JP2007215302A - インバータ装置 - Google Patents

インバータ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007215302A
JP2007215302A JP2006031422A JP2006031422A JP2007215302A JP 2007215302 A JP2007215302 A JP 2007215302A JP 2006031422 A JP2006031422 A JP 2006031422A JP 2006031422 A JP2006031422 A JP 2006031422A JP 2007215302 A JP2007215302 A JP 2007215302A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
positive
side conductor
negative
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006031422A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobumitsu Tada
伸光 田多
Ryuichi Morikawa
竜一 森川
Toshiharu Obe
利春 大部
Hironori Sekiya
洋紀 関谷
Takeshi Ninomiya
豪 二宮
Shinpei Yoshioka
心平 吉岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006031422A priority Critical patent/JP2007215302A/ja
Publication of JP2007215302A publication Critical patent/JP2007215302A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、外力に対する耐久性を向上したインバータ装置を提供することにある。
【解決手段】放熱板22の表面に、正側導体33、負側導体37及び交流側導体35を接合し、正側導体33と交流側導体35との間に接合されたIGBT及びダイオードと、負側導体37と交流側導体35との間に接合されたIGBT及びダイオードと、正側導体33に設けられた正極端子39と、負側導体37に設けられた負極端子40と、交流側導体35に設けられた出力端子41,42とを有し、正極端子39、負極端子40及び出力端子41,42は、放熱板22の表面に対して平行にする方向に曲げられたインバータ装置。
【選択図】図1

Description

本発明は、インバータ装置に関する。
一般的に、例えば電気自動車では、電力用半導体素子及びそれを用いたインバータ装置の小型化、高信頼性化及び冷却効率の向上が要求されている。
そこで、半導体チップであるIGBT(insulated gate bipolar transistor)及びダイオードを平面形状とし、これらの半導体チップを導体に接合し、この導体を冷却器に、セラミックスを含有した絶縁樹脂シートを介在させて加圧及び過熱接着することで、冷却効率を高めたインバータ装置が開示されている(例えば、特許文献1を参照)。また、複数の半導体チップを導体の一方の面に接合し、他方の面にセラミックを含有した絶縁樹脂シートで放熱用金属板を接着し、この放熱用金属板を熱伝導グリースを介して、冷却器に加圧接触することで、冷却効率を高めたインバータ装置が開示されている(例えば、特許文献2を参照)。
特開2003−153554号公報 特開2004−288755号公報
しかしながら、上述したインバータ装置には、実装時における外力に対する対策については触れられていない。例えば、電気自動車等に搭載する場合には、走行時における振動などの外力により、IGBT、ダイオード及びこれらを接合した接合部にダメージを継続的に受ける可能性がある。特に、外部の機器等と配線などにより接続されている端子は、この外力を直接的に受け、さらにインバータ装置全体にこの外力を伝える部分となる。このような外力により、インバータ装置及びこれらに実装されている素子等の寿命を短くする恐れがある。
そこで、本発明の目的は、外力に対する耐久性を向上したインバータ装置を提供することにある。
本発明の観点に従ったインバータ装置は、熱を放熱するための放熱部と、前記放熱部の表面に接合された正側導体と、前記正側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された交流側導体と、前記正側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、直流電力の正極側が印加される正極端子と、前記交流側導体の前記正側導体と対向する側の面に接合され、交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた第1の出力端子と、前記正極端子と正極側が接合され、前記第1の出力端子と負極側が接合された第1の半導体チップと、前記交流側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された負側導体と、前記負側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、前記直流電力の負極側が印加される負極端子と、前記交流側導体の前記負側導体と対向する側の面に接合され、前記交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた第2の出力端子と、前記第2の出力端子と正極側が接合され、前記負極端子と負極側が接合された第2の半導体チップとを備えた構成である。
本発明によれば、外力に対する耐久性を向上したインバータ装置を提供することができる。
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明するが、始めに各実施形態で共通する事項について説明する。
図19を参照して、各実施形態に係るインバータ装置の回路について説明する。
各実施形態に係るインバータ装置を構成する電力用半導体素子は、図19に示すように、回路10と等価の回路を基本に構成されている。
回路10は、IGBT(insulated gate bipolar transistor)171,172と、ダイオード181,182とからなる。回路10は、出力する交流電力の1つの相を構成している。IGBT171及びダイオード181は、1つの相の上アームを構成している。IGBT172及びダイオード182は、1つの相の下アームを構成している。
回路10は、直流電源1から供給される直流電力の正極及び負極がそれぞれ正極端子39及び負極端子40に印加される。コンデンサ4を利用して、IGBT171,172のそれぞれのゲートを制御することにより、直流電力を交流電力に変換して、出力部2に出力する。
コンデンサ4は、例えば電源平滑用コンデンサであり、アルミ電解コンデンサなどである。
