JP2010197309A - Ｍｅｍｓセンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、簡単且つ適切に封止部の接合状態を検知することが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 センサユニット２０とキャップ部材４との間に、センサ領域１５〜１７の周囲を封止する封止部８が設けられている。封止部８は、センサユニット２０側に設けられた第１金属層と、キャップ部材４側に設けられた第２金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなる。前記第２の金属層がセンサユニット２０の外側にはみ出すキャップ部材４の露出表面に引き出されて前記封止部８の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部５５を構成している。
【選択図】図１

Description

本発明は、センサユニットと、センサユニットに対向するキャップ部材とを有し、センサ領域の周囲を、センサユニットとキャップ部材の間に設けられた封止部にて封止するＭＥＭＳセンサ及びその製造方法に関する。

下記の特許文献１には、主基板と、対向基板と、主基板と対向基板との間に位置する接合部（封止部）とを備えた気密封止パッケージが開示されている。また特許文献１では前記接合部を半田で形成している。

ところで前記接合部は主基板と対向基板との間に挟まれているため、外部から接合部の接合状態を確認することが難しかった。このため、接合部が適切に接合されていない不良品か、適切に接合された良品かの判別が難しく、あるいは判別に時間やコストを要した。

特開２００５−２３６１５９号公報

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、簡単且つ適切に封止部の接合状態を検知することが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明におけるＭＥＭＳセンサは、第１の部材と、前記第１の部材と対向する第２の部材と、を有し、前記第１の部材及び前記第２の部材のどちらか一方がセンサ領域を有するセンサユニットを構成し、他方がキャップ部材であり、
前記センサユニットとキャップ部材との間には、前記センサ領域の周囲を封止する封止部が設けられており、
前記封止部は、前記第１の部材側に設けられた第１金属層と、前記第２の部材側に設けられた第２金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなり、
前記第２の金属層が前記第２の部材の露出表面に引き出されて前記封止部の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部を構成していることを特徴とするものである。

また本発明におけるＭＥＭＳセンサの製造方法は、
前記第１の部材表面に前記封止部を構成する第１の金属層を形成し、前記第２の部材表面に前記封止部を構成する第２の金属層を形成し、このとき、前記第２の金属層を前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させたときの前記第２の部材の露出表面に引き出して接合判定モニタ部を形成する工程、
前記第１の金属層と前記第２の金属層とを共晶接合あるいは拡散接合する工程、
前記接合判定モニタ部にて前記封止部の接合状態を測定する工程、
を有することを特徴とするものである。

上記のように封止部を第１金属層と第２金属層との共晶接合あるいは拡散接合で形成している。そして、第２の金属層が第２の基板の露出表面にまで引き出されて接合判定モニタ部を構成している。封止部にて適切に接合が行われていれば接合反応は接合判定モニタ部にまで到達する。したがって接合判定モニタ部にて例えば色や面粗さを調べることで封止部の接合状態を簡単且つ適切に検知することが可能である。

また本発明では、前記接合判定モニタ部の色の変化で前記封止部の接合状態を測定することが好ましい。このとき、前記第２の金属層をアルミニウムで形成し、第１の金属層をゲルマニウムで形成することで、接合判定モニタ部の色の変化にて適切且つ簡単に封止部の接合状態を検知することが出来る。

また本発明では、前記第２の部材をキャップ部材として、平面視にて前記第１の部材からはみ出す大きさで形成し、前記第１の部材の外側にはみ出す前記第２の部材の露出表面に前記接合判定モニタ部を形成することが簡単な配線構成にでき好適である。

本発明のＭＥＭＳセンサによれば、封止部の接合状態を簡単且つ適切に検知することが可能である。

本発明における実施の形態のＭＥＭＳセンサを示すものであり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、部分縦断面図。 図１（ａ）に示す支持導通部３３の位置から外部接続パッド５０の位置にかけて切断した部分拡大断面図。 ＭＥＭＳセンサの製造工程を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は接合前、（ｂ）は接合後の状態を示す。 （ａ）は接合が良好であったときの写真、（ｂ）は接合が不良であったときの写真。

