JPH02263444A - キヤリアテープ - Google Patents
キヤリアテープInfo
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- JPH02263444A JPH02263444A JP7260788A JP7260788A JPH02263444A JP H02263444 A JPH02263444 A JP H02263444A JP 7260788 A JP7260788 A JP 7260788A JP 7260788 A JP7260788 A JP 7260788A JP H02263444 A JPH02263444 A JP H02263444A
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- outer lead
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- lead
- slits
- resin
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000927265 Hyas araneus Arasin 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子に接続するリード端子等の導体部
がその表面上に形成されるキャリアテープに関する。
がその表面上に形成されるキャリアテープに関する。
近年、集積回路素子の電極接合技術として従来より最も
広く使用されているワイヤポンディング方法に代わって
、テープキャリアを用いたいわゆるT A B (Ta
pe Autemated Bonding)方法が採
用されている。
広く使用されているワイヤポンディング方法に代わって
、テープキャリアを用いたいわゆるT A B (Ta
pe Autemated Bonding)方法が採
用されている。
従来、この種のTAB方法に用いるキャリアテープは第
2図ta+および(blに示すように構成されている。
2図ta+および(blに示すように構成されている。
これを同図に基づいて説明すると、同図において、符号
1で示すものはテープキャリア基材となるフィルム状の
帯状部材で、全体が可撓性を有する例えばポリイミド樹
脂等のプラスチックからなる絶縁材料によって形成され
ている。この帯状部材1の両側縁には本体1aの長手方
向に所定の間隔をもってパーフォレーション孔2が設け
られており、軸方向中央部には低圧トランスファ成形法
によって樹脂封止される半導体素子3の一部が臨むセン
タデバイス孔4が設けられている。また、このセンタデ
バイス孔4の周囲には各々が互いに架橋部5を介して連
接する複数のアウターリード孔6が設けられており、こ
のアウターリード孔6と前記センタデバイス孔4との間
には例えば銅等の導電性材料からなるリード7を保持す
るリードサポート部8が設けられている。なお、前記リ
ード7は、前記センタデバイス孔4に先端部が臨むイン
ナーリード部7a、 このインナーリード部7aに連
設され前記アウターリード孔6の一部を覆うアウターリ
ード部7bおよびこのアウターリード部7bに連設され
かつ前記本体1aに接合されたテストパッド部7Cによ
って構成されている。9は前記半導体素子3の表面上に
設けられたバンプである。
1で示すものはテープキャリア基材となるフィルム状の
帯状部材で、全体が可撓性を有する例えばポリイミド樹
脂等のプラスチックからなる絶縁材料によって形成され
ている。この帯状部材1の両側縁には本体1aの長手方
向に所定の間隔をもってパーフォレーション孔2が設け
られており、軸方向中央部には低圧トランスファ成形法
によって樹脂封止される半導体素子3の一部が臨むセン
タデバイス孔4が設けられている。また、このセンタデ
バイス孔4の周囲には各々が互いに架橋部5を介して連
接する複数のアウターリード孔6が設けられており、こ
のアウターリード孔6と前記センタデバイス孔4との間
には例えば銅等の導電性材料からなるリード7を保持す
るリードサポート部8が設けられている。なお、前記リ
ード7は、前記センタデバイス孔4に先端部が臨むイン
ナーリード部7a、 このインナーリード部7aに連
設され前記アウターリード孔6の一部を覆うアウターリ
ード部7bおよびこのアウターリード部7bに連設され
かつ前記本体1aに接合されたテストパッド部7Cによ
って構成されている。9は前記半導体素子3の表面上に
設けられたバンプである。
因に、この種のテープキャリア用テープにおける架橋部
5は、インナーリード部7aの位置精度を高めるための
リードサポート部8を本体1aに保持するものとして機
能する。また、リードサポート部8は、帯状部材1上に
半導体素子3を接合するに際してインナーリード部7a
とバンプ9の位置合わせを簡単にするためのもの、テー
