆どひずみ量が低減されていない。これは、金属板１０の機械的強度が低いことに起因して、金属板１０が塑性変形することに原因がある。このように金属板１０が変形すると、接合部が大きく変形するため、接合部を構成するはんだ５ａ、５ｂの破壊がより加速されることが懸念される。
また、金属板１０の上記のような変形は、半導体装置の製造工程において、金属板１０をセラミック基板３側またはベース板４側のどちらかに接合した段階で、金属板１０が大きく反ることで起こる。その場合、その後の工程で金属板１０に他方の部材（セラミック基板３またはベース板４）を接合することが困難になるとともに、金属板１０が反ることによってはんだ５ａ、５ｂに生じるひずみが増える。このため、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値の線膨張係数を有する金属板１０を設けても、図１５のグラフＸ２に示すように、殆どひずみ量を低減することができない。
これに対し、本実施の形態の半導体装置（図１参照）に対応する解析モデル（図７〜図１０参照）のひずみ量は、グラフＹ１に示すように、グラフＸ１、Ｘ２に比べて大きく低減されている。これは、図１および図７〜図１０に示すように、セラミック基板３およびベース板４間に挿入する金属板９の構造を、図３〜図６を用いて説明した比較例の金属板１０のように平坦な構造とするのではなく、外周部９ａを内部（中央部）９ｂよりも厚い構造としているためである。
すなわち、本実施の形態では、金属板９の外周部９ａに枠状の厚い部分を設けることで、金属板９の機械的強度を高めている。このため、半導体装置の製造工程において、薄い金属板９に塑性変形が生じることを防ぐことができ、さらに、パワーモジュール２０（図１参照）の使用により、セラミック基板３およびベース板４間に繰り返し熱応力が加わっても、金属板９、はんだ５ａおよび５ｂを含む接合部が変形することを防ぐことができる。
したがって、セラミック基板３の下の接合部にひずみが生じることを防ぐことができるため、接合部の端部がひずみにより破壊されて放熱の効率が低下し、パワーモジュール２０がさらに加熱されやすくなることに起因して、パワーモジュール２０が破壊されることを防ぐことができる。よって、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
なお、半導体チップ１（図１参照）の放熱を効率的に行う観点から、はんだ５ａ、５ｂおよび金属板９のそれぞれの厚さは極力小さいことが望ましい。また、セラミック基板３とベース板４との接合強度を高めるため、はんだ５ａ、５ｂのそれぞれの厚さは小さい方が望ましい。したがって、単に金属板１０（図５参照）の厚さを増大することで金属板１０の強度を高めることは困難である。これに対し本実施の形態では、セラミック基板３とは重ならない領域（外周部９ａ）において金属板９の厚さを大きくし、これにより金属板９の強度を高めることを可能としている。
また、金属板９の内部９ｂの厚さの増大を抑えつつ、金属板９の強度を高める構造としては、金属板９の外周部９ａを下方に大きく突出させることが考えられる。しかし、はんだ５ｂの厚さは０．１ｍｍまたは０．２ｍｍ程度であるため、金属板９の外周部９ａが下方に大きく突出していると、金属板９とベース板４とを接合することが困難となる。したがって、金属板９の外周部９ａを下方のみに突出させて金属板９の強度を高めることはできない。
これに対し本実施の形態では、厚くした金属板９の一部がベース板４に接触しないように、上方に外周部９ａを突出させているため、金属板９とベース板４とを接合することが困難となることを防ぐことができる。
ここで、本実施の形態の半導体装置の変形例に対応する解析モデル（図１１〜図１４参照）のひずみ量は、グラフＹ２に示すように、グラフＸ１、Ｘ２に比べて大きく低減されている。当該変形例は、図１１〜図１４に示すように、金属板１３の一部をベース板４側、つまり下方にも突出させるものであるが、外周部１３ａが下方へ突出する長さが、はんだ５ｂの厚さよりも小さい大きさであれば、金属板１３とベース板４とを接合することが困難となることを防ぎつつ、金属板１３の機械的強度を高めることができる。言い換えれば、金属板１３の内部１３ｂの底面に対して外周部１３ａがベース板４側に突出した長さは、はんだ５ｂの厚さよりも小さい。
なお、図７に示す金属板９の線膨張係数の値が、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数と、ベース板４の線膨張係数との間の値でない場合であっても、図１５のグラフＹ１に示すように、金属板９の外周部９ａの厚さを大きくして金属板９の機械的強度を高めることで、セラミック基板３の下の接合部の端部においてひずみが生じることを防ぐことができる。図１１〜図１４を用いて説明した変形例についても同様である。
つまり、平面視において、はんだ５ａ、５ｂを含む接合部（図１に示すはんだ５）は、はんだ２よりも大きい面積を有しており、大きな面積に起因して熱応力が増大しやすい箇所であるが、上記のような金属板９を設けることにより、鉛フリーで、かつ、高い耐熱性を有し、高信頼の接合部を有する半導体装置を実現することができる。
図１６に、金属板９（図７参照）の材料に、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数とベース板４の間の線膨張係数を持つ金属を用いない場合の解析結果のグラフＡ１と、金属板９の材料に、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数とベース板４の間の線膨張係数を持つ金属を用いた場合の解析結果のグラフＢ１とを示す。図１６は、縦軸に、セラミック基板およびベース板間の接合部の端部における最大ひずみ量の比を表わした棒グラフである。
