JP2002134561A - 半導体実装方法 - Google Patents

半導体実装方法

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JP2002134561A JP2000327884A JP2000327884A JP2002134561A JP 2002134561 A JP2002134561 A JP 2002134561A JP 2000327884 A JP2000327884 A JP 2000327884A JP 2000327884 A JP2000327884 A JP 2000327884A JP 2002134561 A JP2002134561 A JP 2002134561A
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体と回路基板との実装部の位置合わせな
らびに実装後の接合状態の確認を、短時間で容易に行う
ことができる半導体実装方法を提供する。 【解決手段】 半導体6の基材を従来の不透明なシリコ
ンから炭化珪素の透明体を用いることにより、半導体6
と回路基板2との位置確認マーク6a,2aを一方向よ
り同時に視認する。これにより、接合部はバンプのある
周囲だけでなく全てを確認でき、紫外線、レーザ光によ
る接合や修正も可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体を回路基板に
フリップチップ実装する半導体実装方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の製造方法が著しく進化
し、それに伴い、半導体の回路基板への実装技術も種々
開発が進んでいる。
【0003】従来の半導体実装方法としては、図10に
示すような方法で半導体の回路基板への実装が行われて
いる。以下図面を参照しながら、従来の実装方法の一例
について説明する。
【0004】図10(a)は従来の半導体実装方法によ
り半導体を実装した回路基板の断面を概略的に示したも
のである。半導体1と、この半導体1が実装される回路
基板2とには、互いに相対する位置にそれぞれ位置確認
マーク1a,2aが設けられ、これらの位置確認マーク
1a,2aが合致するように回路基板2と半導体1とを
位置させた後、接合して実装を行う。なお、通常、各位
置確認マーク1a、2aは2箇所以上設ける。
【0005】この実装時に位置が合っていることの確認
動作は、コンピュータ7に接続された、互いに移動起点
としての原点を同じとするカメラ3,4を用いて行う。
カメラ3は半導体1の位置確認マーク1aを読み取り、
またカメラ4は回路基板2の位置確認マーク2aを読み
取り、これらの画像データをコンピュータ7で照合処理
し、これらの位置確認マーク1a,2aが合致するよう
に半導体1(または回路基板2)を実装機で移動させ
る。
【0006】なお、位置照合は位置確認マーク1a,2
aの中心合致でも外周合致でもよいが、確認のために画
像で視認することを考えて位置確認マーク1a,2aの
大きさを変えて視認し易くしている。一般的には、半導
体1および回路基板2の両方に製造時の加工誤差があ
り、計算上の位置と実際上の位置とに誤差が発生するの
で、初期設定として視認により補正し、コンピュータ7
に記憶させて運用する。
【0007】図10(b)、(c)は位置確認マーク1
a,2aを両方のカメラ3,4で読みとり、これらの画
像データを視認できるように組み合せて映像として表し
たもので、図10(b)は位置確認マーク1a,2aが
ずれている状態を示し、図10(c)は位置確認マーク
1a,2aが合っている状態を示す。位置確認マーク1
a,2aがずれている場合には、例えば半導体1を矢示
方向に移動させて、互いの中心または周辺の重なり状態
より判断して、図10(c)に示すように合った状態と
なるように位置合わせを行う。なお、ここでは、1箇所
の位置確認マーク1a,2aで行った場合を説明してい
るが、複数の位置確認マーク1a,2aで行う場合も同
様であり、半導体1または回路基板2を微少回転させ
て、回転方向の修正を図ることもある。このように位置
確認マーク1a,2aの合致を確認した後、図10
(d)に示すように、回路基板2に半導体1を装着して
接合する。なお、接合材料としては、図示していないが
半田や導電性接着剤を用いる。また、接合時の良否の判
定は電気的確認を用いたり、接合部が周辺にある場合に
は側面外周部より視認やX線透過により位置ずれ、短絡
の確認を行ったりする。
【0008】なお、本説明においてはカメラ3,4を2
つ使用しているが、1つのカメラを上下に回転させて半
導体1側、回路基板2側の位置確認マーク1a,2aを