図１は本発明の実施の形態のＭＥＭＳセンサを示すものであり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、部分縦断面図であり、（ａ）に示す図示左側のＡの位置からＸ１方向へ向けて直線状に切断するとともに図示右上のＡの位置からＹ２方向へ向けて直線状に切断したときに現れる切断面を矢印方向から見た断面図に相当している。なお図１（ａ）の平面図は、支持基板２を透視して示した。

図１に示すように、ＭＥＭＳセンサ１は、例えば、Ｘ方向が長辺でＹ方向が短辺の長方形状である。図１（ｂ）に示すように、ＭＥＭＳセンサ１は、キャップ部材４上にセンサユニット２０が積層された構成である。

センサユニット２０は、例えば、支持基板２、機能層１０および第１の絶縁層３からなるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板（第１の部材）を微細加工して形成されたものである。ＳＯＩ基板は、２つのシリコンウエハが、絶縁層（Insulator）であるＳｉＯ₂層を挟んで一体に接合されたものである。前記機能層１０には後述するようにセンサ領域が設けられている。

図１（ｂ）に示すように、機能層１０にはキャップ部材（第２の部材）４が重ねられて、機能層１０は支持基板２とキャップ部材４との間で挟まれた構造となっている。例えば、キャップ部材４はＳｉ基板７と、その表面に形成された第２の絶縁層５とで構成される。

図２は、図１（ａ）に示す支持導通部３３の位置から外部接続パッド５０の位置にかけて切断した部分拡大断面図である。図２に示すように、第２の絶縁層５の内部には導電体のパターンが埋設されてリード層３５が形成されている。リード層３５は、機能層１０に形成される検出部の可動電極と固定電極などに個別に導通され、且つＭＥＭＳセンサ１の外部に設けられた外部接続パッド５０に夫々、導通されている。

図１（ｂ）に示すように、キャップ部材４を構成する第２の絶縁層５は、機能層１０の一部と接合されている。

なお、キャップ部材４を構成する基板はＳｉ基板７に限られるものではなく、ガラス基板などであってもよい。あるいは検出回路などの各種回路が収納されたＩＣパッケージの表面がキャップ部材４として使用されてもよい。

図１（ａ）に示すように、機能層１０には周囲領域に枠体層１１が形成されており、前記枠体層１１の内部がセンサ領域となっている。図１（ａ）では枠体層１１を斜線で示している。

図１（ａ）に示すように、機能層１０には前記枠体層１１の内側にセンサ領域の外形を規定する第１の穴１２と第２の穴１３および第３の穴１４が形成されており、それぞれの穴１２，１３，１４は、枠体層１１を厚さ方向に貫通している。
支持基板２と枠体層１１との対面部では、枠状の第１の絶縁層３が形成されている。

図１（ａ）（ｂ）に示すように、枠体層１１とキャップ部材４の対向面に形成された第２の絶縁層５との間には封止部８が設けられて、センサ領域の周囲が封止されている。

封止部８は、第１の穴１２の周囲全周を囲み、第２の穴１３の周囲全周と第３の穴１４のそれぞれの周囲全周を囲むように形成されている。封止部８により各穴の周縁部がシールされて、各穴１２，１３，１４の内部がセンサ領域１５，１６，１７となっている。

このＭＥＭＳセンサ１は、第１のセンサ領域１５に設けられた第１の可動体４１の動作により、支持基板２の基板面と直交する向きのＺ方向の加速度を検知できる。また、第２のセンサ領域１６に設けられた第２の可動体２１の動作により、支持基板２の基板面と平行なＹ方向の加速度を検知でき、第３のセンサ領域１７に設けられた第３の可動体２１Ａの動作によりＺ方向とＹ方向に直交するＸ方向の加速度を検知できる。

例えば、第２のセンサ領域１６内には、第２の穴１３の内側に第２の可動体２１が設けられている。第２の可動体２１は、支持導通部２３，２５により主にＹ方向へ移動可能に支持されている。

図１（ｂ）に示すように、支持導通部２３，２５は、第２の絶縁層５と接合部９を介して接合されている。

図１（ｂ）に示すように、支持導通部２３，２５は、第１の絶縁層３と接合部９とで上下から挟まれて固定されているが、第２の可動体２１は、支持基板２と接合されておらず、また第２の絶縁層５とも接合されていない。

