JP2000077461A - Ｔａｂリードボンディング方法 - Google Patents
Ｔａｂリードボンディング方法Info
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- JP2000077461A JP2000077461A JP10249560A JP24956098A JP2000077461A JP 2000077461 A JP2000077461 A JP 2000077461A JP 10249560 A JP10249560 A JP 10249560A JP 24956098 A JP24956098 A JP 24956098A JP 2000077461 A JP2000077461 A JP 2000077461A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードやこれを配列するテープが熱的影響で
変形し、ボンディングツール打点の位置ずれを起こすこ
とを回避するための効果的な処理を実現したＴＡＢリー
ドボンディング方法を提供する。 【解決手段】 リードを半導体チップ上のバンプに位置
合わせして、ボンディングする際に、予め、画像認識手
段によってテープ上に配列されたリード位置を認識し、
その認識に基づいて、前記リードの中央部にボンディン
グツール打点を位置させるようにしたＴＡＢリードボン
ディング方法において、前記画像認識手段によるリード
位置の認識に先立って、前記テープ及びリードを、前記
ボンディングの際に熱変形される予想値に応じた所要温
度に、予め加熱することを特徴とする。
変形し、ボンディングツール打点の位置ずれを起こすこ
とを回避するための効果的な処理を実現したＴＡＢリー
ドボンディング方法を提供する。 【解決手段】 リードを半導体チップ上のバンプに位置
合わせして、ボンディングする際に、予め、画像認識手
段によってテープ上に配列されたリード位置を認識し、
その認識に基づいて、前記リードの中央部にボンディン
グツール打点を位置させるようにしたＴＡＢリードボン
ディング方法において、前記画像認識手段によるリード
位置の認識に先立って、前記テープ及びリードを、前記
ボンディングの際に熱変形される予想値に応じた所要温
度に、予め加熱することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）リードボンデ
ィング方法に関し、特に、シングルポイント・ボンダー
を用いて、リードを半導体チップ上のバンプに位置合わ
せして、ボンディングするＴＡＢリードボンディング方
法に関する。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）リードボンデ
ィング方法に関し、特に、シングルポイント・ボンダー
を用いて、リードを半導体チップ上のバンプに位置合わ
せして、ボンディングするＴＡＢリードボンディング方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のＴＡＢリードボンディング方法
においては、熱圧着法や共晶法などの手段で、半導体チ
ップにＴＡＢテープのリードを接合する際に、予め、画
像認識手段によってテープ上に配列されたリード位置を
認識し、その認識に基づいて、前記リードの中央部にボ
ンディングツール打点を位置させるようにしている。
においては、熱圧着法や共晶法などの手段で、半導体チ
ップにＴＡＢテープのリードを接合する際に、予め、画
像認識手段によってテープ上に配列されたリード位置を
認識し、その認識に基づいて、前記リードの中央部にボ
ンディングツール打点を位置させるようにしている。
【０００３】これは、ボンディングツール打点を各リー
ドの中央部（幅方向）に位置補正することで、テープに
対するリードの配列のピッチ（位置）バラツキを吸収し
て、前記半導体チップのバンプに対するリードの接合性
を向上する意図でなされている。
ドの中央部（幅方向）に位置補正することで、テープに
対するリードの配列のピッチ（位置）バラツキを吸収し
て、前記半導体チップのバンプに対するリードの接合性
を向上する意図でなされている。
【０００４】その具体的な事例として、例えば、特開平
３−８２０５０号公報所載のボンディング装置を挙げる
ことができる。ここでは、半導体チップを設置するボン
ディングステージ位置において、テープ上に配列された
各リード位置を、半導体チップのバンプ位置と共にＣＣ
