JP2010271413A

JP2010271413A - 基板、表示パネル、表示パネルの修正方法

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Publication number: JP2010271413A
Application number: JP2009121211A
Authority: JP
Inventors: Ichiyu Shinohara; 一有篠原
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2009-05-19
Filing date: 2009-05-19
Publication date: 2010-12-02

Abstract

【課題】参照配線や参照幹線に不良があった場合であっても、表示欠陥を防止できる基板、この基板を備える表示パネル、表示パネルの修正方法を提供すること。
【解決手段】参照配線１１３ａに不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良参照配線１１３ｓを特定して不良箇所Ｓを特定する工程とを有するとともに、不良が断線である場合には、不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４とを短絡する工程と、不良参照配線１１３ｓが伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４とを短絡する工程とを有し、不良が他の導体との短絡である場合には、不良参照配線１１３ｖの不良箇所Ｕの前後両側の箇所を切断する工程と、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４とを短絡する工程と、不良参照配線１１３ｖが伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４とを短絡する工程とを有する。
【選択図】図１９

Description

本発明は、基板、表示パネル、表示パネルの修正方法に関するものであり、特に好適には、液晶表示パネルなどの表示パネルに適用される基板（＝表示パネル用の基板）と、この基板を備える表示パネルと、表示パネルに適用された基板の所定の配線に断線や他の導体との短絡があった場合の表示パネルの修正方法に関するものである。

一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板（対向基板としては、たとえばカラーフィルタが適用される）とを備える。そして、液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とが所定の微小な間隔をおいて対向して貼り合わせられ、それらの間に液晶が充填されるという構成を有する。

アクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルに適用されるＴＦＴアレイ基板には、一般的に、アクティブ領域（「表示領域」とも称する）と、このアクティブ領域を囲繞するパネル額縁領域が設けられる。

アクティブ領域には、所定の数の絵素電極がマトリックス状に配列されるとともに、各絵素電極を駆動するスイッチング素子（一般的には薄膜トランジスタ）が、同じくマトリックス状に配列される。さらにアクティブ領域には、所定のスイッチング素子のゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線（ゲートバスライン、走査線などとも称する）と、所定のスイッチング素子のソース電極に所定の信号を伝送するソース配線（ソースバスライン、データ線などとも称する）が設けられる。

また、パネル額縁領域には、ドライバＩＣ（またはドライバＬＳＩ）（一般的にはゲートドライバまたはソースドライバと呼ばれる）が実装された回路基板を接続するための端子領域が設けられ、端子領域には、この回路基板に設けられる端子と接続するための配線電極端子が設けられる。そしてパネル額縁領域には、アクティブ領域から引き出されたゲート配線やソース配線が設けられ、これらゲート配線やソース配線の一端が所定の配線電極端子に電気的に接続される。これにより、ドライバＩＣなどが生成した所定の信号を、端子領域に設けられる配線電極端子およびパネル額縁領域に引き出されるゲート配線やソース配線を通じて、アクティブ領域に設けられる所定のスイッチング素子に伝送することができる。

さらにＴＦＴアレイ基板には、各絵素電極との間に蓄積容量（補助容量、保持容量と称することもある）を形成する参照配線（蓄積容量配線、補助容量配線と称することもある）が形成されるものがある。

参照配線が形成されるＴＦＴアレイ基板は、たとえば次のような構成を有するものがある。ＴＦＴアレイ基板のアクティブ領域には、所定の間隔をおいて略平行に設けられる所定の数のゲート配線と、ゲート配線に略平行でゲート配線どうしの間に設けられる所定の数の参照配線と、ゲート配線および参照配線に略直交する方向に延伸する所定の数のソース配線とが設けられる。なお、ゲート配線および参照配線とソース配線との間には絶縁膜が形成されており、ゲート配線および参照配線とソース配線とは、この絶縁膜を挟んで立体交差する。そしてゲート配線とソース配線の交差点近傍にはスイッチング素子が設けられ、スイッチング素子のゲート電極がゲート配線に電気的に接続され、ソース電極がソース配線に電気的に接続され、ドレイン電極が絵素電極に電気的に接続される。さらに、所定の参照配線と所定の絵素電極との間に、蓄積容量が形成される。

また、パネル額縁領域には、ゲート配線およびソース配線が引き出され、それらの一端が、端子領域に設けられる配線電極端子に電気的に接続される。さらにパネル額縁領域には、参照配線が引き出されるとともに、参照配線に所定の信号を分配する配線（以下、この配線を「参照幹線」と称する）が設けられる。具体的には、参照幹線がアクティブ領域の外周に沿って形成され、この参照幹線と、アクティブ領域から引き出される参照配線とが電気的に接続される。

ところで、このような構成を有するＴＦＴアレイ基板の製造工程において、何らかの理由により、パネル額縁領域に引き出される参照配線や、参照幹線が断線した状態に形成されることがある。たとえば、参照配線や参照幹線を形成する工程において、パターニング不良などによって、断線した状態に形成されることがある。参照配線や参照幹線が断線した状態に形成されると、断線した参照配線や参照幹線に接続される蓄積容量のうち、当該断線箇所よりも信号の流れの下流にある補助容量には、所定の信号を伝送できなくなる。この結果、このようなTFTＴＦＴアレイ基板が適用された表示パネルには、表示欠陥が現れることがある。

また、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを貼り合わせる工程において、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に導電性の異物が介在すると、この導電性の異物によって、特定の参照配線や参照幹線と他の導体（特に、対向基板に形成される共通電極）とが短絡することがある。特定の参照配線や参照幹線と他の導体とが短絡すると、当該特定の参照配線や参照幹線に連なる補助容量には、正常に信号を伝送できなくなる。この結果、このようなTFTアレイ基板が適用された表示パネルには、表示欠陥が現れることがある。

参照配線や参照幹線の断線または他の導体との短絡に起因する表示欠陥が現れると、表示パネルの品位を著しく損なう。また、このような表示パネルは、不良品となることがあるから、製品の歩留まりの低下を招く。

ＴＦＴアレイ基板に設けられる所定の配線の断線に起因する表示欠陥を修正する構成としては、たとえば、アクティブ領域の外側に、このアクティブ領域を囲繞するような予備配線を形成する構成が提案されている（特許文献１参照）。このような構成によれば、アクティブ領域内においてソース配線が断線している場合には、断線しているデータ線の基端部とこの予備配線とを電気的に接続するとともに、当該断線しているデータ線の先端部とこの予備配線とを電気的に接続することにより、表示欠陥を修正できる。すなわち、当該断線しているソース配線の先端部（＝断線箇所よりも下流側）に、この予備配線を通じて所定の信号を伝送できるから、表示欠陥が発生しなくなる。

しかしながら、特許文献１の構成は、ソース配線の断線に起因する表示欠陥を修正することはできるが、参照幹線の断線に起因する表示欠陥を修正することはできない。また、参照配線や参照幹線と他の導体（特に、対向基板に設けられる共通電極）との短絡に起因する表示欠陥を修正することもできない。

特開平３−２３４２５号公報

上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、参照配線もしくは参照幹線の断線に起因する表示欠陥を修正できる基板、この基板を備える表示パネル、この表示パネルの修正方法を提供すること、または、参照配線もしくは参照幹線と他の導体（特に対向基板に設けられる共通電極）との間との短絡に起因する表示欠陥を修正できる基板、この基板を備える表示パネル、この表示パネルの修正方法を提供することである。

前記課題を解決するため、本発明にかかる基板は、絵素電極と、前記絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、を有することを要旨とするものである。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線とを有することを要旨とするものである。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の絵素電極を駆動するトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線とを有することを要旨とするものである。

前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線は前記ソース配線と同じ層に形成される構成が適用できる。また、前記第一の配線は参照配線であり、前記複数の第一の配線と前記絵素電極との間に形成される容量は蓄積容量である構成が適用できる。

前記複数の第一の配線は互いに略平行に形成されるとともに、前記第二の配線は前記複数の第一の配線に略直交する方向に延伸するように形成される構成が適用できる。

前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿うように設けられる構成が適用できる。

本発明にかかる基板は、絵素電極と、前記絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に電気的に接続して所定の信号を伝送する第三の配線とを有することを要旨とするものである。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に所定の信号を伝送する第三の配線とを有することを要旨とするものである。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に所定の信号を伝送する第三の配線と、前記複数の絵素電極を駆動する複数のトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線とを有することを要旨とするものである。

前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線および前記第三の配線は前記ソース配線と同じ層に形成される構成が適用できる。

前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿うように設けられる構成が適用できる。前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域と前記第三の配線との間に設けられる構成が適用できる。さらに、前記第二の配線は前記第三の配線に略平行に設けられる構成が適用できる。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線のうちの所定の一部の第一の配線に電気的に接続して所定の信号を伝送する複数の第三の配線とを有することを要旨とするものである。

本発明にかかる基板は、複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線のうちの所定の一部の第一の配線に所定の信号を伝送する複数の第三の配線と、前記複数の絵素電極を駆動する複数のトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線とを有することを要旨とするものである。

前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線および前記複数の第三の配線は前記ソース配線と同じ層に形成される構成が適用できる。

