JPH04370945A - フェースダウンボンディング方法及び装置 - Google Patents

フェースダウンボンディング方法及び装置

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JPH04370945A
JPH04370945A JP14770491A JP14770491A JPH04370945A JP H04370945 A JPH04370945 A JP H04370945A JP 14770491 A JP14770491 A JP 14770491A JP 14770491 A JP14770491 A JP 14770491A JP H04370945 A JPH04370945 A JP H04370945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bumps
bonding
electronic component
electronic components
infrared camera
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP14770491A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Wakayama
若山 博之
Shoji Doi
土肥 正二
Masahiko Narita
成田 正彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH04370945A publication Critical patent/JPH04370945A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はフェースダウンボンデ
ィングに関し、特にボンディング状態の監視ができるフ
ェースダウンボンディングの方法と装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来技術】半導体素子を含む電子部品の高密度実装化
、多機能化、小型化が要求されているところから、該電
子部品、特にリードを形成しない状態の半導体チップの
電極に金属バンプを形成し、プリント配線板、あるいは
他の半導体素子にフェースダウンボンディングする技術
が開発され、実用化されている。
【0003】図3は従来のフェースダウンボンディグ装
置の概念図を示すものであり、例えば、一方の電子部品
としての光電変換素子4と該光電変換素子4より得られ
る信号を処理する他方の電子部品としての信号処理回路
3をフェースダウンボンディグによって接続する場合を
例示している。半導体のウエハーに形成された信号処理
回路3の各素子の電極にはバンプ5aが形成され、この
信号処理回路3は上記バンプ5aを上にして加熱手段6
上に載置される。この加熱手段6は更にアライメントス
テージ8に載置されており、該アライメントステージ8
によって信号処理回路3のX,Y,Z,θ方向及び傾斜
角度が調整できるようになっている。
【0004】一方、上記信号処理回路3に実装される光
電変換素子4が上記信号処理回路3の上方にボンディン
グツールの真空吸着ホルダ(図外)によって配置される
。上記信号処理回路3、光電変換素子4の間にはプリズ
ム7が配置され、信号処理回路3及び光電変換素子4に
それぞれ設けられている位置合わせマークの像が可視光
のビデオカメラ2に取り込まれる。そして、信号処理回
路3の位置合わせマークと光電変換素子4の位置合わせ
マークが同じ位置に来るように、信号処理回路3を上記
アライメントステージ8によって調整する。
【0005】その後、プリズム7が外され、上記アライ
メントステージ8によって信号処理回路3のバンプ5a
を光電変換素子4の対応するバンプ5bに当接させる。 そして、加熱手段6で半導体素子4を例えば60℃程度
(インジウムのバンプ5a,5bの表面が僅かに融解す
る温度)に加熱させ、更に、適当な圧力(例えば5kg
/cm2 以下)で、両バンプ5a,5bを圧着させる
ようになっている。
【0006】このようなフェースボンディングの手順で
は、位置合わせを目で直接確認できないところから、例
えば特開昭63−148650号には赤外線が半導体素
子を透過することを利用して上下のバンプが重なってい
るか否かを上の半導体素子の上方に配置した赤外線カメ
ラで確認した後、上の半導体素子を下の半導体素子に加
圧してフェースボンディングをする方法が開示されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなフェース
ボンディングにおいて電子部品3,4のバンプ5a,5
bの形状は一様ではなく、例えば各バンプ5a,5bで
高さが異なることがある。また、高さを確保する目的で
バンプ形成時に2層のフォトレジストでパターニングさ
