JP5191927B2 - Memsセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記センサユニットとキャップ部材との間には、前記センサ領域の周囲を封止する封止部が設けられており、
前記封止部は、前記第1の部材側に設けられた第1の金属層と、前記第2の部材側に設けられた第2の金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなり、
前記第2の金属層が、前記封止部の外側に位置する前記第2の部材の露出表面に引き出されて前記封止部の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部を構成しており、
前記第2の金属層はアルミニウムで形成され、前記第1の金属層はゲルマニウムで形成されることを特徴とするものである。
前記第1の部材表面に前記封止部を構成する第1の金属層をゲルマニウムで形成し、前記第2の部材表面に前記封止部を構成する第2の金属層をアルミニウムで形成し、このとき、前記第2の金属層を前記第1の基板と前記第2の基板とを対向させたときの前記封止部の外側に位置する前記第2の部材の露出表面に引き出して接合判定モニタ部を形成する工程、
前記第1の金属層と前記第2の金属層とを共晶接合あるいは拡散接合する工程、
前記接合判定モニタ部にて前記封止部の接合状態を測定する工程、
を有することを特徴とするものである。
支持基板2と枠体層11との対面部では、枠状の第1の絶縁層3が形成されている。
支持導通部23,25の少なくとも一方が、接合部9を介して、第2の絶縁層5の内部に設けられたリード層と導通し、リード層は、センサユニット20の外部にはみ出すキャップ部材4の露出表面(第2の絶縁層5の表面)に設けられた外部接続パッド50に導通接続されている。
図3は、MEMSセンサの製造工程を示す部分拡大断面図であり、(a)は接合前、(b)は接合後の状態を示している。
2 支持基板
3 第1の絶縁層
4 キャップ部材
5 第2の絶縁層
8 封止部
9 接合部
10 機能層
11 枠体層
15〜17 センサ領域
20 センサユニット
35 リード層
50 外部接続パッド
55 接合判定モニタ部
56 第1の金属層
57 第2の金属層
Claims (8)
- 第1の部材と、前記第1の部材と対向する第2の部材と、を有し、前記第1の部材及び前記第2の部材のどちらか一方がセンサ領域を有するセンサユニットを構成し、他方がキャップ部材であり、
前記センサユニットとキャップ部材との間には、前記センサ領域の周囲を封止する封止部が設けられており、
前記封止部は、前記第1の部材側に設けられた第1の金属層と、前記第2の部材側に設けられた第2の金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなり、
前記第2の金属層が、前記封止部の外側に位置する前記第2の部材の露出表面に引き出されて前記封止部の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部を構成しており、
前記第2の金属層はアルミニウムで形成され、前記第1の金属層はゲルマニウムで形成されることを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記接合判定モニタ部は、前記第2の金属層の単一状態から前記第1の金属層との共晶あるいは拡散状態による色の変化をモニタするものである請求項1記載のMEMSセンサ。
- 前記センサ領域内には、電極を支持する支持導通部が設けられ、前記支持導通部と前記キャップ部材との間に、前記第1の金属層と前記第2の金属層との共晶接合あるいは拡散接合からなる接合部が設けられている請求項1又は2に記載のMEMSセンサ。
- 平面視にて前記第2の部材は、前記第1の部材からはみ出す大きさで形成され、前記第1の部材の外側にはみ出す前記第2の露出表面に前記接合判定モニタ部が形成されており、
前記キャップ部材は前記第2の部材で構成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載のMEMSセンサ。 - 第1の部材と、前記第1の部材と対向する第2の部材と、を有し、前記第1の部材及び前記第2の部材のどちらか一方がセンサ領域を有するセンサユニットを構成し、他方がキャップ部材であり、
前記センサユニットとキャップ部材との間に、前記センサ領域の周囲を封止する封止部を設けた構成であり、
前記第1の部材表面に前記封止部を構成する第1の金属層をゲルマニウムで形成し、前記第2の部材表面に前記封止部を構成する第2の金属層をアルミニウムで形成し、このとき、前記第2の金属層を前記第1の基板と前記第2の基板とを対向させたときの前記封止部の外側に位置する前記第2の部材の露出表面に引き出して接合判定モニタ部を形成する工程、
前記第1の金属層と前記第2の金属層とを共晶接合あるいは拡散接合する工程、
前記接合判定モニタ部にて前記封止部の接合状態を測定する工程、
を有することを特徴とするMEMSセンサの製造方法。 - 前記接合判定モニタ部を構成する前記第2の金属層の単一状態から前記第1の金属層との共晶あるいは拡散状態による色の変化により前記封止部の接合状態を測定する請求項5記載のMEMSセンサの製造方法。
- 前記センサ領域内に、電極を支持する支持導通部を形成し、前記支持導通部と前記キャップ部との間に、前記第1の金属層と前記第2の金属層との共晶接合あるいは拡散接合からなる接合部を形成する請求項5又は6に記載のMEMSセンサの製造方法。
- 前記第2の部材をキャップ部材として、平面視にて前記第1の部材からはみ出す大きさで形成し、前記第1の部材の外側にはみ出す前記第2の部材の露出表面に前記接合判定モニタ部を形成する請求項5ないし7のいずれか1項に記載のMEMSセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009044669A JP5191927B2 (ja) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Memsセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009044669A JP5191927B2 (ja) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Memsセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010197309A JP2010197309A (ja) | 2010-09-09 |
JP5191927B2 true JP5191927B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=42822161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009044669A Expired - Fee Related JP5191927B2 (ja) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Memsセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5191927B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134306B2 (ja) | 2020-11-11 | 2022-09-09 | 三菱電機株式会社 | 電力変換システムおよびその制御装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114384335B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-06-23 | 深圳市中明科技股份有限公司 | 一种静电场检测传感器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2569946B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | 陽極接合方法 |
JP2658949B2 (ja) * | 1995-02-23 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体加速度センサ |
JP2000031254A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックス製静電チャックおよびその製造方法 |
JP4334128B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2009-09-30 | パナソニック株式会社 | 半導体実装方法および半導体実装装置 |
JP2002313998A (ja) * | 2002-04-04 | 2002-10-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP4352942B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2009-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス、及び圧電発振器 |
JP2006147630A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその評価方法 |
JP5207659B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
JP4404143B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2010-01-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4924663B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2012-04-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2009
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7134306B2 (ja) | 2020-11-11 | 2022-09-09 | 三菱電機株式会社 | 電力変換システムおよびその制御装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010197309A (ja) | 2010-09-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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