2回に分けて読みとり、データをコンピュータ処理する
方法や、カメラは一方向のみ撮像するように配置し、半
導体1または回路基板2の位置確認マーク1a,2aを
同一面で2回に分けて読みとってデータをコンピュータ
処理し、その後、半導体1または回路基板2のどちらか
を回転させて対面させて実装する方法を採用してもよ
い。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の半導体実装方法では、半導体1の材質はシリ
コンで不透明であるため、半導体1と回路基板2との接
合部の位置合わせに高価な基材と時間とを要し、また実
装後の接合状態の確認は、電気的確認は時間がかかり、
また、平面視しても接合部の状態を視認することができ
ないため、側面からの視認を行わざるを得ないが、この
側面からの視認は接合部の周囲のみを見るににとどまる
ため、接合部内部の様子が確認できない、また、X線を
用いる方法は画像が黒い影の濃淡であるため解像度が低
いとぼやけて判別が困難であるという問題があった。さ
らに、接合部に短絡があっても修正が難しいか、できな
いと言う問題点があった。
【0010】本発明は上記問題を解決するもので、半導
体と回路基板との実装部(接合部)の位置合わせならび
に実装後の接合状態の確認を、短時間で容易に行うこと
ができる半導体実装方法を提供することを目的とするも
のである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、半導体の基材として、従来の不透明なシ
リコンから炭化珪素などの透明性のあるものを用い、半
導体の実装時に、透明な基材を通して半導体の位置確認
マークと回路基板の位置確認マークとを同時に視認し
て、これらの位置確認マークのずれ状態を見ることで実
装時の位置ずれを検出することを特徴とする。
【0012】この方法により、半導体と回路基板との実
装部の位置合わせや実装後の接合状態の確認を短時間で
容易に行うことができる。
【0013】
【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、半導体を
回路基板へ実装する半導体実装方法であって、半導体の
基材として透明体を採用し、半導体の実装時に、半導体
の基材を通して半導体の位置確認マークと回路基板の位
置確認マークとを同時に視認して、これらの位置確認マ
ークのずれ状態を見ることで半導体の実装時の位置ずれ
を検出することを特徴とするものであり、1つのカメラ
で半導体の位置確認マークと回路基板の位置確認マーク
とを同時に重ねて見ながら位置あわせができるという作
用を有する。
【0014】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体実装方法において、位置確認用のマークは半導体お
よび回路基板のそれぞれに複数箇所形成されていること
を特徴とするものであり、半導体と回路基板とのずれを
複数箇所形成されている位置確認用のマーク同士を合わ
すことで、確実に修正できて正しい位置合わせができる
と言う作用を有する。
【0015】請求項3記載の発明は、請求項1または2
に記載の半導体実装方法において、半導体の位置確認用
のマークが塗りつぶし状態で描かれ、半導体の位置確認
マークの周囲における少なくとも一部に、半導体を通し
て認識できる隙間が設けられていることを特徴とするも
のであり、半導体の位置確認マークの周囲に下の回路基
板の位置確認マークの形状が判別できる隙間を設けるこ
とにより半導体を通して回路基板上の位置確認マークが
識別できて、位置合わせが容易にできると言う作用を有
する。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項1または2
に記載の半導体実装方法において、半導体および回路基
板の各位置確認マークは、両方が中抜き形状である、ま
たは、片方が中抜きで他の側が塗りつぶし形状でありか
つ中抜き形状部分より塗りつぶし形状部分が小さく形成
されていることを特徴とするものであり、中抜き形状部
分は内側に他の回路の形成が可能であり、線で形成され
る中抜きは同じ大きさの中抜き同士でも、線の太さの異
なり方に応じてずれの確認を容易に行うことができる。
また、片方が塗りつぶし形状である場合は中抜き枠より
大きさを小さくすることにより、中抜き枠との判別が容
易であり、位置合わせがし易く、また回路導体の一部を
除去して形成できると言う作用を有する。
【0017】請求項5記載の発明は、請求項1または2
に記載の半導体実装方法において、半導体および回路基
板の両方の位置確認マークとも塗りつぶし形状であり、
半導体の位置確認マークの大きさが、回路基板の位置確
認マークと同等または小さく形成されていることを特徴
