JPWO2016143539A1 - ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法 - Google Patents

ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法 Download PDF

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Abstract

ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法であって、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンと、アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、及びアルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、ベンジルアミン化合物と、を含む反応液中に不活性ガスを導入しながらビス（アミノメチル）シクロヘキサンを異性化する方法。

Description

本発明は、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法に関する。
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンは、エポキシ硬化剤、ポリアミド、ポリウレタン等の原料として使用される工業的に重要な化合物である。ビス（アミノメチル）シクロヘキサンは、シクロヘキサン環に由来するシス体とトランス体の２種類の異性体が存在する。ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを使用したポリマーは、シス体とトランス体の異性体比により物性が大きく変化することが知られている。
例えば、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを使用したポリアミドは、トランス体の含有率が高いほど融点が上昇し、高耐熱となることが知られている（非特許文献１）。また、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンから誘導される１，４ビスイソシアナトメチルシクロヘキサンを用いたポリウレタンは、トランス体の含有率が高いほど各種用途に応じた要求物性が向上することが知られている（特許文献１）。
さらに、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを使用したポリアミドでは、シス体の含有率の高いものは高結晶性であるのに対し、トランス体の含有率の高いものは非晶質であることが報告されている（非特許文献２）。
これらの理由から、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性体比を制御することは極めて重要である。
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンは、公知の方法で製造される。即ち、芳香族ジニトリルを触媒存在下、水素化することでキシリレンジアミンを合成し、得られたキシリレンジアミンを触媒存在下、核水素化することでビス（アミノメチル）シクロヘキサンが得られる。
芳香族ジニトリルを水素化することによりキシリレンジアミンを製造する方法は多数知られており、例えば、ラネーニッケルやラネーコバルトといったラネー触媒を使用する方法が報告されている（特許文献２）。
キシリレンジアミンを核水添してビス（アミノメチル）シクロヘキサンを製造する方法についても多数知られているが、キシリレンジアミンの核水素化反応では、トランス体よりもシス体の方が生成し易く、トランス体を選択的に合成することは一般的に困難である。
例えば、ルテニウムを担体に担持した触媒を使用する方法が報告されているが（特許文献３）、この方法で合成されるビス（アミノメチル）シクロヘキサンのトランス体比率は一般的に５０％以下である。
これまで、トランス体の含有率の高い１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得るための異性化反応が提案されている。例えば、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを、白金やルテニウムといった貴金属触媒の存在下で異性化することによってトランス−１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る方法が報告されている（特許文献４−６）。
また、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンをアルジミン化合物に誘導体化し、次いで異性化を行い、アルジミン化合物を分解することによってトランス−１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る方法が報告されている（特許文献７）。
また、トランス体の含有率の高い１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る方法として、テレフタル酸を原料とし、シクロヘキサンジカルボン酸を経由する方法が報告されている（特許文献８）。
さらに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを、ベンジルアミン化合物とアルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属アミドと混合することで異性化を行う方法が報告されている（特許文献９）。この方法では複雑な多段階工程を経ること無く、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化を行うことが可能である。
国際公開第２００９／０５１１１４号 特開昭５４−４１８０４号公報 特開昭５０−１２６６３８号公報 特開平１０−２５９１６７号公報 特開平１０−３０６０６６号公報 特許第４１１７４２４号公報 特開平１０−３３０３２９号公報 特許第５４４８９８７号公報 特公昭６２−３１４４号公報
Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ． ＰａｒｔＡ−１，１０，４６５（１９７２） 高分子論文集 Ｖｏｌ．３６ Ｎｏ．５ ｐｐ．３０５−３１０（１９７９）
しかしながら、特許文献４−６に記載された方法では、高い１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン収率を得るためには、液体アンモニア中で異性化を実施する必要があるため、高圧反応になるという欠点がある。また、液体アンモニアを使用しない場合、高い回収率を得ることができない。
特許文献７に記載された方法では、トランス体が９９％と極めて高い比率で得られるものの、異性化のために３つの工程を行い、また誘導体化に用いるアルデヒドをリサイクルするため、非常に複雑な工程を経る必要があり、工業的に実施することは容易ではない。
特許文献８に記載された方法では、トランス体の含有率を高めるため、前駆体である１，４−ジシアノシクロヘキサンから晶析によりトランス体を分離し、残ったシス体を異性化してリサイクルすることが行われている。しかしながら、この方法では、非常に長い工程を必要とし、工業的には不利である。