図１（ａ）に示す第２の可動体２１には、櫛歯状に複数の可動電極が設けられている。
支持導通部２３，２５の少なくとも一方が、接合部９を介して、第２の絶縁層５の内部に設けられたリード層と導通し、リード層は、センサユニット２０の外部にはみ出すキャップ部材４の露出表面（第２の絶縁層５の表面）に設けられた外部接続パッド５０に導通接続されている。

図１（ａ）に示す第２のセンサ領域１６内では、固定部３１，３２が設けられている。固定部３１には、支持導通部３３が一体に形成されている。また、固定部３２には、支持導通部３４が一体に形成されている。

図２に示すように、支持導通部３３は、第１の絶縁層３を介して支持基板２に接合されている。また、キャップ部材４に形成された第２の絶縁層５と支持導通部３３とが接合部９によって接合されている。

図１（ａ）に示すように、固定部３１には、複数の固定電極が櫛歯状に一体に形成されている。各固定電極は、第２の可動体２１に一体に形成された複数の可動電極２１ｂの間に入り込んでいる。固定部３２も固定部３１と同様の構成である。

図２に示すように、支持導通部３３は、接合部９に接続され、前記接合部９は、第２の絶縁層５の内部に設けられたリード層３５に接続されている。そして、リード層３５は、センサユニット２０の外部にはみ出すキャップ部材４の露出表面（第２の絶縁層５の表面）に設けられた外部接続パッド５０に導通接続されている。

ＭＥＭＳセンサ１の第２のセンサ領域１６は、Ｙ１方向またはＹ２方向の加速度に反応する。例えば、ＭＥＭＳセンサ１にＹ１方向への加速度が作用すると、その反作用により第２の可動体２１がＹ２方向へ移動する。このとき、可動電極と固定電極との対向距離が変化することで、静電容量が変化する。そして、静電容量変化により、Ｙ１方向へ作用した加速度の変化や加速度の大きさを検知することができる。

図１（ａ）に示す第３のセンサ領域１７の構造は、第２のセンサ領域１６の構造を、９０度回転させたものと全く同じである。第３のセンサ領域１７内は、Ｘ１−Ｘ２方向の加速度に反動して動作する。ＭＥＭＳセンサ１にＸ１方向またはＸ２方向の加速度が作用すると、慣性力により第３の可動体２１Ａが、加速度の作用方向と反対方向に移動し、そのときの移動量が、可動電極と固定電極とが対向した検知部での静電容量の変化として検出される。

次に、第１のセンサ領域１５内では、第１の可動体４１が設けられている。前記第１の可動体４１は、支持導通部４２，４２に主としてＺ方向へ移動可能に支持されている。それぞれの支持導通部４２，４２は、第１の絶縁層３によって支持基板２に接合されている。また。支持導通部４２，４２は、接合部によって、キャップ部材４の第２の絶縁層５に接合されている。なお第１の可動体４１は、第１の絶縁層３及び第２の絶縁層５から離れており、Ｚ方向への移動を可能としている。

図１（ａ）に示すように第１の可動体４１には複数の可動電極が櫛歯状に一体に形成されている。そして、支持導通部４２，４２の少なくとも一方は、接合部９を介して、第２の絶縁層５内のリード層と導通し、リード層は、センサユニット２０の外部にはみ出すキャップ部材４の露出表面（第２の絶縁層５の表面）に設けられた外部接続パッド５０に導通接続されている。

図１に示すように、第１の可動体４１の内部には、固定部５１，５３が第１の可動体４１から分離されて形成されている。固定部５１には、支持導通部５２が一体に形成されており、固定部５３には、支持導通部５４が一体に形成されている。

図１（ｂ）に示すように、支持導通部５２と支持導通部５４は、それぞれ第１の絶縁層３によって支持基板２に接合されている。支持導通部５２と支持導通部５４は、それぞれ接合部９によって、キャップ部材４の第２の絶縁層５に接合されている。ただし、固定部５１，５３は、支持導通部５２，５４以外の部分が支持基板２と第２の絶縁層５から離れている。

