JPWO2015064477A1

JPWO2015064477A1 - 表示パネル

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Publication number: JPWO2015064477A1
Application number: JP2015544959A
Authority: JP
Inventors: 裕子谷口; 琢也大石
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Filing date: 2014-10-23
Publication date: 2017-03-09
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Abstract

補助容量配線に断線が生じた場合の修正に対応した予備配線を持つ表示パネルを提供する。第１補助容量配線１３の、アクティブ領域１０１の最も外側の第２補助容量配線１４より外側に断線Ｘが形成されている場合、該第１補助容量配線１３と補助容量予備配線１６を重畳部分Ａで短絡し、当該補助容量予備配線１６と正常な第１補助容量配線１３を重畳部分Ｂで短絡することにより、断線Ｘを迂回して信号を伝送する経路を形成することができる表示パネル。

Description

本発明は、絵素電極の補助容量に信号を供給する補助容量配線の予備配線を備える表示パネルに関する。

一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、マトリックス状に配置された絵素電極及びスイッチング素子として働くＴＦＴ（thin film transistor、薄膜トランジスタ）が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と所定の間隔を隔てて対向する対向基板を備え、両基板間に液晶が充填されている。

液晶表示パネルには、更に、ＴＦＴ基板と対向基板を挟む２枚の偏光フィルタが設けられている。また、液晶表示パネルに隣接して、バックライトが設けられている。液晶に印加される電圧を変化させることによって、基板間の液晶分子の配向方向を変化させ、二枚の偏光フィルタを透過する光量を制御することができ、任意の画像を表示することができる。

各絵素電極には各ＴＦＴのドレイン電極が接続され、絵素電極の電圧を制御するためのスイッチング素子として働く。各ＴＦＴのゲート電極には、ゲート信号を供給する所定のゲート配線が接続され、ソース電極には、データ信号を供給する所定のソース配線が接続される。

ＴＦＴ基板上の、絵素電極がマトリックス状に形成された領域はアクティブ領域と呼ばれ、アクティブ領域を囲繞する領域は額縁領域と呼ばれる。額縁領域には、アクティブ領域からソース配線及びゲート配線が夫々引き出され、各配線はドライバＩＣに接続される。ソース配線に接続されるドライバＩＣはソースドライバと呼ばれ、ゲート配線に接続されるものはゲートドライバと呼ばれる。

各絵素電極には所定時間毎にデータ信号が入力される。そのため、各絵素電極に、入力されたデータ信号を次の入力まで安定的に保持するための補助容量が接続され、補助容量に信号を供給する補助容量配線がＴＦＴ基板上に配設される。ＴＦＴ基板上に補助容量配線が配設される場合、一般的には、所定の間隔をおいて、互いに平行に所定の本数配設されるゲート配線同士の間に、ゲート配線と平行に所定の本数、配設される。更に、補助容量配線に信号を分配する補助容量幹線が、補助容量配線に接続される。補助容量幹線は電圧印加回路に接続され、補助容量幹線を介して補助容量配線に電圧が印加され、各絵素電極の補助容量に信号が印加される。

特開２０１０−２７１４１３号公報

上述の様なＴＦＴ基板の製造工程において、基板上に配設された補助容量配線又は補助容量幹線に断線が生じた状態で形成されることがある。この様な場合、断線が生じた位置より、信号伝送方向でみて下流側にある絵素電極の補助容量には、補助容量信号が供給されない。結果として、表示パネルに表示欠陥が現れることがある。

表示不良が現れると、表示パネルの表示品位を著しく損なう。また、表示欠陥の現れた表示パネルは不良品となるため、製品の歩留りの低下を招く。

ＴＦＴ基板上の補助容量配線又は補助容量幹線に形成された断線に起因する表示欠陥を修正できる構成として、特許文献１に、額縁領域に予備配線を設けることにより、断線箇所を迂回する経路を形成できるＴＦＴ基板の構成が開示されている。特許文献１に示された構成では、補助容量配線に断線が形成された場合、予備配線と、断線が形成された補助容量配線と、正常な補助容量配線とを短絡することによって断線箇所を迂回する経路を形成し、正しく補助容量信号を絵素電極の補助容量に供給することができる。また、補助容量幹線に断線が形成された場合、予備配線と、断線箇所より上流で補助容量幹線に接続する補助容量配線と、断線箇所より下流で補助容量幹線に接続する補助容量配線とを接続することにより、断線箇所を迂回する経路を形成し、正しく補助容量信号を絵素電極の補助容量に供給することができる。

しかし、特許文献１に記載の構成では、表示欠陥を修正できる場合は、断線箇所が額縁領域内にある場合に限られ、断線箇所がアクティブ領域内にある場合には、表示欠陥を修正することができない。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、アクティブ領域内で補助容量配線に断線が形成された場合、該断線に起因する表示欠陥を修正できる表示パネルを提供することを目的とする。