特許文献９に記載された方法では、トランス体を高い比率で得るためには、多量の触媒を用いるか、あるいは高温条件を必要とするため、効率が悪い。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、工業的に重要な化合物であるビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化反応において、高温、高圧反応や複雑な多段階工程を経ることなく、高い異性体含有率を有するビス（アミノメチル）シクロヘキサンを簡便かつ効率的に得ることを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、ベンジルアミン化合物とを含む反応液中に不活性ガスを導入しながらビス（アミノメチル）シクロヘキサンを異性化することによって、異性化反応を促進することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
［１］
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法であって、
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンと、
アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、及びアルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、
ベンジルアミン化合物と、
を含む反応液中に不活性ガスを導入しながらビス（アミノメチル）シクロヘキサンを異性化する方法。
［２］
前記不活性ガスが、ヘリウム、アルゴン、及び窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種以上である、上記［１］に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［３］
前記ベンジルアミン化合物が、ベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン、ジベンジルアミン、メタキシリレンジアミン、及びパラキシリレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上である、上記［１］又は［２］に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［４］
前記ベンジルアミン化合物が４−メチルベンジルアミンである、上記［１］〜［３］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［５］
前記アルカリ金属含有化合物がナトリウムアミドを含む、上記［１］〜［４］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［６］
異性化反応温度が１００〜１４０℃である、上記［１］〜［５］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［７］
前記不活性ガスの導入方法がバブリングである、上記［１］〜［６］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［８］
前記ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンである、上記［１］〜［７］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［９］
前記ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンである、上記［１］〜［７］のいずれかに記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［１０］
トランス体含有率が７７％以上の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る、上記［８］に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
［１１］
シス体含有率が８０％以上の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る、上記［９］に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
本発明により、従来技術と比較して簡便かつ効率的に実施することのできるビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法を提供することができる。
実施例１、比較例１及び比較例２のトランス体比率の経時変化を示す。
以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
〔ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法〕
本発明は、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法であって、
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンと、
アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、
ベンジルアミン化合物と、
を含む反応液中に、不活性ガスを導入しながらビス（アミノメチル）シクロヘキサンを異性化することを含む、方法である。
本実施形態のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法は、不活性ガスの導入を実施しながら反応を行うことにより異性化反応が促進されるため、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化反応を従来技術による方法よりも効率良く実施することができる。
ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとしては、特に限定されないが、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンや１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが挙げられる。この中でも、本発明の効果がより一層顕著になる観点から、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが好ましい。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとしては、トランス体が好ましく、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとしては、シス体が好ましい。なお、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン及び１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンは、それぞれトランス体とシス体の混合物であってもよい。
