JPH04188740A - Ｔａｂ内蔵型半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ内蔵型半導体装置Info
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- JPH04188740A JPH04188740A JP2317582A JP31758290A JPH04188740A JP H04188740 A JPH04188740 A JP H04188740A JP 2317582 A JP2317582 A JP 2317582A JP 31758290 A JP31758290 A JP 31758290A JP H04188740 A JPH04188740 A JP H04188740A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、リードフレームに対するＴＡＢ式半導体装置
の実装構造に係り、さらに詳しくは、ＴＡＢ式半導体装
置の改良に関するものである。
の実装構造に係り、さらに詳しくは、ＴＡＢ式半導体装
置の改良に関するものである。
［従来の技術］
ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィルムに半導体素
子を托載し、その電極にフィルムに設けたリードを接続
してなるＴＡＢ式半導体装置は、多量生産に適する、小
形化できる、ファインパターン化が可能であるなど種々
特長を有するため、広く使用されている。特に最近では
、このＴＡＢ式半導体装置をリードフレームに実装して
パッケージした半導体装置が実用化されている。
子を托載し、その電極にフィルムに設けたリードを接続
してなるＴＡＢ式半導体装置は、多量生産に適する、小
形化できる、ファインパターン化が可能であるなど種々
特長を有するため、広く使用されている。特に最近では
、このＴＡＢ式半導体装置をリードフレームに実装して
パッケージした半導体装置が実用化されている。
第２図はリードフレームにＴＡＢ式半導体装置（以下単
に半導体装置という）を実装した一例を示す模式図であ
る。図、において、（１）は半導体装置で、（２）はフ
ィルム、（３）はフィルム（２）の中心部に設けたデバ
イスホール、（４）はフィルム（２）に形成された銅箔
等からなるリードで、フィルム（２）から外側に延出さ
れた部分でアウターリード（４１）が形成されている。
に半導体装置という）を実装した一例を示す模式図であ
る。図、において、（１）は半導体装置で、（２）はフ
ィルム、（３）はフィルム（２）の中心部に設けたデバ
イスホール、（４）はフィルム（２）に形成された銅箔
等からなるリードで、フィルム（２）から外側に延出さ
れた部分でアウターリード（４１）が形成されている。
（５）はフィルム（２）のデバイスホール（３）内に配
置され、その電極がそれぞれリード（４）に接続された
半導体素子である。（１１）はリードフレームで、半導
体装Ｎ（１）のアウターリード（４１）に対応した多数
のリード（１２）が形成されている。
置され、その電極がそれぞれリード（４）に接続された
半導体素子である。（１１）はリードフレームで、半導
体装Ｎ（１）のアウターリード（４１）に対応した多数
のリード（１２）が形成されている。
上記のようなリードフレーム（１１）に半導体装置（１
）を実装するには、第３図に示すように、リードフレー
ム（１１）のリード（１２）と半導体装置（］）のアウ
ターリード（４１）とをそれぞれ位置合せし、ボンディ
ングツール（１５）を下降して加圧、加熱し、リード（
］２）にアウタリード（４１）をそれぞれ接続する。
）を実装するには、第３図に示すように、リードフレー
ム（１１）のリード（１２）と半導体装置（］）のアウ
ターリード（４１）とをそれぞれ位置合せし、ボンディ
ングツール（１５）を下降して加圧、加熱し、リード（
］２）にアウタリード（４１）をそれぞれ接続する。
ついで、これら各素子の劣化を防止するため、エポキシ
樹月旨など（こよりパ・ソケージする。
樹月旨など（こよりパ・ソケージする。
［発明が解決しようとする課題］
リードフレーム（１１）に半導体装置（１）を実装する
場合のリード（１２）とアウターリード（４１）の整合
は、リードフレーム（１１）の各辺の端部のリード（１
２ａ）〜（＋、２ｈ）を基準リードとし、この基準リー
ド （］２ａ） 〜（１２ｈ）に半導体装！（１）の各
辺の端部のアウターリード（４ａ）〜（４ｈ）を接合さ
せていた。
場合のリード（１２）とアウターリード（４１）の整合
は、リードフレーム（１１）の各辺の端部のリード（１
２ａ）〜（＋、２ｈ）を基準リードとし、この基準リー
ド （］２ａ） 〜（１２ｈ）に半導体装！（１）の各
辺の端部のアウターリード（４ａ）〜（４ｈ）を接合さ
せていた。
しかしながら、従来の半導体装置（１）のリード（４１
）はすべて同じ幅に形成されているため変形し易く、特
に各辺の両端部のリード（４ａ）〜（４ｈ）は変形し易
かった。また、ボンディングした後工程の各種機械的及
び物理的、熱的ストレスによって断線などを生ずるおそ
れがあり、接続不良などが発生して信頼性を損うことが
あった。
）はすべて同じ幅に形成されているため変形し易く、特
に各辺の両端部のリード（４ａ）〜（４ｈ）は変形し易
かった。また、ボンディングした後工程の各種機械的及
び物理的、熱的ストレスによって断線などを生ずるおそ
れがあり、接続不良などが発生して信頼性を損うことが
あった。
本発明は上記の課題を解決すべくなされたもので、半導
体装置のリードの変形とストレスを防止することにより
、断線の生じるおそれのないＴＡＢ式半導体装置の実装
構造を得ることを目的としたものである。
体装置のリードの変形とストレスを防止することにより
、断線の生じるおそれのないＴＡＢ式半導体装置の実装
構造を得ることを目的としたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体装置のリードフレームへの実装構造
は、半導体装置のアウターリードのうち、少なくとも各
辺の両端部のリードを他のリードの幅より広く形成した
ものである。
は、半導体装置のアウターリードのうち、少なくとも各