本発明に係る表示パネルは、基板と、該基板上にマトリックス状に配置され、画像を表示するための複数の絵素電極と、各一端が該絵素電極夫々に接続された複数の容量部と、前記基板上に前記マトリックスの第１方向に沿って配設され、前記各容量部の他端に夫々接続された複数の第１配線と、前記基板上に第１方向に交差する第２方向に沿って配設され、夫々所定の第１配線と接続された複数の第２配線と、前記基板上に第１方向に沿って配設され、所定の第２配線と接続され、該第２配線を介して、前記複数の第１配線に所定の信号を供給する第３配線と、前記基板上に第２方向に沿って配設され、前記複数の第１配線に重畳された第４配線と、前記第１配線と前記第４配線を絶縁する絶縁膜とを備えることを特徴とする。

該表示パネルでは、基板上にマトリックス状に、画像を表示するための複数の絵素電極が配置され、絵素電極夫々に、容量部の一端が接続されている。マトリックスの第１方向に沿って第１配線が基板上に複数本配設され、夫々が、容量部の他端に接続されている。第２配線は、第１方向と交差する第２方向に沿って基板上に複数本配設され、第１配線と接続されている。第３配線は、第１方向に沿って基板上に配設され、第２配線と接続し、第２配線を介して、第１配線に信号を供給し、容量部に電圧を印加する。第４配線は、第２方向に沿って基板上に配設され、絶縁膜を挟んで第１配線と重畳している。第１配線に断線がある場合、断線箇所によっては一部の容量部に正常に信号が供給されないことがある。斯かる場合、断線のある第１配線と第４配線、及び当該第４配線と、断線のある第１配線と同じ信号を伝送する正常な第１配線を短絡することにより、断線箇所を迂回する経路を形成できる。したがって、第１配線の断線に起因する信号の伝送不良を修正できる。

本発明に係る表示パネルは、前記複数の第２配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域内で、第１配線と接続されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、複数の第２配線は、複数の絵素電極が配置された領域、すなわちアクティブ領域内で第１配線と接続されている。したがって、アクティブ領域内に複数本の第２配線を配設し、第１配線と接続できるため、アクティブ領域内で配線が断線しても、断線に影響されずに信号が伝送される冗長性を回路に持たすことができる。

本発明に係る表示パネルは、前記第３配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域に配設されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第３配線はアクティブ領域を囲繞する周辺領域、すなわち額縁領域に配設されている。したがって、アクティブ領域内の配線を簡素化することができる。

本発明に係る表示パネルは、前記第４配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域に配設されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第４配線は、額縁領域に配設されている。したがって、アクティブ領域内で最も外側に位置する第２配線より更に外側で第１配線が断線した場合、当該断線に起因する信号の伝送不良を修正できる。

本発明に係る表示パネルは、前記複数の第２配線は夫々、前記第１配線の一部と接続されており、前記第３配線は複数本配設され、夫々、前記第２配線の一部と接続されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、複数の第２配線は、夫々が複数の第１配線のうちの一部と接続されている。第３配線は複数本配設され、夫々が複数の第２配線のうちの一部と電気的に接続されている。したがって、配線全体及び複数の容量部が異なる入力系統に分けられ、異なる入力系統に属す容量部には、夫々異なる信号を印加することができる。

本発明に係る表示パネルは、前記複数の第１配線及び前記第３配線は同じ層に形成され、前記複数の第２配線及び前記第４配線は同じ層に形成され、前記複数の第１配線及び前記第３配線が形成される層と、前記複数の第２配線及び前記第４配線が形成される層とは、前記絶縁膜により隔てられていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第１配線と第３配線は、同じ層に形成されている。第２配線と第４配線は、同じ層に形成されている。夫々の層は互いに絶縁膜により隔てられている。したがって、互いに平行に配設された配線同士を同じ層に形成することにより、基板上に多数の層を積層させる必要がなく、基板形成の工程を減らすことができる。

本発明に係る表示パネルは、前記複数の第２配線は、前記複数の第１配線及び前記第３配線に重畳され、重畳部分の前記絶縁膜に開設されたコンタクトホールを介して夫々接続されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第２配線は、第１配線及び第３配線に重畳されている。第２配線は、第１配線及び第３配線と重畳部分で、絶縁膜に開設されたコンタクトホールを介して接続されている。したがって、所定の配線同士が接続され、その他の不要な接続がされない様に、絶縁膜で適切に絶縁されている。

本発明に係る表示パネルは、前記第４配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域で前記絶縁膜を挟んで前記第３配線に重畳されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第４配線は、額縁領域で、絶縁膜を挟んで第３配線に重畳している。したがって、アクティブ領域内で最も外側に位置する第２配線より更に外側で第１配線に断線がある場合、断線のある第１配線と第４配線、及び当該第４配線と断線のある第１配線と同じ信号を伝送する第３配線を短絡することにより、断線箇所を迂回する伝送経路を形成し、断線に起因する信号の伝送不良を修正することができる。

