JPH0729941A - Tab型半導体装置用キャリアテープ - Google Patents

Tab型半導体装置用キャリアテープ

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JPH0729941A
JPH0729941A JP5195545A JP19554593A JPH0729941A JP H0729941 A JPH0729941 A JP H0729941A JP 5195545 A JP5195545 A JP 5195545A JP 19554593 A JP19554593 A JP 19554593A JP H0729941 A JPH0729941 A JP H0729941A
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leads
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carrier tape
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Kimio Meguro
喜美男 目黒
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 TAB型半導体装置用キャリアテープにおい
てリードピッチのばらつきを防止する。 【構成】 複数のベースフィルム上のリードパターンの
接着面積の差異を抑えること又は1部接着面積の大きく
異なるリードパターンを必要とする場合はリードと同一
方向にリードパターンを配置することによりリード先端
部の位置ばらつきを低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB型(テープオート
メティッドボンディング)半導体装置用キャリアテープ
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のキャリアテープは、図4にその構
成を示す様に、ポリイミドテープなどによるベースフィ
ルム3にプレスにより送り穴2、デバイスホール1を開
孔し、次に銅箔接着を行ない、フォトレジスト塗布、露
光、現像、エッチング工程を経て、デバイスホール1内
にリード4を形成し、ベースフィルム3上にリードパタ
ーン7、電極パターン5が形成され、次にメッキを行な
う事によりキャリアテープを構成している。上記キャリ
アテープをICチップの電極バンプにリードの先端を位
置合わせし、熱圧着によりボンディングし(インナーリ
ードボンディングと呼称される)TAB型半導体装置を
構成する。TAB型半導体装置を回路基板に搭載する場
合は、デバイスホール1内リード4の他端を切断し、回
路基板にボンディングする。(アウターリードボンディ
ングと呼称) TAB型半導体装置の実装はICチップ6の電極バンプ
9より引き出したリード4を回路基板に直接アウターリ
ードボンディングする事により高密度実装のできること
や、リードピッチが0.1mm前後で、例えば一般的な半
導体装置用のデュアルインライン型パッケージのリード
ピッチ2.54mmと比較すると分かる様に狭いリードピ
ッチで多ピン化対応のできることを特徴としている。従
って、TAB型半導体装置においてはリードピッチをよ
り狭めリード数を増やすことがその特徴を生かすために
重要な点となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】TAB型半導体装置の
インナーリードボンディング部の接合の、信頼性を確保
するためにはリード4の先端部と電極バンプ9の相対位
置が正しく合わせられ、所定の接着面積を得ることが大
事である。そのためにはリード4先端位置の水平方向の
位置ばらつきを許容して接着面積を得るためには電極バ
ンプ9を大きくする方策もあるが、その場合電極バンプ
9およびリード4のピッチを大きくする必要があり、T
AB型半導体装置の挟リードピッチによる多ピン対応と
いう特徴を疎外することになるので、リード4の先端位
置のばらつきを極力小さくするということが重要な課題
であった。図4に従来のTAB型半導体装置の例を示す
が、図4の様な形状で1辺のリード数が34本(図面で
は簡単化のためにリードを14本にしている)のキャリ
アテープのリード4の先端部のピッチを測定した結果を
図5に示す。図5の結果から、端リードパターン8につ
ながるリード先端部の位置が大きくばらつくという問題
があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、TAB型半導
体装置用キャリアテープにおいて、インナーリードボン
ディングおよびアウターリードボンディングに用いるリ
ードにつながるベースフィルム上のリードパターンにお
いて、各々のリードパターンの幅が同等か相互に隣接し
幅の異なるリードパターンの幅の大きいリードパターン
と幅の小さいリードパターンの比が1.5倍以内である
キャリアテープであり、また、TAB型半導体装置用の
キャリアテープにおいて、複数のリードのそれぞれのリ
ードにつながるベースフィルム上のリードパターンにお
いて1部の幅の異なるリードパターンがデバイホール内
のリードと同一方向に配置されているキャリアテープで
ある。
【0005】
【作用】本発明によれば、TAB型半導体装置用キャリ
アテープはベースフィルム上に形成されるリードパター
ン7のパターン幅を同程度にすることにより、ベースフ
ィルム3とそれぞれのリードパターン7の接着面積の差
を抑え、リードパターンごとの応力差を少なくすること
で、リード先端位置がゆがみリードピッチのずれを防止
することができるものであり、また電源ライン等に用い
るため電気的特性の低インピーダンス化のために面積の
大きいリードパターンを必要とする場合はリードをゆが
める応力の影響を避けるため、リード方向と同一方向に
リードパターンを配置したり、リードパターンの分割に
より解決することができるものである。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1は、本発明の一実施例のキャリアテープ
