JP2839083B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2839083B2 JP2839083B2 JP8062400A JP6240096A JP2839083B2 JP 2839083 B2 JP2839083 B2 JP 2839083B2 JP 8062400 A JP8062400 A JP 8062400A JP 6240096 A JP6240096 A JP 6240096A JP 2839083 B2 JP2839083 B2 JP 2839083B2
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- suspender
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にフィルムキャリアテープを使用した半導体装置に関
するものである。
特にフィルムキャリアテープを使用した半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のフィルムキャリア型の半導体装
置は、セットの小型軽量薄型化が可能な上、半導体チッ
プの電極のパッド電極ピッチが狭いものにも対応できる
ことからワイヤボンディングに変わる方式として最近多
用されている。ここで、フィルムキャリアテープとして
は通常３層１メタル（絶縁性フィルム／接着剤／銅箔）
方式とよばれるテープが用いられる。図６（ａ）は、こ
の種フィルムキャリアキャリアテープを使用した従来の
半導体装置の平面図であり、図６（ｂ）は断面図であ
る。フィルムキャリアテープは、ポリイミドなどからな
る絶縁性フィルム１と銅箔からなるリードから構成され
る。絶縁性フィルム１には、長手方向両端に搬送および
位置決め用のスプロケットホール２ａが等ピッチで形成
されており、中央部に半導体チップ搭載用のデバイスホ
ール２ｂが形成され、そのデバイスホール２ｂの外側に
はデバイスホール２ｂを囲むようにアウターリードホー
ル２ｃが形成されている。デバイスホール２ｂとアウタ
ーリードホール２ｃ間の絶縁性フィルム１の部分はリー
ドを支持するサスペンダー３となっている。
置は、セットの小型軽量薄型化が可能な上、半導体チッ
プの電極のパッド電極ピッチが狭いものにも対応できる
ことからワイヤボンディングに変わる方式として最近多
用されている。ここで、フィルムキャリアテープとして
は通常３層１メタル（絶縁性フィルム／接着剤／銅箔）
方式とよばれるテープが用いられる。図６（ａ）は、こ
の種フィルムキャリアキャリアテープを使用した従来の
半導体装置の平面図であり、図６（ｂ）は断面図であ
る。フィルムキャリアテープは、ポリイミドなどからな
る絶縁性フィルム１と銅箔からなるリードから構成され
る。絶縁性フィルム１には、長手方向両端に搬送および
位置決め用のスプロケットホール２ａが等ピッチで形成
されており、中央部に半導体チップ搭載用のデバイスホ
ール２ｂが形成され、そのデバイスホール２ｂの外側に
はデバイスホール２ｂを囲むようにアウターリードホー
ル２ｃが形成されている。デバイスホール２ｂとアウタ
ーリードホール２ｃ間の絶縁性フィルム１の部分はリー
ドを支持するサスペンダー３となっている。
【０００３】銅箔からなるリードの内側先端部はデバイ
スホール２ｂ内に突出してインナーリード４ａとなって
おり、そのアウターリードホール２ｃを差し渡す部分は
アウターリード４ｂとなっている。アウターリード４ｂ
の外側先端部には電気的選別用のテストパッド４ｃが形
成されている。デバイスホール２ｂ内には半導体チップ
８が搭載されており、半導体チップ８のバンプ８ａはイ
ンナーリード４ａに接続されている。
スホール２ｂ内に突出してインナーリード４ａとなって
おり、そのアウターリードホール２ｃを差し渡す部分は
アウターリード４ｂとなっている。アウターリード４ｂ
の外側先端部には電気的選別用のテストパッド４ｃが形
成されている。デバイスホール２ｂ内には半導体チップ
８が搭載されており、半導体チップ８のバンプ８ａはイ
ンナーリード４ａに接続されている。
【０００４】次に、この半導体装置の製造方法を図７
（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｈ）を参照して説明す
る。まず、ポリイミドなどのフィルムに接着剤層が形成
されている絶縁フィルム１を準備する〔図７（ａ）〕。
次に、金型等を用いてスプロケットホール２ａ、デバイ
スホール２ｂ、アウターリードホール２ｃを形成〔図７
（ｂ）〕した後、銅箔等の金属箔を前記接着剤を介して
貼り付ける〔図７（ｃ）〕。次いで、フィルムの表裏面
