JPWO2016051781A1 - 貫通電極付ガラス基板の製造方法及びガラス基板 - Google Patents

貫通電極付ガラス基板の製造方法及びガラス基板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016051781A1
JPWO2016051781A1 JP2016551545A JP2016551545A JPWO2016051781A1 JP WO2016051781 A1 JPWO2016051781 A1 JP WO2016051781A1 JP 2016551545 A JP2016551545 A JP 2016551545A JP 2016551545 A JP2016551545 A JP 2016551545A JP WO2016051781 A1 JPWO2016051781 A1 JP WO2016051781A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
altered
electrode
main surface
forming step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016551545A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6914656B2 (ja
Inventor
常友　啓司
啓司 常友
秀樹 橋爪
秀樹 橋爪
大川　和哉
和哉 大川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Sheet Glass Co Ltd filed Critical Nippon Sheet Glass Co Ltd
Publication of JPWO2016051781A1 publication Critical patent/JPWO2016051781A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6914656B2 publication Critical patent/JP6914656B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/30—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76805—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics the opening being a via or contact hole penetrating the underlying conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本発明に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板（１０）にレーザーを照射することによって変質部を形成し、ガラス基板（１０）の一方の主面に、変質部（１２）の位置に応じて第一導電部（２０ａ）を形成し、エッチング液を用いて少なくとも変質部（１２）をエッチングすることによって、第一導電部を形成した後に、ガラス基板（１０）に貫通孔（１４）を形成する。これにより、ガラス基板に回路など導電部を形成するときのガラス基板の取扱いのしやすさが確保され、かつ、ガラス基板に形成された回路などの導電部の損傷を抑制しつつ比較的短時間でガラス基板に貫通孔を形成できる。