とするものであり、2つの位置確認マークを重ねて一方
向より見るときは見る側の位置確認マークの寸法を小さ
くすることにより、重なった他の一つの位置確認マーク
の形状が分かり易くなり、2つの位置確認マークの位置
関係が判別し易いと言う作用を有する。
【0018】請求項6記載の発明は、半導体を回路基板
へ実装する半導体実装方法であって、半導体の基材とし
て透明体を採用し、半導体の実装時に、半導体の基材を
通して半導体の回路導体の一部と回路基板の回路導体の
一部とを同時に視認してこれらを対比することで半導体
の実装時の位置ずれを検出することを特徴とするもので
あり、回路基板導体の一部分を位置確認に利用すること
により、位置確認マークを設けた場合に比べて、位置確
認マークを設ける場所分を節約でき、回路形成を行い易
くなると言う作用を有する。
【0019】請求項7記載の発明は、半導体を吸着装置
により吸着しながら回路基板へ実装する半導体実装方法
であって、半導体の基材として透明体を採用し、吸着装
置の内部または近傍に光ファイバーケーブルを備え、半
導体の実装時に、光ファイバーケーブルおよび半導体の
基材を通して半導体の位置確認マークと回路基板の位置
確認マークとを同時に視認して、これらの位置確認マー
クのずれ状態を見ることで半導体の実装時の位置ずれを
検出することを特徴とするものであり、半導体を吸着装
置で吸着すると同時に位置確認しながら実装できると言
う作用を有する。
【0020】請求項8記載の発明は、半導体を接着剤に
より回路基板へ実装する半導体実装方法であって、半導
体の基材として透明体を採用し、接着剤として紫外線硬
化タイプを用い、半導体の実装時に、半導体側より紫外
線を照射して接着剤を硬化させて接着することを特徴と
するものであり、半導体と回路基板との固定を確実にし
て接合部へかかる力を軽減するための接着を、紫外線の
みによって硬化させることで行うことができるため、加
熱硬化に比べて硬化温度が低く、硬化時間も短いと言う
作用を有する。
【0021】請求項9記載の発明は、半導体を吸着装置
により吸着しながら導電性接合剤を介して回路基板へ実
装する半導体実装方法であって、半導体の基材として透
明体を採用し、導電性接合剤として紫外線硬化タイプを
用い、吸着装置の内部または近傍に光ファイバーケーブ
ルを備え、半導体の実装時に、光ファイバーケーブルを
通して半導体側より紫外線を照射して導電性接合剤を硬
化させて接着することを特徴とするものであり、半導体
を回路基板に装着すると同時に半導体を通して紫外線を
照射することにより、硬化が始まり接着剤の粘性や衝撃
による位置ずれを防止して確実に実装できると言う作用
を有する。
【0022】請求項10記載の発明は、半導体を接合材
を介して回路基板へ実装する半導体実装方法であって、
半導体の基材として透明体を採用し、半導体の実装時
に、半導体を回路基板へ装着した状態で接合材にレーザ
光を照射して溶融硬化させることを特徴とするものであ
り、レーザ光は局部加熱できる特徴を有するため、この
特徴を利用して、接合材としてクリームはんだを用いた
場合はレーザ光により溶融させた後硬化させる、また、
接合材として導電ペーストを用いた場合は加熱硬化でき
ると言う作用も有する。
【0023】請求項11記載の発明は、半導体を接合材
を介して回路基板へ実装する半導体実装方法であって、
半導体の基材として透明体を採用し、この透明体を基材
として構成される半導体を回路基板へ実装した後、半導
体と回路基板との接合部間に短絡を生じているかどうか
を確認し、短絡がある場合には、この短絡を半導体を通
してレーザ光で焼ききること、またはレーザ光で炭化さ
せて絶縁状態に修正すること、またはレーザ光で再加熱
して溶融し溶融時に発生する接合材の表面張力によりそ
れぞれの接合部に分離することの何れかにより短絡を除
去することを特徴とするものであり、接合材による他の
導体部分や接合部との短絡を除去し、特性調整、機能検
査後に不要部分除去等のためのトリミングができ、より
完全な実装が可能となると言う作用を有する。
【0024】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。なお、従来の半導体実装方法
で用いていたものと同様のものには同符号を付す。 (実施の形態1)図1(a)〜(c)は、本発明の第1
の実施の形態に係る半導体を実装した回路基板の断面図
である。
【0025】図1(a)に示すように、本発明では、半
導体6の基材として、炭化珪素からなる透明体を採用し
ている。この半導体6には回路導体と一緒に位置確認マ
ーク6aを形成している。また、回路基板2にも回路導
体と一緒に位置確認マーク2aを形成しており、これら
の位置確認マーク2a,6aは実装した際に互いに相対