れるリフトオフ法が用いられるが、このときに1層目と
2層目のパターニングが部品全体に、あるいは部分的に
ずれが生じて電極に対して直角にバンプが盛り上がらな
いで、例えば左右に傾斜した状態の盛り上がりが生じる
ことがある。このような場合、上記のように基準マーク
での位置合わせが正確に行われたとしても、実際にはバ
ンプ5a,5b相互に位置ずれが生じることがあり、接
続不良となることがある。
【0008】更に、バンプ5a,5bの大きさは、例え
ば径20μm程度、ピッチ40μm程度と極めて微細で
あり、このようなバンプ5a,5bに対してボンディン
グ時に過大な圧力をかけると隣接するバンプ5a,5b
が短絡することがあり、また、圧力が不足すると接着が
充分でなく、断線の原因となる。このような圧力過多あ
るいは圧力不足による不都合は上記形状不良が相乗的に
作用することになる。
【0009】上記赤外線で位置確認を行う方法では、目
で位置確認をすることによって位置精度を上げることが
できたとしても、上記形状不良、圧力過多、圧力不足に
よって生じる不都合を解消することはできない。本発明
は上記従来の事情に鑑みて提案されたものであって、圧
力過多や圧力不足によって生じた上記の不都合を解消し
、常に適正なボンディングが出来るフェースダウンボン
ディング方法と装置を提供することを目的とするもので
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的を達
成するために以下の手段を採用している。すなわち、図
1に示すように電子部品あるいはプリント配線板(以下
単に電子部品という)3と他の電子部品4をバンプ5a
,5bを介してフェースダウンボンディングする方法に
おいて、一方の電子部品3と他方の電子部品4との間に
温度差を持たせ、両電子部品3,4のバンプ5a,5b
をボンディングしたときの該ボンディングの状態を赤外
線カメラ1で確認するようにしたものである。
【0011】
【作用】下側の電子部品3と上側の電子部品4との間に
温度差を持たせるように、例えば電子部品3を加熱した
状態で両電子部品3,4の対応するバンプ5a,5bを
当接させると、上側の電子部品4のバンプ5bに温度変
化が生じ、赤外線カメラ1でとらえられる上側のバンプ
5bの大きさに変化が生じる。
【0012】ところが、バンプ5a,5bの形状不良、
高さ不足等の原因で上記当接が充分でない場合には、そ
の部分のバンプ5bには下側のバンプ5aから充分な熱
が伝達されないので形状変化はなく、元のままである。 逆に、加圧時に圧力過多になると隣接するバンプ5a,
5bが短絡することがあるが、このときは短絡した状態
が高温になるので、赤外線カメラ1で異常に大きな像が
得られることになる。従って、上記バンプ5bの像に基
づいて対応するバンプ5a,5b間の接続が良好に行わ
れたか否かの判断ができることになる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の原理図であり、図2は本発明
の一実施例を示すものである。図3に示したと同様、一
方の電子部品としての光電変換素子4が該光電変換素子
4より出力される画像信号を処理する他方の電子部品と
しての信号処理回路3に実装される場合を示している。
【0014】従来と同様、下側の信号処理回路3のバン
プ5b側が上向きにされてボンディングツールのアライ
メントステージ8の加熱手段6の上に載置される一方、
光電変換素子4がボンディングツールの真空吸着ホルダ
9によって吸着されて、バンプ5bが下向きにされて、
上記信号処理回路3の上方に配置される。この状態で下
側の信号処理回路3と上側の光電変換素子4との間にプ
リズム7が配置され、従来と同様、上下の信号処理回路
3あるいは光電変換素子4の位置合わせマークの像を可
視光のビデオカメラ2に入力し、アライメントステージ
8を使用して位置合わせがなされる。上記真空吸着ホル
ダ9の中央部には石英窓9aが設けられており、上記の
ように吸着された光電変換素子4の上方には、更に、赤
外線カメラ1が配置され、光電変換素子4のバンプ5b
を上記石英窓9a及び光電変換素子4自体を介して透視
するようになっている。
【0015】上記のような構成において、上記位置合わ
せが終わった後、上記アライメントステージ8を上昇さ
せることによって下側の信号処理回路3と上側の光電変
換素子4をそれぞれ対応するバンプ5a,5bが当接す
るように予備加圧される。その後、加熱手段6がONに
されて60℃程度に加熱される。その後、更に、上記ア
ライメントステージ8を上昇させることによって、下側
の信号処理回路3が上側の光電変換素子4に強く加圧(
例えば数kg/cm2 以下の圧力で)される。これに
よって、加熱手段6で加熱されて柔らかくなったバンプ
5a,5bが相互に融着された状態となる。この融着状
態を上記赤外線カメラ1で確認した後、加熱手段6をO
FFにして減圧する。