シス体とトランス体のビス（アミノメチル）シクロヘキサン又はその混合物の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、パラキシリレンジアミン又はメタキシリレンジアミンを、ルテニウムやパラジウム、ロジウム、白金等の貴金属触媒で核水素化する方法が挙げられる。
「異性化する」とは、トランス体のビス（アミノメチル）シクロヘキサンをシス体にすること、又は、シス体のビス（アミノメチル）シクロヘキサンをトランス体にすることをいう。特には、トランス体の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンをシス体にすること、又は、シス体の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンをトランス体にすることをいう。
本実施形態における異性化方法では、例えば、シス体とトランス体の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン混合物について異性化反応を行うことにより、シス体の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンがトランス体の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンへ異性化される。また、シス体とトランス体の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン混合物について異性化反応を行うことにより、トランス体の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンがシス体の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンへ異性化される。
不活性ガスとしては、特に限定されないが、異性化反応を阻害しないものを用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の希ガス、メタン、エタン等の炭化水素、窒素等が挙げられ、入手容易性の観点から、好ましくはヘリウム、アルゴン、窒素である。不活性ガスを反応液に導入しながら異性化反応を行うことにより、異性化反応をより効率的に促進できる。
不活性ガスを反応液中に導入する方法としては、特に限定されず、例えば、不活性ガスを反応液中に吹き込むこと（バブリング）等が挙げられる。
不活性ガスの反応液中への導入は、連続的でも断続的でもよく、断続的の場合は、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、導入間隔や導入時間は特に限定されない。本発明の効果がより一層顕著になる観点からは、連続的に不活性ガスを導入することが好ましい。
不活性ガスの流量は、製造スケール、反応器の直径、不活性ガスの導入形態、各成分の使用量、反応条件等により異なるため、特に限定されない。通常、流量が大きいほど反応を促進する効果が得られやすくなる傾向にある一方で、多量の不活性ガスを必要とする。不活性ガスの流量は、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン１００ｇ当たり、１０ｍＬ／分以上であることが好ましく、より好ましくは２０ｍＬ／分以上、さらに好ましくは５０〜５００ｍＬ／分である。
不活性ガスを導入する際には、反応液を撹拌することが好ましい。撹拌を行うことで、不活性ガスの分散が良好となり、不活性ガス導入の効果が十分に得られる傾向にある。
異性化反応温度は、特に限定されないが、好ましくは１０〜２００℃であり、より好ましくは８０〜１５０℃であり、さらに好ましくは１００〜１４０℃であり、特に好ましくは１００〜１２４℃である。異性化反応温度が１０℃以上であることにより、異性化反応をより効率よく進行させることができる傾向にある。また、異性化反応温度が２００℃以下であることにより、分解反応及び重合反応等の副反応を抑制でき、低沸点生成物及び高沸点生成物の副生を低減できるため、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの回収率がより一層向上する傾向にある。特に、異性化反応温度が１００〜１４０℃である場合、良好な収率と反応速度を得ることができる傾向にある。
異性化反応時間は、各成分の使用量、反応条件、目的とする異性体組成等により異なるが、好ましくは０．５０〜６．０時間であり、より好ましくは１．０〜５．０時間である。
異性化反応は、無溶媒条件でも溶媒存在下でも実施可能である。反応に用いることのできる溶媒としては、特に限定されないが、例えば、不活性溶媒が挙げられる。具体的には、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、異性化反応をより効率的に促進する観点から、沸点が異性化反応温度以下の溶媒を用いることが好ましい。
異性化反応雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、空気、水又はアルコールのような活性水素を含まない雰囲気であることが好ましい。これにより、反応効率がより一層向上する傾向にある。特に、反応効率の観点から、反応系中の水分量を１０００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
本実施形態における異性化反応に用いるベンジルアミン化合物としては、特に限定されないが、例えば、ベンジルアミン、２−メチルベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン等のモノベンジルアミン化合物；ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン等の２級ベンジルアミン化合物；メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミン等の２つのアミノメチル基を有する化合物等が挙げられる。これらの中でも、反応効率の観点から、ベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン、ジベンジルアミン、メタキシリレンジアミン、及びパラキシリレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上が好ましい。これらの化合物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
ベンジルアミン化合物の使用量は、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン１モルに対して、好ましくは０．００１〜０．１０モル当量であり、より好ましくは０．００２〜０．０５モル当量である。ベンジルアミン化合物の使用量が上記範囲内であることにより、異性化反応が円滑に進行し、また、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン同士の重合反応等の副反応が抑制できるため、目的とする異性体の収率がより一層向上し、触媒費も低く抑えることができる傾向にある。
本実施形態における異性化反応においては、アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物を用いる。これら化合物を用いることによって異性化反応をより効率的に進行させることができる。これら化合物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
