JPWO2016135852A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(実施の形態1)
まず本実施の形態の半導体装置としての加速度センサの構成について図1〜図4を用いて説明する。なお、説明の便宜のため、X方向、Y方向、Z方向が導入されている。図1において、X方向は2つの可動構造体13同士が互いに隣り合う方向である。X方向は図1中右方向が正の方向(+X方向)であり、図1中左方向が負の方向(−X方向)である。Y方向はX方向に直交する方向であって、梁12およびリンク梁14の延びる方向である。Y方向は図1中上方向が正の方向(+Y方向)であり、図1中下方向が負の方向(−Y方向)である。Z方向はX方向およびY方向の双方に直交する方向であって、基板1Aの表面1Sに直交する上下方向(図2に示す基板1Aと可動構造体13とが互いに向かい合う方向)である。Z方向は図1において紙面に垂直で紙面の手前側に向かう方向が正の方向(+Z方向)であり、紙面に垂直で紙面の奥側に向かう方向が負の方向(−Z方向)である。なお、Z方向は、本実施の形態の加速度センサが測定対象とする加速度方向に一致する。なお、図1では見やすくするため、キャップ17は図示されていない。
本実施の形態の半導体装置としての加速度センサによれば、図5に示すように、可動構造体13が基板1Aの表面1Sの面内方向に変位したときに可動構造体13が第1のストッパ部材S1に接触することにより面内方向における可動構造体13の過剰な変位を抑制することができる。また、図6に示すように、可動構造体13が基板1Aの表面1Sの面外方向において基板1A側に変位したときに可動構造体13が第2のストッパ部材S2に接触することにより面外方向における基板1A側への可動構造体13の過剰な変位を抑制することができる。また、図7に示すように、可動構造体13が基板1Aの表面1Sの面外方向において可動構造体13に対して第2のストッパ部材S2と反対側に変位したときに可動構造体13が第3のストッパ部材S3に接触することにより面外方向における第2のストッパ部材S2と反対側への可動構造体13の過剰な変位を抑制することができる。したがって、可動構造体13の面内方向および面外方向の過剰な変位を抑制することにより、可動構造体13を支持する梁12に破壊応力以上の応力が加わることを抑制できる。このため、梁12の損傷および破損を抑制できる。よって、梁12の損傷および破損により加速度センサの特性に変動が生じることを抑制できる。
次に、本発明の実施の形態2の半導体装置としての加速度センサについて説明する。以下、特に説明しない限り、本実施の形態の構成および製造方法は、実施の形態1の構成および製造方法とほぼ同じであるため、同一の要素には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
次に、本発明の実施の形態3の半導体装置としての加速度センサについて説明する。以下、特に説明しない限り、本実施の形態の構成および製造方法は、実施の形態1の構成および製造方法とほぼ同じであるため、同一の要素には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態の半導体装置としての加速度センサは、図21に示すように、第1のストッパ部材S1と第3のストッパ部材S3とは同一の第3犠牲膜L3で形成されている。このため、第1のストッパ部材S1と第3のストッパ部材S3とを同一の膜で形成できる。
次に、本発明の実施の形態4の半導体装置としての加速度センサについて説明する。以下、特に説明しない限り、本実施の形態の構成および製造方法は、実施の形態3の構成および製造方法とほぼ同じであるため、同一の要素には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
Claims (5)
- 表面を有する基板と、
前記基板に支持された梁と、
前記基板の前記表面に対して面内方向および面外方向に変位可能に前記梁に支持された可動構造体と、
前記基板に支持され、かつ前記可動構造体が静止した状態で、前記面内方向において前記可動構造体と第1の隙間を介して配置された第1のストッパ部材と、
前記第1のストッパ部材に支持され、かつ前記可動構造体が静止した状態で、前記面外方向において前記可動構造体と第2の隙間を介して配置された第2のストッパ部材と、
前記第1のストッパ部材に支持され、かつ前記可動構造体が静止した状態で、前記面外方向において前記可動構造体に対して前記第2のストッパ部材と反対側に配置され、かつ前記可動構造体との間に第3の隙間を介して配置された第3のストッパ部材とを備えた、半導体装置。 - 前記第1の隙間、前記第2の隙間および前記第3の隙間はそれぞれ前記可動構造体が前記面内方向および前記面外方向に変位することで前記梁が破壊される応力を生じる変位量よりも小さい寸法を有している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のストッパ部材と前記第3のストッパ部材とは同一の膜で形成されている、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 表面を有する基板に支持された梁と、前記梁に支持された可動構造体と、前記基板に支持されかつ前記表面に対して面内方向において前記可動構造体と間隔をおいて配置された第1のストッパ部材と、前記第1のストッパ部材に支持されかつ前記表面に対して面外方向において前記可動構造体と間隔をおいて配置された第2のストッパ部材と、前記第1のストッパ部材に支持されかつ前記面外方向において前記可動構造体に対して前記第2のストッパ部材と反対側に配置されかつ前記可動構造体と間隔をおいて配置された第3のストッパ部材と、前記可動構造体と前記第1のストッパ部材との間に形成された第1の犠牲膜と、前記可動構造体と前記第2のストッパ部材との間に形成された第2の犠牲膜と、前記可動構造体と前記第3のストッパ部材との間に形成された第3の犠牲膜とを形成する工程と、
エッチング処理を施すことにより前記第1の犠牲膜、前記第2の犠牲膜および前記第3の犠牲膜を除去して、前記可動構造体と前記第1のストッパ部材との間に第1の隙間を形成し、前記可動構造体と前記第2のストッパ部材との間に第2の隙間を形成し、前記可動構造体と前記第3のストッパ部材との間に第3の隙間を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記第1のストッパ部材と前記第3のストッパ部材とは同一の膜で同時に形成される、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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