本発明に係る表示パネルは、前記第４配線は、複数に分割されていることを特徴とする。

該表示パネルでは、第４配線は、複数に分割されている。したがって、一本の第４配線で複数箇所の断線の修正に対応できるため、配設する第４配線の本数を減らすことができ、配線スペースを節約できる。

本発明に係る表示パネルは、ドレイン電極が前記複数の絵素電極夫々に接続されたトランジスタと、第１方向に沿って配設され、前記トランジスタのゲート電極に夫々接続され、ゲート信号を供給する複数のゲート配線と、第２方向に沿って配設され、前記トランジスタのソース電極に夫々接続され、データ信号を供給する複数のソース配線とを備えることを特徴とする。

該表示パネルでは、ドレイン電極が複数の絵素電極の夫々に接続されたトランジスタが、絵素電極に入力される信号をスイッチング制御する。第１方向に配され、トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線が、スイッチングに係るゲート信号を供給する。第２方向に配され、トランジスタのソース電極に配されたソース配線が、絵素電極にソース信号を供給する。したがって、ゲート信号の入力により、トランジスタをオンにすることができ、データ信号により、オンになったトランジスタに接続されている絵素電極に、信号を供給することができる。よって、ゲート配線とソース配線により、夫々の絵素電極に、任意の信号を入力することができる。

本発明に係る表示パネルは、前記複数のゲート配線は、前記複数の第１配線及び前記第３配線が形成される層と同じ層に形成され、前記複数のソース配線は、前記複数の第２配線及び前記第４配線が形成される層と同じ層に形成されることを特徴とする。

該表示パネルでは、ゲート配線は、第１配線及び第３配線が形成される層と同じ層に形成される。ソース配線は、第２配線及び第４配線が形成される層と同じ層に形成される。したがって、互いに平行に配設された配線同士を同じ層に形成することにより、基板上に多数の層を積層させる必要がなく、基板の製造工程を減らすことができる。

本発明によれば、アクティブ領域内で補助容量配線に断線が形成された場合、該断線に起因する表示欠陥を修正できる表示パネルを提供することができる。

本発明の実施の形態における表示パネルの概念図である。本発明の実施の形態におけるＴＦＴ基板の一部領域を拡大して配線を示した模式図である。ＴＦＴ基板上の配線同士の電気的接続部分を示した断面図である。ＴＦＴ基板上の絵素電極及び各配線を示した模式図である。図４の等価回路を示した回路図である。本発明の実施の形態１におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図６の領域における配線の修正方法を示した図である。配線同士の短絡方法を表した、図７上のＶＩＩ-ＶＩＩ線における断面図である。本発明の実施の形態１の変形例における表示パネル１のＴＦＴ基板の模式図である。本発明の実施の形態１の変形例におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１０の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１２の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して、補助容量幹線の断線を示した図である。図１４の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態３におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１６の領域における配線の修正方法を示した図である。

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態における表示パネル１の概念図である。１００はＴＦＴ基板であり、１１０は対向基板である。本明細書中では、図１の様に表示パネル１に正対した場合の上下左右の辺をそれぞれ、上辺、下辺、左辺、右辺と呼称する。図２は、ＴＦＴ基板１００の一部領域を拡大して配線を示した模式図である。図３は、配線同士の電気的接続部分を示した断面図である。図４は、ＴＦＴ基板１００上の絵素電極及び各配線を示した模式図である。図５は、図４の等価回路を示した回路図である。

ＴＦＴ基板１００は、透光性を有する矩形状の基板であり、対向基板１１０より少しだけ広い面積を有している。ＴＦＴ基板１００は、一般的にはガラス製である。ＴＦＴ基板１００には、マトリックス状に配置される複数の表示絵素それぞれに対応した絵素電極２０及びＴＦＴ３０が形成される。各絵素電極２０には夫々、各ＴＦＴ３０のドレイン電極３３が接続されている。ＴＦＴ基板１００上の絵素電極２０がマトリックス状に配置された領域１０１はアクティブ領域と呼ばれる。また、アクティブ領域１０１を囲繞する領域１０２は額縁領域と呼ばれる。更に、ＴＦＴ基板１００の周縁部には端子領域１０３が設けられ、端子領域１０３には、各絵素に接続されたＴＦＴ３０のゲート電極３１にゲート信号を供給するゲート配線１１又はソース電極３２にデータ信号を供給するソース配線１２がそれぞれ接続された複数の接続端子１０が設けられている。

表示パネル１の上辺に沿って並ぶ接続端子１０には、ドライバＩＣ（図示せず）から、ソース電極３２に供給すべきデータ信号が入力される。データ信号を生成するドライバＩＣはソースドライバと呼ばれる。データ信号は、接続端子１０から引き出されたソース配線１２を介して、各ソース電極３２に入力される。

同様に、表示パネル１の左辺又は右辺に沿って並ぶ接続端子１０には、ドライバＩＣから、各ゲート電極３１に供給すべきゲート信号が入力される。ゲート信号を生成するドライバＩＣはゲートドライバと呼ばれる。ゲート信号は、接続端子１０から引き出されたゲート配線１１を介して、各ゲート電極３１に接続される。