Description

本発明は、貫通電極付ガラス基板の製造方法及び貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板に関する。
従来、例えば、ＬＳＩ（Large-Scale Integration）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）を用いた実装技術が知られている。貫通電極を有するシリコン基板は、例えば、インターポーザとして広く用いられている。インターポーザは、配線のデザインルールがそれぞれ異なる、ＩＣ（Integrated Circuit）及びプリント基板のように、端子間距離が異なる基板同士を中継する基板である。
非特許文献１に記載されているように、シリコン基板にＴＳＶを形成するにあたり、トランジスタなどの素子や電極などの回路を形成させる工程の前後又はその工程の間に、ＴＳＶを形成させる方法が知られている。
ＴＳＶ技術は、シリコン基板が高価であることに加え、シリコンが半導体であることに起因してシリコン基板に貫通孔を形成する前後に絶縁処理を行う必要があるので、コストが高いという問題を有する。そこで、例えば、インターポーザのコストを低減するために、安価なガラス基板にガラス貫通電極（ＴＧＶ：Through Glass Via）を形成した貫通電極付ガラス基板が注目されている。
ＴＧＶ技術においては、ガラス基板に貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板に貫通孔を形成する技術としては、例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザーの照射によって貫通穴を形成する技術が知られている。また、特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な穴を形成する方法が記載されている。特許文献２に記載の方法では、感光性ガラス基板上の所定の位置にフォトマスクを配置し、紫外線を照射し、潜像が形成される。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して潜像を結晶化させる。次に、潜像が形成された部分の中央に潜像より小さい加工先穴をレーザー光により形成する。次に、フッ酸によりエッチングする。これにより、結晶化された部分が選択的にエッチングされて穴が形成される。特許文献３には、板ガラスの両面から相対向した同一軸心上の上下一対のコアドリルにより板ガラスに穿孔する方法が記載されている。
特開２０００−０６１６６７号公報 特開２００１−１０５３９８号公報 特開昭５４−１２６２１５号公報
吉永孝司及び野村稔、「３次元ＬＳＩ実装のためのＴＳＶ技術の研究開発の動向」、科学技術動向、科学技術・学術政策研究所、２０１０年４月号、Ｎｏ．１０９、ｐ．２３−３４
ガラス基板に貫通孔を形成することによりガラス基板の機械的強度が低下する可能性がある。このため、貫通電極付ガラス基板の製造にあたって、貫通孔が形成されたガラス基板の一方の主面に回路などの導電部を形成する場合、ガラス基板に回路など導電部を形成するときにガラス基板の取扱いが難しい。一方、ガラス基板の一方の主面に回路などの導電部を形成した後にガラス基板に貫通孔を形成する場合、ガラス基板へのレーザーの照射によってガラス基板に貫通孔を形成することが難しい。なぜなら、レーザーの照射に伴う発熱によって、ガラス基板に形成された回路などの導電部に損傷が生じる可能性があるからである。ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかし、ドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。
本発明は、このような事情に鑑みて、貫通電極付ガラス基板の製造方法において、ガラス基板に回路など導電部を形成するときのガラス基板の取扱いのしやすさを確保し、かつ、ガラス基板に形成された回路などの導電部の損傷を抑制しつつ比較的短時間でガラス基板に貫通孔を形成することを目的とする。
本発明は、
ガラス基板にレーザーを照射することによって、前記ガラス基板のレーザーが照射された部分に変質部を形成する変質部形成工程と、
前記変質部が形成された前記ガラス基板の一方の主面に、前記変質部の位置に応じて第一導電部を形成する第一導電部形成工程と、
前記ガラス基板の前記変質部が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも前記変質部に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも前記変質部をエッチングすることによって、前記第一導電部形成工程の後に、前記ガラス基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の内部に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えた、
貫通電極付ガラス基板の製造方法を提供する。
また、本発明は、
貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板であって、
レーザーが照射されることによって形成された変質部と、
前記ガラス基板の一方の主面に形成されるべき導電部と前記変質部との位置合わせのための位置合わせ部とを備えた、ガラス基板を提供する。
本発明によれば、第一導電部形成工程の後に、ガラス基板に貫通孔が形成されるので、第一導電部形成工程では、ガラス基板が高い機械的強度を有する。このため、ガラス基板に回路など導電部を形成するときにガラス基板を取扱いやすい。また、ガラス基板にレーザーを照射することによって変質部を形成し、上記のエッチングレートを有するエッチング液を用いて変質部をエッチングしてガラス基板に貫通孔を形成するので、ガラス基板に形成された回路などの導電部の損傷を抑制しつつ比較的短期間でガラス基板に貫通孔を形成できる。
第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板の平面図 貫通電極付ガラス基板がインターポーザとして用いられている一例を示す断面図 第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、変質部形成工程と、第一導電部形成工程と、貫通孔形成工程と、貫通電極形成工程とを備えている。図１の（ａ）に示すように、変質部形成工程は、ガラス基板１０にレーザーＬを照射することによって、ガラス基板１０のレーザーＬが照射された部分に変質部１２を形成する工程である。図１の（ｂ）に示すように、第一導電部形成工程は、変質部１２が形成されたガラス基板１０の一方の主面に、変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する工程である。図１の（ｄ）に示すように、貫通孔形成工程は、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも変質部１２をエッチングすることによって、第一導電部形成工程の後に、ガラス基板１０に貫通孔１４を形成する工程である。貫通電極形成工程は、図１の（ｅ）に示すように、貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成する工程である。
まず、変質部形成工程について説明する。本工程及び後述する後工程であるエッチングによる貫通孔形成工程に関し、特開２００８−１５６２００号公報に記載の方法を適用することができる。変質部形成工程において、レーザーＬは、例えば、所定のパルス幅を有するパルスレーザーである。レーザーＬの照射は、例えば、波長λのパルスレーザーをレンズで集光してガラス基板１０に照射することによって行われる。この場合、レーザーＬのパルス幅は、特に制限されない。レーザー照射装置のコストを抑制しつつ、レーザーＬの尖頭値を所定値以上にする観点から、レーザーＬのパルス幅は、例えば、１ｎｓ（ナノ秒）〜２００ｎｓであり、好ましくは１ｎｓ〜１００ｎｓ、より好ましくは５ｎｓ〜５０ｎｓである。
レーザーＬは、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの高調波、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザーの高調波、又はＮｄ：ＹＬＦレーザーの高調波である。この場合、高調波は、例えば、第２高調波、第３高調波、又は第４高調波である。第２高調波の波長は、５３２ｎｍ〜５３５ｎｍ近傍であり、第３高調波の波長は、３５５ｎｍ〜３５７ｎｍ近傍であり、第４高調波の波長は、２６６ｎｍ〜２６８ｎｍの近傍である。このようなレーザーＬを用いることによって、ガラス基板１０に安価に変質部１２を形成できる。
ガラス基板１０に微小な貫通孔を形成できるように、レーザーＬの照射スポットを所定値以下にする観点から、レーザーＬの波長λは、例えば、５３５ｎｍ以下であり、好ましくは３６０ｎｍ以下であり、より好ましくは３５０ｎｍ〜３６０ｎｍである。
レーザーＬが有するエネルギーは、特に制限されないが、ガラス基板１０の材質又はガラス基板１０に形成すべき変質部１２の寸法などに応じたエネルギーであることが好ましい。レーザーＬが有するエネルギーは、例えば、５μＪ／パルス〜１００μＪ／パルスである。レーザーＬのエネルギーを増加させることによって、それに比例するように変質部１２の長さを長くすることができる。レーザーＬのビーム品質Ｍ2は、例えば、２以下である。この場合、ガラス基板１０に微小な貫通孔を形成しやすい。
波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、例えば、５０ｃｍ-1以下である。この場合、レーザーＬのエネルギーがガラス基板１０の表面近傍で吸収されることを軽減して、ガラス基板１０の内部に変質部１２が形成されやすくなる。波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、好ましくは、０．１ｃｍ-1〜２０ｃｍ-1である。なお、波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数が０．１ｃｍ-1未満であっても、ガラス基板１０の内部に変質部１２を形成することはできる。波長λにおける吸収係数が５０ｃｍ-1以下であるガラスは、公知のガラスから選択することができる。
ガラス基板１０を構成するガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、チタン含有シリケートガラス、又は無アルカリガラスを好ましく用いることができる。この場合、波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、少なくとも０．１ｃｍ-1以上である。
