JP4089143B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、裏面に、金属ベース板上に接合材で接合される裏面パターンが、表面に一対の回路パターンが形成された絶縁基板を備えた電力用半導体装置の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の電力用半導体装置として、電気自動車の駆動制御用等に用いられるIPM(インテリジェントパワーモジュール)が知られており、温度、振動等、厳しい環境での益々の長寿命化、高信頼性化が要求される状況にある。以下、図4乃至図7に基づき、従来例としての電力用半導体装置について説明する。
【0003】
図4乃至図6において、1は銅−モリブテン合金材等の金属ベース板であり、4隅に放熱フィン(図示せず)への取付けボルト孔1aを備える。2は金属ベース板1に半田付けされた絶縁基板であり、窒化アルミ材製の絶縁板3と、その表面に形成された銅箔製の一対の回路パターン4と、その裏面に形成された裏面パターン5とからなり、裏面パターン5が金属ベース板1に半田付けされている。
【0004】
また、6は電力用スイッチング半導体素子としてのIGBT、7はIGBT6と対を為すフリーホイールダイオード(以下、FWDと略記する)であり、一対の回路パターン4の夫々に、IGBT6およびFWD7が半田付けされている。なお、9、9Aは夫々、金属ベース板1と絶縁基板2の裏面パターン5間、一対の回路パターン4とIGBT6およびFWD7との間を半田付けした半田層、10は絶縁基板2の表面の中央部における一対の回路パターン4間に配設された、絶縁基板2の温度を検出するための一対のサーミスタである。
【0005】
また、11は樹脂製の外枠であり、4隅に金属ベース板1のボルト孔1aと同心円状に設けた放熱フィン(図示せず)への取付けボルト孔11aを備える。そして、金属ベース板1と外枠11とで、金属ベース板1を底板とし、金属ベース板1に搭載された絶縁基板2、IGBT6、FWD7等を内包するケースを形成している。そして、12は両端を露出させた状態で外枠11にインサートされた主回路端子であり、外枠11の内側に露出した主回路端子12の内部接続側端がアルミワイヤ13によりIGBT6、FWD7等と接続されている。なお、14は制御回路端子であるが、制御回路基板および制御回路端子14への配線は図示を省略している。また、15は前記ケースの蓋である。
【0006】
なお、主回路端子12にカッコで付した(P)、(N)は夫々、正、負の入力を、(U)、(V)、(W)は3相(U、V、W相)の出力を示す。また、絶縁基板2にカッコで付した(U)、(V)、(W)は、IGBT6と、IGBT6に逆並列に接続されたFWD7とからなる一対のスイッチング素子組が直列接続された、3相(U、V、W相)対応のスイッチング回路を示し、一対の回路パターン4にカッコで付した(H)、(L)は夫々、前記スイッチング回路における回路ハイ側、ロー側のスイッチング素子組を示す。
【0007】
また、図7は図4乃至図6に示した電力用半導体装置に組込まれたインバータの主回路の回路図であり、図において、P、Nは夫々、正、負の入力端子、U、V、Wは夫々3相出力のU、V、W相端子であり、図4乃至図6に示した主回路端子12(P)、12(N)、12(U)、12(V)、12(W)に夫々対応する。また、2(U)、2(V)、2(W)、および4(H)、4(L)は夫々、図4乃至図6に示した同じ記号のものに対応する。
【0008】
次に、金属ベース板1における絶縁基板2上のIGBT6、FWD7等の配置について説明する。図4乃至図6において、金属ベース板1上には3枚の絶縁基板2が所定の間隔を設けて整列して配置され、夫々、絶縁基板2の裏面に備わる裏面パターン5を介して金属ベース板1と半田付けされ、金属ベース板1と裏面パターン5との間には半田層9が形成されている。そして、絶縁基板2の表面に備わる一対の回路パターン4は絶縁板3を挟んで裏面パターン5上に位置するように配設されている。
【0009】
そして、一対の回路パターン4は、絶縁板3の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びる、中心対称のL字状に形成され、夫々における前記対角の近傍にIGBT6が、その隣に一方の辺に沿ってFWDが半田付けされ、他方の辺に沿って電極パターン領域4aが形成されている。即ち、金属ベース板1上に整列した3枚の絶縁基板2において、各回路パターン4上のIGBT6と電極パターン領域4aとが、外枠11にインサートされ、前記ケース内に露出した主回路端子12の内部接続側端に最短距離で接続可能に、交互に整列している。なお、絶縁基板2の表面の中央部における一対の回路パターン4間には絶縁基板2の温度を検出するための一対のサーミスタ10が配設されている。
【0010】
次に、動作を説明する。主回路に通電されてIGBT6がスイッチング動作を行うことにより、IGBT6およびFWD7が発熱し、該熱は半田層9A、絶縁基板2を構成する回路パターン4、絶縁板3および裏面パターン5、半田層9を通過して金属ベース板1へ放熱され、さらに、金属ベース板1に接合された放熱フィン(図示せず)へと熱放散される。
【0011】