に露出している銅箔の全面に感光性樹脂（図示せず）を
塗布した後、露光・現像を経て銅箔を所望の形状にエッ
チングし、インナーリード４ａ、アウターリード４ｂ、
テストパッド４ｃを形成することにより３層１メタル方
式のフィルムキャリアテープが完成する〔図７
（ｄ）〕。
（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｈ）を参照して説明す
る。まず、ポリイミドなどのフィルムに接着剤層が形成
されている絶縁フィルム１を準備する〔図７（ａ）〕。
次に、金型等を用いてスプロケットホール２ａ、デバイ
スホール２ｂ、アウターリードホール２ｃを形成〔図７
（ｂ）〕した後、銅箔等の金属箔を前記接着剤を介して
貼り付ける〔図７（ｃ）〕。次いで、フィルムの表裏面
に露出している銅箔の全面に感光性樹脂（図示せず）を
塗布した後、露光・現像を経て銅箔を所望の形状にエッ
チングし、インナーリード４ａ、アウターリード４ｂ、
テストパッド４ｃを形成することにより３層１メタル方
式のフィルムキャリアテープが完成する〔図７
（ｄ）〕。
【０００５】一方、電極パッド上に金属でバンプ８ａを
形成した半導体チップ８を準備し、このバンプ８ａとフ
ィルムキャリアテープのインナーリード４ａとを位置決
めした後熱圧着もしくは共晶法により接合する〔図８
（ｅ）〕。その後、必要な場合は信頼性向上およびイン
ナーリードの機械的保護を目的として封止樹脂９でデバ
イスホール内を封止することにより従来の半導体装置が
完成する〔図８（ｆ）〕。この種の半導体装置について
は、その後、アウターリード４ｂの切断・成形が行われ
る〔図８（ｇ）〕。そして、アウターリードを実装用の
基板１３上のパッド１４と位置合わせし、半導体チップ
を接着剤１２により基板に固定すると同時またはその後
にアウターリードを半田等によりパッド１４に接合する
〔図８（ｈ）〕。
形成した半導体チップ８を準備し、このバンプ８ａとフ
ィルムキャリアテープのインナーリード４ａとを位置決
めした後熱圧着もしくは共晶法により接合する〔図８
（ｅ）〕。その後、必要な場合は信頼性向上およびイン
ナーリードの機械的保護を目的として封止樹脂９でデバ
イスホール内を封止することにより従来の半導体装置が
完成する〔図８（ｆ）〕。この種の半導体装置について
は、その後、アウターリード４ｂの切断・成形が行われ
る〔図８（ｇ）〕。そして、アウターリードを実装用の
基板１３上のパッド１４と位置合わせし、半導体チップ
を接着剤１２により基板に固定すると同時またはその後
にアウターリードを半田等によりパッド１４に接合する
〔図８（ｈ）〕。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の樹
脂封止型半導体装置には以下のような問題点がある。近
年、搭載される半導体チップでは、高機能化と動作スピ
ードの高速化が図られるとともに、動作電圧が低くなっ
てきている。それに伴い半導体装置のパッケージ部分に
ついてリードのインダクタンスによる電源電圧の変動
（ノイズ）およびクロスストークが問題となってきてい
る。特に、電源電圧の変動については、動作スピードが
速く、かつ高機能化による半導体チップ内での回路の同
時動作数の増加、近年の電源電圧の低下により大きな問
題となっている。
脂封止型半導体装置には以下のような問題点がある。近
年、搭載される半導体チップでは、高機能化と動作スピ
ードの高速化が図られるとともに、動作電圧が低くなっ
てきている。それに伴い半導体装置のパッケージ部分に
ついてリードのインダクタンスによる電源電圧の変動
（ノイズ）およびクロスストークが問題となってきてい
る。特に、電源電圧の変動については、動作スピードが
速く、かつ高機能化による半導体チップ内での回路の同
時動作数の増加、近年の電源電圧の低下により大きな問
題となっている。
【０００７】ここで、電源回路、接地回路に寄生するイ
ンダクタンスをＬ、抵抗をＲとするとき、集積回路に流
入する電流の変化（集積回路の動作による電流）をΔＩ
とすれば、電源電圧の変化は次式で与えられる。 ΔＶ＝Ｌ・ΔＩ／Δｔ＋Ｒ・ΔＩ そして、前述のとおり最近の半導体チップの高機能化、
即ち、同時動作するトランジスタ数の増加、動作スピー
ドの向上によるΔＩの増加に加え、電源電圧の低下によ
る電源電圧変動に対する感度の増加により、半導体装置
の誤動作が起こる可能性が高くなってきている。
ンダクタンスをＬ、抵抗をＲとするとき、集積回路に流
入する電流の変化（集積回路の動作による電流）をΔＩ
とすれば、電源電圧の変化は次式で与えられる。 ΔＶ＝Ｌ・ΔＩ／Δｔ＋Ｒ・ΔＩ そして、前述のとおり最近の半導体チップの高機能化、