波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を高めるために、ガラス基板１０を構成するガラスは、Ｂｉ（ビスマス）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、及びＴｉ（チタン）からなる群から選ばれる金属の酸化物の少なくとも１種を着色成分として含んでいてもよく、さらに必要に応じて着色成分として機能する上記以外の金属の酸化物が含まれていてもよい。
ガラス基板１０を構成するガラスがホウケイ酸ガラスである場合、コーニング社の♯７０５９又はパイレックス（登録商標）を用いることができる。
ガラス基板１０を構成するガラスがアルミノシリケートガラスである場合、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で表して、
ＳｉＯ2 ５８〜６６％、
Ａｌ2Ｏ3 １３〜１９％、
Ｌｉ2Ｏ ３〜４．５％、
Ｎａ2Ｏ ６〜１３％、
Ｋ2Ｏ ０〜５％、
Ｒ2Ｏ １０〜１８％（ただし、Ｒ2Ｏ＝Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ）、
ＭｇＯ ０〜３．５％、
ＣａＯ １〜７％、
ＳｒＯ ０〜２％、
ＢａＯ ０〜２％、
ＲＯ ２〜１０％（ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、
ＴｉＯ2 ０〜２％、
ＣｅＯ2 ０〜２％、
Ｆｅ2Ｏ3 ０〜２％、
ＭｎＯ ０〜１％（ただし、ＴｉＯ2＋ＣｅＯ2＋Ｆｅ2Ｏ3＋ＭｎＯ＝０．０１〜３％）、ＳＯ3 ０．０５〜０．５％の組成を有するガラス組成物。
また、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で示して、
ＳｉＯ2 ６０〜７０％、
Ａｌ2Ｏ3 ５〜２０％、
Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ５〜２５％、
Ｌｉ2Ｏ ０〜１％、
Ｎａ2Ｏ ３〜１８％、
Ｋ2Ｏ ０〜９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜２０％、
ＭｇＯ ０〜１０％、
ＣａＯ １〜１５％、
ＳｒＯ ０〜４．５％、
ＢａＯ ０〜１％、
ＴｉＯ2 ０〜１％、
ＺｒＯ2 ０〜１％、
からなる組成を有するガラス組成物。
さらに、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で示して、
ＳｉＯ2 ５９〜６８％、
Ａｌ2Ｏ3 ９．５〜１５％、
Ｌｉ2Ｏ ０〜１％、
Ｎａ2Ｏ ３〜１８％、
Ｋ2Ｏ ０〜３．５％、
ＭｇＯ ０〜１５％、
ＣａＯ １〜１５％、
ＳｒＯ ０〜４．５％、
ＢａＯ ０〜１％、
ＴｉＯ2 ０〜２％、
ＺｒＯ2 １〜１０％、
を含むガラス組成物。
また以下のガラス組成物を用いることができる。
質量％で表して、
ＳｉＯ2 ５０〜７０％、
Ａｌ2Ｏ3 １４〜２８％、
Ｎａ2Ｏ １〜５％、
ＭｇＯ １〜１３％、及び
ＺｎＯ ０〜１４％、
を含むガラス組成物。
さらに、以下のガラス組成物を用いてもよい。
質量％で表して、
ＳｉＯ2 ５６〜７０％、
Ａｌ2Ｏ3 ７〜１７％、
Ｌｉ2Ｏ ４〜８％、
ＭｇＯ １〜１１％、
ＺｎＯ ４〜１２％、
Ｌｉ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ １４〜２３％、
Ｂ2Ｏ3 ０〜９％、および
ＣａＯ＋ＢａＯ ０〜３％
ＴｉＯ2 ０〜２％、
からなるガラス組成物。
ガラス基板１０を構成するガラスがソーダライムガラスである場合、例えば板ガラスに広く用いられるガラス組成物を用いることができる。
また、ガラス基板１０を構成するガラスがチタン含有シリケートガラスである場合、例えば、ＴｉＯ2を５モル％以上含有することによって波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を１以上にすることができ、ＴｉＯ2を１０モル％以上含有することによって波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を４以上にすることができる。さらに、必要に応じて、上述した着色成分として機能する金属の酸化物が含まれていてもよい。
ガラス基板１０を構成するガラスがチタン含有シリケートガラスである場合、例えば、以下のガラス組成物を用いることができる。
モル％で表示して、
５０≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）≦７９モル％、
５≦（Ａｌ2Ｏ3＋ＴｉＯ2）≦２５モル％、
５≦（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＋Ｒｂ2Ｏ＋Ｃｓ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦２５モル％、
ただし、５≦ＴｉＯ2≦２５モル％である、ガラス組成物。
また上記のチタン含有シリケートガラスにおいて、
（Ａｌ2Ｏ3＋ＴｉＯ2）／（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＋Ｒｂ2Ｏ＋Ｃｓ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦０．９、
であることが好ましい。
さらに上記チタン含有シリケートガラスにおいて、
７０≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）≦７９モル％、
１０≦ＴｉＯ2≦１５モル％、
１０≦Ｎａ2Ｏ≦１５モル％、
であることが好ましい。
加えて上記チタン含有シリケートガラスにおいて、前記ガラスの熱膨張係数が１００×１０-7℃-1以下であることが好ましい。
ガラス基板１０を構成するガラスが無アルカリガラスである場合、例えば以下のガラス組成物を用いることができる。
モル％で表示して、
４５≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3）≦８０モル％、
７≦Ａｌ2Ｏ3≦１５モル％、
０≦ＴｉＯ2≦５モル％、
２≦（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦２０モル％
を含み、実質的にアルカリ金属酸化物を含まないガラス組成物。
ガラス基板１０をインターポーザとして用いる場合、信号の伝送特性を向上させるために、高周波帯域での誘電損失を低減させることが重要である。ガラス基板に高周波の電圧を印加した場合、電力損失は比誘電率εrと誘電正接tanδとの積に比例する。このため、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下であるガラスでガラス基板１０が構成されていることが好ましい。この場合、ガラス基板１０を構成するガラスの、１ＧＨｚにおける比誘電率εrは６以下であることがより好ましい。また、ガラス基板１０を構成するガラスの、１ＧＨｚにおける誘電正接tanδは、０．００８以下であることがより好ましい。
インターポーザとして用いられるガラス基板１０を構成するのに適したガラスは、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である限り、特に制限されない。例えば、表１に記載のガラスをインターポーザとして用いられるガラス基板１０を構成するのに適したガラスとして挙げることができる。なお、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εr及び誘電正接tanδは、空洞共振器摂動法を用いて測定することができる。この方法は、共振器内に微小な誘電体又は磁性体を挿入した際に生じる共振周波数の変化を測定し、摂動法を用いて材料の複素誘電率や複素透磁率を算出する方法である。表１に記載のガラスの比誘電率εr及び誘電正接tanδの測定は、２５℃において、１ＧＨｚ用の空洞共振器とネットワークアナライザ（Agilent Technologies社製 E8361A）を使用して行った。
Figure 2016051781
ガラス基板１０を構成するガラスが、高い剛性を有すると、レーザーＬを照射したときに、ガラス基板１０の上面及び下面において割れが発生しづらい。このため、例えば、ガラス基板１０を構成するガラスのヤング率が８０ＧＰａ以上であることが好ましい。
なお、吸収係数は、厚さｄ(たとえば約０．１ｃｍ)のガラスのサンプルの透過率および反射率を測定することによって算出できる。まず、厚さｄ(ｃｍ)のガラスのサンプルについて、透過率Ｔ(％)と、入射角１２°における反射率Ｒ(％)とを測定する。透過率Ｔ及び反射率Ｒは、島津製作所社製の分光光度計ＵＶ―３１００型を用いて測定できる。そして、測定値から以下の式を用いてガラスの吸収係数αを算出できる。
α＝ｌｎ（（１００−Ｒ）／Ｔ）／ｄ
レンズの焦点距離Ｆ（ｍｍ）は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍであり、好ましくは１００ｍｍ〜２００ｍｍである。
また、パルスレーザーのビーム径Ｄ（ｍｍ）は、例えば１ｍｍ〜４０ｍｍであり、好ましくは３ｍｍ〜２０ｍｍである。ここで、ビーム径Ｄは、レンズに入射する際のパルスレーザーのビーム径であり、ビームの中心の強度に対して強度が［１／ｅ2］倍となる範囲の直径を意味する。
焦点距離Ｆをビーム径Ｄで除した値、すなわち［Ｆ／Ｄ］の値は、７以上であり、好ましくは７以上４０以下であり、より好ましくは１０以上２０以下である。この値は、ガラスに照射されるレーザーの集光性に関係する値である。Ｆ／Ｄが７以上であると、ビームウェスト近傍でレーザーパワーが強くなりすぎることを防止でき、ガラス基板１０の内部にクラックが発生することを防止できる。
レーザーＬをガラス基板１０に照射する前にガラス基板１０に対して前処理を行うこと、例えば、レーザーＬの吸収を促進するような膜を形成することは不要である。ただし、場合によっては、そのような処理を行ってもよい。
図１の（ａ）に示すように、ガラス基板１０のレーザーＬが照射された部分に変質部１２が形成される。変質部１２は、通常、光学顕微鏡を用いた観察によって他の部分と見分けることができる。変質部１２は、レーザー照射によって光化学的な反応が起き、E'センターや非架橋酸素などの欠陥が生じた部位やレーザー照射の急熱・急冷によって発生した、高温度域における疎なガラス構造を保持した部位等である。変質部１２は、ガラス基板１０の通常部よりも所定のエッチング液に対して、エッチングされやすい。