3つの本電力用半導体素子を使用し、図19に示す構成とすることにより、直流電力を三相交流電力に変換するインバータ装置とすることができる。また、2つの本電力用半導体素子を使用し、図19に示す構成のうち1つの回路10を削除した構成とすることにより、直流電力を単相交流電力に変換するインバータ装置とすることができる。
以下、各実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
(第1の実施形態)
図1,2を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。図19と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、ここでは異なる部分について主に述べる。なお、以下の実施形態も同様にして重複した説明を省略する。
本電力用半導体素子は、図2に示すように、放熱板22と、正側導体33と、交流側導体35と、負側導体37と、正極端子39と、負極端子40と、出力端子41,42と、IGBT171A〜171C,172A〜172Cと、ダイオード181A,181B,182A,182Bと、熱緩衝板34と、絶縁樹脂シート36とからなり、以下のように構成されている。
正側導体33、交流側導体35及び負側導体37は、絶縁樹脂シート36を介して、放熱板22の上に接合されている。正側導体33、交流側導体35及び負側導体37と放熱板22とが接合した面積は、IGBT171A〜171C,172A〜172Cなどから発生する熱が放熱板22に効率的に伝熱するための一定以上の面積を有している。
交流側導体35は、正側導体33と対向するように配置されている。負側導体37は、正側導体33と反対側に、交流側導体35と対向するように配置されている。正側導体33と交流側導体35とが対向する面及び負側導体37と交流側導体35と対向する面は、放熱板22の表面に対して垂直になる。
正極端子39は、正側導体33の交流側導体35と対向する側の面に接合されている。出力端子41は、交流側導体35の正側導体33と対向する側の面に接合されている。出力端子42は、交流側導体35の負側導体37と対向する側の面に接合されている。負極端子40は、負側導体37の交流側導体35と対向する側の面に接合されている。
IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、コレクタ側(正極側)が、正極端子39の交流側導体35(又は、出力端子41)と対向する側の面に接合されている。また、IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、エミッタ側(負極側)が、出力端子41の正側導体33(又は、正極端子39)と対向する側の面に、熱緩衝板34を介して、接合されている。従って、IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、放熱板22の表面に対して垂直になる。
IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、コレクタ側(正極側)が、出力端子42の負側導体37(又は、負極端子40)と対向する側の面に接合されている。また、IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、エミッタ側(負極側)が、負極端子40の交流側導体35(又は、出力端子42)と対向する側の面に、熱緩衝板34を介して、接合されている。従って、IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、放熱板22の表面に対して垂直になる。
IGBT171A〜171C,172A〜172C及びダイオード181A,181B,182A,182Bと熱緩衝板34との接合や、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37と熱緩衝板34との接合は、例えばはんだを用いて接合している。はんだは、Sn−Pb合金などの低融点はんだ、又はSn−Ag−Cu合金などの高融点はんだである。なお、銀ペーストなどの導電性接着剤を用いて接合してもよい。
次に、本電力用半導体素子を構成する各部品について説明する。
正側導体33、交流側導体35、負側導体37、及び放熱板22は、銅を材質としている。
正側導体33は、正極端子39を介して、直流電力の正極側が印加される導体である。
負側導体37は、負極端子40を介して、直流電力の負極側が印加される導体である。
交流側導体35は、出力端子41,42を介して、直流電力から変換された交流電力を出力する導体である。
正極端子39、負極端子40及び出力端子41,42は、電気の良導体である、銅またはアルミニウムなどの金属を材質としている。
正極端子39は、直流電源から直流電力の正極側が印加されるために、配線等を接続するための端子である。正極端子39は、正側導体33と交流側導体35との対向する部分から側面の方向にはみ出した部分を有している。正極端子39は、はみ出した部分が放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。正極端子39は、配線を接続し易くするために、例えば穴が空けられている。
負極端子40は、直流電源から直流電力の負極側が印加されるために、配線等を接続するための端子である。負極端子40は交流側導体35と負側導体37との対向する部分から側面の方向(正極端子39のはみ出し部分と同一方向)にはみ出した部分を有している。負極端子40は、はみ出した部分が放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。負極端子40は、配線を接続し易くするために、例えば穴が空けられている。
出力端子41,42は、直流電力から変換された交流電力を負荷へ供給するために、負荷との配線等を接続するための端子である。
出力端子41は、正側導体33と交流側導体35との対向する部分から側面の方向(正極端子39及び負極端子40のはみ出し部分と反対側の方向)にはみ出した部分を有している。出力端子41は、はみ出した部分が放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。出力端子41は、配線を接続し易くするために、例えば穴が空けられている。
出力端子42は、交流側導体35と負側導体37との対向する部分から側面の方向(出力端子41のはみ出し部分と同一方向)にはみ出した部分を有している。出力端子42は、はみ出した部分が放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。出力端子42は、配線を接続し易くするために、例えば穴が空けられている。
絶縁樹脂シート36は、例えば絶縁樹脂に窒化ホウ素などのセラミックフィラ−を充填したものであり、熱伝導率は2〜4W/mK、厚みは0.05〜0.15mm程度である。
IGBT171A〜171C,172A〜172Cは、一辺の長さが10mm以下の正方形のサイズになる半導体チップである。IGBT171A〜171C,172A〜172Cは、直流電力から交流電力に変換するためのスイッチング素子である。IGBT171A〜171Cは、3並列に接続されることにより、図19に示すIGBT171に相当する役割を果たす。IGBT172A〜172Cは、3並列に接続されることにより、図19に示すIGBT172に相当する役割を果たす。