即ち、同時動作するトランジスタ数の増加、動作スピー
ドの向上によるΔＩの増加に加え、電源電圧の低下によ
る電源電圧変動に対する感度の増加により、半導体装置
の誤動作が起こる可能性が高くなってきている。
【０００８】このインダクタンスを減少させるためには
半導体チップからアウターリードまでの距離を短くすれ
ばよいのであるが、実装（アウターリードボンディン
グ）が困難になるため、アウターリードのピッチを小さ
くできず、したがって、パッケージのサイズを小さくす
ることはできない。しかも、近年の半導体チップの微細
加工技術により半導体チップそのものは小さくなってき
ており、さらにアウターリードのピン数が増える傾向に
あるため、前記距離を短くすることは困難な状況にあ
る。また、同様の理由および半導体チップのパッド電極
ピッチの縮小化により信号用リード間のクロストークノ
イズについても問題となっている。
半導体チップからアウターリードまでの距離を短くすれ
ばよいのであるが、実装（アウターリードボンディン
グ）が困難になるため、アウターリードのピッチを小さ
くできず、したがって、パッケージのサイズを小さくす
ることはできない。しかも、近年の半導体チップの微細
加工技術により半導体チップそのものは小さくなってき
ており、さらにアウターリードのピン数が増える傾向に
あるため、前記距離を短くすることは困難な状況にあ
る。また、同様の理由および半導体チップのパッド電極
ピッチの縮小化により信号用リード間のクロストークノ
イズについても問題となっている。
【０００９】これらの問題を解決するためにはフィルム
キャリアテープの配線構造をストリップラインまたはマ
イクロストリップライン構造とすることが必要と言われ
ている。しかし、一般的に使用されているマイクロスト
リップライン構造のフィルムキャリアテープは２層２メ
タル（金属層／絶縁性フィルム／金属層）方式と呼ばれ
るものであって、特殊な製法によるものであるので製造
コストが高く、コスト面の要求の低い特殊な用途のみに
しか使用できない。
キャリアテープの配線構造をストリップラインまたはマ
イクロストリップライン構造とすることが必要と言われ
ている。しかし、一般的に使用されているマイクロスト
リップライン構造のフィルムキャリアテープは２層２メ
タル（金属層／絶縁性フィルム／金属層）方式と呼ばれ
るものであって、特殊な製法によるものであるので製造
コストが高く、コスト面の要求の低い特殊な用途のみに
しか使用できない。
【００１０】図９は、特開平５−２２６５１９号公報に
て提案された、樹脂の表面をレーザ光線の照射によって
炭化して形成したストリップライン構造の半導体装置の
断面図である。この半導体装置では、リード４を挟んで
サスペンダー３の反対側に絶縁性フィルム５を設け、サ
スペンダー３および絶縁性フィルム５の表面をレーザ光
線により炭化して表面炭化層１５を形成する。そしてこ
の半導体装置を基板１３上に位置合わせし接続する際
に、導電性樹脂１６により半導体チップを固定すると同
時にサスペンダー３の表面炭化層１５にも導電性樹脂１
６が接触するようにする。次いで、基板表面を含む半導
体装置全体に封止樹脂９を塗布し、硬化させた後さらに
封止樹脂９にレーザ光線を照射することにより表面炭化
層１５を形成する。これにより、半導体装置をストリッ
プラインを持つ構造に実装することができる。しかし、
この方法では、リード間が短絡し易くまた導電性が高く
信頼性の高い導電層（表面炭化層１５）を得ることが難
しいという欠点がある。また、半導体装置そのものに付
与された機能ではなく、基板上に実装した後に付与され
る機能であるため、半導体装置単独では機能・特性の検
査ができないという問題がある。さらに、半導体装置の
補修・交換が困難であることも問題となる。
て提案された、樹脂の表面をレーザ光線の照射によって
炭化して形成したストリップライン構造の半導体装置の
断面図である。この半導体装置では、リード４を挟んで
サスペンダー３の反対側に絶縁性フィルム５を設け、サ
スペンダー３および絶縁性フィルム５の表面をレーザ光
線により炭化して表面炭化層１５を形成する。そしてこ
の半導体装置を基板１３上に位置合わせし接続する際
に、導電性樹脂１６により半導体チップを固定すると同
時にサスペンダー３の表面炭化層１５にも導電性樹脂１
６が接触するようにする。次いで、基板表面を含む半導
体装置全体に封止樹脂９を塗布し、硬化させた後さらに
封止樹脂９にレーザ光線を照射することにより表面炭化
層１５を形成する。これにより、半導体装置をストリッ
プラインを持つ構造に実装することができる。しかし、
この方法では、リード間が短絡し易くまた導電性が高く