前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿って設けられる構成が適用できる。また、前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域と前記複数の第三の配線との間に設けられる構成が適用できる。さらに、前記第二の配線は前記複数の第三の配線に略平行に設けられる構成が適用できる。

本発明にかかる表示パネルは、前記いずれかの基板と、対向基板と、を備え、前記基板と前記対向基板とが所定の間隔をおいて対向して貼り合わせられるとともに、前記基板と前記対向基板との間に液晶が充填されることを要旨とするものである。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記複数の第一の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良を有する第一の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程とを有するとともに、前記不良が断線である場合には、前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有し、前記不良が他の導体との短絡である場合には、前記不良を有する第一の配線の前記不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程と、前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有することを要旨とするものである。

前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記不良を有する第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射することにより前記絶縁膜を除去するとともに前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させること構成が適用できる。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記複数の第一の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良を有する第一の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程とを有するとともに、前記不良が断線である場合には、前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有し、前記不良が他の導体との短絡である場合には、前記不良を有する第一の配線の前記不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程と、前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有することを要旨とするものである

前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記不良を有する第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射することにより前記絶縁膜を除去するとともに前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させる構成が適用できる。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記第三の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良箇所を特定する工程と、前記不良が他の導体との短絡である場合には、前記第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の一方側に位置する所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、前記第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の他方側に位置する他の所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有することを要旨とするものである。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記複数の第三の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良を有する第三の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、前記不良が他の導体との短絡である場合には、前記不良を有する第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の一方側に位置する所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、前記不良を有する第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の他方側に位置する他の所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを有することを要旨とするものである。

前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記所定の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記所定の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の所定の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させる構成が適用できる。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記第三の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良箇所を特定する工程と、前記不良が断線である場合には、前記不良箇所の一方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良箇所の他方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを含むことを要旨とするものである。

前記不良箇所の一方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳しする部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良箇所の他方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させる構成が適用できる。

本発明にかかる表示パネルの修正方法は、前記複数の第三の配線に不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良を有する第三の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、前記不良が断線である場合には、前記不良箇所の一方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、前記不良箇所の他方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程とを含むことを要旨とするものである。

前記不良箇所の一方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、不良箇所の他方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させる構成が適用できる。

絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線に不良を有するものが含まれると、不良を有する第一の配線は正常に信号を伝送できない場合がある。本発明によれば、絵素電極が設けられる領域の外側に第二の配線が設けられるとともに、第一の配線と第二の配線とが絶縁膜を挟んで重畳する部分が設けられる。このため、この重畳する部分において第一の配線と第二の配線とを短絡（＝電気的に接続）することができる。したがって、不良箇所を迂回する経路を形成することができ、第一の配線の不良箇所の下流側に正常に信号を伝送できるようになる。

たとえば、不良が断線である場合には、断線箇所を迂回する経路を形成することにより、断線箇所よりも下流側に正常に信号を伝送できるようになる。不良が他の導体との短絡である場合には、短絡箇所の前後において第一の配線を切断して当該短絡箇所を電気的に独立させ（＝短絡を解消し）、電気的に独立させた短絡箇所を迂回する経路を形成することにより、電気的に独立させた短絡箇所よりも下流側に正常に信号を伝送できるようになる。

絵素電極との間に蓄積容量を形成する複数の参照配線に不良を有するものが含まれると、不良を有する参照配線に電気的に接続する蓄積容量には正常に信号を伝送できない場合がある。蓄積容量に正常に信号を伝送できないと、この蓄積容量に電気的に接続する絵素電極が正常に作動しなくなり、表示欠陥が現れることがある。本発明によれば、絵素電極が設けられる領域の外側に予備配線が設けられるとともに、参照配線と予備配線とが絶縁膜（＝ゲート絶縁膜）を挟んで重畳する部分が設けられる。そしてこの重畳する部分において、参照配線と予備配線とを短絡（＝電気的に接続）することができる。このため、不良を有する参照配線と予備配線とを電気的に接続することにより、不良箇所を迂回する経路を形成することができる。したがって、不良を有する参照配線の不良箇所よりも下流側に正常に信号を伝送できるようになり、表示欠陥が解消する。

たとえば、不良が断線である場合には、断線箇所を迂回する経路を形成することにより、参照配線の断線箇所よりも下流側に正常に信号を伝送できるようになる。不良が他の導体との短絡である場合には、短絡箇所の前後において参照配線を切断して当該短絡箇所を電気的に独立させ（＝短絡を解消し）、電気的に独立させた短絡箇所を迂回する経路を形成することにより、電気的に独立させた短絡箇所よりも下流側に正常に信号を伝送できるようになる。

複数の第一の配線に信号を伝送（分配）する第三の配線が設けられる構成において、第三の配線に不良があると、絵素電極との間に容量を形成する複数の第二の配線に正常に信号を伝送できなくなることがある。本発明によれば、絵素電極が設けられる領域の外側に第二の配線が設けられるとともに、第一の配線と第二の配線とが絶縁膜を挟んで重畳する部分が設けられる。そして、この重畳する部分において、第一の配線と第二の配線とを短絡することができる。このため、第三の配線の不良箇所の前後（上流側および下流側）において第三の配線に電気的に接続する第一の配線と第二の配線とを短絡することにより、不良箇所を迂回する経路を形成することができる。このため、すべての第一の配線に正常に信号を伝送できるようになる。

たとえば、不良が断線である場合には、断線箇所を迂回する経路を形成することにより、断線箇所よりも下流側において第三の配線に電気的に接続する第一の配線に正常に信号を伝送できるようになる。また、不良が他の導体との短絡である場合には、短絡箇所の前後において第三の配線を切断して当該短絡箇所を電気的に独立させる（＝短絡を解消する）。そして、電気的に独立させた短絡箇所を迂回する経路を形成することができる。これにより、電気的に独立させた短絡箇所よりも下流側において第三の配線に電気的に接続する第一の配線に、正常に信号を伝送できるようになる。

複数の参照配線に信号を伝送（分配）する第三の配線が設けられる構成において、第三の配線に不良があると、絵素電極との間に蓄積容量を形成する複数の参照配線に正常に信号を伝送できなくなることがある。このため、蓄積容量に正常に信号を伝送できなくなり、表示欠陥が現れることがある。本発明によれば、絵素電極が設けられる領域の外側に予備配線が設けられるとともに、参照配線と予備配線とが絶縁膜を挟んで重畳する部分が設けられる。そして、この重畳する部分において、参照配線と予備配線とを短絡することができる。このため、第三の配線の不良箇所の前後（上流側および下流側）において第三の配線に電気的に接続する参照配線と予備配線とを短絡することにより、不良箇所を迂回する経路を形成することができる。このため、すべての参照配線に正常に信号を伝送できるようになり、すべての蓄積容量に正常に信号を伝送できるようになる。したがって、表示欠陥が解消する。

たとえば、不良が断線である場合には、断線箇所を迂回する経路を形成することにより、断線箇所よりも下流側において第三の配線に電気的に接続する参照配線に正常に信号を伝送できるようになる。また、不良が他の導体との短絡である場合には、短絡箇所の前後において第三の配線を切断して当該短絡箇所を電気的に独立させる（＝短絡を解消する）。そして、電気的に独立させた短絡箇所を迂回する経路を形成することができる。これにより、電気的に独立させた短絡箇所よりも下流側において第三の配線に電気的に接続する参照配線に、正常に信号を伝送できるようになる。

本発明の第一実施形態にかかる基板の構成を、模式的に示した外観斜視図である。本発明の第一実施形態にかかる基板に形成される配線を模式的に示した図である。本発明の第一実施形態にかかる基板に形成される素子や配線の構成を示した等価回路であり、本発明の第一実施形態にかかる基板の一部を抜き出して示した図である。本発明の第一実施形態にかかる基板に形成される絵素の構成を、模式的に示した平面図である。本発明の第一実施形態にかかる基板の周縁部（＝パネル額縁領域）の一部を抜き出して示した平面図である。本発明の第二実施形態にかかる基板に形成される配線を模式的に示した図である。本発明の第二実施形態にかかる基板の周縁部（＝パネル額縁領域）の一部を抜き出して示した平面図である。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板の製造方法（および本発明の第二実施形態にかかる基板の製造方法）の所定の工程を模式的に示した図であり、（ａ）はアクティブ領域を示し、（ｂ）、（ｃ）はパネル額縁領域を示す。本発明の第一実施形態にかかる基板が適用された表示パネルおよび本発明の第二実施形態にかかる表示パネルの構成を、模式的に示した外観斜視図である。対向基板の構成を模式的に示した図であり、（ａ）は対向基板の全体構造を模式的に示した斜視図、（ｂ）は対向基板に形成される一絵素の構成を抜き出して示した平面図、（ｃ）は（ｂ）のＦ−Ｆ線断面図であって、絵素の断面構造を示した図である。修正方法（１−１）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（１−２）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（１−３）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（１−４）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（２−１）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（２−２）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（２−３）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。修正方法（２−４）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネルに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板のパネル額縁領域の一部を抜き出して示した図である。

