JP4185665B2 - ウェーハレベルパッケージ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はウェーハレベルパッケージに関するもので、より詳しくは、信頼性向上のため、基板とリードフレームを用いて製造されたウェーハレベルパッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体パッケージは、通常ウェーハ状態に製造された半導体チップが切断工程によりそれぞれの半導体チップに分離された後、分離されたそれぞれの半導体チップが個別パッケージング工程を経ることにより製造される。しかし、前記パッケージング工程自体がチップ付着(die attaching)、ワイヤボンディング(wire bonding)、モールディング(molding)、トリミング(trimming)及びフォーミング(forming)などのような単位工程を含んでいるため、一つのウェーハから得られる半導体チップの数を考慮すると、典型的なパッケージ製造方法は全体として工程所要時間が長くなるという欠点がある。
【0003】
したがって、上記欠点を解決するためにパッケージング工程をウェーハ状態でまず実施した後、いくつかの半導体パッケージをウェーハの切断工程により得るようにする、新たなパッケージ製造方法が最近に提案された。このような方法で製造されたパッケージはいわゆるウェーハレベルパッケージ(Wafer Level Package)と呼ばれる。
【0004】
以下、図1に基づいて従来のウェーハレベルパッケージを説明する。
図1に示すように、下部絶縁層3がウェーハ、つまりウェーハを構成する半導体チップ1上に塗布される。半導体チップ1のボンドパッド2は、エッチング工程により下部絶縁層3に形成された溝(via)を通じて露出される。金属パターン4が、金属膜の蒸着及びエッチング工程により、一端部が溝を通じて露出されたボンドパッド2とコンタクトされるように、下部絶縁層3上に形成される。上部絶縁層5が金属パターン4及び下部誘電層3上に塗布される。
【0005】
金属パターン4の他端部は、エッチング工程により上部絶縁層5に形成された溝を通じて露出される。この際に、露出された金属パターン4の他端部はソルダボール7がマウントされるボールランド(ball land)となる。ソルダボール7が溝を通じて露出された金属パターン4のボールランド上に付着される。
【0006】
また、UBM(Under Bump Metallurgy)層6が、ソルダボール7の接着強度の強化のため、ボールランドに形成される。UBM層6は金属からなるもので、露出された金属パターン4のボールランド上にはもちろん、上部絶縁層5にも接するように形成される。
【0007】
上記一連の過程はウェーハレベルで実施され、ウェーハのスクライブラインに沿ってウェーハがそれぞれの半導体チップに切断されることにより、図示されたようなウェーハレベルパッケージが完成される。
【0008】
しかし、従来のウェーハレベルパッケージはつぎのような問題点がある。
第1点として、上部絶縁層とUBM層間の熱膨張係数の違い、つまり高分子ポリマーと金属間の熱膨張係数の違いに起因して、上部絶縁層とUBM層間の界面にストレスが集中するため、従来のウェーハレベルパッケージは、半導体チップと外部シグナル入力段間のシグナルの流れが不安定である。また、半導体チップと外部シグナル入力段間の電気的流れが不安定でなくても、上部絶縁層とUBM層間の界面で浮かび現象が引き起こされ、浮かび現象が発生した部分を通じて金属パターンに水分が浸透するため、金属パターンが腐食され、これにより、従来のウェーハレベルパッケージは半導体チップと外部シグナル入力段間のシグナルの流れが断絶される。
【0009】
しかも、従来のウェーハレベルパッケージは、ソルダボールの接合強度が弱いことに起因して、半導体チップと外部シグナル入力段間のシグナルの流れが不安定である。ソルダボールの弱い接合強度は、3ppm程度の熱膨張係数を有する半導体チップと14ppm程度の熱膨張係数を有するボード間の熱膨張係数の違いにより、ソルダボールが剪断応力をきびしく受け、これによりクラックが発生することに起因する。
【0010】
第2点として、ソルダボールの接合強度の改善は、応力吸収層、つまり下部絶縁層の厚さ増加により達成できる。しかし、下部絶縁層の厚さ増加は、第1に、パッケージの厚さ増加をきたし、第2に、ボンディングパッドの露出のためのエッチング工程の困難をきたし、第3に、ボンドパッドと金属パターン間のコンタクトの困難をきたす。したがって、ソルダボールの接合強度の改善は現在としては難しい。