固定部５１，５３には、夫々、複数の固定電極が櫛歯状に一体に形成されている。固定電極は、支持導通部５２，５４と接合部９を介して、第２の絶縁層５内のリード層に接合されている。リード層は、センサユニット２０の外部にはみ出すキャップ部材４の露出表面（第２の絶縁層５の表面）に設けられた外部接続パッド５０に導通接続されている。

第１のセンサ領域１５はＺ方向への加速度に反応することができる。例えば、ＭＥＮＳセンサ１にＺ２方向の加速度が作用すると、その反作用で、第１の可動体４１がＺ１方向へ移動する。このとき、可動電極と固定電極との対向面積の変化により静電容量が変化し、静電容量変化に基づいて、加速度の大きさや変化を検出できる。

図１，図２に示すように、センサユニット２０とキャップ部材４との平面面積を比較すると、キャップ部材４のほうが大きく、キャップ部材４にはセンサユニット２０の外部へはみ出す露出領域が存在する。

図１（ｂ）で示すように、センサユニット２０の機能層１０に設けられた枠体層１１とキャップ部材４の第２の絶縁層５との間には封止部８が設けられ、センサユニット２０のセンサ領域１５，１６，１７が前記封止部８により囲まれて封止されている。

封止部８及び接合部９，９は、センサユニット２０側に設けられた第１の金属層と、キャップ部材４側に設けられた第２の金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されて形成されている。

第１の金属層と、第２の金属層のうち、キャップ部材４側に設けられた第２の金属層は、キャップ部材４の露出表面にまで引き延ばされて図１（ａ）（ｂ）に示す接合判定モニタ部５５を構成している。接合判定モニタ部５５は、幅細配線部５５ａと、幅細配線部５５ａの先端に設けられた幅広部（モニタ領域）５５ｂとで構成される。

封止部８及び接合判定モニタ部５５について以下に詳述する。
図３は、ＭＥＭＳセンサの製造工程を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は接合前、（ｂ）は接合後の状態を示している。

図３（ａ）に示すように枠体層１１の裏面１１ａ（キャップ部材４との対向面）に、第１の金属層５６を設ける。一方、キャップ部材４の表面に設けられた第２の絶縁層５の表面５ａ（センサユニット２０との対向面）に、第２の金属層５７を設ける。このとき、第２の金属層５７を第１の金属層５６と対向する位置に設ける。さらに図１，図３（ａ）に示すように、第２の金属層５７を、センサユニット２０とキャップ部材４とを接合したときに、センサユニット２０の外側にはみ出すキャップ部材４の露出表面に引き出して接合判定モニタ部５５を形成する。図１（ａ）では、接合判定モニタ部５５を幅細配線部５５ａと幅広部（モニタ領域）５５ｂとで構成したが、形状は限定されない。

ここで、第１の金属層５６と第２の金属層５７の材料の組み合わせとしては、アルミニウム−ゲルマニウム、アルミニウム−亜鉛、金−シリコン、金−インジウム、金−ゲルマニウム、金−錫などがある。これら金属の組み合わせにより、それぞれの金属の融点以下の温度である４５０℃以下の比較的低い温度で接合を行うことが可能になる。

図３（ｂ）に示すように、第１の金属層５６と第２の金属層５７とを当接させ、加圧下で加熱することで、第１の金属層５６と第２の金属層５７とが共晶接合あるいは拡散接合する。これにより第１の金属層５６と第２の金属層５７による封止部８が形成される。封止部８は図１（ａ）に示すように平面視にて所定の幅を備えた帯状の封止ラインを構成している。また、支持導通部とリード層間を接合する接合部９も図２に示すように、第１の金属層５６と第２の金属層５７との共晶接合あるいは拡散接合で形成されている。

本実施形態では、図３（ｂ）の工程時（接合後）、第１の金属層５６と第２の金属層５７との接合反応が適切に起こると、反応は接合判定モニタ部５５にまで進行する。このため接合判定モニタ部５５は第２の金属層５７の単一状態から第１の金属層５６との共晶あるいは拡散状態に変化する。よって、接合判定モニタ部５５の例えば色や面粗さが、図３（ａ）の接合前と異なる状態になる。そして、接合判定モニタ部５５の例えば幅広部５５ｂの色や面粗さの変化を測定することで、第１の金属層５６と第２の金属層５７とが適切に共晶接合あるいは拡散接合していると判定することが出来る。