する位置関係に設けられる。
【0026】実装する場合の半導体6と回路基板2との
位置関係は設計上の理論値を用いてプログラムされてい
る。そして、そのプログラムに基づき回路基板2の上に
炭化珪素の半導体6を移動させ、図1(a)において矢
印で示すように、カメラ3により透明な半導体6を通し
て位置確認マーク6aと回路基板2の位置確認マーク2
aとを重ねて同時に認識させる方法が用いられる。
【0027】しかしながら、前記プログラムには半導体
6や回路基板2の加工誤差は含まれていないために位置
ずれが発生する。このときの回路基板2の位置確認マー
ク2aと半導体6の位置確認マーク6aとの関係の一例
を図1(b)に示す。半導体6の位置確認マーク6aは
回路基板2の位置確認マーク2aに対して左上にずれて
いるが、これは炭化珪素からなる半導体6が回路基板2
に対して所定の位置より左上にずれていることを示すも
のである。この位置ずれをカメラ3で認識し、連動する
コンピュータ、実装機を用いて補正して図1(c)に示
すように位置あわせした後、装着する。
【0028】ここで、補正時の位置確認マーク2a,6
aの認識方法は、それぞれの位置確認マーク2a,6a
の中心線を外形寸法より割り出して中心線をあわせて補
正する方法と、外形寸法の差を読みとり周囲の寸法を一
定にする方法とがあるが、どちらを選択するかは任意で
ある。
【0029】このように、半導体6の基材として炭化珪
素からなる透明体を採用することで、カメラ3などで半
導体6を通してその位置確認マーク6aと回路基板2の
位置確認マーク2aとを同時に視認することができ、こ
れらの位置確認マーク2a,6aのずれ状態を見ること
で実装時の位置ずれを検出することができる。 (実施の形態2)また、上記実施の形態において、半導
体6に形成する位置確認マーク6aは、図2(a)に示
すように、できるだけ互いに離れた位置に2箇所以上設
けることが望ましい。また、回路基板2にも位置確認マ
ーク6aに相対する位置に位置確認マーク2aを設け
る。このように位置確認マーク2a,6aを複数箇所の
離れた位置に設けることにより、それぞれの位置確認マ
ーク2a,6aを照合する同時に、離れた2箇所の位置
関係を照合することができ、この結果、半導体6を実装
するべき位置関係が正確に把握できる。このような位置
ずれを補正する補正プログラムを実装機に備えて、それ
ぞれの位置確認マーク2a,6aの位置確認を行い、さ
らに2箇所間の比較で全体のずれを最も小さいずれに補
正できるようにすることで、1箇所で補正しきれない微
少なずれも検出可能となると共に、回転方向のずれの検
出が容易となって、より正確な補正ができて、位置合わ
せを正確に行うことができる。
【0030】なお、位置確認マーク2a,6aの数を増
やすほど微少な補正が可能となるが、補正に要する時間
が長くなりコストアップにつながるため、位置確認マー
ク2a,6aの数は、求められる精度に応じて設定すれ
ばよい。通常は2〜3箇所で必要十分な補正が可能であ
る。 (実施の形態3)半導体6が透明体であっても、半導体
6に形成される回路導体6bがグランド形成のように面
全体に設けられると透明性が失われ、回路基板2の位置
確認マーク2aの確認が半導体6を通してできなくな
る。このような問題を防止するため、この実施の形態に
おいては、半導体6の位置確認マーク6aの周囲に回路
導体6bのない隙間6cを設けている。これにより、隙
間6cを通して回路基板2上の位置確認マーク2aが識
別できて、位置合わせが容易にできる。ここで、隙間6
cは、図2(a),(b)において位置確認マーク6a
の周辺に均等の幅で設けているが、均等でなくても隙間
6cがあればよい。
【0031】なお、通常形成される回路導体6bの間に
位置確認マーク6aがある場合は回路導体6bとの間に
隙間があるために特に隙間6cを設ける必要はない。ま
た、隙間6cを位置確認マーク6aの周囲すべてに設け
なくてもよく、一部分だけが回路導体6bと重複して
も、位置確認マーク6aとして認識できて、回路基板2
の位置確認マーク2aに対して判別できるものであれば
よい。 (実施の形態4)また、図2(a)の一部(半導体6の
左下角部や右上角部)や図3(a),(b)に示すよう
に、両方の位置確認マーク2a,6aを共に中抜き12
の形状に形成してもよい。このように2a,6aを中抜
き12の形状にすることにより、位置確認マーク2a,
6aが互いに重なっているときでも下側になる位置確認
マーク2aの大部分を見ることができ、そのために位置
ずれがわかり易くなり、位置合わせにおいても有利とな
る。特に中抜き12は半導体6のグランド層(回路導体
6b)に位置確認マーク6aを設ける場合に有利であ
る。
【0032】また、片方の位置確認マーク2a,6aが