変質部形成工程では、例えば、ガラス基板１０の内部にフォーカスされるようにレーザーＬをガラス基板１０に照射する。変質部１２は、貫通孔形成工程においてガラス基板１０に貫通孔を容易に形成できるように形成されている。このため、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向の中央付近にフォーカスされるようにレーザーＬがガラス基板１０に照射される。また、変質部１２をガラス基板１０に形成できる限り、ガラス基板１０の外部にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよい。例えば、ガラス基板１０のレーザーＬが入射する側の面から所定の距離(たとえば１．０ｍｍ)だけ離れた位置にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよく、ガラス基板１０のレーザーＬが入射する側の面と反対側の面から所定の距離(たとえば１．０ｍｍ)だけ離れた位置にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよい。換言すると、ガラス基板１０に変質部１２が形成できる限り、レーザーＬは、ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面からレーザーＬが進行する方向と逆の方向に１．０ｍｍ以内の範囲にある位置（ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面を含む）、レーザーＬが入射する側の面と反対側の面から、ガラス基板１０を透過したレーザーＬが進行する方向に１．０ｍｍ以内にある位置(ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面と反対側の面を含む)、又はガラス基板１０の内部にフォーカスされてもよい。
変質部１２の大きさは、レンズに入射する際のレーザーＬのビーム径Ｄ、レンズの焦点距離Ｆ、ガラス基板１０を構成するガラスの吸収係数、パルスレーザーのパワーなどによって変化する。これらのパラメータを調整することによって、例えば、直径が１０μｍ以下でガラス基板１０の厚み方向における長さが１００μｍ以上である円柱状の変質部１２を形成することができる。
変質部形成工程において選択される条件の一例を表２に示す。
Figure 2016051781
変質部形成工程において、図１の（ａ）に示すように、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面からその一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように変質部１２を形成してもよい。換言すると、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及びガラス基板１０の他方の主面で露出するように変質部１２が形成される。この場合、変質部１２を露出させるために、貫通孔形成工程に先立ってガラス基板１０の研磨を行う必要がない。また、貫通孔形成工程の当初から、所定のエッチング液が、ガラス基板１０の他方の主面側で変質部１２に接するので、比較的短時間でガラス基板１０に貫通孔１４を形成できる。
次に、第一導電部形成工程について説明する。図１の（ｂ）に示すように、第一導電部２０ａが、ガラス基板１０における変質部１２の位置に応じて、ガラス基板１０の一方の主面上に形成される。具体的に、第一導電部形成工程において、ガラス基板１０を平面視したときに、第一導電部２０ａの一部と変質部１２とが重なるように第一導電部２０ａが形成される。ガラス基板１０における変質部１２の位置には、図１の（ｅ）に示すように、貫通電極３０が最終的に形成される。このため、貫通電極３０と第一導電部２０ａとの電気的な接続を確保するために、ガラス基板１０の一方の主面において、変質部１２の真上に第一導電部２０ａの一部が形成されることが好ましい。
このように、第一導電部２０ａは、ガラス基板１０の一方の主面における第一導電部２０ａの配置が、ガラス基板１０における変質部１２の位置と所定の位置関係となるように形成される必要がある。このため、第一導電部形成工程において、ガラス基板１０における変質部１２の位置を正確に把握する必要がある。しかし、変質部１２をガラス基板１０の変質部１２以外の部分と見分けることが難しい可能性がある。そこで、例えば、図２に示すように、貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板１０は、変質部１２と、ガラス基板１０の一方の主面に形成されるべき導電部（第一導電部２０ａ）と変質部１２との位置合わせのための位置合わせ部１６とを備えているとよい。変質部１２は、上記の通り、ガラス基板１０にレーザーが照射されることによって形成されている。位置合わせ部１６は、例えば、図２に示すように、ガラス基板１０の一方の主面において変質部１２の真上に形成されたマークである。また、位置合わせ部１６は、ガラス基板１０の一方の主面における変質部１２の真上の地点から所定の距離だけ離れて形成されたマークであってもよい。位置合わせ部１６は、ガラス基板１０の一方の主面に形成されるべき導電部（第一導電部２０ａ）と変質部１２との位置合わせのために用いられるものである限り、特に限定されない。
この場合、第１実施形態の貫通電極付ガラス基板の製造方法は、変質部形成工程の後であって、かつ、第一導電部形成工程の前、又は、変質部形成工程の前に、変質部１２と、第一導電部形成工程において形成されるべき第一導電部２０ａとの位置合わせを行うための位置合わせ部１６を形成する位置合わせ部形成工程をさらに備える。
なお、変質部１２をガラス基板１０の変質部１２以外の部分と見分けることが容易である場合、位置合わせ部１６を省略してもよい。このとき、形成された変質部のいずれか、又は、貫通孔の形成が予定されていない変質部を、位置合わせ部１６として用い、変質部１２と第一導電部２０ａとの位置合わせに利用してもよい。
ガラス基板１０における変質部１２の位置を確認したうえで、第一導電部２０ａが形成される。第一導電部２０ａを形成する方法は特に制限されない。例えば、ガラス基板１０の一方の主面の第一導電部２０ａを形成すべき部分以外の部分をマスキングしつつ、Ｃｕ（銅）等の金属材料をガラス基板１０の一方の主面にスパッタリング又は蒸着させることによって、第一導電部２０ａを形成できる。また、ガラス基板１０の一方の主面の全体にめっきによって金属薄層を形成した後にフォトリソグラフィによって金属薄層の不要な部分を除去して、第一導電部２０ａを形成してもよい。また、導電性を有するインクをインクジェットによってガラス基板１０の一方の主面に付着させて第一導電部２０ａを形成してもよい。第一導電部２０ａは、貫通電極付ガラス基板において、例えば、回路パターン又は電極として機能する。このように、貫通孔１４が形成される前に第一導電部２０ａが形成されるので、第一導電部形成工程では、ガラス基板１０が高い機械的強度を有する。このため、ガラス基板１０に導電部を形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。
第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、図１の（ｃ）のように、保護膜形成工程をさらに備えていてもよい。保護膜形成工程は、第一導電部２０ａを貫通孔形成工程で使用されるエッチング液から保護するための保護膜２２を貫通孔形成工程の前に第一導電部２０ａの表面に形成する工程である。保護膜２２は、貫通孔形成工程の後に除去できるように剥離可能な膜であることが好ましい。保護膜２２としては、例えば、耐エッチング性を有するシリコーン樹脂又は耐エッチング性を有するフィルムを用いることができる。場合によっては、保護膜形成工程は省略可能である。
次に、貫通孔形成工程について説明する。貫通孔形成工程は、第一導電部形成工程の後に行われる。貫通孔形成工程には、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて行われる。すなわち、貫通孔形成工程はウェットエッチングによって行われる。このようなエッチング液としては、たとえばフッ酸(フッ化水素(ＨＦ)の水溶液)を用いることができる。また、硫酸(Ｈ2ＳＯ4)やその水溶液、硝酸(ＨＮＯ3)やその水溶液、または塩酸(塩化水素(ＨＣｌ)の水溶液)を用いてもよい。また、これらの酸の混合物を用いてもよい。エッチング液としてフッ酸を用いた場合、変質部１２のエッチングが進みやすく、短時間に貫通孔１４を形成できる。エッチング液として硫酸を用いた場合、変質部１２以外のガラスがエッチングされにくく、テーパー角度の小さいストレートな貫通孔１４を形成できる。
エッチング時間及びエッチング液の温度は、変質部１２の形状や寸法に応じて適宜選択される。なお、エッチング時のエッチング液の温度を高くすることによって、エッチング速度を高めることができる。また、エッチング条件によって、貫通孔１４の直径を制御することができる。
ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成された主面と反対側の主面からエッチングが行われる。変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。これにより、図１の（ｄ）に示すように、ガラス基板１０の変質部１２が存在していた位置に貫通孔１４が形成される。第一導電部２０ａは、エッチング液に侵されず、ガラス基板１０と第一導電部２０ａとの界面で、エッチングが停止する。これにより、ガラス基板１０に形成された第一導電部２０ａの損傷を抑制できる。
次に、貫通電極形成工程について説明する。貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成できる限り、貫通電極３０を形成する方法は特に制限されない。例えば、Ｃｕ（銅）などの金属を用いためっきによって、貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成できる。ガラス基板１０に直接めっきを施すことは難しい。このため、例えば、貫通電極３０をなす導電材料を付着させるためのシード層を少なくとも貫通孔１４の内周面に形成したうえで、めっきによって貫通電極３０を形成する。シード層は、貫通孔１４の内周面を含むガラス基板１０の表面を例えばＰｄ（パラジウム）を含む触媒と接触させることによって形成することができる。これにより、ガラス基板１０に無電解めっきを施すことができる。ガラス基板１０をめっきする金属は、特に制限されないが、導電性を高め、製造コストを低減する観点から、Ｃｕ（銅）であることが好ましい。ガラス基板１０の、第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面及び貫通孔１４の内周面にめっきを施す。無電解めっきによって、所定の厚みを有する金属層３２が、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面に形成されると、ガラス基板１０の第一導電部２０ａの反対側で導電性が確保される。この場合、電解めっきによってより効率的にめっきを行ってもよい。すなわち、無電解めっきと電解めっきとを組み合わせてガラス基板１０に対してめっきを施してもよい。