信頼性の高い導電層（表面炭化層１５）を得ることが難
しいという欠点がある。また、半導体装置そのものに付
与された機能ではなく、基板上に実装した後に付与され
る機能であるため、半導体装置単独では機能・特性の検
査ができないという問題がある。さらに、半導体装置の
補修・交換が困難であることも問題となる。
【００１１】したがって、本発明の解決すべき課題は、
特殊な製法を使用することなく、安価に信頼性の高いス
トリップライン構造の半導体装置を提供しうるようにす
ることである。
特殊な製法を使用することなく、安価に信頼性の高いス
トリップライン構造の半導体装置を提供しうるようにす
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、サスペン
ダー上およびその上のリード上にソルダーレジストなど
により特定のリード上に開口を有する絶縁膜を形成し、
その上にグランド層等となる導電層を導電性塗料の印刷
などによって形成するようにすることにより解決するこ
とができる。
ダー上およびその上のリード上にソルダーレジストなど
により特定のリード上に開口を有する絶縁膜を形成し、
その上にグランド層等となる導電層を導電性塗料の印刷
などによって形成するようにすることにより解決するこ
とができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による半導体装置は、絶縁
フィルムのサスペンダー上に設けられた複数のリードの
先端部に半導体チップの電極が接続されているテープキ
ャリア型半導体装置であって、前記リードを含むサスペ
ンダー上には特定のリード上に開口を有する絶縁膜が形
成されており、該絶縁膜上には前記開口を介して前記特
定のリードに接続された導電層が形成されていることを
特徴としている。そして、好ましくは、前記絶縁膜上の
導電層が導電性塗料層によりあるいは導電性塗料層と銅
箔との２層膜によって形成される。
フィルムのサスペンダー上に設けられた複数のリードの
先端部に半導体チップの電極が接続されているテープキ
ャリア型半導体装置であって、前記リードを含むサスペ
ンダー上には特定のリード上に開口を有する絶縁膜が形
成されており、該絶縁膜上には前記開口を介して前記特
定のリードに接続された導電層が形成されていることを
特徴としている。そして、好ましくは、前記絶縁膜上の
導電層が導電性塗料層によりあるいは導電性塗料層と銅
箔との２層膜によって形成される。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１
の実施例の平面図と断面図である。従来例と同様に、ス
プロケットホール２ａ、デバイスホール２ｂ、アウター
リードホール２ｃが設けられた絶縁フィルム１上にイン
ナーリード４ａ、アウターリード４ｂ、テストパッド４
ｃを有するリード群が形成され、インナーリード４ａに
は半導体チップ８上のバンプ８ａが接合されている。こ
こで、４辺のリード列の端のリード８本は全て半導体チ
ップの接地電極に接続されている。本実施例では、サス
ペンダー３上に、接地電極に接続されている８本のリー
ドの表面を露出させる開口６を有する絶縁性樹脂層５が
形成されている。さらに、この開口６を含む絶縁性樹脂
層５上には銀ペーストなどからなる導電性塗料層７が形
成されており、この導電性塗料層７がマイクロストリッ
プライン構造におけるグランド・プレーンとして機能し
ている。本実施例では、従来約９ｎＨであった自己イン
ダクタンスを４．５ｎＨと１／２にすることができた。
て詳細に説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１
の実施例の平面図と断面図である。従来例と同様に、ス
プロケットホール２ａ、デバイスホール２ｂ、アウター
リードホール２ｃが設けられた絶縁フィルム１上にイン
ナーリード４ａ、アウターリード４ｂ、テストパッド４
ｃを有するリード群が形成され、インナーリード４ａに
は半導体チップ８上のバンプ８ａが接合されている。こ
こで、４辺のリード列の端のリード８本は全て半導体チ
ップの接地電極に接続されている。本実施例では、サス
ペンダー３上に、接地電極に接続されている８本のリー
ドの表面を露出させる開口６を有する絶縁性樹脂層５が
形成されている。さらに、この開口６を含む絶縁性樹脂
層５上には銀ペーストなどからなる導電性塗料層７が形
成されており、この導電性塗料層７がマイクロストリッ
プライン構造におけるグランド・プレーンとして機能し
ている。本実施例では、従来約９ｎＨであった自己イン
ダクタンスを４．５ｎＨと１／２にすることができた。