以下に、本発明の各種実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に示す本発明の各実施形態にかかる基板は、アクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルに適用されるＴＦＴアレイ基板である。また、本発明の各実施形態にかかる表示パネルは、本発明のいずれかの実施形態にかかる基板が適用された表示パネルであり、アクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルである。

図１は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの構成を、模式的に示した外観斜視図である。図２は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａに形成される配線を模式的に示した図である。図３は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａに設けられる配線や素子の等価回路の一部を抜き出して示した図である。図４は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａに形成される絵素の構成を、模式的に示した平面図である。図５は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの周縁部（＝パネル額縁領域１２）の一部を抜き出して示した平面図である。なお、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａには、図２、図３、図４、図５に示すもの以外にも所定の配線や所定の要素が形成されるが、それらについては省略する。

図１と図２のそれぞれに示すように、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａには、アクティブ領域１１（「表示領域」と称することもある）と、このアクティブ領域１１を囲繞するパネル額縁領域１２とが設けられる。

アクティブ領域１１は、所定の数（複数）の絵素が形成される領域である。具体的には、アクティブ領域１１の外周は略四辺形に形成され、図３と図４に示すように、アクティブ領域１１の内部には、所定の数の絵素電極１１６がマトリックス状に配列される。そして図２、図３、図４に示すように、アクティブ領域１１には、所定の数のゲート配線１１１が互いに略平行に形成されるとともに、所定の数の参照配線１１３ａ（特許請求の範囲の記載にいう「第一の配線」）が、ゲート配線１１１どうしの間に、ゲート配線１１１に略平行に形成される。所定の参照配線１１３ａと所定の絵素電極１１６との間には、静電容量である蓄積容量１１７が形成される。さらに、所定の数のソース配線１１２が、ゲート配線１１１および参照配線１１３ａの延伸方向に略直交する方向に延伸するように形成される。

ゲート配線１１１と参照配線１１３ａとは同じ層に形成されており、ソース配線１１２は、ゲート配線１１１と参照配線１１３ａが形成される層とは異なる層に形成される。そしてゲート配線１１１と参照配線１１３ａが形成される層と、ソース配線１１２が形成される層との間には、絶縁膜（＝ゲート絶縁膜）（図略）からなる層が形成される。このため、ソース配線１１２は、絶縁膜を挟んでゲート配線１１１および参照配線１１３ａに立体交差しており、ソース配線１１２は、ゲート配線１１１と立体交差する箇所、および参照配線１１３ａと立体交差する箇所においては、ゲート配線１１１と参照配線１１３ａとは電気的に接続しておらず絶縁されている。

なお、ゲート配線１１１は、「走査線」、「ゲートバスライン」などの名称で呼ばれることがある。ソース配線１１２は、「データ線」、「ソースバスライン」などの名称で呼ばれることがある。参照配線１１３ａは、「補助容量線」、「蓄積容量線」、「補助容量バスライン」「Ｃｓ配線」などの名称で呼ばれることがある。蓄積容量１１７は、「補助容量」の名称で呼ばれることがある。

そして、特に図４に示すように、ゲート配線１１１とソース配線１１２との交差点近傍には、絵素電極１１６を駆動するスイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１５（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が設けられる。各薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１は所定のゲート配線１１１と電気的に接続され、ソース電極１１５２は所定のソース配線１１２と電気的に接続され、ドレイン電極１１５３はドレイン配線１１４を通じて所定の絵素電極１１６に電気的に接続される。具体的には、薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１は、所定のゲート配線１１１と同じ導体により当該所定のゲート配線１１１と一体に形成され、ソース電極１１５２は、所定のソース配線１１２と同じ導体により当該所定のソース配線１１２に一体に形成され、ドレイン電極１１５３は所定のドレイン配線１１４と同じ導体により当該所定のドレイン配線１１４と一体に形成される。そして所定のドレイン配線１１４が所定の絵素電極１１６と電気的に接続する。

また、参照配線１１３ａは、所定のドレイン配線１１４と絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する。そして、ドレイン配線１１４と重畳する部分は蓄積容量１１７となる。ドレイン配線１１４は絵素電極に電気的に接続しているから、参照配線１１３ａと絵素電極１１６との間に（ドレイン配線１１４を介して）容量が形成されることになる。

パネル額縁領域１２は、図１と図２のそれぞれに示すように、アクティブ領域１１の外側に当該アクティブ領域１１を囲繞するように設けられる領域であり、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの外周に沿って設けられる略四辺形の額縁状の領域である。パネル額縁領域１２には、端子領域１２２とシールパターン領域１２１が設けられる。

端子領域１２２は、パネル額縁領域１２の四辺のうちの所定の辺（本発明の第一実施形態にかかる基板１ａおいては、長辺の一方と短辺の一方の計二辺）に、パネル額縁領域１２の外周に沿って設けられる細い帯状の領域である。パネル額縁領域１２の所定の辺（本発明の第一実施形態にかかる基板１ａにおいては短辺）に設けられる端子領域１２２は、所定の薄膜トランジスタ１１５を駆動するゲート信号（「ゲートパルス」、「選択パルス」などと称することもある）を生成するドライバＩＣまたはドライバＬＳＩ（以下、「ゲートドライバ」と称する）が実装されたフィルム状またはシート状の回路基板（たとえば、ＴＡＢ（Tape Carrier Package））を装着する領域である。パネル額縁領域１２の他の所定の辺（本発明の第一実施形態にかかる基板１ａにおいては長辺）に設けられる端子領域１２２は、所定の絵素電極１１６に伝送する画像信号（「データ信号」、「階調信号」などと称することもある）を生成するドライバＩＣまたはドライバＬＳＩ（以下、「ソースドライバ」と称する）が実装されたフィルム状またはシート状の回路基板を装着する領域である。

端子領域１２２には、所定の数の配線電極端子１２２１が、所定の間隔をおいて設けられる。配線電極端子１２２１は、たとえば導体からなる所定の数（複数）の接続ランドを有する。なお、端子領域１２２に設けられる各接続ランドを「配線電極端子」と称することがあるが、本発明においては、一纏まりに形成される複数の接続ランドの集合を、一つの「配線電極端子１２２１」と称するものとする。

そして、パネル額縁領域１２の四辺のうち、端子領域１２２が設けられる所定の辺（一般的には短辺の一方または両方。本発明の第一実施形態にかかる基板１ａにおいては短辺の一方）には、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１が形成される。アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１の一端は端子領域１２２に達しており、端子領域１２２に設けられる所定の配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的に接続する。また、端子領域１２２が設けられる他の所定の辺（一般的には長辺の一方または両方。本発明の第一実施形態にかかる基板１ａにおいては長辺の一方）には、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される。アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２の一端は端子領域１２２に達しており、端子領域１２２に設けられる所定の配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的に接続する。

このような構成によれば、ゲートドライバが実装された回路基板が所定の辺に設けられる端子領域に装着されると、ゲートドライバが生成したゲート信号は、配線電極端子１２２１およびゲート配線１１１のうちのパネル額縁領域１２に形成される部分（＝アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１）を通じて、ゲート配線１１１のうちのアクティブ領域１１に形成される部分に伝送される。これにより、各ゲート配線１１１に接続される所定の薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１に、ゲート信号を伝送することができる。

また、ソースドライバが実装された回路基板が、他の所定の辺に設けられる端子領域１２２に装着されると、ソースドライバが生成した画像信号は、配線電極端子１２２１およびソース配線１１２のうちのパネル額縁領域１２に形成される部分（＝アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２）を通じて、アクティブ領域１１に形成される部分に伝送される。これによって、各ソース配線１１２に接続される所定の薄膜トランジスタ１１５のソース電極１１５２に、画像信号を伝送することができる。

さらに、パネル額縁領域１２の所定の辺（具体的にはアクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１が形成される辺）には、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される。アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａの一端は端子領域１２２には達しておらず、パネル額縁領域１２の幅方向（パネル額縁領域１２の所定の辺の長手方向に直角な方向）の中間に位置する。

そして、パネル額縁領域１２の四辺のうち、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される辺には、各参照配線１１３ａに所定の信号を伝送する配線（特許請求の範囲の記載にいう「第三の配線」。以下「参照幹線１２３ａ」と称する）が形成される。この参照幹線１２３ａは、パネル額縁領域１２の前記辺において、アクティブ領域１１の外周に沿うように形成される。また、この参照幹線１２３ａの一端は、所定の配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的に接続する。具体的には、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺の配線電極端子１２２１のうち、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１が形成される辺に最も近い配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的にする。そしてこの参照幹線１２３ａは、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａのすべてに電気的に接続する。

このような構成によれば、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａ（または本発明の第一実施形態にかかる基板１ａが適用された表示パネル）の外部で生成された所定の信号は、ソースドライバが実装された回路基板のうちの所定の一つ（具体的には、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される辺に最も近い一つ）を通じて参照幹線１２３ａに伝送され、参照幹線１２３ａを通じて各参照配線１１３ａに伝送される。