図１の（ｆ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層３２は、例えば、研磨によって除去されてもよい。そのうえで、例えば、図１の（ｇ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面に第二導電部２０ｂを形成する。このとき、保護膜２２を除去する。第二導電部２０ｂは、第一導電部２０ａを形成する方法として上述した方法と同様の方法で形成できる。なお、第一導電部２０ａを形成する方法と、第二導電部２０ｂを形成する方法とが異なっていてもよい。このように、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面に第二導電部２０ｂを形成する第二導電部形成工程をさらに備えていてもよい。このようにして、貫通電極付ガラス基板１ａを製造できる。
図１の（ｈ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層３２の一部を除去することによって、第二導電部２０ｂを形成してもよい。例えば、フォトリソグラフィによって、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層のうち、第二導電部２０ｂとして必要な部分のみを残し、かつ、不要な部分を除去する。この場合、レジストの除去とともに保護膜２２を除去することもできる。このようにして、貫通電極付ガラス基板１ｂを製造できる
このようにして、貫通電極付ガラス基板１ａ又は貫通電極付ガラス基板１ｂが得られる。貫通電極付ガラス基板１ａは、例えば、図３に示すように、インターポーザとして用いられる。例えば、第一導電部２０ａが、ＩＣ、受光素子、又は発光素子等の電子デバイス５０ａに電気的に接続され、第二導電部２０ｂが、半田ボール４０などを介して印刷回路基板（図示省略）に電気的に接続される。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。
図４の（ｉ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の一方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の一方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべき、ガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の他方の主面で露出しないように変質部１２を形成する。
このように変質部１２が形成されたガラス基板１０を用いて、図４の（ｊ）に示すように、ガラス基板１０の一方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。その後、図４の（ｋ）に示すように、貫通孔形成工程の前に、ガラス基板１０を他方の主面側から研磨して変質部１２を露出させる。すなわち、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０を研磨して貫通孔形成工程の前に変質部を露出させる研磨工程をさらに備えている。
その後、ガラス基板１０を、図１の（ｄ）〜（ｈ）の工程に従って加工することによって、貫通電極付ガラス基板が製造される。ガラス基板１０の厚み又はガラス基板１０を構成するガラスの種類によっては、変質部１２の形成に長時間を要する可能性がある。本実施形態によれば、ガラス基板１０の厚み方向にガラス基板１２を貫くように変質部１２を形成しないので、変質部１２を比較的短時間で形成することができる。また、他方の主面が研磨される前のガラス基板１０を用いて第一導電部２０ａを形成できる。このため、第一導電部形成工程におけるガラス基板１０の厚みが比較的大きいので、第一導電部２０ａを形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。また、最終的に製造される貫通電極付ガラス基板の厚みを小さくすることができる。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。
第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、研磨によってガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させる代わりに、ガラス基板１０の他方の主面をエッチングすることによってガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させる。
図５の（ｌ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の一方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の一方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべき、ガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。
図５の（ｍ）に示すように、ガラス基板１０の一方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。
その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。当初は、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２が露出していないので、ガラス基板１０の他方の主面の全体において均一なエッチングレートでガラス基板１０がエッチングされる。ガラス基板１０のエッチングが進むと、図５の（ｎ）に示すように、ガラス基板１０の他方の主面側に変質部１２が露出する。エッチング液としては、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液が用いられる。このため、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。これにより、図５の（ｏ）に示すように、貫通孔１４が形成される。
その後、ガラス基板１０を、図１の（ｅ）〜（ｈ）の工程に従って加工することによって、貫通電極付ガラス基板が製造される。第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させるための研磨工程を省略することができるので、貫通電極付ガラス基板の製造コストを低減できる。また、貫通孔１４が形成されていない比較的厚みが大きいガラス基板１０を用いて第一導電部２０ａを形成できる。このため、第一導電部２０ａを形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。また、最終的に製造される貫通電極付ガラス基板の厚みを小さくすることができる。
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。
図６の（ｐ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の他方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の他方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の他方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべきガラス基板１０の主面と反対側のガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面から離れているように変質部１２を形成する。
図６の（ｑ）に示すように、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。
その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。エッチング液としては、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液が用いられる。このため、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。このため、図６の（ｒ）に示すように、有底孔１８が形成される。その後、ガラス基板１０の厚み方向に均一なエッチングレートでガラス基板１０のエッチングが進み、図６の（ｓ）に示すように、貫通孔１４が形成される。
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。
図７の（ｔ）に示すように、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及び他方の主面から離れているように変質部１２を形成したうえで、ガラス基板１０の一方の主面に第一導電部２０ａを形成する。すなわち、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及び他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。場合によっては、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。
その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。第３実施形態と同様に、当初は、ガラス基板１０の他方の主面の全体において均一なエッチングレートでガラス基板１０がエッチングされる。ガラス基板１０のエッチングが進み、ガラス基板１０の他方の主面側で変質部１２が露出すると、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。変質部１２のエッチングが終了すると、図７の（ｕ）に示すように、有底孔１８が形成される。エッチングがさらに進むと、図７の（ｖ）に示すように、貫通孔１４が形成される。
第５実施形態によれば、ガラス基板１０の厚み方向における変質部１２の長さを比較的短くできるので、変質部１２を比較的短時間で形成することができる。一方、ガラス基板１０の変質部１２以外の部分に対するエッチング液のエッチングレートは比較的小さいので、変質部１２がエッチングされた後から貫通孔１４を形成されるまでにかかる時間が比較的長い。このため、ガラス基板１０の厚み方向だけでなく、ガラス基板１０の面方向にもエッチングが進むので、図７の（ｖ）に示すように貫通孔１４の内周面が形成するテーパー面のテーパー角度が大きくなる。このため、形成可能な貫通孔１４の大きさが制約されてしまう可能性もある。従って、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように、変質部１２が形成されていることが望ましい。