【００１５】次に、本実施例の半導体装置の製造方法を
図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。絶縁性フィルム
１に金型などでスプロケットホール（図示せず）、デバ
イスホール２ｂ、アウターリードホール（図示せず）を
形成した〔図２（ａ）〕後、銅箔等の金属箔を貼り付
け、さらに感光性樹脂などを用いて所望の形状にインナ
ーリード、テストパッドなどのリードパターンを形成す
る〔図２（ｂ）〕。ここまでの工程は従来例の半導体装
置の製造方法と同様である。その後、リードを含むサス
ペンダー３にスクリーン印刷法などにより接地電極に接
続されるリード上に開口６が形成されるように選択的に
絶縁性樹脂層５を形成する〔図２（ｃ）〕。
図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。絶縁性フィルム
１に金型などでスプロケットホール（図示せず）、デバ
イスホール２ｂ、アウターリードホール（図示せず）を
形成した〔図２（ａ）〕後、銅箔等の金属箔を貼り付
け、さらに感光性樹脂などを用いて所望の形状にインナ
ーリード、テストパッドなどのリードパターンを形成す
る〔図２（ｂ）〕。ここまでの工程は従来例の半導体装
置の製造方法と同様である。その後、リードを含むサス
ペンダー３にスクリーン印刷法などにより接地電極に接
続されるリード上に開口６が形成されるように選択的に
絶縁性樹脂層５を形成する〔図２（ｃ）〕。
【００１６】次いで、開口６を含む絶縁性樹脂層５上に
導電性塗料層７をスクリーン印刷法などにより形成する
〔図２（ｄ）〕。さらに電極パッド上にバンプ８ａが形
成された半導体チップ８のバンプ８ａとインナーリード
４を位置合わせした後に熱圧着法などにより接合し、そ
の後封止樹脂９で封止することにより本実施例の半導体
装置が完成する〔図２（ｅ）〕。以上のように、本発明
の半導体装置は通常使われている工程のみを使用して製
造することができるものであるので、安価にかつ信頼性
高く形成することができる。また導電性塗料を用いてい
るため低抵抗のグランド・プレーンを形成することがで
きる。
導電性塗料層７をスクリーン印刷法などにより形成する
〔図２（ｄ）〕。さらに電極パッド上にバンプ８ａが形
成された半導体チップ８のバンプ８ａとインナーリード
４を位置合わせした後に熱圧着法などにより接合し、そ
の後封止樹脂９で封止することにより本実施例の半導体
装置が完成する〔図２（ｅ）〕。以上のように、本発明
の半導体装置は通常使われている工程のみを使用して製
造することができるものであるので、安価にかつ信頼性
高く形成することができる。また導電性塗料を用いてい
るため低抵抗のグランド・プレーンを形成することがで
きる。
【００１７】［第２の実施例］図３（ａ）、（ｂ）は、
本発明の第２の実施例の平面図と断面図である。第１の
実施例と同様に、スプロケットホール２ａ、デバイスホ
ール２ｂ、アウターリードホール２ｃが設けられた絶縁
フィルム１上にインナーリード４ａ、アウターリード４
ｂ、テストパッド４ｃを有するリード群が形成され、イ
ンナーリード４ａは半導体チップ８上のバンプ８ａと接
合されている。本実施例においても、４辺のリード列の
端のリード８本は全て接地電極に接続され、サスペンダ
ー３上に、接地電極に接続されている８本のリードの表
面を露出させる開口６を有する絶縁性樹脂層５が形成さ
れている。この開口６を含む絶縁性樹脂層５上には銀ペ
ーストなどからなる導電性塗料層７が形成されており、
この導電性塗料層７上にはさらに銅箔などからなる金属
層１０が形成されている。本実施例では導電性塗料層７
と金属層１０とにより、マイクロストリップライン構造
におけるグランド・プレーンが形成されており、第１の
実施例の場合よりも低抵抗のグランド・プレーンを形成
することができる。本実施例では、従来約９ｎＨであっ
た自己インダクタンスを、４ｎＨと１／２以下にするこ
とができた。
本発明の第２の実施例の平面図と断面図である。第１の
実施例と同様に、スプロケットホール２ａ、デバイスホ
ール２ｂ、アウターリードホール２ｃが設けられた絶縁
フィルム１上にインナーリード４ａ、アウターリード４
ｂ、テストパッド４ｃを有するリード群が形成され、イ
ンナーリード４ａは半導体チップ８上のバンプ８ａと接
合されている。本実施例においても、４辺のリード列の
端のリード８本は全て接地電極に接続され、サスペンダ
ー３上に、接地電極に接続されている８本のリードの表
面を露出させる開口６を有する絶縁性樹脂層５が形成さ
れている。この開口６を含む絶縁性樹脂層５上には銀ペ
ーストなどからなる導電性塗料層７が形成されており、