塗りつぶし13の場合は、図3(c)に示すように、塗
りつぶし13の部分を中抜き12より小さくすることで
比較し易くなる。 (実施の形態5)さらに、図4に示すように、両方の位
置確認マーク2a,6aが塗りつぶし13である場合
に、半導体6に形成される位置確認マーク6aと回路基
板2に形成される位置確認マーク2aとの大きさが同じ
か、半導体6の位置確認マーク6aが回路基板2の位置
確認マーク2aより大きいときには、半導体6側より見
ると、その位置確認マーク6aが邪魔になって回路基板
2の位置確認マーク2aを見ることができず、位置合わ
せができなくなる。したがって、このような場合には、
両方の位置確認マーク2a,6aを常に同時に視認する
ために、塗りつぶし13で形成される半導体6の位置確
認マーク6aを回路基板2の位置確認マーク2aより小
さく形成している。これにより、位置確認マーク2a,
6aが重なった場合でも、半導体6の位置確認マーク6
aを容易に視認できて、2つの位置確認マーク2a,6
aの位置関係が判別し易い。
【0033】なお、これらの実施の形態1〜5において
は、位置確認マーク2a,6aの図示する形状は四角で
あるが特に四角にこだわるものではなく、比較や認識が
できる任意の形状を用いればよい。 (実施の形態6)図5に示すように、半導体6と回路基
板2との両方がその回路形成面に単独の位置確認マーク
を形成できない場合は、両方の回路導体6b,2bの一
部を位置確認マークとして用いて位置合わせをすること
ができる。この場合、一般的には後から製作する回路基
板2の回路導体2bを半導体6の回路導体6bの位置や
形状に合わせることになる。実装時には予めプログラム
された内容により極めて近い位置まで互いを近づけるこ
とができるため、極く近い周辺に誤作動につながる形状
がなければよい。これによれば、両方の回路導体6b,
2bの一部を位置確認マークとして用いて位置合わせを
することができるだけでなく、位置確認マークを設けた
場合に比べて、位置確認マークを設ける場所分を節約で
きて、回路形成が行い易くなると利点もある。
【0034】なお、比較する回路導体6b,2bの形状
について、図5(b)に示すように、T字形状全体とす
るか、T字の一部を用いるかは任意である。また、形状
についてもT字にこだわるものではなく他の形状を用い
ることも任意である。 (実施の形態7)図6(a)における14は、半導体6
を吸着する吸着装置であり、この吸着装置14の中心部
には、真空ポンプで空気を吸い込んで半導体6を吸着す
る吸入口14aが設けられている。また、半導体6の吸
着時にその位置確認マーク6aの位置と概略一致する箇
所に孔部14bを形成し、この孔部14bに光ファイバ
ーケーブル15を挿入して固定している。この光ファイ
バーケーブル15は画像認識装置やコンピュータと接続
される。
【0035】基材が透明な炭化珪素からなる半導体6
は、実装されるために吸着装置14により吸着された際
に、光ファイバーケーブル15を通して半導体6の位置
確認マーク6aを読みとることができる。次に、半導体
6を吸着した状態で回路基板2の装着位置まで来ると、
回路基板2に形成された位置確認マーク2aを半導体6
の位置確認マーク6aと同時に視認することができる。
そして、このようにして2つの位置確認マーク2a,6
aを認識することで、前述の位置合わせの要領で位置ず
れを補正して位置を合致させて実装する。この方法を用
いることにより、半導体6を吸着装置14で吸着すると
同時に位置確認しながら実装できる。
【0036】図6(b)に示す吸着装置16は、機能は
図6(a)に示す吸着装置14と同様であるが、光ファ
イバーケーブル15の固定方法が異なるものである。こ
の吸着装置16は細い本体部分に固定具17を用いて光
ファイバーケーブル15を固定したもので、図6(a)
に示す吸着装置14と同様に、半導体6の吸着時にその
位置確認マーク6aの位置と概略一致する箇所に光ファ
イバーケーブル15を固定している。この吸着装置16
によれば、半導体6の種類や位置確認マーク6aの位置
が変わった場合でも、吸着装置16はそのままで、固定
具17を変えることだけで対応可能となる。
【0037】なお、図6(a),(b)においては、光
ファイバーケーブル15は吸入口14aに対して平行に
設置した場合を図示しているが、光ファイバーケーブル
15における半導体6の近傍箇所が平行に保持されてい
ればよく、他の部分は特に平行にこだわるものではな
い。 (実施の形態8)従来は、半導体と回路基板との接合に
おいて、接合部の補強のために半導体と回路基板との間
に加熱硬化型接着剤を用いて接着する方法が用いられて
おり、この場合には、加熱具合によっては、加熱による
熱損傷を半導体に与える場合がある。