アルカリ金属としては、特に限定されないが、例えば、金属ナトリウム、金属カリウム、金属リチウム等が挙げられる。
アルカリ金属含有化合物としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属アミド、塩基性酸化物が挙げられる。このような化合物を用いることにより、得られる異性体のトランス体又はシス体の比率、及び、異性化収率がより一層向上する傾向にある。これらの中でも、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属アミドからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。アルカリ金属水素化物としては、特に限定されないが、例えば、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、リチウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロンハイドライド等が挙げられる。また、アルカリ金属アミドとしては、特に限定されないが、例えば、ナトリウムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムビス（トリメチルシリル）アミド等が挙げられる。さらに、塩基性酸化物としては、特に限定されないが、例えば、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、特に限定されないが、例えば、金属マグネシウム、金属カルシウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属含有化合物としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ土類金属水素化物が挙げられる。アルカリ土類金属水素化物としては、特に限定されないが、例えば、水素化カルシウム、水素化マグネシウム等が挙げられる。
上記の中でも、金属ナトリウム、ナトリウムアミド、及び水素化ナトリウムからなる群より選ばれる１種以上が特に好ましい。これらの化合物を用いることにより、得られる異性体のトランス体又はシス体の比率、及び、異性化収率がより一層向上する傾向にある。
アルカリ金属等の使用量は、ベンジルアミン化合物１モルに対して、好ましくは０．１０〜１０モル当量であり、より好ましくは１〜４モル当量である。アルカリ金属等の使用量が上記範囲内である場合、異性化反応がより効率よく進行する傾向にある。
本実施形態における異性化方法で得られるビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性体及び異性体混合物は、蒸留等の一般的な方法で単離することができる。
本実施形態における異性化方法において、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとして１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを用いる場合、得られる生成物中のトランス体含有率は、好ましくは７７％以上であり、より好ましくは８０％以上である。なお、ここで「％」はｍｏｌ％を意味する。
本実施形態における異性化方法において、ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとして１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを用いる場合、得られる生成物中のシス体含有率は、好ましくは８０％以上である。なお、ここで「％」はｍｏｌ％を意味する。
以下に実施例および比較例を示し、本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔異性体組成〕
異性体組成（シス／トランス比率）は、Ｖａｌｉａｎ製のキャピラリーカラムであるＣＰ−Ｖｏｌａｍｉｎｅを取り付けたガスクロマトグラフィーを用いて分析した。１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンはトランス体の方がシス体よりも低沸点であるため、ガスクロマトグラフィーで先に検出される異性体がトランス体、後に検出される異性体がシス体である。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンはシス体の方がトランス体よりも低沸点であるため、ガスクロマトグラフィーで先に検出される異性体がシス体、後に検出される異性体がトランス体である。トランス体比率は、トランス体の面積値／（シス体の面積値＋トランス体の面積値）×１００により算出し、シス体比率は１００−トランス体比率により算出した。
〔回収率〕
回収率は、上記ガスクロマトグラフィー分析の内標法により求めたビス（アミノメチル）シクロヘキサンの重量から、下記式を用いて算出した。
回収率（％）＝（反応液中のビス（アミノメチル）シクロヘキサン重量）／（仕込みのビス（アミノメチル）シクロヘキサン重量）×１００
〔原料〕
ベンジルアミン化合物、アルカリ金属含有化合物は試薬として入手できるものを使用した。異性体組成（シス／トランス比率）が６０／４０の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン）としては、触媒としてＲｕ−アルミナを用いて、パラキシリレンジアミンを公知の技術（例えば、特開昭５０−１２６６３８号公報に開示された方法）により核水添し、さらに蒸留により精製したものを使用した。
＜実施例１＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、４−メチルベンジルアミン（４−ＭＢＡ）８．０ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、ＳＵＳ３１６製３ｍｍφの配管をフラスコの液中に導入し、ここからアルゴンを流速２００ｍＬ／ｍｉｎで連続的に吹き込みながら、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は１８／８２であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は８９％であった。図１に、トランス体比率の経時変化を示した。
＜実施例２＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、メタキシリレンジアミン９．０ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、ＳＵＳ３１６製３ｍｍφの配管をフラスコの液中に導入し、ここからアルゴンを流速２００ｍＬ／ｍｉｎで連続的に吹き込みながら、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は１７／８３であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は８７％であった。
＜実施例３＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、ベンジルアミン７．１ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、ＳＵＳ３１６製３ｍｍφの配管をフラスコの液中に導入し、ここからアルゴンを流速２００ｍＬ／ｍｉｎで連続的に吹き込みながら、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は１９／８１であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９６％であった。