図１６のグラフＢ１に示すように、金属板９（図７参照）の部材に、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数とベース板４の線膨張係数との間の線膨張係数を持つ金属を用いることで、グラフＡ１の場合に比べて、ひずみを大きく低減することができる。金属板９の材料に、セラミック基板３、電極３ｃｂおよび３ｃｃの線膨張係数とベース板４の線膨張係数との間の線膨張係数を持つ金属を用いることで、図７に示す金属板９が、セラミック基板３とベース板４との間の線膨張係数の差に起因して生じる応力の緩衝層として働くためである。
また、図１７に、図７に示す接合部であるはんだ５ａ、５ｂのそれぞれの厚さが同じ場合と異なる場合との解析結果を示す。図１７は、縦軸に、セラミック基板およびベース板間の接合部の端部における最大ひずみ量の比を表わした棒グラフである。図１７では、左から順に、はんだ５ａ、５ｂのそれぞれの厚さが同じ場合におけるグラフＣ１、はんだ５ａの厚さがはんだ５ｂの厚さより大きい場合のグラフＤ１、および、はんだ５ａの厚さがはんだ５ｂの厚さより小さい場合のグラフＥ１を示している。
図１７に示すように、本発明者らは解析により、はんだ５ａ、５ｂの厚さが互いに同じ場合（グラフＣ１参照）に比べはんだ５ａ、５ｂの厚さが異なっている場合（グラフＤ１参照）でもひずみは増大しないこと、および、はんだ５ａの厚さがはんだ５ｂの厚さより小さい場合においてひずみが低減されることを確認した。したがって、はんだ５ｂの厚さをはんだ５ａの厚さより大きくすることで、ひずみの発生を防ぎ、これにより半導体装置の信頼性を向上させることができる。
（実施の形態２）
図１８は、図１に示す半導体装置（図１参照）が搭載された鉄道車両を部分的に示す側面図であり、図１９は、図１８に示す鉄道車両に設置されたインバータの内部構造を示す平面図である。
本実施の形態では、上記実施の形態のパワーモジュール２０（図１参照）を搭載した鉄道車両について説明する。図１８に示す鉄道車両２１は、例えば、図１に示すパワーモジュール２０が搭載されたものであり、車両本体２６と、集電装置であるパンタグラフ２２と、インバータ２３とを備えている。パワーモジュール２０は、車両本体２６の下部に設置されたインバータ２３に搭載されている（図１８および図１９参照）。
図１９に示すように、インバータ２３の内部では、プリント基板（実装部材）２５上に複数のパワーモジュール２０が搭載され、さらにこれらのパワーモジュール２０を冷却する冷却装置２４が搭載されている。図１に示す本実施の形態のパワーモジュール２０では、半導体チップ１からの発熱量が多い。したがって、複数のパワーモジュール２０を冷却してインバータ２３の内部を冷却可能なように冷却装置２４が取り付けられている。つまり、図１のベース板４の底面が、図１９に示す冷却装置２４に接するように、パワーモジュール２０がインバータ２３に搭載される。
これにより、図１８に示す鉄道車両２１において、図１に示すモジュールの接合構造が用いられた複数のパワーモジュール２０を搭載したインバータ２３が設けられていることにより、インバータ２３内が高温環境となった場合であっても、インバータ２３およびそれが設けられた鉄道車両２１の信頼性を高めることができる。すなわち、高温環境下での動作安定性と高電流負荷にも耐え得るパワーモジュール２０およびこれを用いたインバータシステムを実現することができる。
パワーモジュール２０は、複数であることは必須でなく、制御する装置の規模等に応じて単体での使用も可能である。
（実施の形態３）
次に、上記実施の形態１のパワーモジュール２０を搭載した自動車について説明する。図２０は、図１に示す半導体装置が搭載された自動車の一例を示す斜視図である。
図２０に示す自動車２７は、例えば、図１に示すパワーモジュール２０が搭載されたものであり、車体２８と、タイヤ２９と、パワーモジュール２０（図１参照）を支持する実装部材である実装ユニット３０と、を備えている。
自動車２７では、パワーモジュール２０は、実装ユニット３０に含まれるインバータに搭載されているが、実装ユニット３０は、例えば、エンジン制御ユニット等であり、その場合、実装ユニット３０はエンジンの近傍に配置されている。この場合には、実装ユニット３０は、高温環境下での使用となり、これにより、パワーモジュール２０も高温状態となる。
自動車２７において、図１に示す接合構造が用いられた複数のパワーモジュール２０を搭載したインバータが設けられていることにより、実装ユニット３０が高温環境となった場合であっても、自動車２７の信頼性を高めることができる。つまり自動車２７において、高温環境下での動作安定性と高電流負荷にも耐え得るパワーモジュール２０およびこれを用いたインバータシステムを実現することができる。
また、交流発電機、オルタネータ等にも適用することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能である。例えば、図１１〜図１４を用いて説明した実施の形態１の変形例のパワーモジュールを、実施の形態２または３のインバータに用いてもよい。
上記の各実施例で説明したインバータは、実施の形態２の鉄道車両や実施の形態３の自動車を代表とする移動体のみならず、移動体の一種として、建設機械やエレベータにも適用可能である。
さらに、本願発明の半導体装置は、太陽光発電装置、太陽光発電モジュールや風力発電機、風力発電モジュール等の発電装置の分野にも適用することが可能である。また、ホイストやアクチュエータ、圧縮機等を代表とする産業機械の分野にも適用可能である。
また、無停電電源装置、メインフレームや汎用計算機等の計算機の分野にも適用可能である。
これらの例も高温環境下での動作安定性、高電流負荷に耐えることが可能となる。上記した半導体装置を用いる分野の装置を総称してパワーエレクトロニクス装置と呼ぶ。
本願発明は、上記したパワーエレクトロニクスの分野の装置であれば適用可能であり、その信頼性向上に役立つ。
本発明は、接合部を介して放熱を行う半導体装置およびその半導体装置を用いたパワーエレクトロニクス装置に適用して有効である。
１ 半導体チップ
１ｃ 電極
２ はんだ
３ セラミック基板（配線基板）
３ｃａ、３ｃｂ、３ｃｃ 電極
４ ベース板（金属板）
５ はんだ（接合材）
５ａ はんだ（接合材）
５ｂ はんだ（接合材）
６ ワイヤ
７ 端子
８ ケース
９ 金属板
２０ パワーモジュール