プキャリアの運搬時や移動時に生じる外力によってイン
ナーリード部7aの変形を阻止するためのものおよびI
C製作における樹脂封止時の樹脂ぼり発生を防止するた
めのものである。さらに、リード7のテストパッド部7
Cは、インナーリード部7aと半導体素子3との接続不
良や半導体素子自体の不良等をリードボンディング後に
検査するためのものである。
5は、インナーリード部7aの位置精度を高めるための
リードサポート部8を本体1aに保持するものとして機
能する。また、リードサポート部8は、帯状部材1上に
半導体素子3を接合するに際してインナーリード部7a
とバンプ9の位置合わせを簡単にするためのもの、テー
プキャリアの運搬時や移動時に生じる外力によってイン
ナーリード部7aの変形を阻止するためのものおよびI
C製作における樹脂封止時の樹脂ぼり発生を防止するた
めのものである。さらに、リード7のテストパッド部7
Cは、インナーリード部7aと半導体素子3との接続不
良や半導体素子自体の不良等をリードボンディング後に
検査するためのものである。
このように構成されたテープキャリア用テープに半導体
素子3を実装するには、第3図(a)および(blに示
すように帯状部材1のセンタデバイス孔4内にバンプ9
がインナーリード部7aの所定位置に対向するように半
導体素子3を位置決めしてから、この半導体素子3のバ
ンプ9とインナーリード部7aを熱圧着法で接続するこ
とにより行う。
素子3を実装するには、第3図(a)および(blに示
すように帯状部材1のセンタデバイス孔4内にバンプ9
がインナーリード部7aの所定位置に対向するように半
導体素子3を位置決めしてから、この半導体素子3のバ
ンプ9とインナーリード部7aを熱圧着法で接続するこ
とにより行う。
このようにして得られたテープキャリアを第4図に示す
ように上下2つの金型io、ti間に挾持した後、低圧
トランスファ成形方法によってエポキシ樹脂等のプラス
チックで半導体素子3を封止する。
ように上下2つの金型io、ti間に挾持した後、低圧
トランスファ成形方法によってエポキシ樹脂等のプラス
チックで半導体素子3を封止する。
この後、封止成形品からデバイス部を打ち抜いてから、
アウターリード部7bをフォーミングして樹脂封止形の
半導体装置を製造することができる。
アウターリード部7bをフォーミングして樹脂封止形の
半導体装置を製造することができる。
この種の半導体装置おいては、樹脂封止時に型締力を樹
脂注入圧力より大きい圧力に設定し、かつその樹脂封止
を高温(180℃程度)の雰囲気中で行って製造される
。このとき、リードサポート部8は一部のみが金型10
.11によって挟圧されている。
脂注入圧力より大きい圧力に設定し、かつその樹脂封止
を高温(180℃程度)の雰囲気中で行って製造される
。このとき、リードサポート部8は一部のみが金型10
.11によって挟圧されている。
ところで、従来のキャリアテープを使用して製造する半
導体装置においては、樹脂封止時にアウターリード部7
bに高温の雰囲気中で高圧の型締力が作用するものであ
るため、アウターリード部7bが伸張して変形すること
があった。この結果、半導体素子3の樹脂封止後に施す
アウターリード部7bのフォーミングを均一に行うこと
ができず、アウターリード部7bを回路基板(図示せず
)等に接続する場合に接続不良が発生してリード接続上
の信顧性が低下するという問題があった。
導体装置においては、樹脂封止時にアウターリード部7
bに高温の雰囲気中で高圧の型締力が作用するものであ
るため、アウターリード部7bが伸張して変形すること
があった。この結果、半導体素子3の樹脂封止後に施す
アウターリード部7bのフォーミングを均一に行うこと
ができず、アウターリード部7bを回路基板(図示せず
)等に接続する場合に接続不良が発生してリード接続上
の信顧性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、リード
を回路基板等に接続する場合の不良発生を防止すること
ができ、もりてリード接続上の信幀性を向上させること
ができるキャリアテープを提供するものである。
を回路基板等に接続する場合の不良発生を防止すること
ができ、もりてリード接続上の信幀性を向上させること
ができるキャリアテープを提供するものである。
本発明に係るキャリアテープは、樹脂封止される半導体
素子の一部が臨むセンタデバイス孔およびこのセンタデ
バイス孔の周囲に設けられ架橋部を介して連接する複数
のリード孔を有する帯状部材の一部であって、半導体素
子に接続するリードの外側にリード並列方向に延在する
スリットを設けたものである。
素子の一部が臨むセンタデバイス孔およびこのセンタデ
バイス孔の周囲に設けられ架橋部を介して連接する複数
のリード孔を有する帯状部材の一部であって、半導体素
子に接続するリードの外側にリード並列方向に延在する