この際、裏面パターン5と金属ベース板1とを接合する半田層9には、金属ベース板1と裏面パターン5が接合されている絶縁板3との熱膨張係数の差、および金属ベース板1と裏面パターン5との間の温度勾配の大きさ、およびこの温度勾配の部分的なバラツキにより、即ち、発熱量の大きなIGBT6等の配置位置がその他の部分よりも高温となる裏面パターン5自身に生じる温度勾配により複雑な熱ストレスを受ける。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電力用半導体装置は以上のように構成されており、絶縁基板2の裏面パターン5と金属ベース板1とを半田付けした半田層9において、エンジンルーム内に設置されることによる必然的に受けるヒートサイクルやIGBT6の運転、停止による熱履歴に起因し、通常、裏面パターン5の中心位置から最も遠く離れ、熱による膨張、収縮量の最も大きな裏面パターン5の応力集中し易い角部から半田層9に微細亀裂が発生し、この微細亀裂が裏面パターン5の中央に向かって成長し、裏面パターン5におけるIGBT6の下部位置に半田層9に前記微細亀裂が到達するとこの位置におけ放熱特性が悪化してIGBT6が熱破壊することがあるという問題点があった。
【0013】
また、従来の絶縁基板2上の中央には、絶縁基板2の温度を測定可能にサーミスタ10が搭載されているが、裏面パターン5の前記角部に近い位置に配設されたIGBT6が、前記角部から成長してきた前記微細亀裂の影響により局部的に異常昇温するが、この異常昇温位置から離れて存在するサーミスタ10による前記異常昇温の検出精度が低く、寿命把握精度が不十分であるという問題点があった。
【0014】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたものであり、金属ベース板と絶縁基板の裏面パターンとを接合する半田層に生じる微細亀裂の影響を受け難く、長寿命化を図れると共に、小型、コンパクト化を図り得る電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【0015】
また、絶縁基板2に搭載された電力用スイッチング半導体素子の異常昇温の検出精度に優れ、高精度で寿命判断可能な電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る電力用半導体装置は、裏面に、金属ベース板上に接合材で接合される裏面パターンを、表面に一対の回路パターンを前記裏面パターン上に位置するように配設した絶縁基板を有し、前記回路パターンの夫々に、電力用スイッチング半導体素子と該電力用スイッチング半導体素子と対をなすフリーホイールダイオードとを配設すると共に電極パターン領域を設けた電力用半導体装置において、前記一対の回路パターンを前記絶縁基板の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びると共に中心対称のL字状に形成し、前記一対の回路パターン上に前記電力用スイッチング半導体素子を前記フリーホイールダイオードと前記電極パターン領域とで挟むように配設したものである。
【0017】
第2の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明に係る電力用半導体装置において、一対の回路パターンにおける電極パターン領域の夫々に、補助電極板を接合したものである。
【0018】
第3の発明に係る電力用半導体装置は、第2の発明に係る電力用半導体装置において、一対の回路パターンの夫々に電力用スイッチング半導体素子とフリーホイールダイオードとを相互にたすき掛け状に配設すると共に、一対の電極パターン領域を絶縁基板の平行する一対の辺の夫々に沿って形成し、一対の補助電極板で2組の前記電力用スイッチング半導体素子および前記フリーホイールダイオード素子を挟むように、前記一対の補助電極板を対応する前記一対の電極パターン領域に接合したものである。
【0019】
第4の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至は第3の発明に係る電力用半導体装置において、絶縁基板はセラミック材に銅またはアルミ材からなる裏面パターンおよび一対の回路パターンを形成したものであり、金属ベース板は銅材若しくはアルミ材からなり、前記絶縁基板と前記金属ベース板とを接合する接合材が半田であるものである。
【0020】
第5の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至は第4の発明に係る電力用半導体装置において、絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子が、夫々1辺が14mm以上であると共に、前記絶縁基板の主面上における半径25mm以内の寸法領域に収め得る上限寸法を有するものである。
【0021】
第6の発明に係る電力用半導体装置は、第1の発明乃至は第5の発明に係る電力用半導体装置において、絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子における、裏面パターンの角部に最も近い位置若しくはその近傍に温度センサを配設したものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1としての電力用半導体装置を図1乃至図3および図7により説明する。図中、従来例と同じ符号で示されたものは従来例のそれと同一若しくは同等なものを示す。図において、1は銅材製の金属ベース板であり4隅に放熱フィン(図示せず)への取付けボルト孔1aを備える。2は金属ベース板1に半田付けされた絶縁基板であり、セラミック材である窒化アルミ材製の絶縁板3と、その表面に形成された銅箔製の一対の回路パターン4と、その裏面に形成された銅箔製の裏面パターン5とからなり、裏面パターン5が金属ベース板1に半田付けされている。
【0023】
また、6は電力用スイッチング半導体素子としてのIGBTであり、IGBT6の表面上にはIGBT6と一体に形成された温度センサ(図示せず)の一対の温度センサ端子6aを備える。なお、前記温度センサはIGBT6そのものの温度を検出するもので、ダイオードの順方向負性抵抗特性の温度依存性を利用したものである。