Ｄカメラなどの、画像認識手段の撮像部で検出し、位置
合わせし、ボンディングステージを上昇して、前記リー
ド及びバンプを接触させ、熱的に接合するのであるが、
このボンディング終了後のボンディング状態を前記ＣＣ
Ｄカメラを用いて画像処理し、その情報から、前記リー
ド及びバンプの位置ずれ量、リードの変形率を測定し、
ボンディングステージにおける半導体チップの位置座標
の補正や、圧力、温度、時間などのボンディング条件の
補正を行っている。
３−８２０５０号公報所載のボンディング装置を挙げる
ことができる。ここでは、半導体チップを設置するボン
ディングステージ位置において、テープ上に配列された
各リード位置を、半導体チップのバンプ位置と共にＣＣ
Ｄカメラなどの、画像認識手段の撮像部で検出し、位置
合わせし、ボンディングステージを上昇して、前記リー
ド及びバンプを接触させ、熱的に接合するのであるが、
このボンディング終了後のボンディング状態を前記ＣＣ
Ｄカメラを用いて画像処理し、その情報から、前記リー
ド及びバンプの位置ずれ量、リードの変形率を測定し、
ボンディングステージにおける半導体チップの位置座標
の補正や、圧力、温度、時間などのボンディング条件の
補正を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接合に
際しては、接合時間の短縮などの意図で、予め、半導体
チップを高温に加熱している場合、その温度の影響で、
リードやこれを配列しているテープが膨張し、熱変形を
起こすので、その熱変形で、ボンディングツール打点の
位置がずれる畏れがあるが、上述のように、ボンディン
グ後に、画像認識する方法では、前記リードやテープの
熱変形の影響を効果的に捉えることができない。このた
め、リードの中央部（幅方向）にボンディングツール打
点を正確に位置調整できず、位置ずれによって、接合状
態が不完全な場合に、多くの不良品を発生するという問
題が残る。
際しては、接合時間の短縮などの意図で、予め、半導体
チップを高温に加熱している場合、その温度の影響で、
リードやこれを配列しているテープが膨張し、熱変形を
起こすので、その熱変形で、ボンディングツール打点の
位置がずれる畏れがあるが、上述のように、ボンディン
グ後に、画像認識する方法では、前記リードやテープの
熱変形の影響を効果的に捉えることができない。このた
め、リードの中央部（幅方向）にボンディングツール打
点を正確に位置調整できず、位置ずれによって、接合状
態が不完全な場合に、多くの不良品を発生するという問
題が残る。
【０００６】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、リードやこれを配列す
るテープが熱的影響で変形し、ボンディングツール打点
の位置ずれを起こすことを回避するための効果的な処理
を実現したＴＡＢリードボンディング方法を提供するに
ある。
ので、その目的とするところは、リードやこれを配列す
るテープが熱的影響で変形し、ボンディングツール打点
の位置ずれを起こすことを回避するための効果的な処理
を実現したＴＡＢリードボンディング方法を提供するに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
リードを半導体チップ上のバンプに位置合わせして、ボ
ンディングする際に、予め、画像認識手段によってテー
プ上に配列されたリード位置を認識し、その認識に基づ
いて、前記リードの中央部にボンディングツール打点を
位置させるようにしたＴＡＢリードボンディング方法に
おいて、前記画像認識手段によるリード位置の認識に先
立って、前記テープ及びリードを、前記ボンディングの
際に熱変形される予想値に応じた所要温度に、予め加熱
することを特徴とする。
リードを半導体チップ上のバンプに位置合わせして、ボ
ンディングする際に、予め、画像認識手段によってテー
プ上に配列されたリード位置を認識し、その認識に基づ
いて、前記リードの中央部にボンディングツール打点を
位置させるようにしたＴＡＢリードボンディング方法に
おいて、前記画像認識手段によるリード位置の認識に先
立って、前記テープ及びリードを、前記ボンディングの
際に熱変形される予想値に応じた所要温度に、予め加熱
することを特徴とする。
【０００８】この場合、その実施の形態として、前記所
要温度が、ボンディングに際して、前記リードとの接合
性を得るために加熱される前記半導体チップの温度に応
じて設定されていること、前記テープ及びリードを前記
