JP2021141237A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体素子のシュリンクに対応し、金属ワイヤによる高信頼性を有した配線接続を得るとともに、大電流容量化、小型化可能な半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム４ａに半導体素子１が搭載され、半導体素子１及び外部端子４ｂを金属ワイヤ３ａにて配線接続され、半導体素子１、リードフレーム４ａ及び金属ワイヤ３ａを覆って封止されたパッケージ５において、金属ワイヤ３ａは、半導体素子１の上面電極に対し接合され、その接合箇所に隣接して低ループ形状を有し、半導体素子１の上面電極に直線状に接している。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置に関し、特に金属ワイヤを有する半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置では、使用環境温度下にて生じる熱膨張収縮による引張応力を低減させるため、十分な高さを有したループ形状のワイヤ配線を用いて、半導体素子上に超音波接合させ、電気的な内部配線を行っている。（例えば、特許文献１参照）
特開平１０−３２２１８号公報（段落００１３、図１）
しかしながら、このような半導体装置に搭載される半導体素子が、大きな電流を扱い、電力を制御するような所謂パワー半導体素子の場合、近年、半導体素子の製造プロセス安定化及びコスト低減により、半導体素子のシュリンクが進み、半導体素子のサイズが小さくなっている。そのため、ワイヤボンディング間の距離が必要となり、十分な高さのループ形状を有したワイヤ配線が困難になることがあった。
本開示は、上述のような問題を解決するためになされたものであり、半導体素子のシュリンクに対応し、金属ワイヤによる高信頼性を有した配線接続を得るとともに、大電流容量化、小型化可能な半導体装置を提供することを目的とする。
本開示にかかる半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を搭載している金属板と、半導体素子または金属板と電気的に接続された外部端子と、半導体素子、金属板または外部端子を配線接続している金属ワイヤと、半導体素子、金属板及び金属ワイヤを覆って樹脂封止されたパッケージを備えている。半導体素子の上面電極に対し、金属ワイヤが第１接合箇所及び第２接合箇所にて接合されている。第１接合箇所及び第２接合箇所との間であって、金属ワイヤが、第１接合箇所及び第２接合箇所の少なくとも１つに隣接して上面電極に接していない低ループ形状を備えている。
本開示によれば、半導体素子のシュリンク含め、縮小されたサイズの半導体素子に対し、金属ワイヤを用いた配線接続が可能である。また高信頼性の配線接続を得ることができるとともに、半導体装置の大電流容量化、小型化を図ることができる。
実施の形態１にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置の構成を示す拡大断面図である。 実施の形態２にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態３にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態１．
実施の形態１にかかる半導体装置の構成を説明する。図１は実施の形態１にかかる半導体装置の構成示す断面図である。
図１に示すように、複数の外部端子４ｂが、半導体素子１を搭載しているパッケージ５に対し、対向した側面から露出しており、略直角方向に折り曲がり、延在している。外部端子４ｂは、図示しない制御回路を有した制御基板に実装され、半導体装置の外部に電気的に接続される。
パッケージ５の内部には、リードフレーム４ａに半導体素子１が搭載されており、金属ワイヤ３ａにて配線接続され、外部端子４ｂに接続されている。なお半導体装置の仕様に応じて、必要な定格の半導体素子１を必要な個数分搭載することができる。また図１では、金属ワイヤ３ａは、半導体素子１及び外部端子４ｂに配線接続しているが、特に限定はなく、リードフレーム４ａによる回路構成により、必要に応じて、金属ワイヤ３ａは、リードフレーム４ａに配線接続する。
パッケージ５は、金型に樹脂を注入するトランスファーモールドにより封止され、パッケージングされている。パッケージ５を封止している樹脂は、主にエポキシ樹脂にて構成されているが、これに限定するものではなく、所望の弾性率と密着性を有する熱硬化性樹脂であればよい。
半導体素子１は、Ｓｉから構成され、電力を制御するいわゆる電力半導体素子である。例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ―Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。半導体素子１の一辺は、３ｍｍ〜１３ｍｍ程である。なおＳｉに限らず、ＳｉＣもしくはＧａＮといったワイドバンドギャップ半導体の素子でもかまわない。