さらに、パネル額縁領域１２には、予備配線１２４（特許請求の範囲の記載にいう「第二の配線」）が形成される。この予備配線１２４は、参照配線１１３ａのうちパネル額縁領域１２に形成される部分（＝アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ）に断線や他の導体との短絡があり、これに起因して参照配線１１３ａが正常に信号を伝送できない場合において、信号を伝送するための経路（＝バイパス）として機能する。また、この予備配線１２４は、参照幹線１２３ａに断線や他の導体との短絡があり、これに起因して参照幹線１２３ａが正常に信号を伝送できない場合にも、信号を伝送するための経路として機能する。

予備配線１２４は、特に図２と図５に示すように、パネル額縁領域１２の四辺のうちのアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される辺に、アクティブ領域１１の外周と参照幹線１２３ａとの間に形成される。すなわち、予備配線１２４は、アクティブ領域１１の外側に形成される。そして、図２と図５に示すように、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａのすべてに交差する。なお、予備配線１２４は、他の導体や配線とは電気的に接続しておらず、いわゆる電気的な浮島状態にある。

アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ、参照幹線１２３ａおよび予備配線１２４の物理的構成を、図５を参照して説明する。

アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａは、同じ層に形成される。参照幹線１２３ａと予備配線１２４は同じ層（ただし、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される層とは異なる層）に形成される。そして、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される層と、参照幹線１２３ａと予備配線１２４が形成される層との間には、絶縁膜からなる層が形成される。アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａの先端部は、絶縁膜を挟んで参照幹線１２３ａに重畳する。そして絶縁膜にはこの重畳する部分に開口部（＝コンタクトホール）が形成されており、このコンタクトホールを通じて参照幹線１２３ａとアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａとが電気的に接続する。図５においては、塗り潰してある箇所において、参照幹線１２３ａと参照配線１１３ａが電気的に接続する。

また、予備配線１２４は、アクティブ領域１１の外周と参照幹線１２３ａとの間に、アクティブ領域１１の外周に沿って形成される。このため予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａとは絶縁膜を挟んで立体交差する。すなわち、予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａと重畳する部分を有する。ただし、予備配線１２４が形成される層とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａが形成される層との間には、絶縁膜が形成されるから、予備配線１２４と参照配線１１３ａとは電気的に接続していない。また、予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とも立体交差しているが、絶縁膜によってアクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１から絶縁された状態にある。また、予備配線１２４は、参照幹線１２３ａと同じ層に参照幹線１２３ａに沿うように形成されるが、参照幹線１２３ａとは電気的に接続していない。さらに予備配線１２４は、その他の配線や導体とは電気的に接続していない。このように予備配線１２４は、いわゆる電気的な浮島状態に形成される。

なお予備配線１２４の数は特に限定されるものではない。図２と図５には、二本の予備配線１２４が形成される構成を示すが、一本であってもよく、三本以上であってもよい。また、予備配線１２４は、絶縁膜を挟んでアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａと重畳する部分を有していればよく、形状や寸法は限定されない。

次に、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂについて説明する。なお、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂと本発明の第一実施形態にかかる基板１ａとは、主に参照幹線１２３ｂの数および参照幹線１２３ｂとアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂとの接続の形態が相違し、他の部分は共通の構成を有する。このため、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと共通の構成については同じ符号を付して示し、説明は省略することがある。

図６は、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂに形成される配線や素子の等価回路を模式的に示した図である。図７は、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの周縁部（＝パネル額縁領域１２）の一部を抜き出して示した平面図である。

本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂには、アクティブ領域１１と、このアクティブ領域１１を囲繞するパネル額縁領域１２とが設けられる。アクティブ領域１１の概略構成、パネル額縁領域１２の概略構成、アクティブ領域１１に形成される絵素や各種配線の構成、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１の構成、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２の構成および予備配線１２４の構成は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと同じ構成が適用される。したがって説明は省略する（図１、図３、図４参照）。

パネル額縁領域１２の四辺のうち、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される辺には、参照配線１１３ｂに所定の信号を伝送するＮ本（Ｎは２以上の整数。図６と図７においてはＮ＝３）の参照幹線１２３ｂが形成される。これらＮ本の参照幹線１２３ｂは、パネル額縁領域１２の前記辺に、互いに略平行でアクティブ領域１１の外周に沿うように形成される。また、これらのＮ本の参照幹線１２３ｂの一端は、所定の配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的に接続する。具体的には、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺の配線電極端子１２２１のうち、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１が形成される辺に最も近い配線電極端子１２２１の所定の接続ランドに電気的にする。

そして、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちのいずれか１本に電気的に接続する。

たとえば、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは互いに略平行に形成されており、Ｎ本ごとにある一本の参照幹線１２３ｂに電気的に接続する。具体的には、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺側から数えて（ｘＮ＋ｍ）番目にあるアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、略平行に形成されるＮ本の参照幹線１２３ｂのうち端からｍ番目の一本に電気的に接続する。ここで、ｘは０以上の整数（ただし、ｘの値は、（ｘＮ＋ｍ）の値が参照配線１１３ｂの本数以下の値となる条件を充足する）、ｍは１以上Ｎ以下の整数である。

すなわち、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂのうち、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺側から数えて１番目、（Ｎ＋１）番目、（２Ｎ＋１）番目、（３Ｎ＋１）番目、・・・のアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちの最も端に形成される一本に電気的に接続する。アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺側から数えて２番目、（Ｎ＋２）番目、（２Ｎ＋２）番目、（３Ｎ＋２）番目、・・・のアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちの端から２番目に形成される一本に電気的に接続する。

三本の参照幹線１２３ｂが形成される構成であれば、アクティブ領域１１から延出するソース配線１１２が形成される辺側から、１番目、４番目、７番目、１０番目、・・・のアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、一番端に形成される参照幹線１２３ｂに電気的に接続する。２番目、５番目、８番目、１１番目、・・・のアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、端から２番目に形成される参照幹線１２３ｂに電気的に接続する。３番目、６番目、９番目、１２番目、・・・のアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、端から３番目に形成される参照幹線１２３ｂに電気的に接続する。

このような構成によれば、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａ（または本発明の第一実施形態にかかる表示パネル）の外部で生成された所定の信号は、ソースドライバが実装された回路基板のうちの所定の一つ（具体的には、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される辺に最も近い一つ）を通じて、Ｎ本の参照幹線のそれぞれに伝送され、Ｎ本の参照幹線１２３ｂを通じて所定の参照配線１１３ｂに伝送される。

なお、参照配線１１３ｂと参照幹線１２３ｂとの接続形態は、前記形態に限定されるものではない。前記のとおり、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちのいずれか一本に電気的に接続される構成であればよい。

さらに、パネル額縁領域１２には、予備配線１２４が形成される。この予備配線１２４は、参照配線１１３ｂのうちパネル額縁領域１２に形成される部分（＝アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂ）に断線や他の導体との短絡があり、これに起因して参照配線１１３ｂが正常に信号を伝送できない場合に、信号を伝送するための経路（＝バイパス）として機能する。また、予備配線１２４は、参照幹線１２３ｂのいずれかに断線や他の導体との短絡があり、これに起因して参照幹線１２３ｂが正常に信号を伝送できない場合にも、信号を伝送するための経路として機能する。

これらの予備配線１２４は、特に図６と図７に示すように、パネル額縁領域１２の四辺のうち、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される辺（すなわち、アクティブ領域１１の四辺のうちの所定の辺の外側）に、アクティブ領域１１の外周とＮ本の参照幹線１２３ｂのうちの最もアクティブ領域１１に近い一本との間に形成される。そして、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂのすべてに交差する。予備配線１２４は、他の導体や配線とは電気的に接続しておらずいわゆる電気的な浮島状態にある。

アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂ、Ｎ本の参照幹線１２３ｂおよび予備配線１２４の物理的構成を、図７を参照して説明する。

アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂは、同じ層に形成される。Ｎ本の参照幹線１２３ｂと予備配線１２４は同じ層（ただし、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される層とは異なる層）に形成される。そして、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される層と、参照幹線１２３ｂと予備配線１２４が形成される層との間には、絶縁膜（図略）からなる層が形成される。アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂの先端部は、絶縁膜を挟んで所定の参照幹線１２３ｂに重畳する（参照配線１１３ｂによっては、他の参照幹線１２３ｂに重畳する部分を有するものもある）。絶縁膜の当該重畳する部分には開口部（＝コンタクトホール）が形成されており、このコンタクトホールを通じてアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂと所定の参照幹線１２３ｂとが電気的に接続する。図７においては、塗り潰されている部分において、参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する。

また、予備配線１２４は、アクティブ領域１１とＮ本の参照幹線１２３ｂのうちの最もアクティブ領域１１に近い一本との間に形成される。すなわち予備配線１２４は、アクティブ領域１１の外側に、アクティブ領域１１の外周に沿って形成される。このため予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂと絶縁膜を挟んで立体交差する。すなわち、予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂと重畳する部分を有する。ただし、予備配線１２４が形成される層とアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ｂが形成される層との間には、絶縁膜の層が形成されるから、予備配線１２４と参照配線１１３ｂとは電気的に接続していない。

また、予備配線１２４は、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とも立体交差しているが、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１とは絶縁膜によって絶縁された状態にある。さらに、予備配線１２４は、参照幹線１２３ｂと同じ層に参照幹線１２３ｂに沿うように形成されるが、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのいずれとも電気的に接続していない。さらに予備配線１２４は、その他の配線や導体とは電気的に接続していない。このように予備配線１２４は、いわゆる電気的な浮島状態に形成される。