所要温度に加熱する手段が、前記半導体チップに対して
ボンディングするステージ位置において、前記画像認識
手段の撮像部に対向して配置されていること、また、前
記加熱手段が前記半導体チップが配置されるステージ位
置に、前記半導体チップとは交代的に位置されること、
更には、前記加熱手段が、前記画像認識手段の撮像部で
の前記リード位置の認識を妨げない反射表面を具備して
いることが好ましい。
要温度が、ボンディングに際して、前記リードとの接合
性を得るために加熱される前記半導体チップの温度に応
じて設定されていること、前記テープ及びリードを前記
所要温度に加熱する手段が、前記半導体チップに対して
ボンディングするステージ位置において、前記画像認識
手段の撮像部に対向して配置されていること、また、前
記加熱手段が前記半導体チップが配置されるステージ位
置に、前記半導体チップとは交代的に位置されること、
更には、前記加熱手段が、前記画像認識手段の撮像部で
の前記リード位置の認識を妨げない反射表面を具備して
いることが好ましい。
【０００９】また、このＴＡＢリードボンディング方法
において、半導体チップに対してボンディングするステ
ージ位置においてテープ及びリードを所要温度に加熱す
る工程と、所要温度に加熱されたリード位置を画像認識
する工程と、前記ステージ位置に前記半導体チップを設
置する工程と、前記画像認識に基づいてボンディングツ
ール打点を前記リードの中央部に位置制御する工程と、
前記ボンディングツールで前記半導体チップのバンプに
対して前記リードをボンディングする工程とを含むこと
を特徴とする構成が、実用上の実施形態として、採用さ
れる。
において、半導体チップに対してボンディングするステ
ージ位置においてテープ及びリードを所要温度に加熱す
る工程と、所要温度に加熱されたリード位置を画像認識
する工程と、前記ステージ位置に前記半導体チップを設
置する工程と、前記画像認識に基づいてボンディングツ
ール打点を前記リードの中央部に位置制御する工程と、
前記ボンディングツールで前記半導体チップのバンプに
対して前記リードをボンディングする工程とを含むこと
を特徴とする構成が、実用上の実施形態として、採用さ
れる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＴＡＢリードボン
ディング方法を、図面を参照して、具体的に説明する。
ここでは、図１に示すように、テープ１上に配列された
リード２を半導体チップ３上のバンプに位置合わせし
て、シングルポイント・ボンダー４を用いて、ボンディ
ングする際に、図２に示すように、予め、例えば、撮像
部５ａ、ＣＰＵ５ｂを含む画像認識手段５によってリー
ド２の位置を認識し、その認識に基づいて、リード２の
中央部（幅方向）にボンディングツール打点Ｐを位置さ
せる。なお、図中、符号１ａはテープ１に形成された、
半導体チップ３が入る開口部（デバイスホール）であ
る。
ディング方法を、図面を参照して、具体的に説明する。
ここでは、図１に示すように、テープ１上に配列された
リード２を半導体チップ３上のバンプに位置合わせし
て、シングルポイント・ボンダー４を用いて、ボンディ
ングする際に、図２に示すように、予め、例えば、撮像
部５ａ、ＣＰＵ５ｂを含む画像認識手段５によってリー
ド２の位置を認識し、その認識に基づいて、リード２の
中央部（幅方向）にボンディングツール打点Ｐを位置さ
せる。なお、図中、符号１ａはテープ１に形成された、
半導体チップ３が入る開口部（デバイスホール）であ
る。
【００１１】この際、本発明では、画像認識手段５によ
るリード位置の認識に先立って、テープ１及びリード２
を、前記ボンディングの際に熱変形される予想値に応じ
た所要温度に、予め加熱するのである。特に、この実施
の形態では、図３のプロセスフローに示すように、半導
体チップ３に対してボンディングするボンディングステ
ージ６の位置においてテープ１及びリード２を所要温
度、例えば、２００℃±４０℃に加熱する工程Ｓ１と、
所要温度に加熱されたリード位置を画像認識する工程Ｓ
２と、前記ステージ位置に半導体チップ３を設置する工
程Ｓ３と、前記画像認識に基づいてボンディングツール
打点Ｐをリード２の中央部（幅方向）に位置制御する工
程Ｓ４と、ボンディングツール、即ち、シングルポイン
ト・ボンダー４で半導体チップ３のバンプに対してリー
ド２をボンディングする工程Ｓ５とを有する。
るリード位置の認識に先立って、テープ１及びリード２
を、前記ボンディングの際に熱変形される予想値に応じ