対向基板１１０は、透光性を有する矩形状の基板であり、ＴＦＴ基板１００の一面に所定の間隔を隔てて対向して設けられる。対向基板１１０も一般的にはガラス製である。対向基板１１０のＴＦＴ基板と対向する面には、各絵素電極２０との間に電圧が印加される共通電極４０（図５）が形成される。対向基板１１０上には他に、表示領域の周囲の領域を遮光する遮光部１１１が設けられる。

ＴＦＴ基板１００及び対向基板１１０は、両基板の間に空隙を設けた状態でシール材により貼り合わされており、該空隙に液晶物質を封入することで液晶層を形成している。

表示パネル１は、他にも様々な構成要素を備えるが、本発明と直接関係のないものについては説明を省略する。

図２に示す様に、ＴＦＴ基板１００上には接続端子１０から引き出されたゲート配線１１及びソース配線１２が配設されている。ゲート配線１１は、ＴＦＴ基板１００の長手方向（請求の範囲に記載の第１方向）に、互いに平行に複数本配設され、ソース配線１２は、ＴＦＴ基板１００の短手方向（請求の範囲に記載の第２方向）に、互いに平行に複数本配設されている。

更に、各絵素電極２０には補助容量５０の一端が接続されている。補助容量５０の他端は、長手方向に、互いに平行に複数本配設され、所定の補助容量信号を供給する第１補助容量配線１３（請求の範囲に記載の第１配線）に夫々接続されている。また、基板上には、短手方向に、第１補助容量配線１３に所定の補助容量信号を供給する第２補助容量配線１４が互いに平行に複数本配設されており、表示領域内で第１補助容量配線１３に交差して重畳している。

ＴＦＴ基板１００の額縁領域１０２に、長手方向に一本の補助容量幹線１５（請求の範囲に記載の第３配線）が、長手辺の端子領域１０３から引き出されて配設されている。補助容量幹線１５は、すべての第２補助容量配線１４と重畳部分を持つ。

ゲート配線１１、第１補助容量配線１３、及び補助容量幹線１５は、ＴＦＴ基板１００上の同じ層に互いに平行に配設されている。ゲート配線１１、第１補助容量配線１３、及び補助容量幹線１５が配設された層を覆う様に、絶縁膜６０（図３）が形成されている。ソース配線１２、及び第２補助容量配線１４は、絶縁膜６０の上の同じ層に、互いに平行に配設されている。

ゲート配線１１は、絶縁膜６０によって、ソース配線１２、及び第２補助容量配線１４と絶縁されている。対して、図３に示す様に、第１補助容量配線１３は、ソース配線１２とは絶縁されている一方、第２補助容量配線１４との重畳部分すべてで、絶縁膜６０に開設されたコンタクトホール６１を介して、第２補助容量配線１４と接続している。コンタクトホール６１には、導体が充填される。尚、７０は保護膜を表す。また、図３では、配線同士の接続を示すために必要な要素以外は省略してある。補助容量幹線１５も、図３と同じ構造で、ソース配線１２とは絶縁されている一方、第２補助容量配線１４との重畳部分すべてで、コンタクトホール６１を介して、第２補助容量配線１４と接続している。

更に、額縁領域１０２に、短手方向に、ソース配線１２及び第２補助容量配線１４が配設された層と同じ層に、補助容量予備配線１６（請求の範囲に記載の第４配線）が配設されている。補助容量予備配線１６は、すべての第１補助容量配線１３と重畳部分を持つ。補助容量予備配線１６は、他のいずれの配線にも接続されておらず、電気的浮島状態として形成されている。尚、図２にはＴＦＴ基板１００の左辺側に配設された補助容量予備配線１６のみが示されているが、右辺側にも配設されている。以下、すべての実施の形態で同様である。

図４及び図５に示す様に、各絵素電極２０には、ＴＦＴ３０のドレイン電極３３が接続されている。ＴＦＴ３０のゲート電極３１にはゲート配線１１が接続され、ソース電極３２にはソース配線１２が接続されている。各絵素電極２０には一枚の共通電極４０が対向し、夫々の絵素電極２０との間に電圧が印加される。共通電極４０の電位は位置によらず均一であり、Ｖｃｏｍで表す。

ゲート配線１１を介して、ゲートドライバが生成したゲート信号が、各ＴＦＴ３０のゲート電極３１に入力され、各ＴＦＴ３０がオンになる。オンになったＴＦＴ３０のソース電極３２に、ソース配線１２を介して、ソースドライバが生成したデータ信号が入力され、各絵素電極２０と共通電極４０の間に任意の電圧が印加される。絵素電極２０と共通電極４０との電圧が制御されることにより、電極間の液晶分子の配向方向が制御され、表示パネル１に任意の画像が表示される。