【0024】
また、7はIGBT6と対を為すFWD、8は補助電極板であり、一対の回路パターン4の夫々に、IGBT6、FWD7および補助電極板8が搭載されている。また、9は金属ベース板1と絶縁基板2の裏面パターン5間を半田付けした半田層、9Aは一対の回路パターン4とIGBT6、FWD7および補助電極板8との間を半田付けした半田層である。
【0025】
なお、図4乃至図6に示した従来の電力用半導体装置と同様に、実施の形態1としての電力用半導体装置も樹脂製の外枠(図示せず)を備え、金属ベース板1と前記外枠とで、金属ベース板1を底板とし、金属ベース板1に搭載された絶縁基板2、IGBT6、FWD7等を内包するケースを形成しており、類似した構造を為すので説明を省略する。
【0026】
なお、図1において、12は前記外枠(図示せず)にインサートされ、外部回路と接続可能な外部露出端側を備えた主回路端子を示す。主回路端子12にカッコで付した(P)、(N)は夫々、正、負の入力を、(U)、(V)、(W)は3相(U、V、W相)の出力を示す。また、絶縁基板2にカッコで付した(U)、(V)、(W)は、IGBT6と、IGBT6に逆並列に接続されたFWD7とからなる一対のスイッチング素子組が直列接続された、3相(U、V、W相)対応のスイッチング回路を示し、一対の回路パターン4にカッコで付した(H)、(L)は夫々、前記スイッチング回路におけるハイ側、ロー側のスイッチング素子組を示す。
【0027】
また、図7は図1に示した電力用半導体装置における、図4乃至図6に示した従来の電力用半導体装置と共通する主回路の回路図である。図7において、P、Nは夫々、正、負の入力端子であり、図1に示した主回路端子12(P)、12(N)に相当し、U、V、Wは夫々3相出力のU、V、W相端子であり、図1に示した12(U)、12(V)、12(W)に相当する。また、2(U)、2(V)、2(W)、および4(H)、4(L)は夫々、図1に示した同じ記号のものに対応する。
【0028】
次に、絶縁基板2上のIGBT6、FWD7および補助電極板8等の配置について説明する。図1において、金属ベース板1上には3枚の絶縁基板2が所定の間隔を設けて整列した状態で配置され、夫々、絶縁基板2の裏面に備わる裏面パターン5を介して金属ベース板1と半田付けされている。
【0029】
なお、図3は絶縁基板2の裏面パターン5側からみた平面図であり、表面側の一対の回路パターン4および一対の回路パターン4上の最も発熱量の多いIGBT6の半田付け位置を点線で示している。図2、図3から明白のように、絶縁基板2の表面に備わる一対の回路パターン4は絶縁板3を挟んで裏面パターン5上に位置するように形成されている。
【0030】
そして、一対の回路パターン4は、絶縁板3の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びる、中心対称のL字状に形成され、その一方の辺に沿って補助電極板8が配置され、他方の片に沿って補助電極板8、IGBT6およびFWD7がこの順番に配置され、半田付けされている。即ち、一対の回路パターン4上には、2組のIGBT6とFWD7とが相互にたすき掛け状に配設され、かつ、対向する辺に沿って一対の補助電極板8が前記2組のIGBT6およびFWD7を挟むように配設されている。
【0031】
また、図7に示した回路図との対応により明白のように、図1に示した電力用半導体装置において、金属ベース板1上に配置された3枚の絶縁基板2における一対の回路パターン4には夫々、IGBT6と、IGBT6に逆並列に接続されたFWD7とからなるスイッチング素子組が搭載され、各絶縁基板2には直列接続された一対の前記スイッチング素子組が搭載され、金属ベース板1上には3相用のインバータの主回路が形成されている。即ち、3枚の絶縁基板2の夫々には、一対の前記スイッチング素子組が極めてコンパクトに配設されており、その結果として、金属ベース板1上には3相用のインバータの主回路がコンパクトに形成されている。
【0032】
次に、実施の形態1としての電力用半導体装置の動作について説明する。通常、電力用半導体装置がインバータ装置として使用される場合において、主回路に通電され、IGBT6がスイッチング動作を行うことにより、IGBT6およびFWD7は電力損を生じて発熱し、発生した熱は、半田層9A、絶縁基板2を構成する回路パターン4、絶縁板3および裏面パターン5、半田層9を通過して金属ベース板1へ放熱され、さらに、金属ベース板1に接合された放熱フィン(図示せず)へと熱放散される。
【0033】
この際、裏面パターン5と金属ベース板1とを接合する半田層9は、金属ベース板1と裏面パターン5が接合されている絶縁板3との熱膨張係数の差、金属ベース板1と裏面パターン5との間の温度勾配、およびこの温度勾配の部分的なバラツキ等により、即ち、裏面パターン5における発熱量の大きなIGBT6等の配置位置が補助電極板8の配置位置よりも高温となる裏面パターン5自身に生じる温度勾配により、複雑なストレスを受ける。
【0034】
そして、半田層9には、IGBT6の運転、停止による前記熱履歴と共に、前記電力用半導体装置がエンジンルーム内に設置されることにより必然的に受けるヒートサイクルに起因し、図3に示すごとく、裏面パターン5における、その中心位置から最も遠く離れ、かつ応力が集中し易い角部5aから半田層9に微細亀裂9bが発生し、矢印で示すごとく裏面パターン5の中央に向かって成長してクラックとなる。そして、半田層9に生じた前記クラックにより、半田層9の熱抵抗が増大して放熱特性が悪化するので、微細亀裂9bがIGBT6の下部位置に達するとIGBT6が著しく高温となり破壊に至ることがある。