ダイオード181A,181B,182A,182Bは、一辺の長さが10mm以下の正方形のサイズになる平面形状の半導体チップである。ダイオード181A,181Bは、2並列に接続されることにより、図19に示すIGBT181に相当する役割を果たす。ダイオード182A,182Bは、2並列に接続されることにより、図19に示すIGBT182に相当する役割を果たす。
熱緩衝板34は、例えばモリブデン(Mo)などの低熱膨張金属材料である。モリブデンは、IGBT171A〜171C,172A〜172C及びダイオード181A,181B,182A,182Bの材質であるシリコンと、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37の材質である銅とのおおよそ中間の線膨張係数をもつ。
以下、本実施形態の作用・効果について説明する。
IGBT171A〜171C,172A〜172C及びダイオード181A,181B,182A,182Bは、材質がシリコンであり、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37は、材質が銅である。これらの材質の間には、線膨張係数に違いがある。これにより、インバータ装置の作動及び停止により、IGBT等から発生する熱の温度サイクルが負荷されることで、接合に用いられているはんだに、せん断応力が発生し、非線型ひずみが発生する。この非線型ひずみの値が大きくなると、径時的にはんだにクラックを生じさせる原因となる。
そこで、上述の構成により、熱緩衝板34を設けることにより、せん断応力を軽減することができる。さらに、IGBT171A〜171C,172A〜172C及びダイオード181A,181B,182A,182Bのチップサイズを一辺の長さを約10mm以下とすることで、はんだの非線型ひずみを減少させることができる。これらにより、熱の温度サイクルによる耐久性を向上させることができる。
また、チップサイズを小さくすると、通電容量が小さくなる。このため、これらの半導体チップを並列に接続することで、大容量のインバータ装置、例えば電気自動車用の数10kWのインバータ装置に対応させることができる。
IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、接合面を通して、発生した熱の約半分を正側導体33に熱伝導し、残りの約半分の熱を交流側導体35に熱伝導し、図示されていない冷却器に搭載された放熱板22に熱伝導して冷却される。同様にして、IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bも、交流側導体35及び負側導体37に、それぞれ約半分ずつの熱が熱伝導して冷却される。よって、IGBT171A〜171C,172A〜172C及びダイオード181A,181B,182A,182Bは、正極側の面と負極側の面の両面から、大きな熱容量を持つ各導体33,35,37に伝熱することで、効率的な冷却をすることができる。
絶縁部材として絶縁基板を使用せず、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37と放熱板22とを、いずれも銅やアルミニウムなどの金属、又はAl−SiCなどの金属基複合材料を用いて形成し、両者を絶縁樹脂シート36で接着している。被接合部材が金属又は金属基複合材料同士であるため、線膨張係数の差が小さく、接合時に生じるそりを小さい値に抑制することができる。そのため、放熱板22の裏面の平面度は、良好な状態を保持でき、放熱板22を冷却器に搭載した場合、両者の間の空隙は小さくなる。その結果、放熱板22と冷却器の接触面に要する熱伝導グリースの層の厚さを小さくすることができ、放熱板22と冷却器との間の接触熱抵抗を大幅に低減できる。
正側導体33、交流側導体35、負側導体37、及び半導体チップ等を、各々はんだにより接合すれば、主回路の電気的配線を行うことができるため、ボンディングワイヤ等の配線部材を用いることなく製造することができる。よって、配線部材を配線する工程がなくなり、製造時間の短縮をすることができる。
正極端子39、負極端子40、出力端子41,42は、放熱板22の表面と垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられた部分を有することにより、この電力用半導体素子が適用されたインバータ装置は、特に垂直方向に加わる外力を緩衝し、耐久性を向上させることができる。
本実施形態によれば、温度サイクルによる耐久性を向上させ、大容量化に対応でき、冷却効率を向上させ、製造時間を短縮し、外力に対する耐久性を向上させたインバータを提供することができる。
(第2の実施形態)
図3を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図2に示す電力用半導体素子の負極端子40及び出力端子41にそれぞれ熱緩衝材34を一体形成し、それぞれ負極端子40A及び出力端子41Aとした点以外は、図2と同じである。
本実施形態によれば、第1の実施形態による作用・効果に加え、負極端子40及び出力端子41に熱緩衝材34を接合する必要がないため、接合部材が要らなくなる。このため、冷却効率をより向上させることができる。また、接合箇所を減らすことにより、外力による耐久性をより向上させることができる。
(第3の実施形態)
図4,5を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図2に示す電力用半導体素子の正極端子39及び負極端子40の代わりに、正極端子39B、負極端子40Bを設け、出力端子41及び出力端子42の代わりに、出力端子41Bを設けた点以外は、図2と同じである。
正極端子39Bは、正側導体33の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。正極端子39Bは、正側導体33と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。
負極端子40Bは、負側導体37の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。負極端子40Bは、正極端子39Bと同一方向に位置する面に設けられている。負極端子40Bは、負側導体37と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。
出力端子41Bは、交流側導体35の正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。出力端子41Bは、正極端子39B又は負極端子40Bと反対側に位置する面に設けられている。出力端子41Bは、交流側導体35と正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。
IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、コレクタ側(正極側)が、正側導体33の交流側導体35と対向する側の面に接合されている。また、IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、エミッタ側(負極側)が、交流側導体35の正側導体33と対向する側の面に、熱緩衝板34を介して、接合されている。従って、IGBT171A〜171C及びダイオード181A,181Bは、放熱板22の表面に対して垂直になる。
IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、コレクタ側(正極側)が、交流側導体35の負側導体37と対向する側の面に接合されている。また、IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、エミッタ側(負極側)が、負側導体37の交流側導体35と対向する側の面に、熱緩衝板34を介して、接合されている。従って、IGBT172A〜172C及びダイオード182A,182Bは、放熱板22の表面に対して垂直になる。
本実施形態によれば、第1の実施形態による作用・効果に加え、正極端子39B、負極端子40B及び出力端子41Bが、放熱板22の表面と垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられた部分を有し、さらに、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37のそれぞれが対向する面に対して平行にする方向に曲げられた部分を有する。これにより、この電力用半導体素子が適用されたインバータ装置は、特に、垂直方向及び水平方向に加わる外力を緩衝し、耐久性を向上させることができる。
(第4の実施形態)
図6〜9を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図4に示す電力用半導体素子の正極端子39B、負極端子40B及び出力端子41Bの形状を変えて、それぞれ正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cとした点以外は、図4と同じである。
正極端子39Cは、正側導体33の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。正極端子39Cは、正側導体33と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、この曲げられた箇所から短い距離のところで、正極端子39Cが設けられている側面に対して平行にする方向に曲げられている。この短い距離は、正極端子39Cと交流側導体35との絶縁をとるための絶縁距離を有している。これにより、正極端子39Cは、段差の形状を有している。
また、正極端子39Cは、交流側導体35の真中付近で、正側導体33(又は、負側導体37)と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(以下、「第1の曲げ部」という。)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(以下、「第2の曲げ部」という)。正極端子39Cは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面は、負側導体37側に面している。
負極端子40Cは、負側導体37の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。負極端子40Cは、正極端子39Cと同一方向に位置する面に設けられている。負極端子40Cは、負側導体37と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、この曲げられた箇所から短い距離のところで、負極端子40Cが設けられている側面に対して平行にする方向に曲げられている。この短い距離は、負極端子40Cと交流側導体35との絶縁をとるための絶縁距離を有している。これにより、負極端子40Cは、段差の形状を有している。
また、負極端子40Cは、交流側導体35の真中付近で、負側導体37(又は、正側導体33)と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(以下、「第1の曲げ部」という。)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(以下、「第2の曲げ部」という)。負極端子40Cは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面は、正側導体33側に面している。
正極端子39C及び負極端子40Cは、それぞれの第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面が互いに近接して対向している。
出力端子41Cは、交流側導体35の正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。出力端子41Cは、正極端子39C又は負極端子40Cと反対側に位置する面に設けられている。出力端子41Cは、交流側導体35の正側導体33と対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、この曲げられた箇所から短い距離のところで、負極端子40Cが設けられている側面に対して平行にする方向に曲げられている。この短い距離は、出力端子41Cと正側導体33又は負側導体37との絶縁をとるための絶縁距離を有している。これにより、出力端子41Cは、段差の形状を有している。
また、出力端子41Cは、交流側導体35と正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、さらに放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。
本実施形態によれば、第3の実施形態による作用・効果に加え、正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cは、それぞれに段差の形状を有することにより、加わる外力を緩衝し、より耐久性を向上させることができ、電位の異なる他の各導体33,35,37との絶縁距離を保つことができる。また、正極端子39C及び負極端子40Cは、それぞれ互いに近接して対向する面により、相互インダクタンスの相殺効果が生じ、全体の配線インダクタンスを抑制することができる。
(第5の実施形態)
図10〜図13を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図6に示す電力用半導体素子の正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cのそれぞれの段差を無くして、それぞれ正極端子39D、負極端子40D及び出力端子41Dとし、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37の放熱板22に接合された位置を変えた点以外は、図6と同じである。
正側導体33、交流側導体35及び負側導体37は、絶縁樹脂シート36を介して、放熱板22の上に接合されている。
交流側導体35は、正側導体33と対向するように配置されている。負側導体37は、正側導体33と反対側に、交流側導体35と対向するように配置されている。正側導体33と交流側導体35とが対向する面及び負側導体37と交流側導体35と対向する面は、放熱板22の表面に対して垂直になる。