補助容量５０には第１補助容量配線１３が接続され、所定の補助容量信号が入力される。補助容量５０に所定の補助容量信号が入力されることにより、各絵素電極２０はデータ信号が入力された後、次の入力まで該データ信号を保持し続けることができる。したがって、所定時間、画像を表示し続けることができる。

ＴＦＴ基板１００の製造過程で、補助容量信号を伝送する配線が断線して形成されると、断線箇所によっては、一部の補助容量５０に所定の補助容量信号が正しく入力されなくなることがある。この場合、当該補助容量５０に接続された絵素電極２０はデータ信号を保持し続けることができず、表示パネル１上に表示欠陥として表れる。したがって、表示欠陥を修復するためには、配線の修正を行う必要がある。

図６は、本発明の実施の形態１におけるＴＦＴ基板１００のアクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図７は、図６の領域における配線の修正方法を示した図である。図６、図７中の点線は、アクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界線を表し、塗りつぶされた正方形は配線が接続されていることを表す。以下、他の図においても同様である。

図６に示す様に、第１補助容量配線１３が、表示領域内の最も外側の第２補助容量配線１４より外側の箇所で断線している場合、断線Ｘより外側の当該第１補助容量配線１３は、所定の補助容量信号が流れない信号伝送不良部分Ｙとなる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続されている補助容量５０に所定の補助容量信号が入力されず、対応する絵素に表示欠陥として表れる。

かかる表示欠陥は、検査工程において、表示パネル１に品質検査用の所定の画像を表示させた場合に視認することにより検出可能である。表示パネル１の最も外側の絵素の一部に表示欠陥が検出された場合、図６の様に断線している可能性がある。かかる場合、視認した表示欠陥の表示パネル１上の位置に対応するＴＦＴ基板１００上の領域を、例えば顕微鏡で観察することにより、断線Ｘの箇所を特定することができる。

断線Ｘの箇所が特定された場合、図７に示す様に、断線のある第１補助容量配線１３の信号伝送不良部分Ｙと、信号伝送不良部分Ｙに絶縁膜６０を挟んで重畳する補助容量予備配線１６とを、重畳部分Ａで短絡する。尚、図７中の塗りつぶされた円は、配線同士が短絡されたことを示す。以下、他の図においても同様である。次に、該補助容量予備配線１６と、該補助容量予備配線１６に絶縁膜６０を挟んで重畳する、正常な第１補助容量配線１３とを、重畳部分Ｂで短絡する。

図８は、配線同士の短絡方法を表した、図７上のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線における断面図である。第１補助容量配線１３と補助容量予備配線１６を短絡するには、重畳部分Ａを目視し、重畳部分Ａの絶縁膜６０にＴＦＴ基板１００の外側からレーザを照射し、絶縁膜６０を溶融させて除去する。次に重畳部分Ａにおいて、第１補助容量配線１３又は補助容量予備配線１６の少なくともどちらか一方にレーザを照射して溶融することにより、第１補助容量配線１３と補助容量予備配線１６とを物理的に接続する短絡部６２が形成される。重畳部分Ｂにおいても同様の工程で短絡させる。尚、補助容量予備配線１６と短絡させる正常な第１補助容量配線１３には、不良を有していなければ、いずれの第１補助容量配線１３が選ばれてもよい。好ましくは、伝送経路を短くして電気抵抗を減らすために最も近い第１補助容量配線１３が選ばれる。

以上の構成及び工程により、断線Ｘを迂回し、補助容量予備配線１６を経由して、信号伝送不良部分Ｙに所定の補助容量信号を伝送することができる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続された補助容量に所定の補助容量信号が入力され、表示欠陥が修復される。

第１補助容量配線１３の断線箇所が、アクティブ領域１０１内の最も外側の第２補助容量配線１４より内側である場合、第２補助容量配線１４は複数本配設されているため、断線のある第１補助容量配線１３は断線箇所の両側の断片で共に第２補助容量配線１４に接続している。したがって、補助容量信号の伝送不良は生じず、表示欠陥は表れない。同様に、第２補助容量配線１４に断線がある場合、断線箇所の両側で第１補助容量配線１３又は補助容量幹線１５に接続しているため、補助容量信号の伝送不良は生じず、表示欠陥は表れない。

補助容量幹線１５が最も外側の第２補助容量配線１４より内側の箇所で断線している場合、断線箇所の両側で接続する２本の第２補助容量配線１４、該２本の第２補助容量配線１４と接続している第１補助容量配線１３とで、断線箇所を迂回する経路が形成される。したがって、補助容量信号の伝送不良は生じず、表示欠陥は表れない。

実施の形態１の変形例．
以下、本発明の実施の形態１の変形例における、実施の形態１と異なる特徴について説明する。実施の形態１と共通の点については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。図９は実施の形態１の変形例における表示パネル１のＴＦＴ基板１００の模式図である。実施の形態１の変形例においては、図９に示す様に、２本の補助容量幹線１５ａ，１５ｂが配設されている。また、２本の補助容量予備配線１６が配設されている。２本の補助容量幹線１５ａ，１５ｂにはそれぞれ異なる補助容量信号を伝送することができる。