【0035】
しかし、前述のごとく、実施の形態1としての電力用半導体装置においては、絶縁基板2の表面に備わる一対の回路パターン4には、一対の補助電極板8で2組のIGBT6およびFWD7を挟むようにこれらを配設しており、裏面パターン5の角部5aに対応する一対の回路パターン4の領域には補助電極板8が存在し、発熱量の大きなIGBT6や発熱量が無視できないFWD7は裏面パターン5の角部5aから離れた位置に存在する。
【0036】
従って、IGBT6の運転、停止の繰返し時における裏面パターン5の角部5aの温度は、IGBT6やFWD7の下部位置と比較して低く、この部分において半田層9に微細亀裂9bが発生し難いと共に、微細亀裂9bが発生しても成長し難く、かつ、微細亀裂9bが成長しても、前述のごとく、IGBT6やFWD7が裏面パターン5の角部5aから離れた位置に存在するのでこれらの下部に微細亀裂9bが到達するのに時間がかかる。
【0037】
即ち、前記ヒートサイクルおよびIGBT6の運転、停止による前記熱履歴の両方が同時に作用して裏面パターン5の角部5aの半田層9に微細亀裂9bが発生しても、図4乃至図6に示した従来の電力用半導体装置と比較して、微細亀裂9bが裏面パターン5におけるIGBT6やFWD7の下部に到達するのに極めて長時間を要し、この結果として、前記ヒートサイクルや前記熱履歴に対する耐量が高く、長寿命かつ高信頼性の電力用半導体装置が得られる。
【0038】
また、絶縁基板2の一対の回路パターン4上に夫々配設した一対のIGBT6における、絶縁基板2の中心位置から最も離れた位置の近傍に、即ち、裏面パターン5の角部5aに最も近い位置の近傍で、裏面パターン5の中央に向かって成長する微細亀裂9bにより、その放熱特性の劣化の悪影響を最初に受ける位置に、前記温度センサをIGBT6と一体に形成したので、IGBT6の熱破壊前に、微細亀裂9bの成長を感知して製品寿命を事前に高精度で把握できる。
【0039】
さらに、一対の回路パターン4の電極パターン領域4aの夫々に、補助電極板8を接合したので、補助電極板8の板厚を厚くした分、その幅寸法を狭くでき、その結果として電極パターン領域4aのパターン幅を狭くでき、ひいては、絶縁基板2および金属ベース板1のサイズの小形化が図れ、主回路のインダクタンスの低減および電力用半導体装置のコンパクト化を図れる。
【0040】
なお、絶縁基板2は、そのサイズが大きくなるほど、必然的に裏面パターン5の中心位置から外周の角部5aまでの距離が長くなり、角部5aにおける金属ベース板1と絶縁板3との熱膨張係数の差による金属ベース板1と裏面パターン5を接合する半田層9に加わる反りやせん断力が大きく、前記ヒートサイクルや前記熱履歴に起因する微細亀裂9bが発生し易く、かつ成長し易くなる。従って、絶縁基板2のサイズの小型化による金属ベース板1への放熱効果の減少とバランスする範囲において、絶縁基板2のサイズが小さい程、半田層9における微細亀裂9bの発生およびその成長を抑制できる。
【0041】
この事実を下記の評価テストにより確かめた。即ち、銅材の金属ベース板1と窒化アルミ材の絶縁板3からなる絶縁基板2の組合せにおいて、45mm×48mmの略矩形の絶縁基板2上に、定格600AクラスのIGBT6を図1に示すように配設したものに関し、−40℃〜125℃のヒートサイクルテストを行った結果、たすき掛け状に配設された一対のIGBT6がその中心位置から半径25mm以内にあれば、微細亀裂9bの進展が極めて遅く、2000サイクル以上のヒートサイクルを加えてもなおその機能を維持することを確認した。一方、より大きな寸法の絶縁基板2を用いて、IGBT6の位置がその中心位置から半径25mm以上であれば、その他のテスト条件が同一であっても、微細亀裂9bの進展が早く、寿命が短いことを確認した。
【0042】
なお、需要の多い定格600Aクラスの電力用半導体装置に用いるIGBT6は、一辺が約14mmの正方形を必要とするが、余裕を見て15mm程度の正方形を為すものを選定し、絶縁基板2上に中央対称に配設された一対の回路パターン4上にたすき掛け状に搭載した場合において、一対の回路パターン4間の絶縁距離や、隣合うFWD6等との間の絶縁距離を考慮しても、たすき掛け状に配設された一対のIGBT6を半径25mm以内の比較的小さな寸法領域に収めることが容易である。
【0043】
この結果として、従来技術では、定格300Aクラスのものと略等しい寸法の絶縁基板2および金属ベース板1を用いて、即ち、上記45mm×48mmの略矩形の絶縁基板2を用いて、定格600Aクラス電力用半導体装置が得られ、このクラスの電力用半導体装置の小型、コンパクト化と共に、極めて低コストにて製造可能となった。
【0044】
即ち、絶縁基板2のサイズの小形化にもかかわらず、しかも、窒化アルミ材製の絶縁板3と組合せる金属ベース板1として、図4乃至図6に示した従来の電力用半導体装置が必要とした高価な銅−モリブテン合金材等を不要とし、前記窒化アルミと熱膨張係数の差が大きいが、熱伝導性が良好で極めて安価な銅材の採用を可能とし、前記ヒートサイクルや前記熱履歴に対する裏面パターン5の半田層9の耐クラック性を犠牲にすることなく、電力用半導体装置の大容量化と小型、コンパクト化を両立させると共に、低コスト化を達成した。
【0045】
なお、実施の形態1としての電力用半導体装置においては、金属ベース板1として銅材を、絶縁基板2として、窒化アルミ材の絶縁板3に銅材(銅箔)からなる裏面パターン5を形成したものを用いたが、金属ベース板1としてアルミ材を用いても、また、絶縁板3としてアルミナ、窒化珪素等のセラミック材を用い、窒化アルミを含む前記セラミック材製の絶縁板3に銅材またはアルミ材からなる裏面パターン5を形成した絶縁基板2を用いても同様な効果が得られる。