Claims (14)

  1. ガラス基板にレーザーを照射することによって、前記ガラス基板のレーザーが照射された部分に変質部を形成する変質部形成工程と、
    前記変質部が形成された前記ガラス基板の一方の主面に、前記変質部の位置に応じて第一導電部を形成する第一導電部形成工程と、
    前記ガラス基板の前記変質部が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも前記変質部に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも前記変質部をエッチングすることによって、前記第一導電部形成工程の後に、前記ガラス基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    前記貫通孔の内部に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えた、
    貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  2. 前記変質部形成工程において、前記変質部が前記一方の主面から前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  3. 前記変質部形成工程において、前記変質部が、前記ガラス基板の内部から前記ガラス基板の前記一方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるとともに、前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  4. 前記変質部形成工程において、前記変質部が、前記ガラス基板の内部から前記ガラス基板の前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるとともに、前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  5. 前記変質部形成工程において、前記変質部が前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面及び前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  6. 前記他方の主面から前記ガラス基板を研磨して前記貫通孔形成工程の前に前記変質部を露出させる研磨工程をさらに備えた、請求項３に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  7. 前記他方の主面から前記ガラス基板を研磨して前記貫通孔を形成する前に前記変質部を露出させる研磨工程をさらに備えた、請求項５に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  8. 前記第一導電部形成工程において、前記ガラス基板を平面視したときに、前記第一導電部の一部と前記変質部とが重なるように前記第一導電部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  9. 前記第一導電部を前記エッチング液から保護するための保護膜を前記貫通孔形成工程の前に前記第一導電部の表面に形成する保護膜形成工程をさらに備えた、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  10. 前記貫通電極形成工程において、前記貫通電極をなす導電材料を付着させるためのシード層を前記貫通孔の内周面に形成したうえで、めっきによって前記貫通電極を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  11. 前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面に第二導電部を形成する第二導電部形成工程をさらに備えた、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
  12. 貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板であって、
    レーザーが照射されることによって形成された変質部と、
    前記ガラス基板の一方の主面に形成されるべき導電部と前記変質部との位置合わせのための位置合わせ部とを備えた、ガラス基板。
  13. 周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である、請求項１２に記載のガラス基板。
  14. 周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが６以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．００８以下である、請求項１２に記載のガラス基板。
JP2016551545A 2014-10-03 2015-09-29 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板 Active JP6914656B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014204957 2014-10-03
JP2014204957 2014-10-03
PCT/JP2015/004952 WO2016051781A1 (ja) 2014-10-03 2015-09-29 貫通電極付ガラス基板の製造方法及びガラス基板