Claims (12)

  1. 半導体チップと、
    前記半導体チップを支持し、前記半導体チップに電気的に接続された配線基板と、
    前記配線基板を支持する第１金属板と、
    前記配線基板と前記第１金属板との間に配置された第２金属板と、
    前記配線基板および前記第２金属板を接合する第１接合部と、
    前記第１金属板および前記第２金属板を接合する第２接合部と
    を有し、
    前記第２金属板の中央部の厚みよりも、前記第２金属板の外周部の厚みが大きい、半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第２金属板の線膨張係数は、前記配線基板の線膨張係数と前記第１金属板の線膨張係数の間の値である、半導体装置。
  3. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１金属板上に、順に前記第２接合部、前記第２金属板、前記第１接合部、前記配線基板および前記半導体チップが配置され、
    平面視において、前記第２金属板の前記外周部は、前記配線基板の外側に位置する、半導体装置。
  4. 請求項３記載の半導体装置において、
    前記第１金属板の上面に対して垂直な方向において、前記第２金属板の前記外周部は、前記中央部の上面よりも前記配線基板側に突出し、
    前記第２金属板の前記中央部の前記上面と前記外周部の上面との間の前記方向における距離は、前記第２金属板の前記中央部の前記上面と前記配線基板との間の前記方向における距離よりも大きい、半導体装置。
  5. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１金属板の上面に対して垂直な方向において、前記第２金属板の前記外周部は、前記中央部の上面よりも前記配線基板側に突出する、半導体装置。
  6. 請求項５記載の半導体装置において、
    前記方向において、前記第２金属板の前記外周部は、前記中央部の下面よりも前記第１金属板側に突出し、
    前記方向において、前記第２金属板の前記中央部の前記下面に対し、前記外周部が前記第１金属板側に突出する長さは、前記第２接合部の厚さよりも小さい、半導体装置。
  7. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１金属板上に、順に前記第２接合部、前記第２金属板、前記第１接合部、前記配線基板および前記半導体チップが配置され、
    前記半導体チップおよび前記配線基板は、それらの間に介在する第３接合部により接合され、
    平面視において、前記第１接合部および前記第２接合部のそれぞれの面積は、前記第３接合部の面積よりも大きい、半導体装置。
  8. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１接合部の厚さよりも、前記第２接合部の厚さの方が大きい、半導体装置。
  9. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１接合部および前記第２接合部は、Ｓｎ系はんだ合金を含む、半導体装置。
  10. 半導体チップと、
    前記半導体チップを支持し、前記半導体チップに電気的に接続された配線基板と、
    前記配線基板を支持する第１金属板と、
    前記配線基板と前記第１金属板との間に配置された第２金属板と、
    前記配線基板および前記第２金属板を接合する第１接合部と、
    前記第１金属板および前記第２金属板を接合する第２接合部と
    を有し、
    前記第２金属板の中央部の厚みよりも、前記第２金属板の外周部の厚みが大きい半導体装置を有するインバータが搭載された、パワーエレクトロニクス装置。
  11. 請求項１０記載のパワーエレクトロニクス装置であって、
    前記パワーエレクトロニクス装置は、鉄道車両である、パワーエレクトロニクス装置。
  12. 請求項１０記載のパワーエレクトロニクス装置であって、
    前記パワーエレクトロニクス装置は、自動車である、パワーエレクトロニクス装置。
JP2016563150A 2015-08-31 2015-08-31 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置 Pending JPWO2017037837A1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/074697 WO2017037837A1 (ja) 2015-08-31 2015-08-31 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2017037837A1 true JPWO2017037837A1 (ja) 2017-09-07