スリットを設けたものである。
本発明においては、半導体素子の樹脂封止時にアウター
リード部の伸張による変形をスリットによって吸収する
ことができる。
リード部の伸張による変形をスリットによって吸収する
ことができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明に係るキャリアテープを用いたテープキ
ャリアを示す平面図で、同図において第2図〜第4図と
同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。同図において、符号21で示す帯状部材の一
部には、前記リード7の並列方向に延在する複数(4個
)のスリット22が設けられている。そして、これらス
リット22は前記テストパッド7cの外側に位置付けら
れている。
ャリアを示す平面図で、同図において第2図〜第4図と
同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。同図において、符号21で示す帯状部材の一
部には、前記リード7の並列方向に延在する複数(4個
)のスリット22が設けられている。そして、これらス
リット22は前記テストパッド7cの外側に位置付けら
れている。
このように構成されたキャリアテープを用いたテープキ
ャリアから半導体装置を製造するには、従来技術と同様
にして行うことができる。すなわち、上下2つの金型1
0.11間にテープキャリアを挾持し、低圧トランスフ
ァ成形方法によってエポキシ樹脂等のプラスチックで半
導体素子3を封止した後、これからデバイス部を打ち抜
いてから、アウターリード部7bをフォーミングするこ
とにより行うのである。
ャリアから半導体装置を製造するには、従来技術と同様
にして行うことができる。すなわち、上下2つの金型1
0.11間にテープキャリアを挾持し、低圧トランスフ
ァ成形方法によってエポキシ樹脂等のプラスチックで半
導体素子3を封止した後、これからデバイス部を打ち抜
いてから、アウターリード部7bをフォーミングするこ
とにより行うのである。
この場合、半導体素子3の樹脂封止時には、スリット2
2によって帯状部材1がアウターリード部7aより変形
し易くなり、アウターリード部7bの伸張による変形を
吸収することができる。
2によって帯状部材1がアウターリード部7aより変形
し易くなり、アウターリード部7bの伸張による変形を
吸収することができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時にアウター
リード部7bが変形による湾曲がな(なるから、半導体
素子3の樹脂封止後に施すアウターリード部7bのフォ
ーミングを均一に行うことができ、アウターリード部7
bを回路基板(図示せず)等に接続する場合の接続不良
発生を防止することができる。
リード部7bが変形による湾曲がな(なるから、半導体
素子3の樹脂封止後に施すアウターリード部7bのフォ
ーミングを均一に行うことができ、アウターリード部7
bを回路基板(図示せず)等に接続する場合の接続不良
発生を防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、樹脂封止される半
導体素子の一部が臨むセンタデバイス孔およびこのセン
タデバイス孔の周囲に設けられ架橋部を介して連接する
複数のリード孔を有する帯状部材の一部であって、半導
体素子に接続するリードの外側にリード並列方向に延在
するスリットを設けたので、半導体素子の樹脂封止時に
アウターリード部の伸張による変形をスリットによって
吸収することができる。したがって、半導体素子の樹脂
封止後に施すアウターリード部のフォーミングを均一に
行うことができるから、アウターリード部を回路基板等
に接続する場合の接続不良発生を防止することができ、
リード接続上の信転性を向上させることができる。
導体素子の一部が臨むセンタデバイス孔およびこのセン
タデバイス孔の周囲に設けられ架橋部を介して連接する
複数のリード孔を有する帯状部材の一部であって、半導
体素子に接続するリードの外側にリード並列方向に延在
するスリットを設けたので、半導体素子の樹脂封止時に
アウターリード部の伸張による変形をスリットによって
吸収することができる。したがって、半導体素子の樹脂
封止後に施すアウターリード部のフォーミングを均一に
行うことができるから、アウターリード部を回路基板等
に接続する場合の接続不良発生を防止することができ、
リード接続上の信転性を向上させることができる。
第1図は本発明に係るキャリアテープを使用するテープ
キャリアを示す平面図、第2図(a)および(b)は従
来のキャリアテープを使用するテープキャリアを示す平
面図と断面図、第3図fatおよび(b)はテープキャ
リアの製造方法を説明するための斜視図、第4図は従来
のテープキャリアにおける半導体素子の樹脂封止につい