辺の両端部のリードを他のリードの幅より広く形成した
ものである。
また、少なくとも上記幅広に形成されたリードをダミー
リードに形成したものである。
リードに形成したものである。
［実施例〕
第】図は本発明実施例の模式図である。本実施例第１図
（ａ）においては半導体装置（１）の各辺のり−ド（４
１）のうち、両端部のリード（４ａ）と （４ｂ）、（
４Ｃ）と（４ｄ）、（４ｅ）と（４ｆ）、（４ｇ）と（
４ｈ）の幅（Ｗｌ）をその間に設けられたリード（４Ｊ
）のｌ１ｌ（Ｗ）より広く形成したものである。実１Ｍ
例ではＷ１＝２Ｗとした。
（ａ）においては半導体装置（１）の各辺のり−ド（４
１）のうち、両端部のリード（４ａ）と （４ｂ）、（
４Ｃ）と（４ｄ）、（４ｅ）と（４ｆ）、（４ｇ）と（
４ｈ）の幅（Ｗｌ）をその間に設けられたリード（４Ｊ
）のｌ１ｌ（Ｗ）より広く形成したものである。実１Ｍ
例ではＷ１＝２Ｗとした。
上記のように構成した半導体装置は、各辺の両端部のリ
ード（４ａ）〜（４ｈ）の幅をその間に設けられたリー
ド（４１）の幅より広く形成したので剛性を増し変形す
ることはほとんどなくなった。さらに、ツールの圧力が
掛かる面積が大きいため、他のリードより圧着力が増す
ことから断線することはほとんどな０゜したがって、各
種機械的及び物理的、熱的ストレスがおきても幅広に形
成されたリードが吸収するため、他のリードのストレス
を軽減し、接続不良を生ずるおそれがない。
ード（４ａ）〜（４ｈ）の幅をその間に設けられたリー
ド（４１）の幅より広く形成したので剛性を増し変形す
ることはほとんどなくなった。さらに、ツールの圧力が
掛かる面積が大きいため、他のリードより圧着力が増す
ことから断線することはほとんどな０゜したがって、各
種機械的及び物理的、熱的ストレスがおきても幅広に形
成されたリードが吸収するため、他のリードのストレス
を軽減し、接続不良を生ずるおそれがない。
第１図（ｂ）は本発明の他の実施例を示すもので、幅広
に形成した各辺の両端部のリードをダミーリードにした
ものである。
に形成した各辺の両端部のリードをダミーリードにした
ものである。
上記のようなリード（６ａ）〜（６ｈ）にしたことによ
り、万−各種機械的及び物理的、熱的ストレスに耐えき
れず幅広に形成されたリードが断線してもダミーリード
であるため半導体装置の機能に影響はない。
り、万−各種機械的及び物理的、熱的ストレスに耐えき
れず幅広に形成されたリードが断線してもダミーリード
であるため半導体装置の機能に影響はない。
第１図（ａ）、’（ｂ）の実施例においては、半導体装
置（１）の各辺の両端部のリードをいずれも幅広に形成
した場合を示したが、本発明はこれ−に限定するものて
はなく、 例えばリードフレーム（１１）のインナーリ
ードの各辺の両端部のリード（第１図（ｃ）の１２ａ〜
１２ｈ）を幅広に形成してもよい、このような構成を
することによりリードフレームのリードにも剛性を増す
ので変形することなく、断線することもなくなるので接
続不良を生じることがない。
置（１）の各辺の両端部のリードをいずれも幅広に形成
した場合を示したが、本発明はこれ−に限定するものて
はなく、 例えばリードフレーム（１１）のインナーリ
ードの各辺の両端部のリード（第１図（ｃ）の１２ａ〜
１２ｈ）を幅広に形成してもよい、このような構成を
することによりリードフレームのリードにも剛性を増す
ので変形することなく、断線することもなくなるので接
続不良を生じることがない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明はＴＡＢ式半導
体装置のアウターリードのうち、少なくとも各辺の両端
部のリードを幅広に形成し、剛性を増して変形及び断線
し難いようにしたので、各種機械的及び物理的、熱的ス
トレスがおきても幅広のリードが吸収するため、他のリ
ードのストレスを軽減し断線を生ずることがない。この
ため、接続不良を生ずるおそれがなく、信頼性を向上す
ることができる。
体装置のアウターリードのうち、少なくとも各辺の両端
部のリードを幅広に形成し、剛性を増して変形及び断線
し難いようにしたので、各種機械的及び物理的、熱的ス
トレスがおきても幅広のリードが吸収するため、他のリ
ードのストレスを軽減し断線を生ずることがない。この
ため、接続不良を生ずるおそれがなく、信頼性を向上す
ることができる。
また、少なくとも上記幅広に形成したリードをダミーリ
ードにすることにより各種機械的及び物理的、熱的スト
レスに耐えきれず上記幅広に形成されたリードが断線し
てもダミーリードであるため半導体装置の機能に影響は
ない。
ードにすることにより各種機械的及び物理的、熱的スト
レスに耐えきれず上記幅広に形成されたリードが断線し
てもダミーリードであるため半導体装置の機能に影響は
ない。
第１図は本発明実施例の模式図、第２図は従来のリード
フレームにＴＡＢ式半導体装置を実装した状態を示す平
面図、第３図はそのボンディング状態を示す模式図であ
る。 （１）： ＴＡＢ式半導体装置、（２）： フィル
ム（３）： デバイスホール、（４）； リード（
５）二 半導体素子、 （４ａ）〜（４ｈ）： 幅広
のアウターリード、（４ｉ）： アウターリード、（
６ａ）〜（６ｈ）： 幅広のアウターリードのダミー
リード、（ｉｌ）： リードフレーム、（１２）：
リードフレームのリード （１２ａ）〜（１２ｈ）： 幅広のリードフレームのリ
ード以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
フレームにＴＡＢ式半導体装置を実装した状態を示す平
面図、第３図はそのボンディング状態を示す模式図であ
る。 （１）： ＴＡＢ式半導体装置、（２）： フィル
ム（３）： デバイスホール、（４）； リード（
５）二 半導体素子、 （４ａ）〜（４ｈ）： 幅広
のアウターリード、（４ｉ）： アウターリード、（
６ａ）〜（６ｈ）： 幅広のアウターリードのダミー
リード、（ｉｌ）： リードフレーム、（１２）：
リードフレームのリード （１２ａ）〜（１２ｈ）： 幅広のリードフレームのリ
ード以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- （１）ＴＡＢ式半導体装置をリードフレームに実装する
