JPWO2016084241A1 - ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)〜図1(c)を参照して、第1実施形態に係わるハーフブリッジパワー半導体モジュール1の構造を説明する。図1(a)は平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’切断面に沿った断面図である。図1(c)は、ハーフブリッジパワー半導体モジュール1の回路図である。図1(b)には、パワースイッチング素子からなるローサイドパワー半導体装置13LTがターンオンしているときに流れる主電流(負荷電流)ILLの流れを破線と矢印で示している。
絶縁配線基板15は、1枚の絶縁板16と、絶縁板16の表面上或いはその上方に互いに電気的に絶縁して配置された、複数の配線導体(12H、12B、21L、12HG、12HS、12LG、12LS)とを備える。複数の配線導体には、正極配線導体12H、ブリッジ配線導体12B、負極配線導体21L、ゲート信号配線導体(12HG、12LG)、ソース信号配線導体(12HS、12LS)が含まれる。
[ハイサイドパワー半導体装置(スイッチ)13HT及びローサイドパワー半導体装置(スイッチ)13LT]
ブリッジ端子14Bは、ハイサイドパワー半導体装置13HTとローサイドパワー半導体装置13LTの間の位置において、ブリッジ配線導体12Bに接続されている。ハイサイド端子14Hは、ハイサイドパワー半導体装置13HTとローサイドパワー半導体装置13LTの間の位置において、正極配線導体12Hに接続されている。ローサイド端子17Lは、ハイサイドパワー半導体装置13HTとローサイドパワー半導体装置13LTの間の位置において、負極配線導体21Lに接続されている。
次に、図2(a)〜図2(e)を用いて、図1のハーフブリッジパワー半導体モジュール1の製造方法の一例を説明する。
次に、図21に示す比較例を参照して、図1のハーフブリッジパワー半導体モジュール1より得られる作用及び効果を説明する。
(2)最悪の場合、このサージ電圧でパワー半導体装置を破壊する。
(3)この脅威から逃れるために、より高耐圧仕様のパワー半導体装置を採用すると導通損失が増大する、そして、製造コストも増大する。
正極配線導体12H及び複数のボンディングワイヤー18BTの各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向であり且つ平行である。また、ブリッジ配線導体12B及び複数のボンディングワイヤー18LTの各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向且つ平行である。
Rth−sub=Rth_C1+Rth_I1+Rth_C2・・・・(1)
Rth−sub=Rth_C1+Rth_I1+(Rth_Cm+Rth_I2)+Rth_C2・・・・(2)
その他、第1実施形態に特有の効果もある。ハイサイド端子14Hとローサイド端子17Lとブリッジ端子14Bとを1箇所に集約して絶縁配線基板15の側面から取り出す。これにより、ハイサイド端子14Hとブリッジ端子14Bの間、及びブリッジ端子14Bとローサイド端子17Lの間に、それぞれ、スナバコンデンサー(またはデカップリングコンデンサ)を容易に設けることができる。
第1実施形態及び変形例1では、ハイサイドパワー半導体装置13HT及びローサイドパワー半導体装置13LTがともにスイッチング素子(すなわち、MOSFETやJFETなどのトランジスタ)である場合を示した。しかしながら、ハイサイドパワー半導体装置またはローサイドパワー半導体装置の一方がダイオードであり、他方がトランジスタであっても、寄生インダクタンスLsを低減し、その結果として、トランジスタのターンオンで発生するサージ電圧を低減することができる。
ハーフブリッジパワー半導体モジュールの属性または用途によっては、ハイサイドパワー半導体装置(スイッチ)或いはローサイドパワー半導体装置(スイッチ)に対して、高速還流パワーダイオードFWD(ショットキーダイオードまたは高速pnダイオード)を逆並列に接続させる必要がある場合がある。これに該当するのは、たとえば、IGBTのように逆導通させることが原理的に困難なバイポーラパワー半導体装置の場合、ユニポーラ型であってもパワー半導体装置(スイッチ)に逆導通型ダイオードが内蔵されていない場合、パワー半導体装置(スイッチ)に内蔵されている逆導通型ダイオードでは電流が十分流せない場合、あるいは、内蔵ダイオードを逆導通させたくない場合、などである。本発明は、以下に述べるようにこのような場合でも適用可能である。
図7は、第3実施形態の変形例2に係わるハーフブリッジパワー半導体モジュール3−1の構成を示す。図7(a)は平面図であり、図7(b)は図7(a)のB−B’切断面に沿った断面図である。図7(a)のA−A’切断面に沿った断面図は図1(b)と同じであり、回路図は図6(c)と同じであるから、図示を省略する。
図8は、第3実施形態の変形例3に係わるハーフブリッジパワー半導体モジュール3−2の構成を示す。図8(a)は平面図であり、図8(b)は図8(a)のA−A’切断面に沿った断面図である。図8に示すように、全てのハイサイドパワー半導体装置(13HT、13HD)と全てのローサイドパワー半導体装置(13LD、13LT)は、絶縁配線基板15(又は31)の上に横一列に配置されている。全てのパワー半導体装置(13HT、13HD、13LT、13LD)が、入出力端子(14H、14B、17L)に直交する1直線上に配置されている。変形例3はこのように奥行の短いパワー半導体モジュールを提供することができる。
変形例4は、第1乃至第3実施形態及びその変形例に共通して適用可能な例であって、入出力端子(14H、14B、17L)付近の寄生インダクタンスの低減に有効な例である。図10を参照して、第3実施形態(図6)に適用した変形例4を説明する。
第1乃至第3実施形態及びその変形例において、ハイサイド端子14H、ブリッジ端子14B、ローサイド端子17Lは、それぞれ正極配線導体12Hの一部、ブリッジ配線導体12Bの一部、負極配線導体21Lの一部を、絶縁板16の表面に平行にかつその外縁に延伸させたものであった。しかし、これらの入出力端子は、このような配線延伸型の端子構造(14H、14B、17L)に限定されるものではない。入出力端子の低寄生インダクタンス性を維持したまま、入出力端子を絶縁板16の表面に垂直方向に取り出すこともできる。絶縁板16の表面に垂直方向に取り出す端子をここでは「起立型端子」と称することにする。第4実施形態では、起立型端子を備えたハーフブリッジパワー半導体モジュールが実現可能であることを示す。