正極端子39Dは、正側導体33の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。正極端子39Dは、交流側導体35の真中付近で、正側導体33(又は、負側導体37)と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(以下、「第1の曲げ部」という。)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(以下、「第2の曲げ部」という)。正極端子39Dは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面は、負側導体37側に面している。
負極端子40Dは、負側導体37の交流側導体35と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。負極端子40Dは、正極端子39Dと同一方向に位置する面に設けられている。負極端子40Dは、交流側導体35の真中付近で、負側導体37(又は、正側導体33)と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(以下、「第1の曲げ部」という。)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(以下、「第2の曲げ部」という)。負極端子40Dは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面は、正側導体33側に面している。
正極端子39D及び負極端子40Dは、それぞれの第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面が互いに近接して対向している。
出力端子41Dは、交流側導体35の正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して垂直な側面に設けられている。出力端子41Dは、正極端子39D又は負極端子40Dと反対側に位置する面に設けられている。出力端子41Dは、交流側導体35と正側導体33(又は、負側導体37)と対向する面に対して平行にする方向に曲げられ、さらに放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている。
正側導体33及び負側導体37の両側の側面は、同一平面上に位置するように、揃えられている。
交流側導体35は、出力端子41Dが設けられていない側面、即ち交流側導体35の正極端子39D及び負極端子40Dが設けられている方向の側面が、正側導体33及び負側導体37のそれぞれの側面が含まれる平面よりも出力端子41Dが設けられている側の方向に位置している。即ち、正極端子39D及び負極端子40Dが設けられている側から見ると、交流側導体35は、正側導体33及び負側導体37の側面に対して、凹んだ状態に位置する。
一方、交流側導体35は、出力端子41Dが設けられている側面が、正側導体33及び負側導体37のそれぞれの側面が含まれる平面よりも、出力端子41Dが設けられている側の方向に位置している。即ち、出力端子41Dが設けられている側から見ると、出力端子41Dは、正側導体33及び負側導体37の側面に対して、突き出た状態に位置する。
本実施形態によれば、第3の実施形態による作用・効果に加え、交流側導体35を、正側導体33及び負側導体37に対して、ずらして放熱板22上に接合することにより、正極端子39D、負極端子40D及び出力端子41Dは、電位の異なる他の各導体33,35,37と確実に絶縁距離を保つことができる。また、正極端子39D及び負極端子40Dは、それぞれ互いに近接して対向する面により、相互インダクタンスの相殺効果が生じ、全体の配線インダクタンスを抑制することができる。
(第6の実施形態)
図14〜図17を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図4に示す電力用半導体素子の正極端子39B、負極端子40B及び出力端子41Bの形状を変えて、それぞれ正極端子39E、負極端子40E及び出力端子41Eとした点以外は、図4と同じである。
正極端子39Eは、正側導体33と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(第1の曲げ部)、折り返すように約180度に曲げられ(第2の曲げ部)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(第3の曲げ部)。正極端子39Eは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面と、第2の曲げ部と第3の曲げ部との間にある平面とが近接して対向している。
負極端子40Eは、負側導体37と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(第1の曲げ部)、折り返すように約180度に曲げられ(第2の曲げ部)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(第3の曲げ部)。負極端子40Eは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面と、第2の曲げ部と第3の曲げ部との間にある平面とが近接して、対向している。
出力端子41Eは、正側導体33(又は、負側導体37)と交流側導体35とが対向する面に対して平行にする方向に曲げられ(第1の曲げ部)、折り返すように約180度に曲げられ(第2の曲げ部)、放熱板22の表面に対して垂直方向に伸び、放熱板22の表面と平行にする方向に曲げられている(第3の曲げ部)。出力端子41Eは、第1の曲げ部と第2の曲げ部との間にある平面と、第2の曲げ部と第3の曲げ部との間にある平面とが近接して、対向している。
本実施形態によれば、第3の実施形態による作用・効果に加え、正極端子39E、負極端子40E及び出力端子41Eは、曲げ部を3つ有することにより、加わる外力を緩衝し、より耐久性を向上させることができ、また、正極端子39E、負極端子40E及び出力端子41Eは、近接した対向する一組の平面を各々に有することにより、相互インダクタンスの相殺効果が生じ、全体の配線インダクタンスを抑制することができる。
(第7の実施形態)
図18を参照して、本実施形態に係るインバータ装置の電力用半導体素子について説明する。
本電力用半導体素子は、図8に示す電力用半導体素子に、外囲器50を加え、外囲器50と、正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cとの間を、絶縁樹脂60を充填して、正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cを外囲器50に固定した点以外は、図8と同じである。
外囲器50は、本電力用半導体素子の適用されたインバータ装置全体を外部からの衝撃から守るためのケースである。
絶縁樹脂60は、樹脂を原材料とした絶縁部材である。