実装構造において、 前記ＴＡＢ式半導体装置のアウターリードのうち、少な
くとも各辺の両端部のリードの幅を他のリードの幅より
広く形成したことを特徴とするＴＡＢ式半導体装置のリ
ードフレームへの実装構造。（２）少なくとも幅広に形
成されたリードをダミーリードにしたことを特徴とする
請求項（１）記載のＴＡＢ式半導体装置のリードフレー
ムへの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317582A JP2819825B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Ｔａｂ内蔵型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317582A JP2819825B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Ｔａｂ内蔵型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188740A true JPH04188740A (ja) | 1992-07-07 |
| JP2819825B2 JP2819825B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=18089846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317582A Expired - Fee Related JP2819825B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Ｔａｂ内蔵型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819825B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06260582A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPH0729941A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Nec Corp | Ｔａｂ型半導体装置用キャリアテープ |
| JPH08162603A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Nec Corp | フィルムキャリアテープ |
| JP2007242743A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Ltd | 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品 |
| JP2009000905A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Canon Inc | インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法 |
| US8101869B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-01-24 | Sony Corporation | Mounting structure, electro-optical device, and electronic apparatus |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2317582A patent/JP2819825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06260582A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPH0729941A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Nec Corp | Ｔａｂ型半導体装置用キャリアテープ |
| JPH08162603A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Nec Corp | フィルムキャリアテープ |
| JP2007242743A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Ltd | 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品 |
| JP4595835B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2010-12-08 | 株式会社日立製作所 | 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品 |
| US8101869B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-01-24 | Sony Corporation | Mounting structure, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2009000905A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Canon Inc | インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819825B2 (ja) | 1998-11-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070828 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
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