Family

ID=58188872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016563150A Pending JPWO2017037837A1 (ja) 2015-08-31 2015-08-31 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10153236B2 (ja)
JP (1) JPWO2017037837A1 (ja)
WO (1) WO2017037837A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6195689B1 (ja) * 2016-01-28 2017-09-13 三菱電機株式会社 パワーモジュール
DE112018000457T5 (de) * 2017-02-23 2019-09-26 Ngk Insulators, Ltd. Isoliertes wärmeableitungssubstrat
JP6797760B2 (ja) * 2017-07-11 2020-12-09 株式会社日立製作所 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
US20200312740A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Corning Incorporated Low thermal resistance power module packaging

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068592A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子用支持板、半導体装置及び半導体装置実装体
JP2012109314A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
WO2013001999A1 (ja) * 2011-06-29 2013-01-03 日本碍子株式会社 大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、及び当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4315272A1 (de) 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
EP2415728B1 (en) * 2009-04-03 2017-05-10 Sumitomo Metal (SMI) Electronics Devices. Inc. Sintered ceramic and substrate comprising same for semiconductor device
JP5542567B2 (ja) 2010-07-27 2014-07-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5821389B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068592A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子用支持板、半導体装置及び半導体装置実装体
JP2012109314A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
WO2013001999A1 (ja) * 2011-06-29 2013-01-03 日本碍子株式会社 大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、及び当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017037837A1 (ja) 2017-03-09
US20180182716A1 (en) 2018-06-28
US10153236B2 (en) 2018-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109314063B (zh) 电力用半导体装置
CN107615464B (zh) 电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置
JP5542567B2 (ja) 半導体装置
JP6399272B1 (ja) パワーモジュール及びその製造方法並びに電力変換装置
US20170338190A1 (en) Power module
CN107851639B (zh) 电力用半导体装置
JP6072667B2 (ja) 半導体モジュールとその製造方法
JP2007251076A (ja) パワー半導体モジュール
JP6945418B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007234690A (ja) パワー半導体モジュール
JP2007184525A (ja) 電子機器装置
CN112753101A (zh) 半导体装置
JP6610101B2 (ja) 半導体モジュール
WO2017037837A1 (ja) 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置
JP2013219139A (ja) 半導体装置
WO2018020640A1 (ja) 半導体装置
JP6422736B2 (ja) パワーモジュール
JP2007215302A (ja) インバータ装置
CN111293095A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2011023748A (ja) 電子機器装置
JP2016025194A (ja) 半導体モジュールの製造方法、半導体パワーモジュール、半導体モジュールを有する自動車および半導体モジュールを有する鉄道車両
WO2016147252A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2015026667A (ja) 半導体モジュール
JP2018073923A (ja) 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置
JP2018006512A (ja) 半導体装置及び移動体

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171003

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180327