【0046】
また、上記金属ベース板1と絶縁基板2の裏面パターン5とを接合する接合材として半田を用いたが、この半田として鉛を含まない(Pbフリー)半田を用いてもよく、また、半田以外の接合材として、銀ロウや、銀ペーストエポキシ接着剤等を用いても、同様な効果が得られる。
【0047】
【発明の効果】
この発明は、以上のように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【0048】
絶縁基板における裏面パターン上に位置する一対の回路パターンを、前記絶縁基板の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びると共に中心対称のL字状に形成し、前記一対の回路パターン上に電力用スイッチング半導体素子をフリーホイールダイオードと電極パターン領域とで挟むように配設したので、発熱量の大きな前記電力用スイッチング半導体素子が前記裏面パターンの角部から離れた位置に配設され、通常、ヒートサイクルや前記電力用スイッチング半導体素子の運転、停止による熱履歴に起因し、裏面パターン角部から発生する接合材のクラックに対する耐量が大きな高信頼性の電力用半導体装置が得られる効果がある。
【0049】
また、前記一対の回路パターンにおける電極パターン領域の夫々に、補助電極板を接合したので、該補助電極板の板厚を厚くした分、その幅寸法を狭くできるために前記電極パターン領域のパターン幅を狭くでき、結果的に、前記絶縁基板および前記金属ベース板のサイズの小形化が図れ、高信頼性でコンパクトな電力用半導体装置が得られる効果がある。
【0050】
さらに、一対の回路パターンの夫々に電力用スイッチング半導体素子とフリーホイールダイオードとを相互にたすき掛け状に配設すると共に、一対の電極パターン領域を絶縁基板の平行する一対の辺の夫々に沿って形成し、一対の補助電極板で2組の前記電力用スイッチング半導体素子および前記フリーホイールダイオード素子を挟むように、前記一対の補助電極板を対応する前記一対の電極パターン領域に接合したので、発熱体である前記電力用スイッチング半導体素子および前記フリーホイールダイオード素子が裏面パターンの4つの角部の夫々から離れた位置に配設された絶縁基板を比較的小型に製作でき、小型、コンパクトでありながらヒートサイクルや前記電力用スイッチング半導体素子の運転、停止による熱履歴に起因する接合材のクラックに対する耐量に優れた高信頼性の電力用半導体装置が得られる効果がある。
【0051】
また、セラミック材に銅またはアルミ材からなる裏面パターンおよび一対の回路パターンを形成した絶縁基板と、銅材若しくはアルミ材からなる金属ベース板とを半田付けした構成としたので、冷却特性に優れると共に安価な電力用半導体装置が得られる効果がある。
【0052】
さらに、絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子を、夫々1辺が14mm以上であると共に、前記絶縁基板の主面上における半径25mm以内の寸法領域に収め得る上限寸法を有するものとしたので、大容量ながらコンパクトかつ長寿命の電力用半導体装置が得られる効果がある。
【0053】
さらにまた、絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子における、裏面パターンの角部に最も近い位置、若しくはその近傍に温度センサを配設したので、電力用スイッチング半導体素子の熱破壊前に、異常昇温を感知して製品寿命を事前に把握できる高信頼性の電力用半導体装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1としての電力用半導体装置における金属ベース絶縁基板の平面図である。
【図2】 図1に示した電力用半導体装置のる金属ベース絶縁基板におけるA−A断面図である。
【図3】 図1に示した電力用半導体装置におけるス絶縁基板の裏面から見た平面図である。
【図4】 従来の電力用半導体装置の平面図である。
【図5】 図4に示した電力用半導体装置におけるB−B断面図である。
【図6】 図5に示した電力用半導体装置における金属ベース絶縁基板の平面図である。
【図7】 図1および図4に示した電力用半導体装置に共通する主回路の回路図である。
【符号の説明】
1 金属ベース板、2 絶縁基板、3 絶縁板、4 回路パターン、4a 電極パターン領域、5 裏面パターン、5a 角部、6 IGBT、6a 温度センサ端子、7 フリーホイールダイオード、8 補助電極板、9、9A 半田層、9b 微細亀裂、12 主回路端子
Claims (6)
- 裏面に、金属ベース板上に接合材で接合される裏面パターンを、表面に一対の回路パターンを前記裏面パターン上に位置するように配設した絶縁基板を有し、前記回路パターンの夫々に、電力用スイッチング半導体素子と該電力用スイッチング半導体素子と対をなすフリーホイールダイオードとを配設すると共に電極パターン領域を設けた電力用半導体装置において、前記一対の回路パターンを前記絶縁基板の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びると共に中心対称のL字状に形成し、前記一対の回路パターン上に前記電力用スイッチング半導体素子を前記フリーホイールダイオードと前記電極パターン領域とで挟むように配設したことを特徴とする電力用半導体装置。