本実施形態によれば、第4の実施形態による作用・効果に加え、外囲器50を有することにより、外力からの直接的な衝撃からインバータ装置を保護することができる。また、絶縁樹脂60を用いて、正極端子39C、負極端子40C及び出力端子41Cを、外囲器50に固定することで、各端子39C,40C,41Cに受けた外力を、絶縁樹脂60の弾力性により吸収し、さらに、外囲器50に外力を伝えて、衝撃を分散することで、インバータ装置の主要な部分(例えば、IGBT、ダイオード及びこれらを接合した接合部)への外力による衝撃を軽減させ、外力に対する耐久性を向上させることができる。
なお、各実施形態において、正極端子39、負極端子40及び出力端子41(42)は、曲げる箇所及び回数を増減させてもよい。例えば、ある1箇所の曲げられた部分を更に複数回折り返して曲げることにより、蛇腹状にしてもよい。これにより、外力による衝撃をさらに軽減することができる。
各実施形態において、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37は、半導体チップの冷却作用の観点からすると、材質を銅にすることが望ましいが、アルミニウムなどの他金属や、Al−SiCなどの金属基複合材料としてもよい。同様にして、放熱板22も、半導体チップの冷却作用の観点からすると、材質を銅にすることが望ましいが、アルミニウムなどの他金属や、Al−SiCなどの金属基複合材料としてもよい。また、放熱板22は、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37と同じ材質になるように選択してもよい。同じ材質にすることで製造コストを削減することができる。
各実施形態において、正側導体33、交流側導体35及び負側導体37は、直方体として図示しているが、これに限らない。例えば、立方体や直方体の折れ曲がっている形状であってもよいし、曲面、突起、窪みなどを有していてもよい。本インバータ装置を適用する対象物や目的に応じて、適当な変形をすることができる。
各実施形態において、スイッチング素子としてIGBTを用いた構成としたが、他の種類のトランジスタやサイリスタなどを用いた構成としてもよい。
各実施形態において、導体及び半導体チップ等の接合に、はんだを用いることとして説明したが、これに限らない。例えば、銀ペーストを用いて接合することにより、接触熱抵抗を低減することもできる。
各実施形態において、各端子は、直流電源1、コンデンサ4及び交流電力の供給先などとの配線をし易くするために、穴が空いていたり、ネジ状の取り付け部を有していたり、その他の特別な形状を有していてもよい。
各実施形態において、IGBT及びダイオードを実装する個数はいくつであってもよい。半導体チップは、大容量化したものを選択すると寿命が短くなる。また、あまり小容量化のものを選択すると、並列接続する個数を増やす必要がある。このため、装置全体が大きくし、配線も増え、自己インダクタンスを増やす恐れがある。従って、適用する対象物(例えば、電気自動車)に適用する目的や用途などにより適宜変更し、最適な電力容量等を選ぶことができる。
第2の実施形態において、負極端子40A及び出力端子41Aにそれぞれ熱緩衝材34を一体形成したが、正極端子39又は出力端子42に熱緩衝材34を一体形成してもよい。半導体チップの少なくとも片側に熱緩衝材34が介在する組合せであれば、任意の端子の組合せを、熱緩衝材34と一体形成することで、同様の作用・効果を得ることができる。
第7の実施形態において、他の実施形態の構成と組み合わせることにより、第7の実施形態による効果に、組み合わせた他の実施形態による効果を加えた効果を得ることができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
本発明の第1の実施形態に係る電力用半導体素子の斜視図。 第1の実施形態に係る電力用半導体素子の分解立体図。 第2の実施形態に係る負極端子及び出力端子の立体図。 第3の実施形態に係る電力用半導体素子の斜視図。 第3の実施形態に係る電力用半導体素子の分解立体図。 第4の実施形態に係る電力用半導体素子の斜視図。 第4の実施形態に係る電力用半導体素子の上面図。 第4の実施形態に係る電力用半導体素子の正面図。 第4の実施形態に係る電力用半導体素子の側面図。 第5の実施形態に係る電力用半導体素子の斜視図。 第5の実施形態に係る電力用半導体素子の上面図。 第5の実施形態に係る電力用半導体素子の正面図。 第5の実施形態に係る電力用半導体素子の側面図。 第6の実施形態に係る電力用半導体素子の斜視図。 第6の実施形態に係る電力用半導体素子の上面図。 第6の実施形態に係る電力用半導体素子の正面図。 第6の実施形態に係る電力用半導体素子の側面図。 第7の実施形態に係る電力用半導体素子の透視図。 各実施形態に係るインバータ装置の回路図。
符号の説明
1…直流電源、2…出力部、4…コンデンサ、10…電力用半導体素子、22…放熱板、33…正側導体、35…交流側導体、36…絶縁樹脂シート、37…負側導体、39A〜39E…正極端子、40A〜40E…負極端子、41A〜41E,42…出力端子、171,171A〜171C,172A〜172C…IGBT、181,181A,181B,182A,182B…ダイオード。

Claims (12)

  1. 熱を放熱するための放熱部と、
    前記放熱部の表面に接合された正側導体と、
    前記正側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された交流側導体と、
    前記正側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、直流電力の正極側が印加される正極端子と、
    前記交流側導体の前記正側導体と対向する側の面に接合され、交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた第1の出力端子と、
    前記正極端子と正極側が接合され、前記第1の出力端子と負極側が接合された第1の半導体チップと、
    前記交流側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された負側導体と、
    前記負側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、前記直流電力の負極側が印加される負極端子と、
    前記交流側導体の前記負側導体と対向する側の面に接合され、前記交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた第2の出力端子と、
    前記第2の出力端子と正極側が接合され、前記負極端子と負極側が接合された第2の半導体チップと
    を具備することを特徴とするインバータ装置。
  2. 熱を放熱するための放熱部と、
    前記放熱部の表面に接合された正側導体と、
    前記正側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された交流側導体と、
    前記正側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、直流電力の正極側が印加される印加部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた正極端子と、