次に、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの製造方法および本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの製造方法について説明する。なお、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂとは、前記のとおり主に参照幹線１２３ａ，１２３ｂの数が相違するのみであり、製造方法の各工程の内容はほぼ同じである。このため、まとめて説明する。

図８〜図１６は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの製造方法および本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。それぞれ図８〜図１６の（ａ）は、アクティブ領域１１を示し、（ｂ）、（ｃ）は、パネル額縁領域１２を示す。また、図８〜図１６の（ｂ）は、特にアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂの構成を示し、（ｃ）は、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１の構成を示す。なお、これらの断面図は、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの断面構造を模式的に示した図であり、特定の断面線に沿って切断した図ではない。

まず、図８（ａ）に示すように、ガラスなどからなる透明基板３１の表面のアクティブ領域１１に、ゲート配線１１１、参照配線１１３ａ，１１３ｂおよび薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１が形成される。同じ工程において、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、パネル額縁領域１２には、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１、アクティブ領域１１から延出するする参照配線１１３ａ，１１３ｂおよび配線電極端子１２２１の接続ランドが形成される。

具体的には、まず、透明基板３１の片側表面の全面にわたって、クロム、タングステン、モリブデン、アルミニウムなどからなる単層または多層の導体膜（以下、第一の導体膜と称する）が形成される。この第一の導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。なお、この第一の導体膜の厚さは特に限定されるものではないが、たとえば３００ｎｍ程度の厚さが適用できる。

そして、形成された第一の導体膜が、アクティブ領域においては、図８（ａ）に示すように、ゲート配線１１１、参照配線１１３ａ，１１３ｂおよび薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１の形状にパターニングされる。また、パネル額縁領域１２においては、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂおよび配線電極端子１２２１の接続ランドの形状にパターニングされる。第一の導体膜のパターニングには、公知の各種ウェットエッチングが適用できる。第一の導体膜がクロムからなる構成においては、（ＮＨ_４）_２［Ｃｅ（ＮＨ_３）_６］＋ＨＮＯ_３＋Ｈ_２Ｏ液を用いたウェットエッチングが適用できる。

次に、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、前記工程を経た透明基板３１の表面に絶縁膜３２（＝ゲート絶縁膜）が形成される。絶縁膜３２には、厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）等が適用できる。絶縁膜３２の形成方法には、プラズマＣＶＤ法などが適用できる。絶縁膜３２が形成されると、アクティブ領域１１においては、図９（ａ）に示すように、ゲート配線１１１、参照配線１１３ａ，１１３ｂおよび薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１１５１が絶縁膜３２により覆われる。パネル額縁領域１２においては、図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１およびアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂが、絶縁膜３２により覆われる。

次いで、図１０（ａ）に示すように、アクティブ領域１１においては、絶縁膜３２の表面の所定の位置に所定の形状の半導体膜３４が形成される。具体的にはこの半導体膜３４は、絶縁膜３２を挟んでゲート電極１１５１に重畳する位置と、絶縁膜３２を挟んで参照配線１１３ａ，１１３ｂに重畳する位置に形成される。この半導体膜３４は、第一のサブ半導体膜３４１と第二のサブ半導体膜３４２とからなる二層構造を有する。第一のサブ半導体膜３４１には、厚さが１００ｎｍ程度のアモルファスシリコンなどが適用できる。第二のサブ半導体膜３４２には、厚さが２０ｎｍ程度のｎ^＋型のアモルファスシリコンなどが適用できる。

第一のサブ半導体膜３４１は、エッチングによりソース配線やドレイン配線などを形成する工程において、エッチングストッパ層として機能する。第二のサブ半導体膜３４２は、第一のサブ半導体膜３４１とソース電極１１５２やドレイン電極１１５３（これらは後の工程で形成される）とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。

この半導体膜３４（第一のサブ半導体膜３４１と第二のサブ半導体膜３４２）の形成方法には、プラズマＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法が適用できる。

すなわち、まずプラズマＣＶＤ法を用いて、半導体膜３４（第一のサブ半導体膜３４１と第二のサブ半導体膜３４２）の材料を、前記工程を経た透明基板３１の片側表面に堆積させる。そして、堆積させることにより形成された半導体膜３４（第一のサブ半導体膜３４１と第二のサブ半導体膜３４２）を、フォトリソグラフィ法などにより、所定の形状にパターニングする。具体的には、形成された半導体膜３４の表面にフォトレジスト材料の層が形成される。フォトレジスト材料の層の形成には、スピンコータなどが適用できる。そして、形成されたフォトレジスト材料の層に、フォトマスクを用いて露光処理を施し、その後現像処理を施す。そうすると、アクティブ領域１１における半導体膜３４の表面には、所定のパターンのフォトレジスト材料の層が残る。

そして、パターニングされたフォトレジスト材料の層をマスクとして用いて、半導体膜３４のパターニングを行う。このパターニングには、たとえばＨＦ＋ＨＮＯ_３溶液を用いたウェットエッチングやＣｌ_２とＳＦ_６ガスを用いたドライエッチングが適用できる。これにより、半導体膜３４（第一のサブ半導体膜３４１と第二のサブ半導体膜３４２）が、絶縁膜３２を介してゲート電極１１５１に重畳する位置に形成されるとともに、参照配線１１３ａ，１１３ｂに重畳する位置に形成される。

なお、図１０（ｂ）、（ｃ）に示すように、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂおよびアクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１に重畳するような半導体膜３４は形成されない。

次いで、図１１（ａ）に示すように、アクティブ領域１１においては、ソース配線１１２、ドレイン配線１１４および薄膜トランジスタ１１５のドレイン電極１１５３が、同じ材料により同じ工程で形成される。同時に、図１１（ｂ）、（ｃ）に示すように、パネル額縁領域１２においては、参照幹線１２３ａ，１２３ｂおよび予備配線１２４が、同じ材料により同じ工程で形成される。

具体的には、前記工程を経た透明基板３１の表面に、第二の導体膜が形成される。この第二の導体膜は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどからなる二層以上の積層構造を有する。本発明の第一実施形態にかかる基板１ａおよび本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂにおいては、第二の導体膜が二層構造を有する。すなわち、第二の導体膜は、透明基板３１に近い側の第一のサブ導体膜と、遠い側の第二のサブ導体膜とからなる二層構造を有する。第一のサブ導体膜には、チタンなどが適用できる。第二のサブ導体膜には、アルミニウムなどが適用できる。

第二の導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。第二の導体膜のパターニングには、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３ガスを用いたドライエッチングおよび燐酸、酢酸、硝酸を用いたウェットエッチングが適用できる。このパターニングによって、第二の導体膜からなるソース配線１１２、ドレイン配線１１４、ドレイン電極１１５３、参照幹線１２３ａ，１２３ｂおよび予備配線１２４が形成される。このパターニングにおいては、第一のサブ半導体膜をエッチングストッパ層として、第二のサブ半導体膜もエッチングされる。

特に図１１（ｂ）に示すように、参照幹線１２３ａ，１２３ｂは、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂの先端部に、絶縁膜３２を挟んで重畳する部分を有するように形成される。そして、この重畳する部分のうち所定のものには、参照幹線１２３ａ，１２３ｂに開口部（貫通孔）が形成される。

すなわち、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａのように、一本の参照幹線１２３ａが形成され、一本の参照幹線１２３ａがすべての参照配線１１３ａと電気的に接続する構成においては、すべての参照配線１１３ａと重畳する部分のすべてに開口部が形成される。また、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂのように、Ｎ本（＝二本以上）の参照幹線１２３ｂが形成され、各参照幹線１２３ｂが所定の参照配線１１３ａとが電気的に接続する構成においては、ある参照幹線１２３ｂには、当該ある参照幹線１２３ｂと電気的に接続する参照配線１１３ｂが重畳する部分に開口部が形成される。逆にいうと、ある参照幹線１２３ｂと電気的に接続しない参照配線１１３ｂとが重畳する部分には、開口は形成されない。

また、予備配線１２４は、参照幹線１２３ａ，１２３ｂのパネル額縁領域１２の側に形成されるから、予備配線１２４も、絶縁膜３２を挟んでアクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂに重畳する部分を有する。

なお、図１１（ｂ）、（ｃ）においては、二本の予備配線１２４と一本の参照幹線１２３ａ，１２３ｂが略平行に形成される構成を示す。前記のとおり、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａであれば、一本の参照幹線１２３ａが形成され、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂであれば、Ｎ本の参照幹線１２３ａが形成される。

以上の工程を経ると、図１１（ａ）に示すように、アクティブ領域１１には、薄膜トランジスタ１１５（すなわち、ゲート電極１１５１、ソース電極１１５２およびドレイン電極１１５３）、ゲート配線１１１、参照配線１１３ａ，１１３ｂおよびソース配線１１２が形成される。さらに、参照配線１１３ａ，１１３ｂと、ドレイン配線１１４の先端部が絶縁膜３２および半導体膜３４を介して重畳する。このため、参照配線１１３ａ，１１３ｂとドレイン配線１１４との重畳部分が蓄積容量１１７となる。また、図１１（ｂ）、（ｃ）に示すように、パネル額縁領域１２には、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１、アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂ、配線電極端子１２２１、参照幹線１２３ａ，１２３ｂおよび予備配線１２４が形成される。