- 一対の回路パターンにおける電極パターン領域の夫々に、補助電極板を接合したことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 一対の回路パターンの夫々に電力用スイッチング半導体素子とフリーホイールダイオードとを相互にたすき掛け状に配設すると共に、一対の電極パターン領域を絶縁基板の平行する一対の辺の夫々に沿って形成し、一対の補助電極板で2組の前記電力用スイッチング半導体素子および前記フリーホイールダイオード素子を挟むように、前記一対の補助電極板を対応する前記一対の電極パターン領域に接合したことを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 絶縁基板はセラミック材に銅またはアルミ材からなる裏面パターンおよび一対の回路パターンを形成したものであり、金属ベース板は銅材若しくはアルミ材からなり、前記絶縁基板と前記金属ベース板とを接合する接合材は半田であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかの1項に記載の電力用半導体装置。
- 絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子は、夫々1辺が14mm以上であると共に、前記絶縁基板の主面上における半径25mm以内の寸法領域に収め得る上限寸法を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかの1項に記載の電力用半導体装置。
- 絶縁基板の一対の回路パターン上に夫々配設した一対の電力用スイッチング半導体素子における、裏面パターンの角部に最も近い位置若しくはその近傍に温度センサを配設したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかの1項に記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000260521A JP4089143B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 電力用半導体装置 |
US09/791,794 US6563211B2 (en) | 2000-08-30 | 2001-02-26 | Semiconductor device for controlling electricity |
FR0104248A FR2813440B1 (fr) | 2000-08-30 | 2001-03-29 | Dispositif a semiconducteur pour la commande d'energie electrique |
DE10121554A DE10121554C2 (de) | 2000-08-30 | 2001-05-03 | Halbleiterbauelement zum Steuern von Elektrizität (Leistungsmodul) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000260521A JP4089143B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076256A JP2002076256A (ja) | 2002-03-15 |
JP4089143B2 true JP4089143B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=18748514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000260521A Expired - Fee Related JP4089143B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 電力用半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6563211B2 (ja) |
JP (1) | JP4089143B2 (ja) |
DE (1) | DE10121554C2 (ja) |
FR (1) | FR2813440B1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4715040B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-07-06 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
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DE10239512A1 (de) | 2002-08-28 | 2004-03-11 | Minebea Co. Ltd., A Japanese Corporation | Anordnung zur Unterbringung der Leistungs- und Steuerelektronik eines Elektromotors |
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DE10333328B3 (de) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik |
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EP3178110A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-06-14 | ABB Schweiz AG | Semiconductor module |