半導体素子１は、リードフレーム４ａに接合材２を介した接合により搭載されている。接合材２の材料は、Ｓｎを主成分とするはんだ材である。なお接合材２はＡｇを主成分とする接着材、焼結材等、発熱する半導体素子１に対し放熱性を有する材料であればよい。
リードフレーム４ａに半導体素子１が搭載され、金属ワイヤ３ａの配線接続により、半導体装置内にて回路を形成している。リードフレーム４ａの厚みは、０．３〜１．０ｍｍ程度である。リードフレーム４ａ及び外部端子４ｂは、単一の板状金属から分割されたものである。従って、リードフレーム４ａと外部端子４ｂは、同一材料であり、同一厚である。単一の板状金属に対し、金型を用いてカット、フォーミング等されることにより、図１に示すような段差構造を有したリードフレーム４ａと略直角に折り曲がった外部端子４ｂの構成が得られる。リードフレーム４ａ及び外部端子４ｂの材料は、Ｃｕを主成分とした導電性の金属材料である。導電性に加え、放熱性があればよいので、例えばＡｌ、Ｃｕ／インバー／Ｃｕなどの複合材料を用いてもよく、またＣｕＭｏなどの合金を用いてもよい。
図１に示すように、一部の外部端子４ｂには、半導体素子１を制御するＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）７が、接着材もしくは接合材２により搭載されており、細線金属ワイヤ３ｄにて配線接続されている。ＩＣ７のサイズが、例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴと比較して小さく、制御用の小さな電流値のため、細線金属ワイヤ３ｄを用いて、ボールボンディング手法にて配線接続されている。細線金属ワイヤ３ｄの直径は、数十ミクロン程度であり、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのいずれかを含む導電性金属である。
リードフレーム４ａの接合材２と反対側の面には、放熱性及び絶縁性を有した放熱絶縁シート６が密着しており、半導体素子１からの発熱に対し、リードフレーム４ａを介して放熱している。放熱絶縁シート６は、絶縁層と金属層の二層構造となっており、パッケージ５から放熱絶縁シート６の金属層が露出している。放熱絶縁シート６の熱伝導率は、２〜１８Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、厚さは０．１〜０．２ｍｍ程度である。絶縁層は、主にフィラーが充填されたエポキシ樹脂から構成されている。金属層は、放熱性を有するＣｕもしくはＡｌ等である。
金属ワイヤ３ａは、純ＡｌもしくはＡｌを主成分とした導電性金属である。切断せずに連続的に、超音波により接合するワイヤボンディング工法により、パッケージ５の内部を配線接続している。金属ワイヤ３ａの直径は、０．1〜０．５ｍｍであり、金属ワイヤ３ａを流れる電流容量に応じて使い分けされている。そのため、電気抵抗が小さいＣｕを主成分としたＣｕワイヤ、もしくはさらに電気抵抗が小さいＡｇを主成分としたＡｇワイヤを用いてもよい。
外部端子４ｂと半導体素子１との間、各半導体素子１との間における金属ワイヤ３ａの配線接続は、金属ワイヤ３ａの直径に対し少なくとも２〜３倍以上の高さを有したループ形状となっている。なお金属ワイヤ３ａは、パッケージ５から露出することはない。
一方、半導体素子１の上面電極における金属ワイヤ３ａを拡大した断面図を図２に示す。半導体素子１の上面電極に対し、最初の配線接続点である第１接合箇所３ｂにおいて、図示しないワイヤボンド装置内のワイヤヘッドに取り付けられた超音波振動するツールが、金属ワイヤ３ａに接して超音波を与え接合する。接合後、次の接合箇所である第２接合箇所３ｃに向かって移動するため、図示しないワイヤボンド装置内のワイヤヘッドが、取り付けられたツールとともに、半導体素子１へのダメージ及び傷を抑制する程度に、半導体素子１の上面電極の第１接合箇所３ｂから上昇する（図２の紙面上で上側方向に）。そして、半導体素子１の上面電極の第２接合箇所３ｃに向かって、半導体素子１の上面電極上を平行に移動する。またワイヤヘッドの上昇高さが、半導体素子１へのダメージ及び傷を抑制する程度であることにより、金属ワイヤ３ａの配線接続における生産タクトへの影響を抑制することができる。
これにより、金属ワイヤ３ａは、第１接合箇所３ｂへの接合直後に、半導体素子１の上面電極に接していない低ループ形状が形成される。その後、金属ワイヤ３ａは切断されることなく、ワイヤヘッドが半導体素子１の上面電極上を平行移動することにより、金属ワイヤ３ａが半導体素子１の上面電極に接するように直線状に配置される。金属ワイヤ３ａを次の配線接続点である第２接合箇所３ｃにて、金属ワイヤ３ａに超音波振動を与え接合するため、図示しないワイヤボンディング装置のワイヤヘッドが下降し（図２の紙面上で下側方向に）、金属ワイヤ３ａが引き戻されることにより、半導体素子１の上面電極に接していない低ループ形状が形成される。