この導電性塗料層７上にはさらに銅箔などからなる金属
層１０が形成されている。本実施例では導電性塗料層７
と金属層１０とにより、マイクロストリップライン構造
におけるグランド・プレーンが形成されており、第１の
実施例の場合よりも低抵抗のグランド・プレーンを形成
することができる。本実施例では、従来約９ｎＨであっ
た自己インダクタンスを、４ｎＨと１／２以下にするこ
とができた。
【００１８】次に、本実施例の半導体装置の製造方法を
図４（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。絶縁性フィルム
１に金型などでスプロケットホール（図示せず）、デバ
イスホール２ｂ、アウターリードホール（図示せず）を
形成した〔図４（ａ）〕後、銅等の金属箔を貼り付け、
さらに感光性樹脂などを用いて所望の形状にインナーリ
ード、テストパッドなどのリードパターンを形成する
〔図４（ｂ）〕。その後、リードを含むサスペンダー３
上にスクリーン印刷法などにより接地電極に接続されて
いるリード上に開口６が形成されるように選択的に絶縁
性樹脂層５を形成し〔図４（ｃ）〕、次いで、開口６を
含む絶縁性樹脂層５上に導電性塗料層７をスクリーン印
刷法などにより形成する。ここまでの工程は第１の実施
例の場合と同様である。本実施例では、導電性塗料層７
の硬化前に金属層１０を貼り付け、その後導電性塗料を
硬化させる〔図４（ｄ）〕。さらに、半導体チップ８の
バンプ８ａとインナーリード４を位置合わせした後に熱
圧着法などにより接合し、その後封止樹脂９で封止する
ことにより本実施例の半導体装置が完成する〔図４
（ｅ）〕。なお、本実施例では、導電性塗料層７をサス
ペンダー上全面に形成していたが、これを絶縁性樹脂層
５の開口６の内部のみに形成するようにしてもよい。さ
らに、導電性塗料に代え、半田材を用いて金属層と接地
リードとの間を接続するようにしてもよい。
図４（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。絶縁性フィルム
１に金型などでスプロケットホール（図示せず）、デバ
イスホール２ｂ、アウターリードホール（図示せず）を
形成した〔図４（ａ）〕後、銅等の金属箔を貼り付け、
さらに感光性樹脂などを用いて所望の形状にインナーリ
ード、テストパッドなどのリードパターンを形成する
〔図４（ｂ）〕。その後、リードを含むサスペンダー３
上にスクリーン印刷法などにより接地電極に接続されて
いるリード上に開口６が形成されるように選択的に絶縁
性樹脂層５を形成し〔図４（ｃ）〕、次いで、開口６を
含む絶縁性樹脂層５上に導電性塗料層７をスクリーン印
刷法などにより形成する。ここまでの工程は第１の実施
例の場合と同様である。本実施例では、導電性塗料層７
の硬化前に金属層１０を貼り付け、その後導電性塗料を
硬化させる〔図４（ｄ）〕。さらに、半導体チップ８の
バンプ８ａとインナーリード４を位置合わせした後に熱
圧着法などにより接合し、その後封止樹脂９で封止する
ことにより本実施例の半導体装置が完成する〔図４
（ｅ）〕。なお、本実施例では、導電性塗料層７をサス
ペンダー上全面に形成していたが、これを絶縁性樹脂層
５の開口６の内部のみに形成するようにしてもよい。さ
らに、導電性塗料に代え、半田材を用いて金属層と接地
リードとの間を接続するようにしてもよい。
【００１９】［第３の実施例］図５は、本発明の第３の
実施例の製造方法を説明するための工程順断面図であ
る。本実施例では、サスペンダーの上面のみでなく、サ
スペンダーの裏面側にも第１および第２の実施例と同様
の構造の導電層を形成したものである。まず、絶縁フィ
ルム１にスプロケットホール、デバイスホール、アウタ
ーリードホール（図示せず）を形成すると同時に接地電
極に接続されるリードが形成されるべきサスペンダーの
デバイスホール側およびアウターリードホール側２個所
にスルーホール１１を設ける〔図５（ａ）〕。
実施例の製造方法を説明するための工程順断面図であ
る。本実施例では、サスペンダーの上面のみでなく、サ
スペンダーの裏面側にも第１および第２の実施例と同様
の構造の導電層を形成したものである。まず、絶縁フィ
ルム１にスプロケットホール、デバイスホール、アウタ
ーリードホール（図示せず）を形成すると同時に接地電
極に接続されるリードが形成されるべきサスペンダーの
デバイスホール側およびアウターリードホール側２個所
にスルーホール１１を設ける〔図５（ａ）〕。
【００２０】次に、銅等の金属箔を貼り付け、感光性樹
脂などを利用して金属箔をパターニングし、インナーリ
ード、テストパッドなどを形成する〔図５（ｂ）〕。次
に、第１の実施例の場合と同様に、サスペンダー上に接