    前記交流側導体の前記正側導体と対向する側の面に接合され、交流電力が出力される第1の出力端子と、
    前記正極端子と正極側が接合され、前記第1の出力端子と負極側が接合された第1の半導体チップと、
    前記交流側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された負側導体と、
    前記負側導体の前記交流側導体と対向する側の面に接合され、前記直流電力の負極側が印加される印加部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた負極端子と、
    前記交流側導体の前記負側導体と対向する側の面に接合され、前記交流電力が出力される第2の出力端子と、
    前記第2の出力端子と正極側が接合され、前記負極端子と負極側が接合された第2の半導体チップと
    を具備することを特徴とするインバータ装置。
  3. 前記第1の出力端子は、前記交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられ、
    前記第2の出力端子は、前記交流電力が出力される出力部が前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられたこと
    を特徴とする請求項2に記載のインバータ装置。
  4. 前記正極端子、前記負極端子、前記第1の出力端子、及び前記第2の出力端子のうち少なくとも1つに熱緩衝部を設けたこと
    を特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のインバータ装置。
  5. 熱を放熱するための放熱部と、
    前記放熱部の表面に接合された正側導体と、
    前記正側導体に設けられ、直流電力の正極側が印加される正極端子と、
    前記正側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された交流側導体と、
    前記交流側導体に設けられ、交流電力が出力される出力部が前記交流側導体と前記正側導体との対向面に対して平行にする方向に曲げられ、前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた出力端子と、
    前記正側導体と前記交流側導体との間に設けられ、前記正側導体と正極側が接合され、前記交流側導体と負極側が接合された第1の半導体チップと、
    前記交流側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された負側導体と、
    前記負側導体に設けられ、直流電力の負極側が印加される負極端子と、
    前記交流側導体と前記負側導体との間に設けられ、前記交流側導体と正極側が接合され、前記負側導体と負極側が接合された第2の半導体チップと
    を具備することを特徴とするインバータ装置。
  6. 熱を放熱するための放熱部と、
    前記放熱部の表面に接合された正側導体と、
    前記正側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された交流側導体と、
    前記正側導体に設けられ、直流電力の正極側が印加される印加部が前記交流側導体と前記正側導体との接合面に対して平行にする方向に曲げられ、前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた正極端子と、
    前記交流側導体に設けられ、交流電力が出力される出力端子と、
    前記正側導体と前記交流側導体との間に設けられ、前記正側導体と正極側が接合され、前記交流側導体と負極側が接合された第1の半導体チップと、
    前記交流側導体と対向するように前記放熱部の表面に接合された負側導体と、
    前記負側導体に設けられ、直流電力の負極側が印加される印加部が前記交流側導体と前記負側導体との接合面に対して平行にする方向に曲げられ、前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられた負極端子と、
    前記交流側導体と前記負側導体との間に設けられ、前記交流側導体と正極側が接合され、前記負側導体と負極側が接合された第2の半導体チップと
    を具備することを特徴とするインバータ装置。
  7. 前記出力端子は、交流電力が出力される出力部が前記交流側導体と前記正側導体との対向面に対して平行にする方向に曲げられ、前記放熱部の表面に対して平行にする方向に曲げられたこと
    を具備することを特徴とする請求項6に記載のインバータ装置。
  8. 前記正極端子の前記交流側導体と前記正側導体との接合面に対して平行な面と、前記負極端子の前記交流側導体と前記負側導体との接合面に対して平行な面とが対向すること
    を特徴とする請求項6又は請求項7に記載のインバータ装置。
  9. 前記正極端子は、前記交流側導体との絶縁距離を確保するための曲げ部を有し、
    前記負極端子は、前記交流側導体との絶縁距離を確保するための曲げ部を有すること
    を特徴とする請求項6に記載のインバータ装置。
  10. 前記正側導体の前記正極端子を設けた面と、前記交流側導体の前記正極端子に最短距離にある面とを、前記交流側導体と前記正極端子との絶縁距離を確保するように、非同一平面上に配置し、
    前記負側導体の前記負極端子を設けた面と、前記交流側導体の前記負極端子に最短距離にある面とを、前記交流側導体と前記負極端子との絶縁距離を確保するように、非同一平面上に配置したこと
    を特徴とする請求項6に記載のインバータ装置。
  11. 前記正極端子は、1対の対向する面を形成するように曲げられ、
    前記負極端子は、1対の対向する面を形成するように曲げられたこと
    を特徴とする請求項1、請求項2、請求項5、又は請求項6のいずれか1項に記載のインバータ装置。
  12. ケースを有し、
    前記正極端子及び前記負極端子は、前記ケースに絶縁部材で固定されたこと
    を特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のインバータ装置。
JP2006031422A 2006-02-08 2006-02-08 インバータ装置 Pending JP2007215302A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006031422A JP2007215302A (ja) 2006-02-08 2006-02-08 インバータ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006031422A JP2007215302A (ja) 2006-02-08 2006-02-08 インバータ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007215302A true JP2007215302A (ja) 2007-08-23

Family