次いで、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、前記工程を経た透明基板３１に、パッシベーション膜３５が形成される。このパッシベーション膜３５には厚さが３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）が適用できる。パッシベーション膜３５の形成方法には、プラズマＣＶＤ法などが適用できる。

次いで、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、パッシベーション膜３５の表面に有機絶縁膜３６が形成される。有機絶縁膜３６には、アクリル系の樹脂材料が適用できる。

そして、図１４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、形成された有機絶縁膜３６は、フォトリソグラフィ法などによって、所定のパターンにパターニングされる。具体的には、図１４（ａ）に示すように、アクティブ領域１１においては、絵素電極１１６とドレイン配線１１４とを電気的に接続するための開口部（すなわちコンタクトホール）が形成される。図１４（ｂ）、（ｃ）に示すように、パネル額縁領域１２においては、端子領域１２２を覆う部分が除去される。また、特に図１４（ｂ）に示すように、参照幹線１２３ａ，１２３ｂの開口部に重畳する部分が除去される。有機絶縁膜３６がパターニングされて開口部が形成されたり除去されたりすると、開口部または除去された部分を通じて、パッシベーション膜３５の所定の部分が露出する。

そして図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、パターニングされた有機絶縁膜３６をマスクとして用いて、パッシベーション膜３５および絶縁膜３２がパターニングされる。このパターニングによって、パッシベーション膜３５および絶縁膜３２のうち、有機絶縁膜３６の開口部および除去された部分から露出する部分が除去される。これによりパッシベーション膜３５に開口部（＝コンタクトホール）が形成されるとともに、配線電極端子１２２１が露出する。

具体的には、図１５（ａ）に示すように、アクティブ領域１１においては、ドレイン配線１１４の先端部を覆うパッシベーション膜３５が除去され、ドレイン配線１１４の先端部が露出する。また、図１５（ｂ）に示すように、参照幹線１２３ａ，１２３ｂと参照配線１１３ａ，１１３ｂとが重畳する部分に形成されるパッシベーション膜３５が除去され、参照幹線１２３ａ，１２３ｂが露出する。さらに、参照幹線１２３ａ，１２３ｂに形成される開口部を通じて絶縁膜３２が露出し、露出した絶縁膜３２も除去される。このため、参照配線１１３ａ，１１３ｂの先端部が、参照幹線１２３ａ，１２３ｂに形成される開口部および絶縁膜３２に形成される開口部（＝コンタクトホール）を通じて露出する。さらに、図１５（ｃ）に示すように、端子領域１２２に形成されるパッシベーション膜３５および絶縁膜３２が除去され、配線電極端子１２２１が露出する。

このパッシベーション膜３５および絶縁膜３２のパターニングには、ＣＦ_４＋Ｏ_２ガスもしくはＳＦ_６＋Ｏ_２ガスを用いたドライエッチングが適用できる。

次いで、図１６（ａ）に示すように、アクティブ領域１１に絵素電極１１６が形成される。絵素電極１１６には、たとえば、厚さが１００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。また絵素電極１１６の形成方法には、公知の各種スパッタリング法が適用できる。また、図１６（ｂ）に示すように、パネル額縁領域１２に形成される開口部（参照幹線１２３ａ，１２３ｂおよび参照配線１１３ａ，１１３ｂが露出する開口部）には、導体膜１２５が形成される。そして、導体膜１２５によって、参照幹線１２３ａ，１２３ｂと参照配線１１３ａ，１１３ｂとが電気的に接続する。

絵素電極１１６および導体膜１２５には、たとえば、厚さが１００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。また絵素電極１１６および導体膜１２５の形成方法には、公知の各種スパッタリング法が適用できる。なお、図１６（ｃ）に示すように、アクティブ領域１１から延出するゲート配線１１１に重畳する部分には、絵素電極１１６や導体膜１２５は形成されない。

以上の工程を経て、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａまたは本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂが製造される。

次に、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａが適用された表示パネル（以下、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａと称する）と、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂが適用された表示パネル（以下、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂと称する）について説明する。図１７は、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａと本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの構成を、模式的に示した外観斜視図である。

本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａおよび本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂは、アクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルである。本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａは、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと、対向基板５とを備える。そして本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと対向基板５とがシール材によって所定の間隔をおいて対向して貼り合わせられる。本発明の第一実施形態にかかる基板１ａと対向基板５との間には液晶が充填され、シール材によって封止される。本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂは、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂと対向基板５とを備える。そして本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂと対向基板５とがシール材によって所定の間隔をおいて対向して貼り合わせられる。本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂと対向基板５との間には液晶が充填され、シール材によって封止される。

次に、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａおよび本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの製造方法について説明する。本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの製造方法および本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの製造方法は、ＴＦＴアレイ基板製造工程と、カラーフィルタ製造工程と、パネル製造工程（セル製造工程とも称する）とを含む。なお、ＴＦＴアレイ基板製造工程は、前記のとおりである。また、カラーフィルタ製造工程とパネル製造工程は、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの製造方法と本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの製造方法とで同じであるから、まとめて説明する。

対向基板５（カラーフィルタ）の構成とカラーフィルタ製造工程は次のとおりである。図１８は、対向基板５の構成を模式的に示した図であり、具体的には図１８（ａ）は対向基板５の全体構造を模式的に示した斜視図、図１８（ｂ）は対向基板５に形成される一絵素の構成を抜き出して示した平面図、図１８（ｃ）は図１８（ｂ）のＦ−Ｆ線断面図であって、絵素の断面構造を示した図である。

この図１８に示すように対向基板５は、ガラスなどからなる透明基板５１の片側表面にブラックマトリックス５２が形成され、ブラックマトリックス５２の各格子の内側には、赤色、緑色、青色のそれぞれの色の着色感材からなる着色層５３が形成される。そしてこれら各色の着色層５３が形成される格子が、所定の順序で配列される。ブラックマトリックス５２および各色の着色層５３の表面には保護膜５４が形成され、保護膜５４の表面には透明電極（共通電極）５５が形成される。透明電極（共通電極）５５の表面には、液晶の配向を規制する配向規制構造物５６が形成される。

カラーフィルタ製造工程には、ブラックマトリックス形成工程と、着色層形成工程と、保護膜形成工程と、透明電極（共通電極）形成工程とが含まれる。

ブラックマトリックス形成工程の内容は、たとえば樹脂ＢＭ法であれば次のとおりである。まず、透明基板５１の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物をいう）などが塗布される。次いで塗布されたＢＭレジストがフォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。これにより、所定のパターンのブラックマトリックス５２が得られる。

着色層形成工程では、カラー表示用の赤色、緑色、青色の各色の着色層５３が形成される。たとえば着色感材法であれば次のとおりである。まず、ブラックマトリックス５２が形成された透明基板５１の表面に、着色感材（感光性材料に所定の色の顔料を分散した溶液をいう）が塗布される。次いで、塗布された着色感材が、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。そしてこの工程が、赤色、緑色、青色の各色について行われる。これにより各色の着色層５３が形成される。なお、着色層形成工程において、併せてセルギャップを規定するためのスペーサが形成されることがある。すなわち、着色感材からなる柱状の構造物（＝スペーサ）が、対向基板の所定の箇所（たとえば、ブラックマトリックス５２の表面）に形成されることがある。

ブラックマトリックス形成工程で用いる方法は、樹脂ＢＭ法に限定されるものではない。たとえばクロムＢＭ法、重ね合わせ法などの公知の各種方法が適用できる。着色層形成工程で用いる方法も、着色感材法に限定されるものではない。たとえば印刷法、染色法、電着法、転写法、エッチング法など、公知の各種方法が適用できる。また、先に着色層５３が形成され、その後にブラックマトリックス５２が形成される背面露光法を用いてもよい。

保護膜形成工程では、ブラックマトリックス５２および着色層５３の表面に、保護膜５４が形成される。たとえば、前記工程を経た透明基板５１の表面に、スピンコータを用いて保護膜材料が塗布される方法（全面塗布法）や、印刷またはフォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンの保護膜５４が形成される方法（パターニング法）などが適用できる。保護膜材料には、たとえばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが適用できる。

透明電極（共通電極）膜形成工程においては、保護膜５４の表面に透明電極（共通電極）５５が形成される。たとえばマスキング法であれば、前記工程を経た透明基板５１の表面にマスクが配置され、スパッタリングなどによってインジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などを蒸着させて透明電極（共通電極）５５が形成される。

次いで配向規制構造物５６が形成される。この配向規制構造物５６は、たとえば感光性の樹脂材料などからなり、フォトリソグラフィ法などを用いて形成される。前記工程を経た透明基板５１の表面に感光性材料が塗布され、フォトマスクを通じて所定のパターンに露光される。そしてその後の現像工程において不要な部分が除去され、所定のパターンの配向規制構造物５６が得られる。