例えば、図３（ｂ）の接合工程時、加圧力が弱かったり、加熱温度が低かったり、第１の金属層５６と第２の金属層５７との間に異物があったりすると第１の金像層５６と第２の金属層５７との接合反応が適切に進行しない。このとき、接合判定モニタ部５５は第２の金属層５７のままで色や面粗さの変化がないので、接合判定モニタ部５５の例えば幅広部５５ｂの色や面粗さの無変化を測定することで、第１の金属層５６と第２の金属層５７とが適切に共晶接合あるいは拡散接合していないと判定することが出来る。

このように本実施形態では、反応開始領域（第１の金属層５６と第２の金属層５７との界面）から接合反応が離れた位置まで進行しやすい共晶接合あるいは拡散接合を利用して、ＭＥＭＳセンサ１の露出する位置に接合判定モニタ部５５を形成し、接合判定モニタ部５５の状態変化を測定することで、封止部８が外部に見えなくても、簡単且つ適切に封止部８の接合状態を検知できる。特に接合判定モニタ部５５の色の変化により目視で判別できる。よって、従来に比べて良品・不良品の判別を簡単に行うことが出来る。

第１の金属層５６と第２の金属層５７の材質の組み合わせは、アルミニウム（Ａｌ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の組み合わせが、接合反応を離れた位置まで適切に進行させることができ好適である。ところで、アルミニウム単体は銀白色、ゲルマニウム単体は灰色である。よって、接合判定モニタ部５５で色の変化を見るには、接合判定モニタ部５５を構成する第２の金属層５７をアルミニウムに、第１の金属層５６をゲルマニウムにしたほうが、接合状態が良好である場合は、接合判定モニタ部５５が白っぽい色から黒っぽい色に変化し、接合状態が不良である場合は、接合判定モニタ部５５が白っぽい色のままなので、適切且つ容易に封止部８の接合状態を検知することが出来る（後述の実験を参照）。

また、各支部導通部とキャップ部材４間の接合部９，９は、封止部８と分離されているので、接合部９，９の接合状態は、接合判定モニタ部５５にて判定できない。しかしながら、各接合部９，９は図２に示すリード層３５を介してキャップ部材４の露出表面に形成された各外部接続パッド５０に接続されている。そして、各外部接続パッド５０とＩＣ側の端子部間を接続した状態で動作試験を行うことで、各接合部９，９の接合状態を知ることができる。

また、多数のＭＥＭＳセンサ１を一度にウエハ状に形成し、各ＭＥＮＳセンサ１に設けられた接合判定モニタ部５５にて封止部８の接合状態を検出した後、各ＭＥＭＳセンサ１に切り出すとき、接合判定モニタ部５５を除去してもよい。このとき、接合判定モニタ部５５の一部、例えば幅細配線部５５ａの一部がＭＥＭＳセンサ１に残されていれば、接合判定モニタ部５５が設けられていたことを推測することが可能である。

またセンサユニット２０の平面形状をキャップ部材４よりも大きく形成して、センサユニット２０側に接合判定モニタ部５５を設けることも出来る。また、平面形状の大きさに関わらず、センサユニット２０あるいはキャップ部材４の露出表面に接合判定モニタ部５５を設けることも出来る。ただしキャップ部材４の平面形状をセンサユニット２０より大きくし、キャップ部材４側にリード層３５や外部接続パッド５０と共に、接合判定モニタ部５５を設けたほうが、簡単な配線構成にできて好適である。

なお本実施形態は加速度センサに限定するものでない。また上記の実施形態では静電容量式のＭＥＭＳセンサ１であるが静電容量式に限定しない。

図１に示すＭＥＭＳセンサ１を製造した。このとき、第１の金属層５６をゲルマニウムで、第２の金属層５７をアルミニウムで形成した。なお外部接続パッド５０も第２の金属層５７と同様、アルミニウムで形成した。そして、第１の金属層５６と第２の金属層５７とを加熱加圧下で接合した。