て説明するための断面図である。 3・・・・半導体素子、4・・・・センタデバイス孔、
6・・・・アウターリード孔、7・・・・リード、7a
・・・・インナーリード部、7b・・・・アウターリー
ド部、21・・・・帯状部材、22・・・・スリット。 代 理 人 大 岩 増 雄第1図 3ニー?−L+I素子 4:セン7テ”ハ゛′イKL 6、ブウ7−9−’r”Jヒ フ: ソー ト・ 7Q:4ン1−ノー)=寸P 7b、アラツーソート°4F 21 手鰍゛仰材 22 ; スジ ・ノ ト 第2図 (a) (b)
キャリアを示す平面図、第2図(a)および(b)は従
来のキャリアテープを使用するテープキャリアを示す平
面図と断面図、第3図fatおよび(b)はテープキャ
リアの製造方法を説明するための斜視図、第4図は従来
のテープキャリアにおける半導体素子の樹脂封止につい
て説明するための断面図である。 3・・・・半導体素子、4・・・・センタデバイス孔、
6・・・・アウターリード孔、7・・・・リード、7a
・・・・インナーリード部、7b・・・・アウターリー
ド部、21・・・・帯状部材、22・・・・スリット。 代 理 人 大 岩 増 雄第1図 3ニー?−L+I素子 4:セン7テ”ハ゛′イKL 6、ブウ7−9−’r”Jヒ フ: ソー ト・ 7Q:4ン1−ノー)=寸P 7b、アラツーソート°4F 21 手鰍゛仰材 22 ; スジ ・ノ ト 第2図 (a) (b)
Claims (1)
- 樹脂封止される半導体素子の一部が臨むセンタデバイス
孔およびこのセンタデバイス孔の周囲に設けられ架橋部
を介して連接する複数のリード孔を有する帯状部材から
なり、この帯状部材の一部であって、前記半導体素子に
接続するリードの外側にリード並列方向に延在するスリ
ットを設けたことを特徴とするキャリアテープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7260788A JPH06105729B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | キヤリアテープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7260788A JPH06105729B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | キヤリアテープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02263444A true JPH02263444A (ja) | 1990-10-26 |
JPH06105729B2 JPH06105729B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=13494247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7260788A Expired - Lifetime JPH06105729B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | キヤリアテープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06105729B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499748A1 (en) * | 1990-12-27 | 1992-08-26 | International Business Machines Corporation | TAB tape |
JPH0540993U (ja) * | 1991-10-23 | 1993-06-01 | 能美防災株式会社 | 火災報知装置のプリント基板 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7260788A patent/JPH06105729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499748A1 (en) * | 1990-12-27 | 1992-08-26 | International Business Machines Corporation | TAB tape |
JPH0540993U (ja) * | 1991-10-23 | 1993-06-01 | 能美防災株式会社 | 火災報知装置のプリント基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06105729B2 (ja) | 1994-12-21 |
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