その後、第２接合箇所３ｃにおいて、金属ワイヤ３ａが半導体素子１の上面電極に接合される。そして、必要に応じて、次の配線接続点である別の半導体素子１もしくは外部端子４ｂに向けて、図示しないワイヤボンディング装置のワイヤヘッドが移動し、配線形状を形成する。最後に、ワイヤヘッドに取り付けられたカッターにて、金属ワイヤ３ａが切断される。なお金属ワイヤ３ａの低ループ形状は、半導体素子１の上面電極を基準に対し、金属ワイヤ３ａの直径に対し２倍未満の高さであり、半導体素子１の上面電極には接していない。
金属ワイヤ３ａが接合されている半導体素子１の上面電極は、ＡｌもしくはＡｌＳｉから形成され、０．００３〜０．００５ｍｍ程度の厚さである。また半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが接合、もしくは接している電極は、電気的に同一電位の電極である。
図１及び図２に示すように、半導体素子１の上面電極に対し、このような金属ワイヤ３ａの配線接続形状により、外部端子４ｂと半導体素子１との間及び各半導体素子１との間のような大きなループ形状が不要となるため、半導体素子１がシュリンクされ、半導体素子１のサイズが縮小されても金属ワイヤ３ａによる配線接続が可能となる。また半導体素子１に必要な搭載面積が小さくなるので、半導体装置の小型化を図ることができる。
さらに図２に示すように、半導体素子１の上面電極にある第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃに加えて、金属ワイヤ３ａは、半導体素子１の上面電極と直線状に接しているため、接触面積が大きくなり、十分な通電面積を確保できる。従って、半導体装置のパッケージサイズを大きくすることなく、半導体装置の大電流容量化に対応することができる。
半導体装置の定格電圧は、６００Ｖもしくは１２００Vであり、定格電流は５A〜１５０A程度である。半導体素子１を制御するため、外部端子４ｂにＩＣ７が搭載されている。またコンバータ、ブレーキ機能を設けるため、リードフレーム４ａにはコンバータ用ダイオード、ブレーキ用ＩＧＢＴを搭載することができ、同一半導体装置に内蔵することができる。上記同様、コンバータ用ダイオード、ブレーキ用ＩＧＢＴにも金属ワイヤ３ａによる配線接続を形成することができる。
実施の形態１における半導体装置は、半導体素子１と、半導体素子１を搭載したリードフレーム４ａと、半導体素子１及び外部端子４ｂを配線接続している金属ワイヤ３ａと、半導体素子１、リードフレーム４ａ及び金属ワイヤ３ａを覆って樹脂封止されたパッケージ５から構成されている。半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃにて接合されている。第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃとの間において、金属ワイヤ３ａが、第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃの少なくとも一つに隣接して上面電極に接していない低ループ形状となっている。以上のような構成としたことにより、金属ワイヤ３ａは大きなループ形状を必要としないため、半導体素子１のシュリンクによる半導体素子サイズ縮小化に対し、金属ワイヤ３ａを用いた配線接続が可能となる。また上記のような金属ワイヤ３ａの配線接続により、半導体装置の小型化を図ることができる。
また半導体素子１の上面電極にある第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃに加えて、金属ワイヤ３ａは、半導体素子１の上面電極と直線状に接触し、接触面積が大きくなるため、十分な通電面積を確保でき、半導体装置のパッケージサイズを大きくすることなく、半導体装置の大電流容量化に対応することができる。
なお金属ワイヤ３ａはパッケージ５から露出していないので、金属ワイヤ３ａに対し樹脂を用いたトランスファーモールドによる封止により、金属ワイヤ３ａ及び半導体素子１を封止された樹脂にて密着固定することができる。これにより、金属ワイヤ３ａの亀裂及び切断を抑制することができるとともに、半導体素子１の上面電極に対する金属ワイヤ３ａの接合信頼性を向上させることができる。
また半導体素子１のシュリンクに、特に限定することなく、小さいサイズの半導体素子１に対して、金属ワイヤ３ａによる配線接続が可能である。当然に半導体装置の小型化を図ることができる。
また上記の実施の形態では、一例としてリードフレーム４ａを用いた実施の形態としているが、構成要件である金属板の機能を発揮するものであればよい。他に絶縁基板であっても同様に採用でき、同様の効果を奏する。具体的には、リードフレーム４ａと放熱絶縁シート６の構成に代わり、絶縁基板による構成としてもよい。絶縁基板は、導電性を有した金属層と、絶縁性を有したセラミック層から構成されており、セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、またはＳｉ３Ｎ４等のいずれかである。従って、絶縁基板の適用により、数十Ｗ／（ｍ・K）以上と放熱性が大幅に向上するため、半導体素子１の発熱に対し、十分な放熱性を確保でき、半導体装置の小型化とともに、半導体素子１の特性を劣化させることなく、半導体素子１が有する特性を十分に発揮及び機能させることができる。