複数本の第２補助容量配線１４ａ，１４ｂのうち、第２補助容量配線１４ａは補助容量幹線１５ａに接続され、第２補助容量配線１４ｂは補助容量幹線１５ｂに接続されている。図９においては、交互に補助容量幹線１５ａと１５ｂとに接続されている。したがって、第２補助容量配線１４ａと１４ｂには夫々異なる補助容量信号を伝送することができる。

また、複数本の第１補助容量配線１３ａ，１３ｂのうち、第１補助容量配線１３ａは第２補助容量配線１４ａのすべてに接続され、第１補助容量配線１３ｂは第２補助容量配線１４ｂに接続されている。図９においては、交互に第２補助容量配線１４ａと１４ｂに接続されている。したがって、第１補助容量配線１３ａと１３ｂは夫々異なる信号を伝送することができ、夫々に接続された補助容量５０には夫々異なる補助容量信号を入力できる。

図１０は、本発明の実施の形態１の変形例におけるＴＦＴ基板１００のアクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１１は、図１０の領域における配線の修正方法を示した図である。図１０に示す様に、アクティブ領域１０１内の最も外側の第２補助容量配線１４ａより外側で第１補助容量配線１３ａに断線Ｘがある場合、断線Ｘより外側の当該第１補助容量配線１３ａは、所定の補助容量信号が流れない信号伝送不良部分Ｙとなる。信号伝送不良部分Ｙに接続された補助容量５０には所定の補助容量信号が入力されないため、対応する絵素に表示欠陥として表れる。

かかる場合、図１１に示す様に、重畳部分Ａにおいて、断線のある第１補助容量配線１３ａの信号伝送不良部分Ｙと、信号伝送不良部分Ｙに絶縁膜６０を挟んで重畳するいずれかの補助容量予備配線１６とを、重畳部分Ａで短絡する。次に、該補助容量予備配線１６と、該補助容量予備配線１６に絶縁膜６０を挟んで重畳する、断線のある補助容量配線１３ａと同じ信号を伝送する正常な第１補助容量配線１３ａとを、重畳部分Ｂで短絡する。断線Ｘの箇所の特定方法及び配線の短絡方法は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。

以上の構成及び工程により、断線Ｘを迂回し、補助容量予備配線１６を経由して、信号伝送不良部分Ｙに所定の補助容量信号を伝送することができる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続された補助容量５０に所定の補助容量信号が入力され、表示欠陥が修復される。

実施の形態１の変形例においては、補助容量予備配線１６が複数本配設されているため、複数の、互いに異なる補助容量信号を伝送する第１補助容量配線１３に断線が形成された場合、夫々の断線により引き起こされる表示欠陥を、夫々の補助容量予備配線１６を用いて修復できる。換言すると、配設された補助容量予備配線１６の本数と同数迄の、互いに異なる補助容量信号を伝送する第１補助容量配線１３の断線に対応できる。

尚、実施の形態１の変形例においては、補助容量幹線１５及び補助容量予備配線１６が２本配設されている場合を例示しているが、これに限らない。夫々３本以上であってもよい。また、補助容量幹線１５及び補助容量予備配線１６の本数は同数に限らない。

実施の形態２．
以下、本発明の実施の形態２における、実施の形態１と異なる特徴について説明する。実施の形態１と共通の点については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。図１２は、本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板１００のアクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１３は、図１２の領域における配線の修正方法を示した図である。

図１２に示す様に、本実施の形態では補助容量予備配線１６は、額縁領域１０２で補助容量幹線１５に重畳している。第１補助容量配線１３が、表示領域内の最も外側の第２補助容量配線１４より外側の箇所で断線している場合、断線Ｘより外側の当該第１補助容量配線１３は、所定の補助容量信号が流れない信号伝送不良部分Ｙとなる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続されている補助容量５０に所定の補助容量信号が入力されず、対応する絵素に表示欠陥として表れる。

かかる場合、図１３に示す様に、断線のある第１補助容量配線１３の信号伝送不良部分Ｙと、信号伝送不良部分Ｙに絶縁膜６０を挟んで重畳する補助容量予備配線１６とを、重畳部分Ａで短絡する。次に、該補助容量予備配線１６と、断線のある第１補助容量配線１３と同じ補助容量信号を伝送する補助容量幹線１５とを、重畳部分Ｂで短絡する。断線Ｘの箇所の特定方法及び配線の短絡方法は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。

以上の構成及び工程により、断線Ｘを迂回し、補助容量予備配線１６を経由して、信号伝送不良部分Ｙに所定の補助容量信号を伝送することができる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続された補助容量５０に所定の補助容量信号が入力され、表示欠陥が解消する。