地用リード上に開口６を設けた絶縁性樹脂層５を形成す
る〔図５（ｃ）〕。その後、スクリーン印刷法などによ
りスルーホール１１を含むサスペンダー裏面上および開
口６を含む絶縁性樹脂層５上に導電性塗料層７を形成す
る〔図５（ｄ）〕。次に、半導体チップ８のバンプ８ａ
とインナーリード４を位置合わせした後に熱圧着法など
により接合し、その後封止樹脂９にて封止することによ
り本実施例の半導体装置が完成する〔図５（ｅ）〕。本
実施例の場合、サスペンダーの表面裏面の導電性塗料層
をともに接地用リードに接続した場合、ストリップライ
ン構造の半導体装置を得ることができる。また、表面側
（裏面側）を電源用リードに、裏面側（表面側）を接地
用リードに接続するようにすれば、電源系全体の対ノイ
ズ性を向上させることが可能になる。
脂などを利用して金属箔をパターニングし、インナーリ
ード、テストパッドなどを形成する〔図５（ｂ）〕。次
に、第１の実施例の場合と同様に、サスペンダー上に接
地用リード上に開口６を設けた絶縁性樹脂層５を形成す
る〔図５（ｃ）〕。その後、スクリーン印刷法などによ
りスルーホール１１を含むサスペンダー裏面上および開
口６を含む絶縁性樹脂層５上に導電性塗料層７を形成す
る〔図５（ｄ）〕。次に、半導体チップ８のバンプ８ａ
とインナーリード４を位置合わせした後に熱圧着法など
により接合し、その後封止樹脂９にて封止することによ
り本実施例の半導体装置が完成する〔図５（ｅ）〕。本
実施例の場合、サスペンダーの表面裏面の導電性塗料層
をともに接地用リードに接続した場合、ストリップライ
ン構造の半導体装置を得ることができる。また、表面側
（裏面側）を電源用リードに、裏面側（表面側）を接地
用リードに接続するようにすれば、電源系全体の対ノイ
ズ性を向上させることが可能になる。
【００２１】本実施例においても、第２の実施例と同様
に、何れか一方あるいは両方の導電性塗料層７上に金属
層を設けることができる。この場合、開口６あるいはス
ルーホール内のみに導電性塗料層（あるいは半田材層）
を形成するようにすることができる。さらに、絶縁性樹
脂層５およびその上の導電性塗料層７を除去してサスペ
ンダー裏面の導電性塗料層のみを残した構造とすること
もできる。
に、何れか一方あるいは両方の導電性塗料層７上に金属
層を設けることができる。この場合、開口６あるいはス
ルーホール内のみに導電性塗料層（あるいは半田材層）
を形成するようにすることができる。さらに、絶縁性樹
脂層５およびその上の導電性塗料層７を除去してサスペ
ンダー裏面の導電性塗料層のみを残した構造とすること
もできる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来より広く採用されてきた安価な３層１メタル方式の
キャリアテープを用いかつスクリーン印刷法などの比較
的容易な装置、方法を用いてマイクロストリップライン
構造またはストリップライン構造を持つ半導体装置を提
供することができる。また、本発明によれば、低抵抗の
グランド・プレーンを有し、単体で試験が可能でかつ交
換も容易な半導体装置を提供することができる。
従来より広く採用されてきた安価な３層１メタル方式の
キャリアテープを用いかつスクリーン印刷法などの比較
的容易な装置、方法を用いてマイクロストリップライン
構造またはストリップライン構造を持つ半導体装置を提
供することができる。また、本発明によれば、低抵抗の
グランド・プレーンを有し、単体で試験が可能でかつ交
換も容易な半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図と断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す平面図と断面図。
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図５】本発明の第３の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図６】従来例の平面図と断面図。
【図７】従来例の製造方法を説明するための工程順断面
図の一部。
図の一部。
【図８】従来例の製造方法を説明するための、図７の工
程に続く工程での工程順断面図。
程に続く工程での工程順断面図。
【図９】他の従来例の断面図。
１ 絶縁性フィルム ２ａ スプロケットホール ２ｂ デバイスホール ２ｃ アウターリードホール ３ サスペンダー ４ リード ４ａ インナーリード ４ｂ アウターリード ４ｃ テストパッド ５ 絶縁性樹脂層 ６ 開口 ７ 導電性塗料層 ８ 半導体チップ ８ａ バンプ ９ 封止樹脂 １０ 金属層 １１ スルーホール １２ 接着剤 １３ 基板 １４ パッド １５ 表面炭化層 １６ 導電性樹脂