第1〜第4実施の形態及びその変形例においては、ハイサイドパワー半導体装置13HT(13HD)とローサイドパワー半導体装置13LT(13LD)をブリッジ接続している。そして、負極配線導体21Lとパワー半導体装置13LT(13LD)を接続するローサイド接続手段の一例である複数のボンディングワイヤー18LT(18LD)を流れるローサイド主電流(ILL)と、ブリッジ配線導体12を流れるローサイド主電流(ILL)とを近接逆方向に通流させる環境を確立している。このために、負極配線導体21Lとローサイド端子17Lを付設した絶縁チップ20が重要な役割を演じていた。しかしながら、第5実施形態で説明するように、ハーフブリッジパワー半導体モジュールは、絶縁チップ20がない構造でも実現可能である。
第2実施形態でも説明したように、ハイサイドパワー半導体装置またはローサイドパワー半導体装置の一方がパワースイッチング素子であり、他方がパワーダイオードであっても構わない。第6実施形態では、第5実施形態のハーフブリッジパワー半導体モジュール5において、ローサイドパワー半導体装置(スイッチ)13LTを高速還流パワーダイオード13LDで置き換えたハーフブリッジパワー半導体モジュール6について説明する。
第3実施形態でも説明したように、ハイサイドパワー半導体装置及びローサイドパワー半導体装置の少なくとも一方が、パワースイッチング素子とパワースイッチング素子に逆並列に接続されたパワーダイオードとを備えていても構わない。第7実施形態では、第5実施形態のハーフブリッジパワー半導体モジュール5に対して、高速還流パワーダイオードFWDを逆並列に接続させたハーフブリッジパワー半導体モジュール7について説明する。
12H、12H(T)、12H(D) 正極配線導体
12L、12LT、12LD、21L 負極配線導体
12B、12B(T)、12B(D) ブリッジ配線導体
12HG、12LG ゲート(ベース)信号配線導体
12HS、12LS ソース(エミッタ)信号配線導体
13HT ハイサイドパワー半導体装置(スイッチ)
13HD ハイサイドパワー半導体装置(ダイオードFWD)
13LT ローサイドパワー半導体装置(スイッチ)
13LD ローサイドパワー半導体装置(ダイオードFWD)
14H、14H1、14H2、14H’ ハイサイド端子
14L’、17L、17L1、17L2、17L’ ローサイド端子
14B、14B1、14B2、14B’ ブリッジ端子
14HG、14LG、14HG’、14LG’ ゲート信号端子
14HS、14LS、14HS’、14LS’ ソース信号端子
15、31 絶縁配線基板
16 絶縁板
18BT、18BD 複数のボンディングワイヤー(ハイサイド接続手段)
18LT、18LD 複数のボンディングワイヤー(ローサイド接続手段)
18HG、18LG 複数のボンディングワイヤー(ゲート信号接続手段)
18HS、18LS 複数のボンディングワイヤー(ソース信号接続手段)
20 絶縁チップ
25HB、25LB スナバコンデンサー
ILH、ILL 主電流
Rth_sub=Rth_C1+Rth_I1+Rth_C2・・・・(1)
Rth_sub=Rth_C1+Rth_I1+(Rth_Cm+Rth_I2)+Rth_C2・・・・(2)
第1〜第4実施の形態及びその変形例においては、ハイサイドパワー半導体装置13HT(13HD)とローサイドパワー半導体装置13LT(13LD)をブリッジ接続している。そして、負極配線導体21Lとパワー半導体装置13LT(13LD)を接続するローサイド接続手段の一例である複数のボンディングワイヤー18LT(18LD)を流れるローサイド主電流(ILL)と、ブリッジ配線導体12Bを流れるローサイド主電流(ILL)とを近接逆方向に通流させる環境を確立している。このために、負極配線導体21Lとローサイド端子17Lを付設した絶縁チップ20が重要な役割を演じていた。しかしながら、第5実施形態で説明するように、ハーフブリッジパワー半導体モジュールは、絶縁チップ20がない構造でも実現可能である。
Claims (29)
- 1枚の絶縁板と、前記絶縁板の上或いはその上方に互いに電気的に絶縁して配置された、正極配線導体、ブリッジ配線導体、及び負極配線導体と、を備えた絶縁配線基板と、
前記正極配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のハイサイドパワー半導体装置と、
前記ブリッジ配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のローサイドパワー半導体装置と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記ブリッジ配線導体に接続されたブリッジ端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ブリッジ端子の間において、前記正極配線導体に接続されたハイサイド端子と、
前記ブリッジ端子と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記負極配線導体に接続されたローサイド端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体を接続するハイサイド接続手段と、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体を接続するローサイド接続手段と、