図１４は、本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板１００のアクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界部分を拡大して、補助容量幹線１５の断線を示した図である。図１５は、図１４の領域における配線の修正方法を示した図である。図１４に示す様に、補助容量幹線１５が最も外側の第２補助容量配線１４より外側で断線しており、かつ断線Ｘの箇所が信号の伝送方向で該第２補助容量配線１４より上流であった場合、断線Ｘがある補助容量幹線１５に第２補助容量配線１４及び第１補助容量配線１３を介して接続されたすべての補助容量５０に、補助容量信号が伝送されない。したがって、表示パネル１に広範囲に表示欠陥が表れる。

かかる表示欠陥は、検査工程において、表示パネル１に品質検査用の所定の画像を表示させた場合に視認することにより検出可能である。表示パネル１に広範囲に表示欠陥が検出された場合、図１４の様に補助容量幹線１５が断線している可能性がある。かかる場合、ＴＦＴ基板１００上の補助容量幹線１５の上流部分を、例えば顕微鏡で観察することにより、断線Ｘの箇所を特定することができる。

断線Ｘの箇所が特定された場合、図１５に示す様に、断線Ｘのある補助容量幹線１５と、該補助容量幹線１５に絶縁膜６０を挟んで重畳する補助容量予備配線１６とを、重畳部分Ａで短絡する。次に、該補助容量予備配線１６と、該補助容量予備配線１６に絶縁膜６０を挟んで重畳する、断線Ｘのある補助容量幹線１５に第２補助容量配線１４を介して接続された、正常な第１補助容量配線１３とを、重畳部分Ｂで短絡する。配線の短絡方法は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。

以上の構成及び工程により、断線Ｘを迂回し、補助容量予備配線１６を経由して、断線Ｘのある補助容量幹線１５に第２補助容量配線１４及び第１補助容量配線１３を介して接続されたすべての補助容量５０に、所定の補助容量信号が伝送される。したがって、表示欠陥が修正される。

上述の様に、本実施の形態では、補助容量予備配線１６により、第１補助容量配線１３上の断線のみならず、補助容量幹線１５上の断線にも対応して、配線を修正できる。

尚、本実施の形態では、補助容量幹線１５及び補助容量予備配線１６は共に１本配設された場合を例示しているが、これに限らない。夫々２本以上配設されていてもよく、更に互いの本数が異なっていてもよい。

実施の形態３．
以下、本発明の実施の形態３における、実施の形態１，２と異なる特徴について説明する。実施の形態１，２と共通の点については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。図１６は、本発明の実施の形態３におけるＴＦＴ基板１００のアクティブ領域１０１と額縁領域１０２の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１７は、図１６の領域における配線の修正方法を示した図である。

図１６に示す様に、本実施の形態では、補助容量予備配線１６は、複数の断片に分割されて配設されている。第１補助容量配線１３ａが、表示領域内の最も外側の第２補助容量配線１４ａより外側の箇所で断線している場合、断線Ｘより外側の当該第１補助容量配線１３ａは、所定の補助容量信号が流れない信号伝送不良部分Ｙとなる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続されている補助容量５０に所定の補助容量信号が入力されず、対応する絵素に表示欠陥として表れる。

かかる場合、図１７に示す様に、重畳部分Ａにおいて、断線のある第１補助容量配線１３ａの信号伝送不良部分Ｙと、信号伝送不良部分Ｙに絶縁膜６０を挟んで重畳する補助容量予備配線１６の断片Ｚとを、重畳部分Ａで短絡する。次に、断片Ｚと、断片Ｚに絶縁膜６０を挟んで重畳する、断線Ｘのある補助容量配線ａと同じ信号を伝送する正常な第１補助容量配線１３ａとを、重畳部分Ｂで短絡する。断線Ｘの箇所の特定方法及び配線の短絡方法は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。

以上の構成及び工程により、断線Ｘを迂回し、補助容量予備配線１６の断片Ｚを経由して、信号伝送不良部分Ｙに所定の補助容量信号を伝送することができる。したがって、信号伝送不良部分Ｙに接続された補助容量５０に所定の補助容量信号が入力され、表示欠陥が解消する。

本実施の形態では、一本の補助容量予備配線１６が複数の断片に分割して配設されているため、一つの断片が一箇所の断線の修正に利用されても、別の断片が他の箇所の断線の修正に利用されうる。例えば、断線Ｘの箇所より離れた箇所で、断線Ｘのある第１補助容量配線１３ａが伝送する補助容量信号とは異なる補助容量信号を伝送する第１補助容量配線１３ｂが、最も外側の第２補助容量配線１４より外側で断線していた場合、断片Ｚとは別の断片を利用することによって配線の修正ができる。実施の形態１の変形例と比較した場合、複数の補助容量予備配線１６を互いに平行に並べて配設する必要がなく、補助容量予備配線１６を配設するための面積を小さくできる。したがって、額縁領域１０２を狭く形成することができ、本実施の形態の表示パネル１を搭載した表示装置の外観品位を向上させられる。

尚、本実施の形態では、補助容量幹線は２本配設され、補助容量予備配線１６は１本配設された場合を例示しているが、これに限らない。補助容量幹線は１本又は３本以上配設されていてもよく、補助容量予備配線１６は２本以上配設されていてもよい。