上記絶縁基板の場合、半導体素子１に対し必要な放熱性を十分確保できるため、半導体素子１として、ＳｉＣもしくはＧａＮといったワイドバンドギャップ半導体の素子を搭載したとき、その効果は顕著となる。
さらに、樹脂成形されたケースにて、絶縁基板上の半導体素子１を囲み、シリコーン樹脂を主成分としたゲル材、もしくはエポキシ樹脂にて注入し封止する構成であってもよく、上記同様な金属ワイヤ３ａの配線接続により、半導体装置の小型化、大電流容量化を得ることができる。
パッケージ５から露出した放熱絶縁シート６、もしくは絶縁基板、もしくは絶縁基板にさらに放熱性を向上させるために取り付けた放熱板に、放熱グリスを介してフィンを有した冷却器を取り付けることができる。例えばインバータ等の電力変換システムとして用いられ、半導体装置の小型化により、結果として、上記インバータ等の電力半導体装置システムの小型化に大きな貢献を図ることができる。
実施の形態２．
図３は、実施の形態２にかかる半導体装置を示す断面図である。なお本実施の形態における半導体装置は、多くの構成が実施の形態１と共通する。このため、実施の形態１における半導体装置と異なる点について説明するとともに、同一または対応する構成については同じ符号を付けて示し、その説明を省略する。実施の形態１とは、図３に示すように、半導体素子１の上面電極に対し、直線状の金属ワイヤ３ａが、切断されることなく、連続して複数箇所接合されている構成が相違している。
半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが、少なくとも３箇所以上の複数箇所にて接合されて、直線状に配線接続されている。なお半導体素子１の上面電極上に配置された金属ワイヤ３ａの接合箇所以外の部分は、半導体素子１の上面電極に接しているのが望ましいが、接していなくてもかまわない。
各接合箇所の接合強度は、十分な強度を有しており、例えば、ピール試験を行うと、半導体素子１の上面電極と金属ワイヤ３ａとの接合界面で剥離することはない。また半導体装置の使用環境温度下にて十分な接合寿命を満たすことができる。
なお図３の紙面上左側に配置された半導体素子１の上面電極の金属ワイヤ３ａは、外部端子４ｂへと配線接続される第２接合箇所３ｃと、他の半導体素子１へとつながる第１接合箇所３ｂとの間において、上記各接合箇所に隣接して半導体素子１の上面電極に接していない低ループ形状が形成されている。
また図３の紙面上右側に配置された半導体素子１の上面電極の金属ワイヤ３ａは、他の半導体素子１へと配線接続され、半導体素子１の上面電極の接合箇所において、上記接合箇所に隣接して半導体素子１の上面電極に接していない低ループ形状が形成されている。
実施の形態２においても、リードフレーム４ａに半導体素子１が搭載され、半導体素子１及び外部端子４ｂを金属ワイヤ３ａにて配線接続され、半導体素子１、リードフレーム４ａ及び金属ワイヤ３ａを覆って樹脂封止されたパッケージ５において、金属ワイヤ３ａが、半導体素子１の上面電極に対し、直線状に少なくとも３箇所以上の複数箇所にて接合されている。以上のような構成としたことにより、金属ワイヤ３ａの大きなループ形状を必要としないため、半導体素子１のシュリンクによる半導体素子サイズ縮小化に対応した、金属ワイヤ３ａを用いた配線接続が可能となる。また上記金属ワイヤ３ａの配線接続により、半導体装置の小型化を図ることができる。
また半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが十分な接合強度を有した、少なくとも３点以上からなる複数の接合箇所を有することにより、金属ワイヤ３ａが低ループ形状であっても高信頼性を有した金属ワイヤ３ａの配線接続を得ることができる。
さらに半導体素子１の上面電極において、金属ワイヤ３ａは、３点以上からなる複数の接合箇所を有しているので、半導体素子１の発熱や半導体装置の使用環境温度下により、接合箇所に対し予想以上の熱応力が生じ、万が一、一部亀裂や剥離が発生したとしても、半導体装置として動作することができる。
金属ワイヤ３ａと半導体素子１の上面電極との間において、十分な接合強度を有した、３点以上からなる複数の接合箇所により、十分な通電面積を確保することができるため、パッケージサイズを大きくすることなく、半導体装置の大電流容量化を図ることができる。
実施の形態３．
図４は、実施の形態３にかかる半導体装置を示す断面図である。なお本実施の形態における半導体装置は、多くの構成が実施の形態１と共通する。このため、実施の形態１における半導体装置と異なる点について説明するとともに、同一または対応する構成については同じ符号を付けて示し、その説明を省略する。実施の形態１とは、図４に示すように、半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが接合している第１接合箇所３ｂと第２接合箇所３ｃを除いた金属ワイヤ３ａは、一定の距離を有し、半導体素子１の上面電極に接しない直線状の配線接続である構成が相違している。