た所要温度に、予め加熱するのである。特に、この実施
の形態では、図３のプロセスフローに示すように、半導
体チップ３に対してボンディングするボンディングステ
ージ６の位置においてテープ１及びリード２を所要温
度、例えば、２００℃±４０℃に加熱する工程Ｓ１と、
所要温度に加熱されたリード位置を画像認識する工程Ｓ
２と、前記ステージ位置に半導体チップ３を設置する工
程Ｓ３と、前記画像認識に基づいてボンディングツール
打点Ｐをリード２の中央部（幅方向）に位置制御する工
程Ｓ４と、ボンディングツール、即ち、シングルポイン
ト・ボンダー４で半導体チップ３のバンプに対してリー
ド２をボンディングする工程Ｓ５とを有する。
【００１２】このプロセスを図解したものが、図４〜図
６である。それぞれの図の（ａ）はボンディングステー
ジ６を側面からみた模式図であり、（ｂ）はテープ１上
のリードの配置を示す平面模式図であり、（ｃ）は同じ
く、要部の拡大図である。図４は上述の工程Ｓ１の状態
を示しており、図５は上述の工程Ｓ２の状態を示してお
り、更に、図６は上述の工程Ｓ３、Ｓ４を経た後の工程
Ｓ５の状態を示している。ここでは、図２に示すよう
に、開口部１ａがボンディングステージ６上に位置する
ように、このステージ６上を横切るテープ２が、所定ピ
ッチ（１回のボンディングプロセス単位）で間欠的に送
りを受ける。また、チップステージ（図示せず）から
は、間欠的に、ボンディングステージ６に半導体チップ
３が供給される。
６である。それぞれの図の（ａ）はボンディングステー
ジ６を側面からみた模式図であり、（ｂ）はテープ１上
のリードの配置を示す平面模式図であり、（ｃ）は同じ
く、要部の拡大図である。図４は上述の工程Ｓ１の状態
を示しており、図５は上述の工程Ｓ２の状態を示してお
り、更に、図６は上述の工程Ｓ３、Ｓ４を経た後の工程
Ｓ５の状態を示している。ここでは、図２に示すよう
に、開口部１ａがボンディングステージ６上に位置する
ように、このステージ６上を横切るテープ２が、所定ピ
ッチ（１回のボンディングプロセス単位）で間欠的に送
りを受ける。また、チップステージ（図示せず）から
は、間欠的に、ボンディングステージ６に半導体チップ
３が供給される。
【００１３】ここでは、前述の所要温度は、ボンディン
グに際して、リード２との接合性を得るために加熱され
る半導体チップ３の温度に応じて設定されている。ま
た、テープ１及びリード２を前記所要温度に加熱する手
段には、半導体チップ３に対してボンディングするステ
ージ位置において、画像認識手段５の撮像部（例えば、
ＣＣＤカメラ）５ａに対向して配置されている赤外線放
射熱源７が採用されている。また、この加熱手段７は、
半導体チップ３が配置されるステージ位置に、半導体チ
ップ３とは交代的に位置されるように、移動可能に装備
されている。なお、加熱手段７は、画像認識手段５の撮
像部５ａでの前記リード位置の認識を妨げないような反
射表面、例えば、黒色面を具備している。
グに際して、リード２との接合性を得るために加熱され
る半導体チップ３の温度に応じて設定されている。ま
た、テープ１及びリード２を前記所要温度に加熱する手
段には、半導体チップ３に対してボンディングするステ
ージ位置において、画像認識手段５の撮像部（例えば、
ＣＣＤカメラ）５ａに対向して配置されている赤外線放
射熱源７が採用されている。また、この加熱手段７は、
半導体チップ３が配置されるステージ位置に、半導体チ
ップ３とは交代的に位置されるように、移動可能に装備
されている。なお、加熱手段７は、画像認識手段５の撮
像部５ａでの前記リード位置の認識を妨げないような反
射表面、例えば、黒色面を具備している。
【００１４】これにより、反射光の光量差で画像認識が
ディジタル情報として取り出され、加熱手段７による熱
的影響下での、換言すれば、後に半導体チップ３のバン
プにリード２を接触させた温度状態下での、実際のリー
ド位置の中心部を画像認識でき、この認識情報に基づい
て、アクチュエータ（ボンダー制御部）８を制御し、ボ
ンディングに際して、シングルポイント・ボンダー４の
ボンディングツール打点Ｐを、正確にリードの中心部
（幅方向）に位置合わせできる。このため、必要な強度
で接合性が確保され、ツール片当たりによるリード弾き
を防止し、リードショート、未接合不良によるボンディ
ング不良品の発生を低減させることができる。なお、図
中、符号９は、間欠送りを受ける際を除いて、テープ１
を保持するホルダーである。
ディジタル情報として取り出され、加熱手段７による熱