【0038】これに対して、本実施の形態では、加熱硬
化型接着剤を用いる代わりに、半導体6が透明であるこ
とを利用して、図7に示すように、回路基板2に基材が
炭化珪素からなる透明な半導体6を装着接合した後に、
紫外線硬化タイプの接着剤18を回路基板2と半導体6
との間に注入する。また、他の方法として、回路基板2
および半導体6の少なくとも一方に紫外線硬化タイプの
接着剤18を付着させた後、互いを所定の方法で接合さ
せる。
【0039】そして、接着剤18の注入または接合が終
わった時点で、透明な半導体6を通して紫外線19を照
射して接着剤18を硬化させる。このとき、半導体6の
回路導体6bが紫外線19を遮断するが、回路導体6b
の間や近傍から入った紫外線19が内部で乱反射して紫
外線19を直接受けない部分も硬化させることができ
る。グランド層のように半導体全体が導体で覆われる場
合は紫外線19が通る導体のない部分を適宜形成すれば
よい。
【0040】この方法によれば、半導体6と回路基板2
との接着を、紫外線19のみによって硬化させることが
できるため、加熱による熱損傷を半導体6に与えるおそ
れがないとともに、硬化時間も短くて済むため作業能率
も向上する。 (実施の形態9)この実施の形態においては、図8
(a)に示すように、半導体6の接合部となる周囲箇所
に、回路導体6bのない連続または不連続の透光窓20
を設けている。そして、半導体6または回路基板2のど
ちらかの接合部に、紫外線硬化タイプの導電性接合剤2
1を適量付着させる。付着させた後、半導体6を回路基
板2に装着し、透光窓20を通して紫外線19を照射し
て導電性接合剤21の硬化接合を完了させる(図8
(b)参照)。
【0041】なお、紫外線照射は、上記吸着装置14,
16で半導体6を回路基板2に押しつけている状態で
も、離してからすぐであってもどちらでもよいが、押し
つけた状態で照射すると、導電性接合剤21の粘性や、
他の衝撃で位置ずれを生じるおそれがなくてよいため、
好ましい。 (実施の形態10)この実施の形態10においては、実
施の形態9における導電性接合剤21の代わりにクリー
ムはんだ21’を用いるもので、装着までの手順は同じ
である。
【0042】装着後、透光窓20を通して局部加熱の可
能なレーザ光25をクリームはんだ21’に照射し溶融
硬化させて接合を完了する。なお、図8(b)ははんだ
接合後の拡大断面図である。 (実施の形態11)実施の形態9、実施の形態10にお
いて接合された半導体6と回路基板2とは接合部におい
て短絡部22を発生することがある。短絡は電気的にで
も、あるいは半導体6を通して画像としてでも確認でき
る。この実施の形態においては、図9(a)に示す短絡
部22に透光窓20からレーザ光25を照射して、図9
(b),(c)に示すように、炭化部23や除去部24
を形成して短絡をなくす。
【0043】図9(b)は、導電性接合剤21を用いた
場合で、レーザ光の熱で短絡部22を炭化させることで
導通抵抗値を大きくして短絡をなくす場合を示す。図9
(c)は、クリームはんだ21’を用いた場合で、レー
ザ光25の熱で短絡部22を再加熱して溶融し、クリー
ムはんだ21’の溶融時に発生する表面張力によりそれ
ぞれの接合部に分離させて短絡を解消した場合を示す。
【0044】この方法により、接合材(導電性接合剤2
1やクリームはんだ21’)による他の導体部分や接合
部との短絡部22を除去し、特性調整、機能検査後に不
要部分除去等のためのトリミングができ、より完全な実
装が可能となる。
【0045】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、炭化珪素
などの透明性を有する基材を用いた半導体を利用するこ
とにより、半導体の回路基板への実装の生産性向上、コ
ストダウン、品質向上と共に生産設備の合理化も図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1の実施の形態に係る半導
体を実装した回路基板の断面図、(b)、(c)はそれ
ぞれ半導体の位置がずれている場合と合っている場合と
の拡大平面図
【図2】(a)および(b)は本発明の第2の実施の形
態に係る半導体を実装した回路基板の平面断面図および
側面断面図
【図3】(a)〜(c)はそれぞれ本発明の第4の実施
の形態に係る位置確認マークを概略的に示した図
【図4】(a)〜(c)はそれぞれ本発明の第5実施の
形態に係る位置確認マークを概略的に示した図
【図5】(a)、(b)はそれぞれ本発明の第6実施の
形態に係る半導体を実装する際の回路基板の斜視図およ
び部分平面図
【図6】(a)、(b)はそれぞれ本発明の第7実施の
形態に係る半導体を実装する際の回路基板の断面図