ID=38493239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006031422A Pending JP2007215302A (ja) 2006-02-08 2006-02-08 インバータ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007215302A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016926A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Toshiba Corp 電力半導体モジュールおよびこれを備えた半導体電力変換装置
JP2010178523A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Toshiba Corp インバータ装置
JP2012054513A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JP2012199469A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Toshiba Corp 電力用半導体装置
CN103078477A (zh) * 2013-01-28 2013-05-01 江苏宏微科技股份有限公司 智能功率模块端子及其连接结构
JP2016136583A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社東芝 インバータモジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091499A (ja) * 1998-09-11 2000-03-31 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム
JP2005094842A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Toshiba Corp インバータ装置及びその製造方法
JP2005348529A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Toshiba Corp インバータ装置
JP2005347561A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Toshiba Corp パワー半導体モジュールおよび電力変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091499A (ja) * 1998-09-11 2000-03-31 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム
JP2005094842A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Toshiba Corp インバータ装置及びその製造方法
JP2005348529A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Toshiba Corp インバータ装置
JP2005347561A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Toshiba Corp パワー半導体モジュールおよび電力変換装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016926A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Toshiba Corp 電力半導体モジュールおよびこれを備えた半導体電力変換装置
JP2010178523A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Toshiba Corp インバータ装置
JP2012054513A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JP2012199469A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Toshiba Corp 電力用半導体装置
CN103078477A (zh) * 2013-01-28 2013-05-01 江苏宏微科技股份有限公司 智能功率模块端子及其连接结构
JP2016136583A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社東芝 インバータモジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4803241B2 (ja) 半導体モジュール
WO2013146212A1 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2007305962A (ja) パワー半導体モジュール
US8610263B2 (en) Semiconductor device module
JP6072667B2 (ja) 半導体モジュールとその製造方法
JP2002246515A (ja) 半導体装置
JP2000164800A (ja) 半導体モジュール
JP2007251076A (ja) パワー半導体モジュール
WO2005119896A1 (ja) インバータ装置
JP6988345B2 (ja) 半導体装置
US11101241B2 (en) Semiconductor device having terminals and semiconductor elements electrically connected to a respective side surface of the terminals
JPWO2011016360A1 (ja) 電力変換装置
JP2017108130A (ja) 半導体モジュール
JP2021141222A (ja) 半導体モジュール
JP2005094842A (ja) インバータ装置及びその製造方法
JP2011233722A (ja) 回路基板
JP2007215302A (ja) インバータ装置
CN113557603B (zh) 半导体装置
JP6945418B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4594831B2 (ja) 電力用半導体素子
JP7428019B2 (ja) 半導体モジュール
JP2009021445A (ja) インバータ装置
JP5242629B2 (ja) 電力用半導体素子
JP5100674B2 (ja) インバータ装置
JP5444486B2 (ja) インバータ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080917

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111011