このような工程を経て、対向基板５が得られる。

次いで、パネル製造工程（セル製造工程とも称する）について説明する。

まず、前記工程を経て得たＴＦＴアレイ基板（すなわち本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂ）と対向基板（カラーフィルタ）５のそれぞれの表面に、配向膜が形成される。そして形成された配向膜に配向処理が施される。その後、本発明の実施形態にかかる基板と対向基板とが貼り合わせるとともに、これらの間に液晶が充填される。

本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂと対向基板５のそれぞれの表面に配向膜を形成する方法は次のとおりである。まず配向材塗布装置などを用いて、本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂと対向基板５のそれぞれのアクティブ領域１１の表面に配向材が塗布される。配向材とは、配向膜の原料となる物質を含む溶液をいう。配向材塗布装置には、インクジェット方式の印刷装置（ディスペンサ）が適用できる。

塗布された配向材は、配向膜焼成装置などを用いて加熱され、焼成される。そして、焼成された配向膜に配向処理が施される。この配向処理としては、ラビングロールなどを用いて配向膜の表面に微小な傷をつける方法や、配向膜の表面に紫外線などの光エネルギを照射して配向膜の表面性状を調整する光配向処理など、公知の各種処理方法が適用できる。なお、配向処理を施さない構成であっても良い。

次いで、シールパターニング装置などを用いて、本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂのシールパターン領域１２１にシール材が塗布される。

そしてスペーサ散布装置などを用いて、セルギャップを所定の値に均一に保つためのスペーサ（たとえば、所定の径を有するプラスティックビーズなど）が、本発明の実施形態にかかる基板の表面に散布される。なお、対向基板（カラーフィルタ）５の表面に柱状のスペーサが形成される構成であれば、スペーサは散布されない。そして、液晶滴下装置などを用いて、本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂの表面のシール材に囲まれる領域に、液晶が滴下される。

そして、減圧雰囲気下で本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂと対向基板５とが貼り合わせられる。そしてシール材が固化させられる。たとえば、紫外線硬化型のシール材が適用される場合には、貼り合わせの後、シール材に紫外線が照射される。なお、シール材を固化させた後に、本発明のいずれかの実施形態にかかる基板１ａ，１ｂと対向基板（カラーフィルタ）５の間に液晶が注入される方法であってもよい。

このような工程を経て、本発明の各実施形態にかかる表示パネル２ａ，２ｂが得られる。

次に、本発明の実施形態にかかる表示パネルの修正方法について説明する。本発明の実施形態にかかる表示パネルの修正方法は、参照配線１１３ａ，１１３ｂまたは参照幹線１２３ａ，１２３ｂが不良を有し、この不良に起因する表示欠陥が生じた場合に、表示欠陥を解消するものである。具体的な不良の態様としては、（１）アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂ（すなわち、参照配線１１３ａ，１１３ｂのうちのパネル額縁領域１２に形成される部分）の断線、（２）参照幹線１２３ａ，１２３ｂの断線、（３）アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａ，１１３ｂと他の導体（特に、対向基板５に形成される透明電極（共通電極）５５）との短絡、（４）参照幹線１２３ａ，１２３ｂと他の導体との短絡、の４種類が想定される。そしてこれらの不良により特定の蓄積容量１１７に正常に信号が伝送できないことに起因する表示欠陥を解消する。

なお、以下説明の便宜上、参照幹線１２３ａ，１２３ｂのうち、配線電極端子１２２１に電気的に接続する側を「上流側」と称し、その反対側を「下流側」と称する。図１９〜図２６においては、各図の上方が参照幹線１２３ａ，１２３ｂの上流側であり、下方が下流側である。また、各図の右側が参照配線１１３ａ，１１３ｂの上流側であり、左側が下流側である。また、参照配線１１３ａ，１１３ｂのうち、参照幹線１２３ａ，１２３ｂに電気的に接続する端部側を「上流側」と称し、その反対側を「下流側」と称する。また、不良を有する参照配線（＝他の導体との予定しない短絡がある参照配線、予定しない断線がある参照配線）を、「不良参照配線」と称し、不良を有する参照幹線（＝他の導体との予定しない短絡がある参照幹線、予定しない断線がある参照幹線）を、「不良参照幹線」と称する。

まず、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａを修正する方法について説明する。ここでは、（１−１）ある参照配線に断線がある場合の修正方法、（１−２）参照幹線に断線がある場合の修正方法、（１−３）ある参照配線と他の導体とが短絡している場合の修正方法、（１−４）参照幹線と他の導体とが短絡している場合の修正方法、の四種類に分けて説明する。

（１−１）ある参照配線に断線がある場合の修正方法
図１９は、修正方法（１−１）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板１ａのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。

修正方法（１−１）は、（ａ）アクティブ領域１１から延出する参照配線１１３ａに不良（＝断線）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良参照配線を特定するとともに不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程、（ｃ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｄ）不良参照配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）アクティブ領域から延出する参照配線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程
本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに所定の画像を表示させ、表示欠陥が現れるか否かを調べる。不良参照配線１１３ｓ（＝パネル額縁領域１２において断線している参照配線１１３ｓ）が存在すると、不良参照配線１１３ｓに電気的に接続する蓄積容量には信号が伝送されない。このため、不良参照配線１１３ｓとの間に蓄積容量が形成される絵素電極１１６の表示態様は、他の絵素電極１１６と異なる。したがって、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａが表示する画像には、不良参照配線１１３ｓが形成される位置に、不良参照配線１１３ｓの延伸方向に沿って、線状の表示欠陥が現れる。このように、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに所定の画像を表示させることによって、不良参照配線１１３ｓが存在するか否かを検出できる。

（ｂ）不良が検出された場合には不良参照配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程
前記工程（ａ）において、線状の表示欠陥が検出された場合には、線状の表示欠陥が現れる位置を特定することによって、不良参照配線１１３ｓを特定することができる。そして、不良参照配線１１３ｓを特定した後、顕微鏡などによってこの不良参照配線１１３ｓを観察することにより、不良箇所Ｓ（＝断線箇所）の位置を特定することができる。

（ｃ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分（以下、重畳部分Ａと称する）に、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの外側（本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの外側）から、光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４を備える構成においては、いずれか一本の任意の予備配線１２４が選択される。そして、光エネルギの熱によって、重畳部分Ａに形成される絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギによって、重畳部分Ａにおいて不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融させ、不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４とを物理的に接合させる。これにより重畳部分Ａにおいて不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

（ｄ）不良参照配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず不良参照配線１１３ｓ以外の参照配線１１３ｍ（以下、修正方法（１−１）においては、所定の参照配線１１３ｍと称する）が選択される。所定の参照配線１１３ｍには、不良を有していない（たとえば、断線や他の導体との短絡がない）参照配線１１３ａであって、不良参照配線１１３ｓと同じ信号を伝送する参照配線１１３ｍが選択される。または、不良を有していない参照配線１１３ａであって、不良参照配線１１３ｓと電気的に接続する参照配線１１３ｍが選択される。なお、本発明の第一実施形態にかかる基板１ａに設けられるすべての参照配線１１３ａは、一本の参照幹線１２３ａに電気的に接続しており、この一本の参照幹線１２３ａから信号の分配を受ける。したがって、不良参照配線１１３ｓ以外のすべての参照配線１１３ａは、不良参照配線１１３ｓと同じ信号を伝送し、かつ不良参照配線１１３ｓに電気的に接続する。

したがって、不良を有していなければ、いずれの参照配線１１３ａが所定の参照配線１１３ｍとして選択されてもよい。なお、好ましくは、不良参照配線１１３ｓに最も近い参照配線１１３ａが所定の参照配線１１３ｍとして選択される。このような選択とすると、予備配線１２４の有効利用を図ることができる。

そして、所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分（以下、重畳部分Ｂと称する）に、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの外側（本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの外側）から、光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４を備える構成においては、前記工程（ｃ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｂに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、重畳部分Ｂに形成される絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、重畳部分Ｂにおいて所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融させ、所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４とを物理的に接合させる。これにより重畳部分Ｂにおいて所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、参照幹線１２３ａに伝送された信号は、所定の参照配線１１３ｍ、所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４との重畳部分Ｂ（光エネルギが照射された部分）、予備配線１２４、不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４との重畳部分Ａ（光エネルギが照射された部分）を通じて、不良参照配線１１３ｓの不良箇所Ｓ（＝断線箇所）よりも下流側に信号を伝送できるようになる。すなわち、信号の迂回路が形成される。したがって、不良参照配線１１３ｓに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できるようになるから、表示欠陥が解消する。

（１−２）参照幹線に断線がある場合の修正方法
図２０は、修正方法（１−２）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板１ａのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。

修正方法（１−２）は、（ａ）参照幹線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程、（ｃ）不良箇所の一方側に位置し参照幹線に電気的に接続する参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｄ）不良箇所の他方側に位置し参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）参照幹線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程
この工程においては、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに所定の画像を表示させ、表示欠陥が現れるか否かを調べる。参照幹線１２３ａに不良（＝断線）があると、不良箇所Ｔ（＝断線箇所）よりも下流側で参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ａに信号を伝送できず、これらの参照配線１１３ａに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できない。このため、不良箇所Ｔよりも上流側で参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線との間に蓄積容量１１７が形成される絵素電極１１６と、下流側で参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ａとの間に蓄積容量１１７が形成される絵素電極１１６とは、表示態様が相違する。したがって、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａが表示する画像には、面状の表示欠陥（たとえば、アクティブ領域１１の下半分の表示が正常でないという表示欠陥）が現れる。このように、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに所定の画像を表示させることにより、参照幹線１２３ａに不良（＝断線）が発生しているか否かを検出することができる。