【図7】本発明の第8実施の形態に係る半導体を実装し
た回路基板の断面図
【図8】(a)、(b)はそれぞれ本発明の第9実施の
形態に係る半導体を実装した回路基板の断面図
【図9】(a)〜(c)はそれぞれ本発明の第10実施
および第11実施の形態に係る半導体を実装した回路基
板の断面図
【図10】(a)は従来の半導体を実装した回路基板の
位置ずれを測定している状態を概略的に示す図、
(b)、(c)はそれぞれ半導体の位置がずれている場
合と合っている場合との拡大平面図、(d)は従来の半
導体を実装した回路基板の断面図
【符号の説明】
2 回路基板 2a,6a 位置確認マーク 2b,6b 回路導体 6c 隙間 3 カメラ 6 半導体 12 中抜き 13 塗りつぶし 14、16 吸着装置 15 光ファイバーケーブル 18 接着剤 19 紫外線 20 透光窓 21 導電性接合剤 21’ クリームはんだ 22 短絡部 23 炭化部 24 除去部 25 レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北畠 真 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5F044 KK21 LL07 QQ00 QQ09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体を回路基板へ実装する半導体実装
    方法であって、半導体の基材として透明体を採用し、半
    導体の実装時に、半導体の基材を通して半導体の位置確
    認マークと回路基板の位置確認マークとを同時に視認し
    て、これらの位置確認マークのずれ状態を見ることで半
    導体の実装時の位置ずれを検出することを特徴とする半
    導体実装方法。
  2. 【請求項2】 位置確認用のマークは半導体および回路
    基板のそれぞれに複数箇所形成されていることを特徴と
    する請求項1記載の半導体実装方法。
  3. 【請求項3】 半導体の位置確認用のマークが塗りつぶ
    し状態で描かれ、半導体の位置確認マークの周囲におけ
    る少なくとも一部に、半導体を通して認識できる隙間が
    設けられていることを特徴とする請求項1または2に記
    載の半導体実装方法。
  4. 【請求項4】 半導体および回路基板の各位置確認マー
    クは、両方が中抜き形状である、または、片方が中抜き
    で他の側が塗りつぶし形状でありかつ中抜き形状部分よ
    り塗りつぶし形状部分が小さく形成されていることを特
    徴とする請求項1または2に記載の半導体実装方法。
  5. 【請求項5】 半導体および回路基板の両方の位置確認
    マークとも塗りつぶし形状であり、半導体の位置確認マ
    ークの大きさが、回路基板の位置確認マークと同等また
    は小さく形成されていることを特徴とする請求項1また
    は2に記載の半導体実装方法。
  6. 【請求項6】 半導体を回路基板へ実装する半導体実装
    方法であって、半導体の基材として透明体を採用し、半
    導体の実装時に、半導体の基材を通して半導体の回路導
    体の一部と回路基板の回路導体の一部とを同時に視認し
    てこれらを対比することで半導体の実装時の位置ずれを
    検出することを特徴とする半導体実装方法。
  7. 【請求項7】 半導体を吸着装置により吸着しながら回
    路基板へ実装する半導体実装方法であって、半導体の基
    材として透明体を採用し、吸着装置の内部または近傍に
    光ファイバーケーブルを備え、半導体の実装時に、光フ
    ァイバーケーブルおよび半導体の基材を通して半導体の
    位置確認マークと回路基板の位置確認マークとを同時に
    視認して、これらの位置確認マークのずれ状態を見るこ
    とで半導体の実装時の位置ずれを検出することを特徴と
    する半導体実装方法。
  8. 【請求項8】 半導体を接着剤により回路基板へ実装す
    る半導体実装方法であって、半導体の基材として透明体
    を採用し、接着剤として紫外線硬化タイプを用い、半導
    体の実装時に、半導体側より紫外線を照射して接着剤を
    硬化させて接着することを特徴とする半導体実装方法。
  9. 【請求項9】 半導体を吸着装置により吸着しながら導
    電性接合剤を介して回路基板へ実装する半導体実装方法
    であって、半導体の基材として透明体を採用し、導電性
    接合剤として紫外線硬化タイプを用い、吸着装置の内部
    または近傍に光ファイバーケーブルを備え、半導体の実
    装時に、光ファイバーケーブルを通して半導体側より紫
    外線を照射して導電性接合剤を硬化させて接着すること