半導体素子１の上面電極に対し、金属ワイヤ３ａが接合している第１接合箇所３bと第２接合箇所３ｃを除いた金属ワイヤ３ａは、半導体素子１の上面電極から一定の距離を有し、半導体素子１の上面電極に接しない直線状の配線接続となっている。図４に示すように、金属ワイヤ３ａは半導体素子１の上面電極に対し平行な位置に配置されている。なお第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃとの間において、金属ワイヤ３ａは、第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃに隣接して半導体素子１の上面電極に接しない低ループ形状が形成されている。
実施の形態３においても、リードフレーム４ａに半導体素子１が搭載され、半導体素子１及び外部端子４ｂを金属ワイヤ３ａにて配線接続され、半導体素子１、リードフレーム４ａ及び金属ワイヤ３ａを覆って樹脂封止されたパッケージ５において、金属ワイヤ３ａが、半導体素子１の上面電極に対し、第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃで接合されており、第１接合箇所３ｂと第２接合箇所３ｃとの間において、金属ワイヤ３ａは、半導体素子１の上面電極に接することなく直線状に配線接続されている。以上のような構成としたことにより、金属ワイヤ３ａによる大きなループ形状を必要としないため、半導体素子１のシュリンクによる半導体素子サイズ縮小化に対し、金属ワイヤ３ａを用いた配線接続が可能となる。また上記金属ワイヤ３ａの配線接続により、半導体装置の小型化を図ることができる。
特に、第１接合箇所３ｂ及び第２接合箇所３ｃにおいて、半導体素子１に対し十分な接合強度が得られ、十分な接合面積を確保でき、必要な電流容量を確保できる場合に有効である。
なお、各実施の形態を自由に組み合わせることや、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１ 半導体素子
３ａ 金属ワイヤ
４ａ リードフレーム
４ｂ 外部端子
５ パッケージ

Claims (6)

  1. 半導体素子と、
    前記半導体素子を搭載している金属板と、
    前記半導体素子または前記金属板と電気的に接続されている外部端子と、
    前記半導体素子、前記金属板または前記外部端子を配線接続している金属ワイヤと、
    前記半導体素子、前記金属板及び前記金属ワイヤを覆って樹脂封止されたパッケージと、
    前記半導体素子の上面電極に対し、前記金属ワイヤが第１接合箇所及び第２接合箇所にて接合され、前記第１接合箇所及び前記第２接合箇所との間であって、前記金属ワイヤが、前記第１接合箇所及び前記第２接合箇所の少なくとも１つに隣接して前記上面電極に接していない低ループ形状と、
    を備えた半導体装置。
  2. 前記第１接合箇所に隣接した前記低ループ形状と、前記第２接合箇所に隣接した前記低ループ形状との間の前記金属ワイヤは、前記上面電極に対し直線状に接している請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記第１接合箇所に隣接した前記低ループ形状と、前記第２接合箇所に隣接した前記低ループ形状との間の前記金属ワイヤは、前記上面電極に対し複数箇所接合されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記第１接合箇所に隣接した前記低ループ形状と、前記第２接合箇所に隣接した前記低ループ形状との間の前記金属ワイヤは、前記上面電極から一定の距離を有し、前記上面電極に接していない請求項１記載の半導体装置。
  5. 前記金属ワイヤによる前記低ループ形状の高さは、前記上面電極から、前記金属ワイヤの直径に対し2倍未満である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記金属ワイヤは、Ａｌ、Ｃｕ及びＡｇのいずれかを含む導電性金属である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102024122612A1 (de) 2023-09-06 2025-03-06 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorichtung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7666161B2 (ja) * 2021-06-22 2025-04-22 富士電機株式会社 半導体装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336043A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Orthodyne Electronics Corp リボンボンディング