US10804253B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6818500B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2021-01-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
US10288696B2 (en) | 2016-11-16 | 2019-05-14 | Industrial Technology Research Institute | Intelligent diagnosis system for power module and method thereof |
JP7187992B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-12-13 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび車両 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59304797D1 (de) * | 1992-08-26 | 1997-01-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiter-Modul |
US6028348A (en) * | 1993-11-30 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Low thermal impedance integrated circuit |
JP3228839B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2001-11-12 | 株式会社日立製作所 | 電力用半導体装置 |
JP3357220B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH09199645A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体モジュール |
JP3168901B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2001-05-21 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JPH09312357A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
DE19645636C1 (de) * | 1996-11-06 | 1998-03-12 | Telefunken Microelectron | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren |
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US6278181B1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-08-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked multi-chip modules using C4 interconnect technology having improved thermal management |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000260521A patent/JP4089143B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-26 US US09/791,794 patent/US6563211B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-29 FR FR0104248A patent/FR2813440B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-03 DE DE10121554A patent/DE10121554C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6563211B2 (en) | 2003-05-13 |
DE10121554A1 (de) | 2002-03-28 |
DE10121554C2 (de) | 2003-03-27 |
JP2002076256A (ja) | 2002-03-15 |
FR2813440A1 (fr) | 2002-03-01 |
FR2813440B1 (fr) | 2004-07-09 |
US20020047132A1 (en) | 2002-04-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040707 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060320 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
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