を備えることを特徴とするハーフブリッジパワー半導体モジュール。 - 前記正極配線導体及び前記ハイサイド接続手段の各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向であり且つ平行であることを特徴とする請求項1記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ブリッジ配線導体及び前記ローサイド接続手段の各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向且つ平行であることを特徴とする請求項1又は2に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ブリッジ端子、前記ハイサイド端子、及び前記ローサイド端子は、互いに近接して平行に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイド端子及び前記ブリッジ端子の各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向且つ平行であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ローサイド端子及び前記ブリッジ端子の各々に流れる主電流は、その大きさが等しく、その向きが逆方向且つ平行であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記正極配線導体に流れる主電流の向きと前記ハイサイド端子に流れる主電流の向きは直角を成していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ブリッジ配線導体に流れる主電流の向きと前記ローサイド端子に流れる主電流の向きは略直角を成していることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール
- 前記絶縁配線基板は、前記絶縁板の上に配置されたゲート信号配線導体及びソース信号配線導体を更に備え、
前記ハーフブリッジパワー半導体モジュールは、
前記ゲート信号配線導体に接続されたゲート信号端子と、
前記ソース信号配線導体に接続されたソース信号端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置及び前記ローサイドパワー半導体装置の少なくとも一方のゲート電極と前記ゲート信号配線導体とを接続するゲート信号接続手段と、
前記ハイサイドパワー半導体装置及び該ローサイドパワー半導体装置の少なくとも一方のソース電極と前記ソース信号配線導体とを接続するソース信号接続手段と、を更に備え、
前記ゲート信号接続手段と前記ソース信号接続手段は互いに平行に配置され、前記ゲート信号端子とソース信号端子は互いに平行に配置され、ゲート信号電流が等量で逆平行に通流するよう配置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。 - 前記負極配線導体は絶縁チップを介在して前記ブリッジ配線導体の上方に配置されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記正極配線導体の一部、前記ブリッジ配線導体の一部、及び前記負極配線導体の一部が前記絶縁板の主面に平行な方向に延伸されて成ることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ゲート信号端子及び前記ソース信号端子は、それぞれ、前記ゲート信号配線導体の一部及び前記ソース信号配線導体の一部が前記絶縁板の主面に平行な方向に延伸されて成ることを特徴とする請求項9に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記絶縁板の主面において、前記ハイサイド端子とブリッジ端子の間に接続されたハイサイドスナバコンデンサーと、前記絶縁板の主面において、前記ブリッジ端子と前記ローサイド端子の間に接続されたローサイドスナバコンデンサーの少なくとも一方を更に備えることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイドパワー半導体装置及び前記ローサイドパワー半導体装置のいずれか一方がパワースイッチング素子であり、他方がパワーダイオードであること特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイドパワー半導体装置及び前記ローサイドパワー半導体装置の少なくとも一方が、パワースイッチング素子と前記パワースイッチング素子に逆並列に接続されたパワーダイオードとを備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記正極配線導体及び前記ブリッジ配線導体の少なくとも一方には、前記パワースイッチング素子と前記パワーダイオードの間を仕切るスリットが形成されていることを特徴とする請求項15に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 2以上の前記ハイサイドパワー半導体装置は、前記正極配線導体及び前記ハイサイド接続手段の各々に流れる主電流の流路を共有するように、一方向に配列されていることを特徴とする請求項15に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 2以上の前記ローサイドパワー半導体装置は、前記ブリッジ配線導体及び前記ローサイド接続手段の各々に流れる主電流の流路を共有するように、一方向に配列されていることを特徴とする請求項15又は17に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記絶縁板の主面の法線方向から見て、前記負極配線導体は、空隙を介して前記ブリッジ配線導体に包囲されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記正極配線導体、前記ブリッジ配線導体、及び前記負極配線導体との接続部から、前記絶縁板の主面の法線方向に起立した平板状の端子であることを特徴とする請求項1〜10、19のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、互いに平行を成していることを特徴とする請求項20に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイド端子及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記絶縁板の主面の法線方向に起立した平板状のベース部と、ベース部から分岐した複数の歯部とからなり、複数の歯部の先端が前記正極配線導体及び前記負極配線導体に接続していることを特徴とする請求項20又は21に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ゲート信号端子と前記ソース信号端子は、それぞれ、前記ゲート信号配線導体及び前記ソース信号配線導体から、前記絶縁板の主面の法線方向に起立した平板状の端子であることを特徴とする請求項1〜9及び19〜22のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ゲート信号端子と前記ソース信号端子は、互いに平行を成していることを特徴とする請求項23に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイドパワー半導体装置又は前記ローサイドパワー半導体装置のいずれか一方がパワースイッチング素子であり、他方がパワーダイオードであること特徴とする請求項19〜24のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 