    を特徴とする半導体実装方法。
  10. 【請求項10】 半導体を接合材を介して回路基板へ実
    装する半導体実装方法であって、半導体の基材として透
    明体を採用し、半導体の実装時に、半導体を回路基板へ
    装着した状態で接合材にレーザ光を照射して溶融硬化さ
    せることを特徴とする半導体実装方法。
  11. 【請求項11】 半導体を接合材を介して回路基板へ実
    装する半導体実装方法であって、半導体の基材として透
    明体を採用し、この透明体を基材として構成される半導
    体を回路基板へ実装した後、半導体と回路基板との接合
    部間に短絡を生じているかどうかを確認し、短絡がある
    場合には、この短絡を半導体を通してレーザ光で焼きき
    ること、またはレーザ光で炭化させて絶縁状態に修正す
    ること、またはレーザ光で再加熱して溶融し溶融時に発
    生する接合材の表面張力によりそれぞれの接合部に分離
    することの何れかにより短絡を除去することを特徴とす
    る半導体実装方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100349044C (zh) * 2004-04-14 2007-11-14 株式会社日立显示器 显示装置及其制造方法
KR100868616B1 (ko) * 2006-04-28 2008-11-13 타이완 티에프티 엘씨디 오쏘시에이션 반도체(플립 칩) 실장 부품과 그 제조 방법
CN100463130C (zh) * 2004-05-20 2009-02-18 威盛电子股份有限公司 倒装芯片封装工艺
JP2010109325A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Nan Ya Printed Circuit Board Corp はんだバンプの歩留まり改善方法
JP2010197309A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Alps Electric Co Ltd Memsセンサ及びその製造方法
JP2012089563A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール
JP2019121704A (ja) * 2018-01-09 2019-07-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
CN116110805A (zh) * 2023-04-13 2023-05-12 深圳宏芯宇电子股份有限公司 芯片键合方法、结构及存储器
JP7428916B2 (ja) 2021-12-27 2024-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100349044C (zh) * 2004-04-14 2007-11-14 株式会社日立显示器 显示装置及其制造方法
CN100463130C (zh) * 2004-05-20 2009-02-18 威盛电子股份有限公司 倒装芯片封装工艺
KR100868616B1 (ko) * 2006-04-28 2008-11-13 타이완 티에프티 엘씨디 오쏘시에이션 반도체(플립 칩) 실장 부품과 그 제조 방법
JP2010109325A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Nan Ya Printed Circuit Board Corp はんだバンプの歩留まり改善方法
JP2010197309A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Alps Electric Co Ltd Memsセンサ及びその製造方法
JP2012089563A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール
JP2019121704A (ja) * 2018-01-09 2019-07-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP7428916B2 (ja) 2021-12-27 2024-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
CN116110805A (zh) * 2023-04-13 2023-05-12 深圳宏芯宇电子股份有限公司 芯片键合方法、结构及存储器

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