JP5401414B2 - ウエハ、ウエハの製造方法および静電容量式加速度センサの製造方法 - Google Patents
ウエハ、ウエハの製造方法および静電容量式加速度センサの製造方法 Download PDFInfo
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Description
(実施の形態1)
最初に本発明の実施の形態1のウエハの構成について説明する。本実施の形態では、ウエハの一例として、静電容量式加速度センサを製造するためのウエハについて説明する。
図3および図4を参照して、個々の静電容量式加速度センサ11は、半導体基板2の一方表面からみて略長方形に形成されている。静電容量式加速度センサ11は、半導体基板2からなる固定電極12と、可動電極13と、固定電極パッド14と、可動電極パッド15と、アンカー部16と、慣性質量体17と、梁部18と、枠部19と、1対の封止用基板3とを有している。固定電極12、可動電極13、固定電極パッド14、可動電極パッド15、アンカー部16、慣性質量体17および梁部18は、枠部19に囲まれるように配置されている。
特に図5を参照して、加速度が印加されることによって、固定電極12および可動電極13が対向する方向に慣性質量体17は変位する。また慣性質量体17の変位にあわせて梁部18が弾性変形する。したがって、慣性質量体17は梁部18に支持された状態で変位する。そして慣性質量体17の変位にあわせて可動電極13が変位する。
本実施の形態では、導電性部材としてウエハキャリアを例に説明する。ウエハキャリアとしては、たとえば樹脂材料中に炭素などの導電性材料を含有させて表面抵抗率を制御したものが用いられる。このウエハキャリアは帯電防止キャリアと呼ばれている。より具体的には、ウエハキャリアの材料としては、たとえば炭素などの導電性材料を混ぜて導電性を持たせた導電性ナイロンおよび導電性テフロン(登録商標)などが用いられる。
ウエハ1の製造中、検査中、搬送中などに何らかの理由で半導体基板2が静電気を帯電する場合がある。図20および図21を参照して、比較例のウエハ1では、ウエハ1の端が封止用基板3で形成されているため、ウエハ1がウエハキャリア10と接触した際に半導体基板2はウエハキャリア10と電気的に接続されていない。そのため、半導体基板2が帯電した静電気をウエハキャリア10に放出することができない。
本発明の実施の形態2は、上記の実施の形態1と比較して、導電層の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態3は、上記の実施の形態1と比較して、孔の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態4は、上記の実施の形態1と比較して、ノッチ部を有している点で主に異なっている。
本発明の実施の形態5は、上記の実施の形態4と比較して、導電層の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態6は、上記の実施の形態1と比較して、封止用基板の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態7は、上記の実施の形態6と比較して、導電層の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態8は、上記の実施の形態1と比較して、封止用基板の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態9は、上記の実施の形態8と比較して、導電層の構成が主に異なっている。
本発明の実施の形態10は、上記の実施の形態1と比較して、導電層の構成が主に異なっている。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (13)
- 導電性部材に保持されるウエハであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の一方表面と他方表面とを挟むように配置され、かつ絶縁性を有する1対の封止用基板と、
前記一方表面の側および前記他方表面の側の少なくともいずれかの前記ウエハの外縁部に配置され、前記半導体基板と電気的に接続され、前記封止用基板上の少なくとも一部に配置され、かつ前記導電性部材と電気的に接続するための導電層とを備えた、ウエハ。 - 前記導電層は、前記外縁部の全周に配置されている、請求項1に記載のウエハ。
- 前記1対の封止用基板のいずれかは、外周部において前記半導体基板に達する孔を有し、
前記導電層は、前記孔を通じて前記半導体基板と電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。 - 前記1対の封止用基板の各々は、外周部においてそれぞれ前記半導体基板に達する孔を有し、
前記導電層は、前記孔を通じて前記半導体基板と電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。 - 前記1対の封止用基板のいずれかは、前記外縁部に設けられた前記半導体基板に達するノッチ部を有し、
前記導電層は、前記ノッチ部を通じて前記半導体基板と電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。 - 前記導電層は、前記ノッチ部を有する前記1対の封止用基板のいずれかとは反対側の前記外縁部まで連続して設けられている、請求項5に記載のウエハ。
- 前記1対の封止用基板のいずれかは、前記半導体基板の直径より小さい直径を有し、
前記導電層は、前記半導体基板の直径より小さい直径を有する前記1対の封止用基板のいずれかの外周端の周囲に位置する前記半導体基板と電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。 - 前記導電層は、前記半導体基板の直径より小さい直径を有する前記1対の封止用基板のいずれかとは反対側の前記外縁部まで連続して設けられている、請求項7に記載のウエハ。
- 前記1対の封止用基板は、前記1対の封止用基板のいずれかの外周端から前記半導体基板が突出するように互いにずれて配置されており、
前記導電層は、前記外周端の周囲に位置する前記半導体基板に電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。 - 前記導電層は、前記ウエハの側面において、前記1対の封止用基板の側面を覆い、かつ前記半導体基板と電気的に接続されている、請求項1または2に記載のウエハ。
- 導電性部材に保持されるウエハであって、半導体基板の一方表面と他方表面とを挟むように絶縁性を有する1対の封止用基板が配置され、前記導電性部材と電気的に接続するための導電層が前記封止用基板上の少なくとも一部に配置され、かつ前記一方表面の側および前記他方表面の側の少なくともいずれかの前記ウエハの外縁部に配置された前記ウエハを準備する工程と、
前記ウエハを前記導電性部材に保持して前記導電層を前記導電性部材に電気的に接触させることにより前記半導体基板の静電気を除去する工程とを備えたウエハの製造方法。 - 半導体基板の一方表面と他方表面とを挟むための絶縁性を有する1対の封止用基板を準備する工程と、
前記1対の封止用基板の一方に前記半導体基板の一方表面を接合する工程と、
前記半導体基板に固定電極および可動電極を有する複数の静電容量式加速度センサの素子を形成する工程と、
前記1対の封止用基板の他方に前記半導体基板の他方表面を接合することでウエハを作成する工程と、
前記一方表面の側および前記他方表面の側の少なくともいずれかの前記ウエハの外縁部に配置され、前記半導体基板に電気的に接続され、前記封止用基板上の少なくとも一部に配置され、かつ前記導電性部材に電気的に接続するための導電層を形成する工程と、
前記ウエハを導電性部材に保持して前記導電層を前記導電性部材に電気的に接触させることにより前記半導体基板の静電気を除去する工程と、
前記固定電極および前記可動電極を有する複数の静電容量式加速度センサの素子を分離するように前記ウエハをダイシングする工程とを備えた、静電容量式加速度センサの製造方法。 - 前記複数の静電容量式加速度センサの素子を形成する工程は、
前記固定電極および前記可動電極にセンサ配線を形成する工程を含み、
前記導電層は、前記センサ配線と同時に形成される、請求項12に記載の静電容量式加速度センサの製造方法。
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