JP2005166854A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2011054727A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置、その製造方法、及びワイヤボンディング方法
JP2012109455A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2016163024A (ja) * 2015-03-05 2016-09-05 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP2018073970A (ja) * 2016-10-28 2018-05-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2019135761A (ja) * 2018-02-05 2019-08-15 株式会社東芝 半導体モジュールおよびその製造方法
JP2019192764A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 株式会社東芝 半導体装置及び駆動回路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1032218A (ja) 1996-07-16 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2008294384A (ja) * 2007-04-27 2008-12-04 Renesas Technology Corp 半導体装置
KR101222809B1 (ko) * 2011-06-16 2013-01-15 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
JP5333529B2 (ja) * 2011-07-05 2013-11-06 株式会社デンソー モールドパッケージの製造方法
KR101237566B1 (ko) * 2011-07-20 2013-02-26 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
JP6316086B2 (ja) * 2014-05-09 2018-04-25 三菱電機株式会社 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法
CN117393509A (zh) * 2017-04-20 2024-01-12 罗姆股份有限公司 半导体器件
JP2020038809A (ja) 2018-09-05 2020-03-12 株式会社デンソー ヒータ装置
JP7298177B2 (ja) * 2019-02-15 2023-06-27 富士電機株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP7196815B2 (ja) * 2019-10-23 2022-12-27 三菱電機株式会社 半導体モジュール及び電力変換装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336043A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Orthodyne Electronics Corp リボンボンディング
JP2005166854A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2011054727A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置、その製造方法、及びワイヤボンディング方法
JP2012109455A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2016163024A (ja) * 2015-03-05 2016-09-05 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP2018073970A (ja) * 2016-10-28 2018-05-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2019135761A (ja) * 2018-02-05 2019-08-15 株式会社東芝 半導体モジュールおよびその製造方法
JP2019192764A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 株式会社東芝 半導体装置及び駆動回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102024122612A1 (de) 2023-09-06 2025-03-06 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorichtung

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