JP2533216B2 - フィルムキャリア及び半導体装置 - Google Patents

フィルムキャリア及び半導体装置

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JP2533216B2 JP2061554A JP6155490A JP2533216B2 JP 2533216 B2 JP2533216 B2 JP 2533216B2 JP 2061554 A JP2061554 A JP 2061554A JP 6155490 A JP6155490 A JP 6155490A JP 2533216 B2 JP2533216 B2 JP 2533216B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は,テープオートメイテッドボンディング(TA
B)用のフィルムキャリアのリードに関し, インナーリードボンディング(ILB)時のストレスに
よるリード変形を防止することを目的とし, テープオートメイテッドボンディング行うフィルムキ
ャリアにおいて, ICチップの各辺のコーナーのボンディング位置に相当
するフィルムキャリア上の相対する複数のリードの内,
該ICチップの各コーナーを挟んで左右各々少なくとも4
本のコーナー部のリードの幅が通常のリードの幅より太
くなっているように,或いは,ICチップの各辺のコーナ
ーのボンディング位置に相当するフィルムキャリァ上の
相対する複数のコーナー部のリードが,該ICチップの各
辺のコーナーより中心に向かって一定量づつ細くなって
いるように, 前記フィルムキャリアを使用してマウントするように
構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は,TABのフィルムキャリアのリードに関する。
近年,LSIの高集積化に伴い,その接続するピン数も増
加の一途を辿っている。
そのため,TAB構造による,すなわち,チップ上のバン
プに,一括数百本のリードをボンディングし,更に,そ
のリードを一括ボンディングでパッケージパターンに接
続する方法が採られるようになってきた。
〔従来の技術〕
第4図は従来例の説明図である。
図において,11はICチップ,12はフィルムキャリア,13
はリード,14はバンプ,15はパッケージ,16はピン,17はキ
ャップ,18はソルダー,19はヒートシンクである。
現行のフィルムキャリアを用いるTAB構造では,第4図
(a)に模式断面図で示すような構造となっている。
即ち,ICチップ11はリード13を介してパッケージ15と
接続されている。
このインナリードボンディング(ILB)されたリード1
3の状態を詳細に見ると,第4図(b)に示すように,
フィルムキャリア12上にパタニングされたリード13はバ
ンプ14を介して,ICチップ11と接続されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記のように,ILB時にフィルムキャリア12上のリード
13をICチップ11上のバンプ14に加熱接合する際に,フィ
ルムキャリア12のフィルム母材及びリード材の熱膨張及
び収縮によって,特にコーナー付近にねじれ等の応力が
生じ,歪みがたまって,リード13が変形して曲がった
り,ずれたりする。
そのために,その後のアウターリードボンディング
(OLB)でパッケージ15上のリード接続パターンと位置
合わせが良好にできなくなる。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理説明図である。
図において,1はICチップ,2はフィルムキャリア,3はリ
ード,4はコーナー部のリードである。
解決手段として,テープオートメイテッドボンディン
グを行うフィルムキャリア2において,ICチップ1のコ
ーナーの位置に相当するフイルムキャリア2上の相対す
るコーナー部のリード3aの幅がその他のリード3の幅よ
り太くなっているようにし,前記フィルムキャリア2を
使用してマウントする。
〔作用〕
本発明では,ICチップのコーナー部の複数のリードを
太く強化するので,ILB時の加熱によっても,歪んだり曲
がったりしない。
よって,正常なボンディングが可能となる。
〔実施例〕
第2図,第3図は本発明の実施例の説明図である。
図において,1はICチップ,2はフィルムキャリア,3はリ
ード,3aはコーナー部のリード,4はバンプ,,5はパッケー
ジ,6はピン,7はキャップ,8はソルダー,9はヒートシン
ク,10はフィンである。
第1図,第2図により第1の実施例を説明する。
第1図に示すように,600本のリードを有するICチップ
において,一辺当たり150本のリードのうち,コーナー
の相対する8本のコーナー部のリード3aの幅を通常のリ
ード3の40μm幅に対して,60μmと太くする。
また,第2図(a)に示すように,リード3の幅を各
辺のコーナーより,中心に向かって少しづつ細くした例
である。一番端のコーナー部のリード3aが60μm幅で,
内側に4μmずつ狭くして,40μm幅になったらそのま
まとする。
上記の例では,コーナー部のリード3aを均一な幅で太
くしたが,実際にはILBよりOLBの方が難しく,特に金・
錫反応による接合では,OLB間の合金ショートを発生し易
いので,第2図(b)に示すように,OLBの部分のみを通
常の40μm幅とし,その他の部分を60μm幅とした。
以上,本発明のリード3ならびにコーナー部のリード
3aを使用したフィルムキャリア2を用いて実際に半導体
装置をマウントした第2の実施例を第3図に示す。
第3図(a)はフィルムキャリア2のリード3を,IC
チップ1上のバンプ4にILBを行った断面図である。
続いて,リード3をパッケージ5にOLBを行い,キャ
ップを被せるが,第3図(b)はICチップがフェイスダ
ウンタイプの場合であり,第3図(c)はICチップがフ
ェイスアップタイプの場合である。
〔発明の効果〕
以上説明したように,本発明によれば,ILB後のリード
変形の心配がないため,ILBのボンデング条件を強めにで
き例えば金・錫接続では温度を320℃から350℃へと上げ
られるので,接合性が向上する。
また,パッケージのリード接続パターンとの位置合わ
せが容易となって,位置ずれ不良や接合不良が減少し,
約10%の歩留りアップとともに,リード間の信頼性の向
上が図られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図, 第2図及び第3図は本発明の実施例の説明図, 第4図は従来例の説明図 である。 図において, 1はICチップ,2はフィルムキャリア, 3はリード,3aはコーナー部のリード,4はバンプ, 5はパッケージ,6はピン, 7はキャップ,8はソルダー, 9はヒートシンク,10はフィン である。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】テープオートメイテッドボンディングを行
    うフィルムキャリアにおいて,ICチップの各辺のコーナ
    ーのボンディング位置に相当するフィルムキャリア上の
    相対する複数のリードの内,該ICチップの各辺のコーナ
    ーを挟んで左右各々少なくとも4本のコーナー部のリー
    ドの幅が通常のリードの幅より太くなっていることを特
    徴とするフィルムキャリア。
  2. 【請求項2】前記ICチップの各辺のコーナーのボンディ
    ング位置に相当するフィルムキャリァ上の相対する複数
    のコーナー部のリードの幅が,該ICチップの各辺のコー
    ナーより中心に向かって一定量づつ細くなっていること
    を特徴とする請求項1記載のフィルムキャリア。
  3. 【請求項3】請求項1または2記載のフィルムキャリア
    を使用してマウントすることを特徴とする半導体装置。
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JP2586736B2 (ja) * 1993-07-13 1997-03-05 日本電気株式会社 Tab型半導体装置用キャリアテープ
KR100798896B1 (ko) * 2007-06-07 2008-01-29 주식회사 실리콘웍스 반도체 칩의 패드 배치 구조

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