JPH0322915Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はテープ自動化ボンデイング（TAB）
に使用する半導体チツプキヤリアに関する。

（従来の技術） 従来、半導体チツプのテープ自動化ボンデイン
グは第２図Ａ〜Ｃに示すような工程を経て行つて
いた。

先ず、100〜200μｍ程度の厚さのポリイミド系
又はその他の耐熱性有機フイルム１上に10〜30μ
ｍ程度の厚さに金属箔２例えば銅箔をはりつけ、
この金属箔２を化学エツチングすることによりピ
ン状のチツプ接続端子部３及び実装端子部４（こ
れらを電極端子と称する）からなる微細配線部５
を形成し、続いて、これら端子部３及び４の部分
から不要なフイルム１の部分を除去し、微細配線
部５の下側及び実装端子４の外側に該当する部分
にフイルム１の部分１ａ及び１ｂを残存させる。
その後に端子部３及び４に半田付けするための半
田メツキを施して第２図Ａに断面図で部分的に示
すような構造の半導体チツプキヤリア６を得る。
この半導体チツプキヤリア６は図中一点鎖線Ａの
内側中央部のフイルム部分１ａとこれに形成され
た微細配線部５とからなり、一方、フレーム部７
はこの一点鎖線Ａの外側のフイルム部１ｂとその
上側に形成された金属箔２部分とからなつてい
る。

第３図は、この第２図Ａに示す半導体チツプキ
ヤリア６及びフレーム部７の平面的パターンを拡
大して示す略図的平面図である。この半導体チツ
プキヤリア６のこれらチツプ接続端子部３は一般
には100〜200μｍ程度のピツチで又実装端子部４
は一般には200〜500μｍ程度のピツチで設けられ
ている。この図において、破線Ｂの内側の中心部
分が半導体チツプキヤリア６で、その外側の部分
がフレーム部７である。

半導体チツプ８には半田ボール９が設けられて
いて、この半田ボール９を介して半導体チツプ８
を半導体チツプキヤリア６のチツプ接続端子部３
に接続して搭載する（第２図Ｂ）。

そして、半導体チツプ８を搭載した半導体チツ
プキヤリア６の実装端子部４を一点鎖線Ａ又は破
線Ｂのところで切断して半導体チツプキヤリア６
をフレーム部７から切離した後、半導体チツプ８
が接続された微細配線部５のこれら実装端子部４
をセラミツク基板等に設けられた配線部に接続す
るようになしていた。

（考案が解決しようとする問題点） 上述したような従来の半導体チツプキヤリアで
は、100MHz以下の低周波帯でこれを使用する場
合には問題はないが、それ以上の高周波帯で使用
するか或いは高速信号を扱う場合には、半導体チ
ツプキヤリアの微細配線部の線の長さとか、線路
の特性インピーダンスとかが問題となつて使用出
来ないという欠点があつた。

この考案の目的は半導体チツプキヤリアに存在
する微細配線部に高周波を扱えるような構成とす
ることにより、TAB技術を高周波・高速半導体
デバイスに適用可能としたものである。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この考案によれ
ば、フイルム状ベースと、このベースの表面上に
配列して設けられピン状接続端子部及び実装端子
部からなる多数の微細配線部とを具える半導体チ
ツプキヤリアにおいて、このベースの裏面に接地
用電極膜を設けたことを特徴とする。

（作用） このように構成すれば、微細配線部の電極の幅
を設計することにより、特性インピーダンスを40
〜100Ωのマイクロストリツプラインを構成する
ことが出来るので、半導体チツプの入力端子及び
出力端子で高周波又は高速信号を扱えることが出
来る。従つて、高周波信号を反射させることなく
高速信号に対しては波形を歪ませることなく半導
体チツプからの高周波又は高速信号を外部の実装
回路へと伝達させることが出来ると共に、逆に外
部の実装回路からの信号を半導体チツプ内部へ伝
達させることが出来る。

（実施例） 以下、図面により、この考案の実施例につき説
明する。

第１図Ａ及びＢはこの考案の半導体チツプキヤ
リアの一実施例を示す概略的平面図及びそのＸ−
Ｘ線上の断面図である。尚、これら図において、
第２図及び第３図に示した構成成分と同一の構成
成分については同一の符号を付して示す。

この考案によれば、ベースの裏面に接地用電極
膜１０を設ける。このベースをチツプ接続端子部
３及び実装端子部４からなる微細配線部５が表面
に形成されているフイルム部分１ａとし、このベ
ース１ａのこれら微細配線部５が設けられた側と
は反対側の裏面に接地用の電極膜１０を設けた構
成とする。この場合、この裏面の全面に電極膜１
０を均一に設けるのが好適であるが、図示のよう
にベース１ａの両端縁からやや後退した領域（例
えば図中点線Ｃ及びＤで示す範囲内の領域）内に
均一に設けても同一の効果を達成することが出来
る。この電極膜１０は貼り付け、蒸着、その他の
従来既知の任意好適な技術を用いて形成すること
が出来る。また、この金属膜１０の材料としては
従来と同様に銅箔を用いても良いし、或いは、そ
の他の任意好適な導電性材料を用いることが出来
る。

このようにして形成した接地用の電極膜１０を
接地電位に接続し、また、半導体チツプの接地端
子をこれに接続することにより、半導体チツプを
最短距離で接地させることが出来る。

また、各微細配線部５の電極幅を所要に応じた
寸法に設定することにより、この電極膜１０と、
微細配線部５とによる特性インピーダンスを高周
波又は高速信号の伝達に好適な値例えば40〜100
Ωと設定出来る。

尚、上述した実施例では、微細配線部の電極を
規則正しい等間隔及び等線幅として示したが、不
均一な間隔及び線幅としても前述の実施例と同様
な効果を達成することが出来る。

（考案の効果） 上述した説明からも明らかなように、この考案
の半導体チツプキヤリアによれば、半導体チツプ
の入力端子及び出力端子が直接高周波及び高速信
号を扱えるような、40〜100Ωの特性インピーダ
ンスのマイクロストリツプラインを構成すること
が出来るので、高周波信号を反射することなく、
或いは高速信号に対してはその波形を歪ませるこ
となく、半導体チツプに対してこれら信号のやり
とりを行わせることが出来る。

また、この考案の半導体チツプキヤリアによれ
ば、TAB技術を高周波・高速半導体デバイスに
適用可能とすることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａはこの考案の半導体チツプキヤリア平
面的パターンを概略的に示す平面図、第１図Ｂは
第１図ＡのＸ−Ｘ線上の断面図、第２図Ａ〜Ｃは
従来の半導体チツプのテープ自動化ボンデイング
説明するための工程図、第３図は従来の半導体チ
ツプキヤリアの平面的パターンを概略的に示す平
面図である。 １ａ……ベース（フイルム部分）、３……チツ
プ接続端子部、４……実装端子部、５……微細配
線部、６……半導体チツプキヤリア。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. フイルム状ベースと、該ベースの表面上に配列
   して設けられピン状接続端子部及び実装端子部か
   らなる多数の微細配線部とを具える半導体チツプ
   キヤリアにおいて、前記ベースの裏面に接地用電
   極膜を設けたことを特徴とする半導体チツプキヤ
   リア。