【0011】
第3点として、従来のウェーハレベルパッケージは、高速動作を要求する製品に適用し難い。このことは、金属パターンが半導体チップの表面の直上に位置することによりキャパシタンスが増加し、これにより、高速動作に障害を招くためである。一方、キャパシタンスは、半導体チップと金属パターン間の間隔増加、つまり下部絶縁層の厚さ増加により抑制させることができる。しかし、この方法は前述した問題点を包含するため、適用できない。
【0012】
第4点として、従来のウェーハレベルパッケージは、ウェーハの切断工程時、封止材が使用されないことにより、各層間の界面で浮かび現象が生じ、ひどい場合には、半導体チップの縁部が破損される。したがって、従来のウェーハレベルパッケージは信頼性及び収率が悪い、というものである。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、従来のウェーハレベルパッケージにおける問題点に鑑みてなされたものであって、半導体チップと外部シグナル入力段間のシグナルの流れの信頼性を確保し得るウェーハレベルパッケージを提供することをその目的とする。
【0014】
また、他の目的として、本発明は、高速動作を要する製品に適用可能なウェーハレベルパッケージを提供する。
【0015】
また、更に他の目的として、本発明は、ウェーハの切断時、構成成分間の界面で浮かび現象が生じることを防止し得るウェーハレベルパッケージを提供する。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた、本発明のウェーハレベルパッケージは、上面にボンドパッドが配置された半導体チップと、前記半導体チップの上面に接着され、前記ボンドパッドと面する側の反対側の縁部に凹部が設けられ、前記ボンドパッドに隣接した部分から前記凹部の底面まで金属配線が形成された基板と、前記ボンドパッドとこれに対応する金属配線とを電気的に連結する金属ワイヤと、前記基板の凹部に挿入/固定されるとともに前記金属配線と電気的に接続されるインナーリード及び階段状に成形されるアウターリードから構成されるリードフレームと、前記リードフレームのアウターリードのみが露出されるように、前記基板及び金属ワイヤを含む前記半導体チップの上面全体を封止する封止材とを含むことを特徴とする。
【0017】
また、前記ボンドパッドは、半導体チップの上面中央に配列されることを特徴とする。
【0018】
また、前記基板は、前記半導体チップのボンドパッドに対応する部分に貫通孔が設けられることを特徴とする。
【0019】
また、前記金属ワイヤは、前記貫通孔を貫通して前記ボンドパッドと前記金属配線間を接続することを特徴とする。
【0020】
また、前記アウターリードは、前記半導体チップの縁部に向かって成形されていることを特徴とする。
【0021】
また、前記アウターリードは、その全体が封止材から露出されることを特徴とする。
【0022】
また、前記アウターリードは、成形された側面及び底面のみが封止材から露出されることを特徴とする。
【0023】
また、前記ボンドパッドは、前記半導体チップの上面両側縁部にそれぞれ配列されることを特徴とする。
【0024】
また、前記アウターリードは、前記半導体チップの中央に向かって階段状に成形されることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
次に、本発明にかかるウェーハレベルパッケージの実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図2は、本発明の一実施例によるウェーハレベルパッケージを示す断面図である。尚、図2においては、半導体チップのボンディングパッドがある面を上面と定義している。同図に示すように、半導体チップ10はその上面中央に配置されたボンディングパッド11を有する。基板連結体20(図3参照)の基板21の部位が接着材30を介在して半導体チップ10の上面に接着される。
【0026】
基板連結体20は、図3に示すように、複数の基板21が複数のタイバー23により、互いに平行に隔たって配置されるとともに基板連結体20の整列のためのピン孔24を有する一対のサイドレール22に支持された形状である。基板21は中央に貫通孔25を有する。
【0027】
