JPH0722553U - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュールInfo
- Publication number
- JPH0722553U JPH0722553U JP4744792U JP4744792U JPH0722553U JP H0722553 U JPH0722553 U JP H0722553U JP 4744792 U JP4744792 U JP 4744792U JP 4744792 U JP4744792 U JP 4744792U JP H0722553 U JPH0722553 U JP H0722553U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power module
- package
- snubber circuit
- circuit
- snubber
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- Withdrawn
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- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スナバ回路内蔵の耐環境性の良いパワーモジ
ュールを構成する。 【構成】 １つのコンデンサ１ａで構成されているスナ
バ回路１は、パワーモジュール８のパッケージ２の内部
に格納されている。この場合、スナバ回路１は、パッケ
ージ２の内部において、コンデンサ１ａの両端子がパワ
ーモジュール８の出力端子に接続されるように取り付け
られる。
ュールを構成する。 【構成】 １つのコンデンサ１ａで構成されているスナ
バ回路１は、パワーモジュール８のパッケージ２の内部
に格納されている。この場合、スナバ回路１は、パッケ
ージ２の内部において、コンデンサ１ａの両端子がパワ
ーモジュール８の出力端子に接続されるように取り付け
られる。
Description
【０００１】
本考案は、大電流の制御に用いられるパワーモジュールに関する。
【０００２】
近年、パワートランジスタやＦＥＴに代わる素子として、大容量のパワーイン シュレーテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（以下、単にパワーＩＧＢ Ｔという）が用いられるようになってきている。このパワーＩＧＢＴなどのスイ ッチング素子を用いたパワーモジュールにおいては、その内部回路のスイッチン グ動作によって出力波形の乱れることがある。その出力波形の乱れを軽減する方 法として、従来、スナバ回路が用いられている。以下、従来のスナバ回路の使用 例を説明する。
【０００３】 図２は、スナバ回路１が取り付けられた従来ののパワーモジュール２の斜視図 である。このスナバ回路１は、１つのコンデンサ１ａから構成されており、その コンデンサ１ａの両端子は、それぞれパッケージ２の外部において、パワーモジ ュールの出力端子２ａに接続されている。
【０００４】 次に、図３および図４において、一点鎖線で囲まれた部分は、それぞれスナバ 回路１′および１″の電気回路図であり、共に２つのＩＧＢＴ３で構成された回 路部の両端子に接続されている。これらの図において、１ａはコンデンサ、４は 抵抗、５はダイオードであり、６および７は、それぞれ正極の端子および負極の 端子である。これらのスナバ回路１′および１″は、ＩＧＢＴ３がスイッチング 動作するときに起こる信号波形の乱れを軽減するように動作する。
【０００５】
ところで、図２に示す従来のパワーモジュールにおいては、スナバ回路１はパ ワーモジュールのパッケージ２の外部に取り付けられている。そのため、パッケ ージ２の外部にスナバ回路１を取り付けるための空間が必要であり、パワーモジ ュールを装置に用いた場合、その装置が大きなものになってしまうという問題が あった。また、スナバ回路１が、他のモジュールや装置外部からの影響を受け易 い、つまり、耐環境性が良くないという問題があった。 この考案は、上述した事情に鑑みてなされたもので、小型で、かつ、スナバ回 路の耐環境性が良いパワーモジュールを提供することを目的とする。
【０００６】
本考案は、上述した問題点を解決するために、 大容量の回路素子を用いて構成される内部回路と、 該内部回路を密封するパッケージと、 前記内部回路の出力端子と接続され、前記パッケージの内部に格納されたスナ バ回路と を具備してなることを特徴とする。
【０００７】
上記パワーモジュールによれば、スナバ回路がパッケージの内部に格納されて いるため、パッケージの外部にスナバ回路を取り付けるための空間は必要とせず 、かつ、パッケージの外部環境による影響を受け難い。
【０００８】
以下、図面を参照して本考案の実施例について説明する。 図１は本考案の一実施例によるパワーモジュール８の構成を示す斜視図である。 なお、この図において、上述した図２の各部と対応する部分には同一の符号を付 けて、その説明を省略する。
【０００９】 本実施例においては、１つのコンデンサ１ａで構成されているスナバ回路１は 、図１の破線が示すように、パワーモジュール８のパッケージ２の内部に格納さ れている。この場合、スナバ回路１は、パッケージ２の内部において、コンデン サ１ａの両端子がパワーモジュール８の出力端子に接続されるように取り付けら れる。 したがって、本実施例においては、パッケージ２の外部に、スナバ回路１を取 り付けるため空間を確保する必要がない。
【００１０】 なお、本実施例のパワーモジュール８においては、内部回路の容量が増えれば 、採用されているパッケージ２が大きくなり、そのパッケージ２内部の余空間が 大きくなるため、より大きなスナバ回路１を格納することができる。
【００１１】
以上説明したように、この考案によれば、スナバ回路はパワーモジュールのパ ッケージの内部に取り付けられるため、パワーモジュールを用いた装置を小型化 することができるとともに、他のモジュールや装置外部からの影響を受け難いた め、耐環境性が向上する。また、本考案によるスナバ回路は、短い配線でパッケ ージ内部に取り付けることが可能であり、スナバの効果は外付タイプより向上す る。
【図１】本考案の一実施例によるスナバ回路内蔵パワー
モジュール８の構成を示す斜視図である。
モジュール８の構成を示す斜視図である。
【図２】スナバ回路１が取り付けられた従来ののパワー
モジュールの斜視図である。
モジュールの斜視図である。
【図３】スナバ回路１′の構成を示す電気回路図であ
る。
る。
【図４】スナバ回路１″の構成を示す電気回路図であ
る。
る。
１ スナバ回路 １ａ コンデンサ ２ パッケージ ２ａ 出力端子 ８ パワーモジュール
Claims (1)
- 【請求項１】 大容量の回路素子を用いて構成される内
部回路と、 該内部回路を密封するパッケージと、 前記内部回路の出力端子と接続され、前記パッケージの
内部に格納されたスナバ回路とを具備してなることを特
徴とするパワーモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744792U JPH0722553U (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744792U JPH0722553U (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | パワーモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722553U true JPH0722553U (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=12775405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4744792U Withdrawn JPH0722553U (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | パワーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722553U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013045882A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2016084241A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 日産自動車株式会社 | ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 |
| US10522517B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-12-31 | Nissan Motor Co., Ltd. | Half-bridge power semiconductor module and manufacturing method therefor |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4744792U patent/JPH0722553U/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013045882A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US10522517B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-12-31 | Nissan Motor Co., Ltd. | Half-bridge power semiconductor module and manufacturing method therefor |
| WO2016084241A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 日産自動車株式会社 | ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 |
| JPWO2016084241A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-10-26 | 日産自動車株式会社 | ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法 |
| US10756057B2 (en) | 2014-11-28 | 2020-08-25 | Nissan Motor Co., Ltd. | Half-bridge power semiconductor module and method of manufacturing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19961003 |