【0016】上記赤外線カメラ1による融着状態の確認
は、例えば以下のようになる。すなわち、バンプ5a(
5b)の高さが充分でなく、バンプ5aとバンプ5bが
適切な面積で当接していない場合には、バンプ5aから
バンプ5bに充分に熱が伝達されない。従って、この部
分のバンプ5bの形状は適正な融着状態のバンプ5bよ
り小さくなる。逆にバンプ5a(5b)が傾斜して形成
されており、上記加圧によって隣接するバンプ5a(5
b)と短絡したような場合には、適正な融着状態のバン
プ5bより当然広い面積にわたって高温になり、赤外線
カメラ1から得られる像も異常に大きくなる。従って、
赤外線カメラ1より得られるバンプ像を監視しながら、
該像の大きさが適正になるようにアライメントステージ
8による圧力を調整することができる。
【0017】以上の手順において赤外線による確認作業
までに、あるいは確認作業に長時間を費やすと、接続不
良部も他の部分と同じ温度になって接続の良否が判定で
きないことになる。従って、確認作業は加熱手段6がO
Nされてからすみやかに実施される。上記実施例では位
置確認用の可視光のビデオカメラ2と、融着確認用の赤
外線ビデオカメラ1とを用いているが、電子部品が赤外
光に対する透過性を有しているときには、上下のバンプ
5a,5bを赤外線カメラ1で透視できるので、該赤外
線カメラ1で位置合わせを行うことも可能である。
【0018】上記例では加熱手段6を用いているが、逆
に冷却手段を用いることも可能である。この場合、融着
面積が大きくなるほどバンプ5a,5bの形状が小さい
像で得られることになる。以上、半導体素子相互のバン
プを融着する場合についてのみ記述したが、この発明は
半導体を含む電子部品相互、あるいは電子部品とプリン
ト配線板をバンプを介して融着する場合にも適用できる
ことはもちろんである。
【0019】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、一方の
電子部品あるいはプリント配線板と、他方の電子部品あ
るいはプリント配線板とをフェースダウンボンディング
するに際して、両電子部品あるいはプリント配線板に温
度差を持たせ、ボンディング時のバンプ像の大きさによ
ってボンディングの状態を確認することができるので、
ボンディング圧を調整しながら適正なボンディングを行
うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の装置の一実施例の概念図である。
【図3】従来例の概念図である。
【符号の説明】
1          赤外線カメラ 3,4      電子部品 5a,5b  バンプ 6          加熱手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電子部品あるいはプリント配線板(以
    下単に電子部品という)(3) と他の電子部品(4)
     をバンプ(5a),(5b) を介してフェースダウ
    ンボンディングする方法において、一方の電子部品(3
    ) と他方の電子部品(4) との間に温度差を持たせ
    、両電子部品(3),(4) のバンプ(5a),(5
    b) をボンディングしたときの該ボンディングの状態
    を赤外線カメラ(1) で確認することを特徴とするフ
    ェースダウンボンディング方法。
  2. 【請求項2】  電子部品あるいはプリント配線板(以
    下単に電子部品という)(3) と他の電子部品(4)
     をバンプ(5a),(5b) を介してフェースダウ
    ンボンディングする装置において、一方の電子部品(3
    ) を加熱する加熱手段(6) と、他方の電子部品(
    4) の側から、両電子部品(3),(4) のバンプ
    (5a),(5b) がフェースダウンボンディングさ
    れたときの該ボンディングの状態を確認する赤外線カメ
    ラ(1) とを備えたフェースダウンボンディング装置
JP14770491A 1991-06-20 1991-06-20 フェースダウンボンディング方法及び装置 Withdrawn JPH04370945A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079693A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
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JP2014195102A (ja) * 2008-03-26 2014-10-09 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法

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Effective date: 19980903