図４（ａ）（ｂ）は、上記した接合後、第１の金属層５６の部分まで取り除いて、第２の金属層５７の部分を表面に露出させた写真の一部である。なお図４（ａ）に示す試料では、第２金属層５７を接合前に酸洗浄した（酸化層の除去）。また図４（ａ）の試料と図４（ｂ）の試料の接合条件は、４３０℃で、加圧を７０００Ｎとした。

図４（ａ）に示す試料では、封止部及び、接合判定モニタ部はいずれも黒っぽい色になっており、一方、外部接続パッドは白っぽい色であった。封止部では適切にアルミニウム−ゲルマニウムの共晶接合あるいは拡散接合が生じたため、略黒色になっている。また接合判定モニタ部では、封止部から接合反応が進行したために封止部と同様に略黒色になっている。

一方、図４（ｂ）に示す試料では、外部接続パッドのみならず、封止部、及び、接合判定モニタ部も、白っぽい色であった。これは、封止部にて、アルミニウム−ゲルマニウムの共晶接合あるいは拡散接合が生じなかったためである。この結果、図４（ａ）と異なって、接合判定モニタ部にまで接合反応が進行せず、封止部と同様に略白色になっている。

このように、接合判定モニタ部は、封止ラインで適切に接合反応が生じたときと、生じていないときとで、封止部と同様の色になるため、接合判定モニタ部の色の状態を測定すれば、封止部が外部から見えなくても、封止部の接合状態を適切且つ容易に検知することが可能である。

１ ＭＥＭＳセンサ
２ 支持基板
３ 第１の絶縁層
４ キャップ部材
５ 第２の絶縁層
８ 封止部
９ 接合部
１０ 機能層
１１ 枠体層
１５〜１７ センサ領域
２０ センサユニット
３５ リード層
５０ 外部接続パッド
５５ 接合判定モニタ部
５６ 第１の金属層
５７ 第２の金属層

Claims (7)

1. 第１の部材と、前記第１の部材と対向する第２の部材と、を有し、前記第１の部材及び前記第２の部材のどちらか一方がセンサ領域を有するセンサユニットを構成し、他方がキャップ部材であり、
   前記センサユニットとキャップ部材との間には、前記センサ領域の周囲を封止する封止部が設けられており、
   前記封止部は、前記第１の部材側に設けられた第１金属層と、前記第２の部材側に設けられた第２金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなり、
   前記第２の金属層が前記第２の部材の露出表面に引き出されて前記封止部の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部を構成していることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
2. 前記第２の金属層はアルミニウムで形成され、第１の金属層はゲルマニウムで形成される請求項１記載のＭＥＭＳセンサ。
3. 平面視にて前記第２の部材は、前記第１の部材からはみ出す大きさで形成され、前記第１の部材の外側にはみ出す前記第２の露出表面に前記接合判定モニタ部が形成されており、
   前記キャップ部材は前記第２の部材で構成される請求項１又は２に記載のＭＥＭＳセンサ。
4. 第１の部材と、前記第１の部材と対向する第２の部材と、を有し、前記第１の部材及び前記第２の部材のどちらか一方がセンサ領域を有するセンサユニットを構成し、他方がキャップ部材であり、
   前記センサユニットとキャップ部材との間に、前記センサ領域の周囲を封止する封止部を設けた構成であり、
   前記第１の部材表面に前記封止部を構成する第１の金属層を形成し、前記第２の部材表面に前記封止部を構成する第２の金属層を形成し、このとき、前記第２の金属層を前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させたときの前記第２の部材の露出表面に引き出して接合判定モニタ部を形成する工程、
   前記第１の金属層と前記第２の金属層とを共晶接合あるいは拡散接合する工程、
   前記接合判定モニタ部にて前記封止部の接合状態を測定する工程、
   を有することを特徴とするＭＥＭＳセンサの製造方法。
5. 前記接合判定モニタ部の色の変化で前記封止部の接合状態を測定する請求項４記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
6. 前記第２の金属層をアルミニウムで形成し、第１の金属層をゲルマニウムで形成する請求項５記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
7. 前記第２の部材をキャップ部材として、平面視にて前記第１の部材からはみ出す大きさで形成し、前記第１の部材の外側にはみ出す前記第２の部材の露出表面に前記接合判定モニタ部を形成する請求項４ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

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