前記ハイサイドパワー半導体装置及び前記ローサイドパワー半導体装置の少なくとも一方が、パワースイッチング素子と前記パワースイッチング素子に逆並列に接続されたパワーダイオードとを備えることを特徴とする請求項19〜24のいずれか一項に記載のハーフブリッジパワー半導体モジュール。
- 1枚の絶縁板と、前記絶縁板の上或いはその上方に互いに電気的に絶縁して配置された、正極配線導体、ブリッジ配線導体、及び負極配線導体と、を備えた絶縁配線基板と、
前記正極配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のハイサイドパワー半導体装置と、
前記ブリッジ配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のローサイドパワー半導体装置と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記ブリッジ配線導体に接続されたブリッジ端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ブリッジ端子の間において、前記正極配線導体に接続されたハイサイド端子と、
前記ブリッジ端子と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記負極配線導体に接続されたローサイド端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体を接続するハイサイド接続手段と、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体を接続するローサイド接続手段とを備え、
前記負極配線導体は絶縁チップを介在して前記ブリッジ配線導体の上方に配置され、
前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記正極配線導体の一部、前記ブリッジ配線導体の一部、及び前記負極配線導体の一部が前記絶縁板の主面に平行な方向に延伸されて成る
ハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法であって、
前記正極配線導体及び前記ブリッジ配線導体を備えた絶縁配線基板と、前記負極配線導体が接合された前記絶縁チップと、前記ハイサイドパワー半導体装置と、前記ローサイドパワー半導体装置とを用意し、
前記正極配線導体の上に前記ハイサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ブリッジ配線導体の上に前記ローサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ブリッジ配線導体の上のうち、前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間に、前記絶縁チップを介して前記負極配線導体を接合し、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体とを前記ハイサイド接続手段を用いて接続し、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体とを前記ローサイド接続手段を用いて接続する
ことを特徴とするハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法。 - 1枚の絶縁板と、前記絶縁板の上或いはその上方に互いに電気的に絶縁して配置された、正極配線導体、ブリッジ配線導体、及び負極配線導体と、を備えた絶縁配線基板と、
前記正極配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のハイサイドパワー半導体装置と、
前記ブリッジ配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のローサイドパワー半導体装置と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記ブリッジ配線導体に接続されたブリッジ端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ブリッジ端子の間において、前記正極配線導体に接続されたハイサイド端子と、
前記ブリッジ端子と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記負極配線導体に接続されたローサイド端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体を接続するハイサイド接続手段と、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体を接続するローサイド接続手段とを備え、
前記負極配線導体は絶縁チップを介在して前記ブリッジ配線導体の上方に配置され、
前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記正極配線導体との接続部、前記ブリッジ配線導体との接続部、及び前記負極配線導体との接続部から、前記絶縁板の主面の法線方向に起立した平板状の端子である
ハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法であって、
前記正極配線導体及び前記ブリッジ配線導体を備えた絶縁配線基板と、前記負極配線導体が接合された前記絶縁チップと、前記ハイサイドパワー半導体装置と、前記ローサイドパワー半導体装置とを用意し、