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019234548A Division JP2020092270A (ja) 2014-10-03 2019-12-25 導電部付ガラス基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016051781A1 true JPWO2016051781A1 (ja) 2017-07-20
JP6914656B2 JP6914656B2 (ja) 2021-08-04

Family

ID=55629848

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016551545A Active JP6914656B2 (ja) 2014-10-03 2015-09-29 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板
JP2019234548A Pending JP2020092270A (ja) 2014-10-03 2019-12-25 導電部付ガラス基板

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019234548A Pending JP2020092270A (ja) 2014-10-03 2019-12-25 導電部付ガラス基板

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10276368B2 (ja)
JP (2) JP6914656B2 (ja)
KR (1) KR102391793B1 (ja)
CN (1) CN106795044A (ja)
TW (2) TWI669279B (ja)
WO (1) WO2016051781A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
JP6341245B2 (ja) * 2016-09-05 2018-06-13 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板および半導体装置
CN106409758A (zh) * 2016-10-09 2017-02-15 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 玻璃通孔金属化制作方法
US20180130705A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-10 Corning Incorporated Delayed Via Formation in Electronic Devices
US11646246B2 (en) 2016-11-18 2023-05-09 Samtec, Inc. Method of fabricating a glass substrate with a plurality of vias
KR102356415B1 (ko) * 2017-03-06 2022-02-08 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 전자기 방사선과 후속 에칭공정을 이용해 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP7064706B2 (ja) * 2017-08-28 2022-05-11 日本電気硝子株式会社 レーザーアシストエッチング用ガラス基板、及びそれを用いた有孔ガラス基板の製造方法
JP7109739B2 (ja) * 2017-09-20 2022-08-01 日本電気硝子株式会社 レーザーアシストエッチング用ガラス基板、及びそれを用いた有孔ガラス基板の製造方法
JP7210573B2 (ja) * 2017-10-27 2023-01-23 コーニング インコーポレイテッド 保護材料を使用したガラス貫通ビアの製造
JP7106875B2 (ja) * 2018-01-30 2022-07-27 凸版印刷株式会社 ガラスコアデバイスの製造方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
TWI769376B (zh) 2018-03-30 2022-07-01 美商山姆科技公司 導電性通孔及其製造方法
US10424606B1 (en) * 2018-04-05 2019-09-24 Corning Incorporated Systems and methods for reducing substrate surface disruption during via formation
WO2019204207A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Corning Incorporated Systems and methods for forming direct drive microled displays
JP7298603B2 (ja) * 2018-06-08 2023-06-27 凸版印刷株式会社 ガラスデバイスの製造方法
CN112912995A (zh) * 2018-10-19 2021-06-04 康宁股份有限公司 包括通孔的装置及用于制造通孔的方法和材料
CN109904186B (zh) 2019-02-28 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
JP7230650B2 (ja) 2019-04-05 2023-03-01 Tdk株式会社 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法
US20220212982A1 (en) 2019-04-28 2022-07-07 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Method of fabricating a through glass via on a suspended nanocrystalline diamond
WO2021050514A1 (en) * 2019-09-13 2021-03-18 Corning Incorporated Systems and methods for reducing via formation impact on electronic device formation
CN115053339A (zh) 2019-09-30 2022-09-13 申泰公司 导电导孔及其制造方法
JP7028418B2 (ja) * 2020-04-27 2022-03-02 株式会社Nsc 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法
TWI744896B (zh) * 2020-05-12 2021-11-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法
TWI800153B (zh) 2020-12-24 2023-04-21 南韓商東友精細化工有限公司 電路板
CN113066758B (zh) * 2021-03-23 2023-08-22 三叠纪(广东)科技有限公司 Tgv深孔填充方法
EP4319512A4 (en) * 2021-03-26 2024-10-09 Toppan Inc PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING PROCESS AND PRINTED CIRCUIT BOARD
TWI773541B (zh) * 2021-09-27 2022-08-01 友達光電股份有限公司 主動元件基板的製造方法
JP2023098209A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 凸版印刷株式会社 多層配線基板およびその製造方法
KR20240031738A (ko) 2022-09-01 2024-03-08 주식회사 익스톨 관통 비아 금속 배선 형성방법
KR102518455B1 (ko) * 2022-10-11 2023-04-06 주식회사 중우나라 유리패널 가공방법
KR102518456B1 (ko) * 2022-10-11 2023-04-06 주식회사 중우나라 유리패널 가공방법
CN116454020B (zh) * 2023-03-22 2024-02-09 苏州森丸电子技术有限公司 一种埋入式高平坦性的tgv互连工艺及tgv互连结构
CN117976550A (zh) * 2024-03-28 2024-05-03 深圳市矩阵多元科技有限公司 基板制造方法及基板