また、基板21は、タイバー23に連結されていない両側縁部にそれぞれ一列に配列される多数の凹部26を有し、金属配線27が貫通孔25に隣接した基板本体部から凹部26の底面まで形成されている(図5参照)。
【0028】
次いで、基板21の金属配線(図示せず)と半導体チップ10のボンドパッド11とが金属ワイヤ40により電気的に相互接続される。金属ワイヤ40は基板21に設けられた貫通孔25を貫通して金属配線27とボンドパッド11間を接続する。
【0029】
リードフレーム50のインナーリード51がソルダ60により基板21の凹部26に挿入/固定され、インナーリード51は金属配線27と電気的に接続される(図6参照)。また、リードフレーム50のアウターリード52はマザーボードへの実装が容易な形態に成形(forming)される(図7参照)。
【0030】
ここで、リードフレーム50は、図4に示すように、多数のアウターリード52が一列に連結された接合バー55が互いに平行に隔たって配置された一対のサイドレール53に支持された形状である。サイドレール53は、基板連結体20に設けられたピン孔24に対応するそれぞれの位置にピン孔54を有する。
【0031】
次いで、基板連結体20と金属ワイヤ40及びリードフレームのインナーリード51を含む半導体チップ10の底面全体が均一な厚さの封止材70により封止される。したがって、半導体チップ10の側面と底面、そしてリードフレームのアウターリード52は外部に露出される。この際に、アウターリード52は封止材70の外部に全く露出された形状であるが、後述するように、封止材からその側面及び底面のみが露出できる。
【0032】
上述された工程要素はウェーハレベルにて形成され、スクライブラインに沿ってウェーハが切断されることにより、図2に示されたような本発明のウェーハレベルパッケージが得られる。
【0033】
前述したように、本発明のウェーハレベルパッケージは、金属配線が設けられる基板から製造される。したがって、金属配線の復旧が容易であるので、金属配線の信頼性が確保され、これにより、半導体チップと外部シグナル入力端間のシグナル流れの安定化がなされる。
【0034】
また、本発明のウェーハレベルパッケージは、半導体チップと金属配線間に基板が介在されるため、半導体チップと金属配線間に十分な距離が確保される。したがって、キャパシタンスの増加が抑制され、これにより、高速化製品に有利に適用することができる。
【0035】
しかも、本発明のウェーハレベルパッケージは、外部シグナル入力段、つまりマザーボードへの実装手段として信頼性が保証されたリードフレームが使用されるため、ソルダボールが用いられる従来のものに比べ、パッケージとマザーボード間の接合強度が改善される。したがって、半導体チップと外部シグナル入力段間のシグナルの流れの断絶は防止される。
【0036】
また、本発明のウェーハレベルパッケージは封止材を使用することにより、ウェーハの切断時、各構成要素間の界面で生ずる浮かび現象、又は半導体チップの縁部が破損される現象が防止され、これにより、信頼性及び収率が確保される。
【0037】
図8は本発明のウェーハレベルパッケージがマザーボード90に実装された状態を示す断面図である。ここで、図の左側はアウターリード52が外部に全く露出されて製作されたウェーハレベルパッケージが実装された状態を、そして図の右側はアウターリード52の側面及び底面のみが外部に露出されて製作されたウェーハレベルパッケージが実装された状態を示す断面図である。
【0038】
図の左側において、ウェーハレベルパッケージは、外部に全く露出されたアウターリード52がソルダ80により全く取り囲まれた形状でマザーボード90に実装される。反面、図の右側において、ウェーハレベルパッケージは、外部に露出されたアウターリード52の側面及び底面のみがソルダ80により取り囲まれた形状でマザーボード90に実装される。
【0039】
図9は本発明の他の実施例によるウェーハレベルパッケージを示す断面図である。この実施例において、ボンドパッド11は半導体チップ10の上面両側縁部にそれぞれ配置される。また、基板連結体20は、前述の実施例に適合した構造、つまり図3に示すような構造から少しの変更は必要である。この実施例に適合した基板構造は、前述の実施例の基板構造からの変更が当業者であれば誰でも実施し得る程度であるので、この実施例での変更基板構造については説明を省略する。