＜実施例４＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、４−メチルベンジルアミン（４−ＭＢＡ）８．０ｇ、水素化ナトリウム（５０−７２％）３．０ｇを加え、ＳＵＳ３１６製３ｍｍφの配管をフラスコの液中に導入し、ここからアルゴンを流速２００ｍＬ／ｍｉｎで連続的に吹き込みながら、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は１８／８２であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９３％であった。
＜比較例１＞
３００ｍＬのオートクレイブに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、４−メチルベンジルアミン（４−ＭＢＡ）８．０ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、密閉状態にて、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は２９／７１であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９２％であった。図１に、トランス体比率の経時変化を示した。
＜比較例２＞
３００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）１００ｇ、４−メチルベンジルアミン（４−ＭＢＡ）４．０ｇ、ナトリウムアミド１．４ｇを加え、アルゴン雰囲気下、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は２４／７６であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９０％であった。図１に、トランス体比率の経時変化を示した。
＜比較例３＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、メタキシリレンジアミン９．０ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、アルゴン雰囲気下、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は４４／５６であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９８％であった。
＜比較例４＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、ベンジルアミン７．１ｇ、ナトリウムアミド２．９ｇを加え、アルゴン雰囲気下、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は３１／６９であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９３％であった。
＜比較例５＞
５００ｍＬのフラスコに、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（シス／トランス＝６０／４０）２００ｇ、４−メチルベンジルアミン（４−ＭＢＡ）８．０ｇ、水素化ナトリウム（５０−７２％）３．０ｇを加え、アルゴン雰囲気下、１２０℃で５時間、異性化反応を行った。異性化反応後の異性体組成（シス／トランス）は３５／６５であり、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン回収率は９３％であった。
本発明は、ポリアミド、ポリウレタン等を用いるプラスチックレンズ、プリズム、光ファイバー、情報記録基板、フィルター等の光学材料として有効なビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法としての産業上の利用可能性を有する。

Claims (11)

  1. ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法であって、
    ビス（アミノメチル）シクロヘキサンと、
    アルカリ金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属、及びアルカリ土類金属含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、
    ベンジルアミン化合物と、
    を含む反応液中に不活性ガスを導入しながらビス（アミノメチル）シクロヘキサンを異性化する方法。
  2. 前記不活性ガスが、ヘリウム、アルゴン、及び窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種以上である、請求項１に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  3. 前記ベンジルアミン化合物が、ベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン、ジベンジルアミン、メタキシリレンジアミン、及びパラキシリレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上である、請求項１又は２に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  4. 前記ベンジルアミン化合物が４−メチルベンジルアミンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  5. 前記アルカリ金属含有化合物がナトリウムアミドを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  6. 異性化反応温度が１００〜１４０℃である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  7. 前記不活性ガスの導入方法がバブリングである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  8. 前記ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  9. 前記ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  10. トランス体含有率が７７％以上の１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る、請求項８に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
  11. シス体含有率が８０％以上の１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを得る、請求項９に記載のビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法。
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