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043723A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Kyocera Corp 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール
JP2002066769A (ja) * 2000-08-28 2002-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザマーキング装置、マーキング方法及びマーキングされた光学部材
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
JP2009117771A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Fujikura Ltd 半導体パッケージの製造方法
JP2010225664A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Hitachi Chem Co Ltd 配線板の製造方法
JP2011178642A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 貫通電極付きガラス板の製造方法および電子部品
WO2012014710A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2012165035A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法
JP2012186285A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Fujikura Ltd 貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法
JP2014158243A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Fujikura Ltd モード変換器の製造方法
JP2014236291A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社フジクラ モード変換器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54126215A (en) 1978-03-24 1979-10-01 Central Glass Co Ltd Drilling plate glass
JP3212405B2 (ja) * 1992-07-20 2001-09-25 富士通株式会社 エキシマレーザ加工方法及び装置
JP2000061667A (ja) 1998-08-19 2000-02-29 Junichi Ikeno ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品
JP2001105398A (ja) 1999-03-04 2001-04-17 Seiko Epson Corp 加工方法
JP2001354439A (ja) * 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
JP2002359445A (ja) * 2001-03-22 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザー加工用の誘電体基板およびその加工方法ならび半導体パッケージおよびその製作方法
US7133737B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Program for controlling laser apparatus and recording medium for recording program for controlling laser apparatus and capable of being read out by computer
EP1990125B1 (en) * 2006-02-22 2011-10-12 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass processing method using laser
JP2008236386A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sony Corp 電気機械素子とその製造方法、並びに共振器
US20090004403A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Yonggang Li Method of Providing Patterned Embedded Conducive Layer Using Laser Aided Etching of Dielectric Build-Up Layer
TWI482550B (zh) * 2007-11-22 2015-04-21 Ajinomoto Kk 多層印刷配線板之製造方法及多層印刷配線板
CN102113100A (zh) * 2008-08-07 2011-06-29 株式会社藤仓 半导体装置的制造方法
JP5249132B2 (ja) * 2009-06-03 2013-07-31 新光電気工業株式会社 配線基板
JP5644242B2 (ja) * 2009-09-09 2014-12-24 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及びその製造方法
US8304657B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2013144613A (ja) * 2010-04-20 2013-07-25 Asahi Glass Co Ltd 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法
WO2012132328A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 日本板硝子株式会社 低膨張ガラス及び強化ガラス
EP2564999A1 (en) * 2011-08-31 2013-03-06 Asahi Glass Company, Limited A method of generating a high quality hole or recess or well in a substrate
WO2013150940A1 (ja) * 2012-04-05 2013-10-10 旭硝子株式会社 貫通電極付きガラス基板、および貫通電極付きガラス基板の製造方法
JP6308007B2 (ja) * 2013-07-16 2018-04-11 ソニー株式会社 配線基板および配線基板の製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043723A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Kyocera Corp 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール
JP2002066769A (ja) * 2000-08-28 2002-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザマーキング装置、マーキング方法及びマーキングされた光学部材
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
JP2011037707A (ja) * 2006-02-22 2011-02-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
JP2009117771A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Fujikura Ltd 半導体パッケージの製造方法
JP2010225664A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Hitachi Chem Co Ltd 配線板の製造方法
JP2011178642A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 貫通電極付きガラス板の製造方法および電子部品
WO2012014710A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2012165035A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法
JP2012186285A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Fujikura Ltd 貫通孔基板、貫通配線基板、電子部品、基板の製造方法、及び貫通孔の検査方法
JP2014158243A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Fujikura Ltd モード変換器の製造方法
JP2014236291A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社フジクラ モード変換器

Also Published As

Publication number Publication date
US20170358447A1 (en) 2017-12-14
TW201940453A (zh) 2019-10-16
TW201625501A (zh) 2016-07-16
US10727048B2 (en) 2020-07-28
KR102391793B1 (ko) 2022-04-28
TWI669279B (zh) 2019-08-21
KR20170063933A (ko) 2017-06-08
US20200303188A1 (en) 2020-09-24
CN106795044A (zh) 2017-05-31
US20190148142A1 (en) 2019-05-16
JP2020092270A (ja) 2020-06-11
WO2016051781A1 (ja) 2016-04-07
JP6914656B2 (ja) 2021-08-04
US10276368B2 (en) 2019-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6914656B2 (ja) 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板
JP6545699B2 (ja) ガラス基板の製造方法、ガラス基板、及びアセンブリ
JP6894550B2 (ja) レーザ加工用ガラス及びそれを用いた孔付きガラスの製造方法
CN107250073B (zh) 激光加工用玻璃及使用了其的带孔玻璃的制造方法
TWI838602B (zh) 高頻裝置用玻璃基板與高頻裝置用電路基板
JP2011178642A (ja) 貫通電極付きガラス板の製造方法および電子部品
JP7109739B2 (ja) レーザーアシストエッチング用ガラス基板、及びそれを用いた有孔ガラス基板の製造方法
JP4129906B2 (ja) 感光性ガラス及びその加工方法並びにインクジェットプリンタ用部品の製造方法及び半導体基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190507

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190722

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191225

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20191225

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200108

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20200114

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20200131

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20200204

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20201020

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20210112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210219

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20210413

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20210518

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20210622

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20210622

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6914656

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250