【0040】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のウェーハパッケージは、基板の使用により、シグナル流れの安定性を確保することができ、また、高速動作を要する製品に有利に適用することができる。
【0042】
また、本発明のウェーハレベルパッケージは、リードフレームの使用により、ソルダジョイントの耐久性を高めることができる。
【0043】
しかも、本発明のウェーハレベルパッケージは、封止材の使用により、ウェーハの切断時、各構成要素間の界面で生ずる浮かび現象と、半導体チップの縁部が損傷される現象を防止することができ、これにより、パッケージの信頼性及び収率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のウェーハレベルパッケージを示す断面図である。
【図2】本発明の実施例によるウェーハレベルパッケージを示す断面図である。
【図3】本発明の実施例による基板を示す平面図である。
【図4】本発明の実施例によるリードフレームを示す平面図である。
【図5】本発明の基板とリードフレーム及びこれら間の結合構造を示す断面図である。
【図6】本発明の基板とリードフレーム及びこれら間の結合構造を示す断面図である。
【図7】本発明の基板とリードフレーム及びこれら間の結合構造を示す断面図である。
【図8】本発明によるウェーハレベルパッケージのアウターリード封止方法及び実装方法を説明する断面図である。
【図9】本発明の他の実施例によるウェーハレベルパッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
10 半導体チップ
11 ボンドパッド
20 基板連結体
21 基板
22 サイドレール
23 タイバー
24 ピン孔
25 貫通孔
26 凹部
27 金属配線
30 接着剤
40 金属ワイヤ
50 リードフレーム
51 インナーリード
52 アウターリード
53 レール
54 ピン孔
55 接合バー
60 ソルダ
70 封止材
80 ソルダ
90 マザーボード
Claims (9)
- 上面にボンドパッドが配置された半導体チップと、
前記半導体チップの上面に接着され、前記ボンドパッドと面する側の反対側の縁部に凹部が設けられ、前記ボンドパッドに隣接した部分から前記凹部の底面まで金属配線が形成された基板と、
前記ボンドパッドとこれに対応する金属配線とを電気的に連結する金属ワイヤと、
前記基板の凹部に挿入/固定されるとともに前記金属配線と電気的に接続されるインナーリード及び階段状に成形されるアウターリードから構成されるリードフレームと、
前記リードフレームのアウターリードのみが露出されるように、前記基板及び金属ワイヤを含む前記半導体チップの上面全体を封止する封止材とを含むことを特徴とするウェーハレベルパッケージ。 - 前記ボンドパッドは、半導体チップの上面中央に配列されることを特徴とする請求項1記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記基板は、前記半導体チップのボンドパッドに対応する部分に貫通孔が設けられることを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記金属ワイヤは、前記貫通孔を貫通して前記ボンドパッドと前記金属配線間を接続することを特徴とする請求項1、2又は3記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記アウターリードは、前記半導体チップの縁部に向かって成形されていることを特徴とする請求項1記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記アウターリードは、その全体が封止材から露出されることを特徴とする請求項1記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記アウターリードは、成形された側面及び底面のみが封止材から露出されることを特徴とする請求項1記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記ボンドパッドは、前記半導体チップの上面両側縁部にそれぞれ配列されることを特徴とする請求項1記載のウェーハレベルパッケージ。
- 前記アウターリードは、前記半導体チップの中央に向かって階段状に成形されることを特徴とする請求項1又は8記載のウェーハレベルパッケージ。
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