的影響下での、換言すれば、後に半導体チップ３のバン
プにリード２を接触させた温度状態下での、実際のリー
ド位置の中心部を画像認識でき、この認識情報に基づい
て、アクチュエータ（ボンダー制御部）８を制御し、ボ
ンディングに際して、シングルポイント・ボンダー４の
ボンディングツール打点Ｐを、正確にリードの中心部
（幅方向）に位置合わせできる。このため、必要な強度
で接合性が確保され、ツール片当たりによるリード弾き
を防止し、リードショート、未接合不良によるボンディ
ング不良品の発生を低減させることができる。なお、図
中、符号９は、間欠送りを受ける際を除いて、テープ１
を保持するホルダーである。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、画
像認識手段によるリード位置の認識に先立って、テープ
及びリードを、ボンディングの際に熱変形される予想値
に応じた所要温度に、予め加熱することにより、リード
やこれを配列するテープが熱的影響で変形し、ボンディ
ングツール打点の位置ずれを起こすことを効果的に回避
することができ、ボンディング不良品の発生を低減させ
ることができる。
像認識手段によるリード位置の認識に先立って、テープ
及びリードを、ボンディングの際に熱変形される予想値
に応じた所要温度に、予め加熱することにより、リード
やこれを配列するテープが熱的影響で変形し、ボンディ
ングツール打点の位置ずれを起こすことを効果的に回避
することができ、ボンディング不良品の発生を低減させ
ることができる。
【図１】本発明のボンディング方法の実施の形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】同じく、制御系を示す概略構成図である。
【図３】同じく、実行プロセスのフローを示すブロック
図である。
図である。
【図４】本発明のボンディングプロセスの初段階を
（ａ）〜（ｃ）で図解した説明図である。
（ａ）〜（ｃ）で図解した説明図である。
【図５】同じく、中間の段階を（ａ）〜（ｃ）で図解し
た説明図である。
た説明図である。
【図６】同じく、最終段階を（ａ）〜（ｃ）で図解した
説明図である。
説明図である。
１ テープ １ａ 開口部（デバイスホール） ２ リード ３ 半導体チップ ４ シングルポイント・ボンダー（ボンディングツー
ル） ５ 画像認識手段 ５ａ 撮像部（ＣＣＤカメラ） ５ｂ ＣＰＵ ６ ボンディングステージ ７ 赤外線放射熱源（加熱手段） ８ アクチュエータ（ボンダー制御部） ９ ホルダー
ル） ５ 画像認識手段 ５ａ 撮像部（ＣＣＤカメラ） ５ｂ ＣＰＵ ６ ボンディングステージ ７ 赤外線放射熱源（加熱手段） ８ アクチュエータ（ボンダー制御部） ９ ホルダー
Claims (6)
- 【請求項１】 リードを半導体チップ上のバンプに位置
合わせして、ボンディングする際に、予め、画像認識手
段によってテープ上に配列されたリード位置を認識し、
その認識に基づいて、前記リードの中央部にボンディン
グツール打点を位置させるようにしたＴＡＢリードボン
ディング方法において、前記画像認識手段によるリード
位置の認識に先立って、前記テープ及びリードを、前記
ボンディングの際に熱変形される予想値に応じた所要温
度に、予め加熱することを特徴とするＴＡＢリードボン
ディング方法。 - 【請求項２】 前記所要温度は、ボンディングに際し
て、前記リードとの接合性を得るために加熱される前記
半導体チップの温度に応じて設定されていることを特徴
とする請求項１に記載のＴＡＢリードボンディング方
法。 - 【請求項３】 前記テープ及びリードを前記所要温度に
加熱する手段は、前記半導体チップに対してボンディン
グするステージ位置において、前記画像認識手段の撮像
部に対向して配置されていることを特徴とする請求項１
あるいは２に記載のＴＡＢリードボンディング方法。 - 【請求項４】 前記加熱手段は、前記半導体チップが配
置されるステージ位置に、前記半導体チップとは交代的
に位置されることを特徴とする請求項３に記載のＴＡＢ
リードボンディング方法。 - 【請求項５】 前記加熱手段は、前記画像認識手段の撮
像部での前記リード位置の認識を妨げない反射表面を具
備していることを特徴とする請求項３あるいは４に記載
のＴＡＢリードボンディング方法。 - 【請求項６】 リードを半導体チップ上のバンプに位置
合わせして、ボンディングする際に、予め、画像認識手
段によってテープ上に配列されたリード位置を認識し、