の平面図である。2種の穴である送り穴2とデバイスホ
ール1の設けられたベースフィルム3にエッチングによ
り形成されたパターンを有し、これらパターンはデバイ
スホール1内のリード4とベースフィルム3上のリード
パターン7および端リードパターン8と電極パターン5
により構成され、端リードパターン8のリード幅
(W2 )と他のリードパターン7のリード幅(W1 )と
の比をW2 /W1 =1.4としている。このことによ
り、端リードパターン8と隣接のリードパターン7のベ
ースフィルムとの接着面積に著しく差異の生ずる事が防
がれ、隣接リード間の応力差によるゆがみが、低減さ
れ、リードピッチのずれ量の増加が防止できる。図2に
本発明の一実施例でのキャリアテープのリードピッチの
測定結果を示す。図2においては、端リードパターン幅
(W2 ′)と隣接リードパターン幅(W1 ′)、との比
をW2 ′/W1 ′=7.9として図5に示した従来型の
キャリアテープのリード間ピッチのばらつきに比べて、
著しくリード間ピッチのばらつきの少なくなっている事
が分かる。
【0007】なお、図1、図2においてはW2 /W1
1.4としたが、これは電源端子に用いているリードパ
ターンの低インピーダンス化ためには広いリードパター
ンの方が有利であるため若干広くしていることによる
が、さらに広いリードパターンを必要とする場合の解決
方法として、本発明による他の実施例として図3に示す
ように1部の太いリードパターン10については、デバ
イスホール切断面と垂直方向にパターンニングを行な
い、リード先端のゆがみを防ぐことができる。図6及
び、図7にキャリアテープの製造フロー及びTAB型半
導体装置の構成を示した。これは、ベースフィルムに送
り穴、デバイスホールをプレスによって形成する工程、
次に、銅箔を接着する工程、フォトレジストを塗布する
工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、そしてリ
ードメッキ工程を有するものである。またTAB型半導
体装置は、図7(A)のように送り穴を有しているベー
スフィルム3にデバイスホール1が形成され、そのデバ
イスホール1に、ICチップ6が設けられている。図7
(B)にリード4をボンデングし、リード4の先端にI
Cチップ6が電極バンプ9によりボンデングされている
ものである。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベースフィルム上の各々のリードパターンの幅が著しく
異ならない様にし、ベースフィルムとの接着面積の差を
少くなくすることやリードパターンの配置の工夫により
リードのゆがみを防止し、リード間ピッチのずれ量の低
減ができ、インナーリードボンディングの高信頼性の確
保と、よりリードピッチが狭く高密度実装の可能なTA
B型半導体装置を提供できるという効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す図。
【図2】本発明によるキャリアテープのリードピッチデ
ータ。
【図3】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図4】従来のTAB型半導体装置用キャリアテープを
示す平面図。
【図5】従来のTAB型半導体装置用キャリアテープの
リードピッチデータ。
【図6】キャリアテープの製造フローを示す図。
【図7】TAB型半導体装置の構成を示す図。
【符号の説明】
1 デバイスホール 2 送り穴 3 ベースフィルム 4 リード 5 電極パターン 6 ICチップ 7 リードパターン 8 端リードパターン 9 電極バンプ 10 太いリードパターン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 TAB型半導体装置用キャリアテープに
    おいて、インナーリードボンディングおよびアウターリ
    ードボンディングに用いるリードにつながるベールフィ
    ルム上のリードパターンにおいて、各々のリードパター
    ンの幅が同等か相互に隣接し幅の異なるリードパターン
    の幅の大きいリードパターンと幅の小さいリードパター
    ンの比が1.5倍以内であることを特徴とするキャリア
    テープ。
  2. 【請求項2】 TAB型半導体装置用のキャリアテープ
    において、複数のリードのそれぞれのリードにつながる
    ベースフィルム上のリードパターンにおいて1部の幅の
    異なるリードパターンがデバイホール内のリードと同一
    方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載
    のキャリアテープ。
JP5195545A 1993-07-13 1993-07-13 Tab型半導体装置用キャリアテープ Expired - Lifetime JP2586736B2 (ja)

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JPH0729941A true JPH0729941A (ja) 1995-01-31
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03263339A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Fujitsu Ltd フィルムキャリア及び半導体装置
JPH04145635A (ja) * 1990-10-08 1992-05-19 Nec Corp Tab型半導体装置
JPH04188740A (ja) * 1990-11-21 1992-07-07 Seiko Epson Corp Tab内蔵型半導体装置

Patent Citations (3)

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Effective date: 19960416

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Effective date: 19961015