前記正極配線導体の上に前記ハイサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ブリッジ配線導体の上に前記ローサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ブリッジ配線導体の上のうち、前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間に、前記絶縁チップを介して前記負極配線導体を接合し、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体とを前記ハイサイド接続手段を用いて接続し、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体とを前記ローサイド接続手段を用いて接続し、
前記ブリッジ配線導体に前記ブリッジ端子を接続し、
前記正極配線導体に前記ハイサイド端子を接続し、
前記負極配線導体に前記ローサイド端子を接続する
ことを特徴とするハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法。 - 1枚の絶縁板と、前記絶縁板の上に互いに電気的に絶縁して配置された、正極配線導体、ブリッジ配線導体、及び負極配線導体と、を備えた絶縁配線基板と、
前記正極配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のハイサイドパワー半導体装置と、
前記ブリッジ配線導体の上にその裏面電極が接合された1以上のローサイドパワー半導体装置と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記ブリッジ配線導体に接続されたブリッジ端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置と前記ブリッジ端子の間において、前記正極配線導体に接続されたハイサイド端子と、
前記ブリッジ端子と前記ローサイドパワー半導体装置の間において、前記負極配線導体に接続されたローサイド端子と、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体を接続するハイサイド接続手段と、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体を接続するローサイド接続手段とを備え、
前記絶縁遺体の主面の法線方向から見て、前記負極配線導体は、空隙を介して前記ブリッジ配線導体に包囲され、
前記ハイサイド端子、前記ブリッジ端子、及び前記ローサイド端子は、それぞれ、前記正極配線導体との接続部、前記ブリッジ配線導体との接続部、及び前記負極配線導体との接続部から、前記絶縁板の主面の法線方向に起立した平板状の端子である
ハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法であって、
前記正極配線導体、前記ブリッジ配線導体、及び前記負極配線導体を備えた前記絶縁配線基板と、前記ハイサイドパワー半導体装置と、前記ローサイドパワー半導体装置とを用意し、
前記正極配線導体の上に前記ハイサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ブリッジ配線導体の上に前記ローサイドパワー半導体装置の裏面電極を接合し、
前記ハイサイドパワー半導体装置の表面電極と前記ブリッジ配線導体とを前記ハイサイド接続手段を用いて接続し、
前記ローサイドパワー半導体装置の表面電極と前記負極配線導体とを前記ローサイド接続手段を用いて接続し、
前記ブリッジ配線導体に前記ブリッジ端子を接続し、
前記正極配線導体に前記ハイサイド端子を接続し、
前記負極配線導体に前記ローサイド端子を接続する
ことを特徴とするハーフブリッジパワー半導体モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/081609 WO2016084241A1 (ja) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016084241A1 true JPWO2016084241A1 (ja) | 2017-10-26 |
JP6288301B2 JP6288301B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=56073852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016561200A Active JP6288301B2 (ja) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10756057B2 (ja) |
EP (1) | EP3226294B1 (ja) |
JP (1) | JP6288301B2 (ja) |
CN (1) | CN107155372B (ja) |
WO (1) | WO2016084241A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2014-11-28 US US15/527,143 patent/US10756057B2/en active Active
- 2014-11-28 EP EP14907167.2A patent/EP3226294B1/en active Active
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EP3226294A1 (en) | 2017-10-04 |
WO2016084241A1 (ja) | 2016-06-02 |
EP3226294B1 (en) | 2021-04-07 |
US20170345792A1 (en) | 2017-11-30 |
JP6288301B2 (ja) | 2018-03-14 |
CN107155372A (zh) | 2017-09-12 |
EP3226294A4 (en) | 2018-02-21 |
US10756057B2 (en) | 2020-08-25 |
CN107155372B (zh) | 2019-10-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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