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁フィルムのサスペンダー上に設けら
れた複数のリードの先端部に半導体チップの電極が接続
されている半導体装置において、前記リードを含むサス
ペンダー上には特定のリード上に開口を有する絶縁膜が
形成されており、該絶縁膜上には前記開口を介して前記
特定のリードに接続された導電層が形成されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜上の導電層が導電性塗料層に
よりあるいは導電性塗料層と金属層との２層膜によって
形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 前記開口内に導電性塗料または半田材か
らなる導電体が形成されており、前記絶縁膜上の導電層
が金属層によって形成され、該導電層が前記導電体を介
して前記特定のリードに接続されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記サスペンダーには、前記特定のリー
ドと同一のリード若しくはこの特定のリードとは異なる
他の特定のリードの表面を露出させる第２の開口が形成
されており、前記サスペンダーのリード形成面とは反対
側の面には前記第２の開口を介してリードと接続された
第２の導電層が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記サスペンダー上の前記第２の導電層
が導電性塗料層によりあるいは導電性塗料層と金属層と
の２層膜によって形成されていることを特徴とする請求
項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記第２の開口内に導電性塗料または半
田材からなる導電体が形成されており、前記サスペンダ
ー上の前記第２の導電層が金属層によって形成され、該
導電層が前記導電体を介して前記リードに接続されてい
ることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項７】 絶縁フィルムのサスペンダー上に設けら
れた複数のリードの先端部に半導体チップの電極が接続
されている半導体装置において、前記サスペンダーに
は、特定のリードの表面を露出させる開口が形成されて
おり、前記サスペンダーのリード形成面とは反対側の面
には前記開口を介して前記特定のリードと接続された導
電層が形成されてことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 前記絶縁膜上の導電層が導電性塗料層に
よりあるいは導電性塗料層と金属層との２層膜によって
形成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8062400A JP2839083B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8062400A JP2839083B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260551A JPH09260551A (ja) | 1997-10-03 |
| JP2839083B2 true JP2839083B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=13199058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8062400A Expired - Lifetime JP2839083B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2839083B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322915Y2 (ja) * | 1985-03-16 | 1991-05-20 |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP8062400A patent/JP2839083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260551A (ja) | 1997-10-03 |
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