その認識に基づいて、前記リードの中央部にボンディン
グツール打点を位置させるようにしたＴＡＢリードボン
ディング方法において、前記半導体チップに対してボン
ディングするステージ位置において前記テープ及びリー
ドを所要温度に加熱する工程と、所要温度に加熱された
リード位置を画像認識する工程と、前記ステージ位置に
前記半導体チップを設置する工程と、前記画像認識に基
づいてボンディングツール打点を前記リードの中央部に
位置制御する工程と、前記ボンディングツールで前記半
導体チップのバンプに対して前記リードをボンディング
する工程とを含むことを特徴とするＴＡＢリードボンデ
ィング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10249560A JP2938063B1 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Ｔａｂリードボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10249560A JP2938063B1 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Ｔａｂリードボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2938063B1 JP2938063B1 (ja) | 1999-08-23 |
| JP2000077461A true JP2000077461A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17194824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10249560A Expired - Fee Related JP2938063B1 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Ｔａｂリードボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938063B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100341128C (zh) * | 2004-02-06 | 2007-10-03 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法及其制造装置 |
| JP2020515070A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | シュンク・ソノシステムズ・ゲーエムベーハー | 溶接アセンブリの製造方法および装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021065416A1 (ja) | 2019-10-03 | 2021-04-08 | ポリプラスチックス株式会社 | 耐ボールベアリング摺動摩耗部材用液晶性樹脂組成物及びそれを用いた耐ボールベアリング摺動摩耗部材 |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP10249560A patent/JP2938063B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100341128C (zh) * | 2004-02-06 | 2007-10-03 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法及其制造装置 |
| JP2020515070A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | シュンク・ソノシステムズ・ゲーエムベーハー | 溶接アセンブリの製造方法および装置 |
| JP7090634B2 (ja) | 2017-03-21 | 2022-06-24 | シュンク・ソノシステムズ・ゲーエムベーハー | 溶接アセンブリの製造方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2938063B1 (ja) | 1999-08-23 |
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