尚、上述した各実施の形態において、対向基板上に共通電極が形成されているものとしているが、この形態に限らない。例えば、対向基板上に共通電極を持たないＩＰＳ（In Plane Switching）方式の表示パネルに対しても、本発明は適応できる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１表示パネル
１０接続端子
１１ゲート配線
１２ソース配線
１３第１補助容量配線
１４第２補助容量配線
１５補助容量幹線
１６補助容量予備配線
２０絵素電極
３０ＴＦＴ
３１ゲート電極
３２ソース電極
３３ドレイン電極
４０共通電極
５０補助容量
６０絶縁膜
６１コンタクトホール
６２短絡部
７０保護膜
１００ＴＦＴ基板
１０１アクティブ領域
１０２額縁領域
１０３端子領域
１１０対向基板
１１１遮光部

本発明の実施の形態における表示パネルの概念図である。本発明の実施の形態におけるＴＦＴ基板の一部領域を拡大して配線を示した模式図である。ＴＦＴ基板上の配線同士の電気的接続部分を示した断面図である。ＴＦＴ基板上の絵素電極及び各配線を示した模式図である。図４の等価回路を示した回路図である。本発明の実施の形態１におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図６の領域における配線の修正方法を示した図である。配線同士の短絡方法を表した、図７上のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。本発明の実施の形態１の変形例における表示パネル１のＴＦＴ基板の模式図である。本発明の実施の形態１の変形例におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１０の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１２の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態２におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して、補助容量幹線の断線を示した図である。図１４の領域における配線の修正方法を示した図である。本発明の実施の形態３におけるＴＦＴ基板のアクティブ領域と額縁領域の境界部分を拡大して配線及び断線箇所を示した図である。図１６の領域における配線の修正方法を示した図である。

かかる場合、図１７に示す様に、重畳部分Ａにおいて、断線のある第１補助容量配線１３ａの信号伝送不良部分Ｙと、信号伝送不良部分Ｙに絶縁膜６０を挟んで重畳する補助容量予備配線１６の断片Ｚとを、重畳部分Ａで短絡する。次に、断片Ｚと、断片Ｚに絶縁膜６０を挟んで重畳する、断線Ｘのある第１補助容量配線１３ａと同じ信号を伝送する正常な第１補助容量配線１３ａとを、重畳部分Ｂで短絡する。断線Ｘの箇所の特定方法及び配線の短絡方法は実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。

Claims

基板と、
該基板上にマトリックス状に配置され、画像を表示するための複数の絵素電極と、
各一端が該絵素電極夫々に接続された複数の容量部と、
前記基板上に前記マトリックスの第１方向に沿って配設され、前記各容量部の他端に夫々接続された複数の第１配線と、
前記基板上に第１方向に交差する第２方向に沿って配設され、夫々所定の第１配線と接続された複数の第２配線と、
前記基板上に第１方向に沿って配設され、所定の第２配線と接続され、該第２配線を介して、前記複数の第１配線に所定の信号を供給する第３配線と、
前記基板上に第２方向に沿って配設され、前記複数の第１配線に重畳された第４配線と、
前記第１配線と前記第４配線を絶縁する絶縁膜と
を備えることを特徴とする表示パネル。
前記複数の第２配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域内で、第１配線と接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
前記第３配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域に配設されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
前記第４配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域に配設されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の表示パネル。
前記複数の第２配線は夫々、前記第１配線の一部と接続されており、
前記第３配線は複数本配設され、夫々、前記第２配線の一部と接続されている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の表示パネル。
前記複数の第１配線及び前記第３配線は同じ層に形成され、
前記複数の第２配線及び前記第４配線は同じ層に形成され、
前記複数の第１配線及び前記第３配線が形成される層と、前記複数の第２配線及び前記第４配線が形成される層とは、前記絶縁膜により隔てられている
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一つに記載の表示パネル。
前記複数の第２配線は、前記複数の第１配線及び前記第３配線に重畳され、
重畳部分の前記絶縁膜に開設されたコンタクトホールを介して夫々接続されている
ことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
前記第４配線は、前記複数の絵素電極が配置された領域を囲繞する周辺領域で前記絶縁膜を挟んで前記第３配線に重畳されている
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
前記第４配線は、複数に分割されている
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
ドレイン電極が前記複数の絵素電極夫々に接続されたトランジスタと、
第１方向に沿って配設され、前記トランジスタのゲート電極に夫々接続され、ゲート信号を供給する複数のゲート配線と、
第２方向に沿って配設され、前記トランジスタのソース電極に夫々接続され、データ信号を供給する複数のソース配線と
を備えることを特徴とする請求項７から９のいずれか一つに記載の表示パネル。
前記複数のゲート配線は、前記複数の第１配線及び前記第３配線が形成される層と同じ層に形成され、
前記複数のソース配線は、前記複数の第２配線及び前記第４配線が形成される層と同じ層に形成される
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。