（ｂ）不良が検出された場合には不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程
前記工程（ａ）において、面状の表示欠陥が現れた場合には、正常な表示を行っている領域と、不正常な表示を行っている領域との境界において、参照幹線１２３ａに不良があると判断できる。したがって、参照幹線１２３ａのうちのこの境界近傍を顕微鏡などで観察することによって、不良箇所Ｔ（＝断線箇所）の位置を特定できる。

（ｃ）不良箇所の一方側に位置し参照幹線に電気的に接続する参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｔの一方側（上流側または下流側。ここでは、上流側とする）において参照幹線１２３ａと電気的に接続する参照配線１１３ｔが選択される。説明の便宜上、修正方法（１−２）においては、この参照配線１１３ｔを所定の参照配線１１３ｔと称する。そして所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｃ（以下、「重畳部分」と称する）に光エネルギ（＝所定のワット数を有するレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、任意の一本の予備配線１２４との重畳部分Ｃに光エネルギを照射する。重畳部分Ｃに光エネルギを照射することにより、所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を光エネルギの熱により溶融して除去する。そして光エネルギの熱により、所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｃにおいて所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４とが、重畳部分Ｃにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

（ｄ）不良箇所の他方側に位置し参照幹線に電気的に接続する他の所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｔの他方側（前記工程（ｃ）で選択した側とは反対側。ここでは下流側）において参照幹線１２３と電気的に接続する参照配線１１３ｕが選択される。説明の便宜上、この参照配線１１３ｕを「他の所定の参照配線１１３ｕ」と称する。そして他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｄ（以下、「重畳部分Ｄ」と称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、前記工程（ｃ）で選択された一本の予備配線１２４との重畳部分Ｄに光エネルギを照射する。重畳部分Ｄに光エネルギを照射することにより、他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を光エネルギの熱により溶融して除去する。そして光エネルギの熱により、他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｄにおいて他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４とが重畳部分Ｄにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、参照幹線１２３ａに伝送された信号は、所定の参照配線１１３ｔ、所定の参照配線１１３ｔと予備配線１２４との重畳部分Ｃ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｕと予備配線１２４との重畳部分Ｄ、他の所定の参照配線１１３ｕ、という経路を通じて、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｔ（＝断線箇所）よりも下流側に信号を伝送できるようになる。すなわち、信号の迂回路が形成される。したがって、不良箇所Ｔよりも下流側において参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ａ、およびこれらの参照配線１１３ａに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できるようになるから、表示欠陥が解消される。

（１−３）特定の参照配線と他の導体とが短絡している場合の修正方法
図２１は、修正方法（１−３）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板１ａのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。

修正方法（１−３）は、（ａ）参照配線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良（＝他の導体との短絡）が検出された場合には不良を有する参照配線を特定するとともに不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程、（ｃ）不良を有する参照配線の不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程、（ｄ）不良を有する参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｅ）不良を有する参照配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、とを含む。

（ａ）参照配線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程
他の導体と短絡する参照配線１１３ｖ（以下、不良参照配線１１３ｖと称する）が存在すると、不良参照配線１１３ｖおよび不良参照配線１１３ｖに電気的に接続する他の参照配線１１３ａの電位は、不良参照配線１１３ｖが短絡する他の導体の電位と略同じとなる。このため、不良参照配線１１３ｖに電気的に接続する蓄積容量１１７に加え、他の参照配線１１３ａに電気的に接続する蓄積容量１１７にも、正常に信号を伝送できなくなる。たとえば、一本の参照幹線が形成される構成であれば、一本の参照幹線を通じてすべての参照配線１１３ａが電気的に接続する。このため、このような構成であると、すべての蓄積容量に正常に信号を伝送できなくなる。したがって、このような構成において不良参照配線１１３ｖが存在すると、アクティブ領域１１の全体にわたって正常な表示を行うことができなくなる。このため、参照配線１１３ａまたは参照幹線に不良があると判断することができる。

（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程
パネル額縁領域において、参照配線１１３ａまたは参照幹線に不良があると判断された場合には、不良参照配線１１３ｖを特定するとともに、不良箇所Ｕの位置を特定する。

不良参照配線１１３ｖと他の導体との間に短絡がある場合には、不良箇所Ｕを外部から加圧すると、不良参照配線１１３ｖと他の導体との間の導通状態（たとえば抵抗値）が変化する。このため、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａのある部分を加圧したときに表示態様が変化した場合には、当該ある部分に他の導体との短絡箇所があると判断できる。

したがって、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに所定の画像を表示させながら、パネル額縁領域１２のうち参照配線１１３ａが形成される箇所を局所的に加圧していく。そして、表示態様が変化した場合には、加圧した箇所に不良参照配線１１３ｖの不良箇所Ｕまたは参照幹線の断線箇所があると判断する。そして、加圧した箇所を顕微鏡などで観察することにより、不良箇所Ｕを特定することができる。なお、短絡箇所が他の配線により隠れて外側からは見えない場合があるが、この場合には短絡によって過電流が流れ、不良箇所において不良参照配線１１３ｖまたは他の配線が焼損や変色する。このため焼損や変色している箇所を探すことにより、不良箇所Ｕを特定することができる。

（ｃ）不良を有する参照配線の不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程
この工程においては、不良参照配線１１３ｖの不良箇所Ｕ（＝短絡箇所）の前後両側（不良箇所Ｕの上流側および下流側）を切断し、不良箇所Ｕを他の部分から電気的に独立させる（＝電気的に絶縁する）。具体的には、不良箇所Ｕの上流側の所定の箇所α（具体的には、参照幹線１２３ａに電気的に接続する部分の上流側であって不良箇所Ｕの下流側のいずれかの位置）と下流側の所定の箇所β（具体的には、不良箇所Ｕの下流側であって予備配線１２４に重畳する部分の上流側のいずれかの位置）に、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの外側（＝本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの外側）から光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。そして光エネルギの熱によって光エネルギを照射した箇所を溶融して切断する。この結果、不良箇所Ｕが他の部分から電気的に切り離され、不良箇所Ｕの下流側において切断された箇所βよりも下流側と、不良箇所Ｕの上流側において切断された箇所αの上流側は、他の導体と短絡しない状態となる。したがって、短絡箇所Ｕが不良参照配線１１３ｖから電気的に切り離される。

（ｄ）不良を有する参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４とが重畳する部分Ｅ（以下、「重畳部分Ｅ」と称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４を備える構成においては、任意の一本との重畳部分Ｅに光エネルギを照射する。そして光エネルギの熱によって、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｅにおいて、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４とを物理的に接合させる。これにより不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

（ｅ）不良を有する参照配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず、不良参照配線１１３ｖと電気的に接続する参照配線１１３ｗか、または不良参照配線１１３ｖと同じ信号を伝送する参照配線１１３ｗが選択される。説明の便宜上、修正方法（１−３）においては、この参照配線１１３ｗを「所定の参照配線１１３ｗ」と称する。本発明の第一実施形態にかかる基板１ａは、一本の参照幹線１２３ａが形成される構成を備えるから、すべての参照配線１１３ａは、一本の参照幹線１２３ａを通じて電気的に接続する。また、すべての参照配線１１３ａは、一本の参照幹線１２３ａから信号が伝送されるから、同じ信号を伝送する。したがって、所定の参照配線１１３ｗとしては、不良参照配線１１３ｖ以外の参照配線であって、不良を有していない（たとえば、断線しておらず、かつ他の導体と短絡していない）参照配線１１３ａであれば、いずれの参照配線１１３ａが選択されてもよい。好ましくは、不良参照配線１１３ｖに隣接する参照配線１１３ａが所定の参照配線１１３ｗとして選択される。このような参照配線１１３ｗが選択されると、予備配線１２４を有効利用することができる。

そして、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４とが重畳する部分Ｆ（以下、「重畳部分Ｆ」と称する）に光エネルギを照射する。複数の予備配線１２４を備える構成においては、前記工程（ｄ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｆに光エネルギを照射する。そして光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｆにおいて、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、重畳部分Ｆにおいて、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、不良箇所Ｕの前後両側（上流側および下流側）において不良参照配線１１３ｖが切断されるから、不良箇所Ｕが電気的に独立する。このため、不良参照配線１１３ｖと他の導体との短絡が解消される。したがって、不良参照配線１１３ｖ以外の参照配線に電気的に接続する蓄積容量１１７に正常に信号を伝送できるようになる。また、不良参照配線１１３ｖには、参照幹線１２３ａ、所定の参照配線１１３ｗ、所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４との重畳部分Ｆ、予備配線１２４、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４との重畳部分Ｅを通じて信号が伝送される。すなわち、信号の迂回路が形成される。このため、不良参照配線１１３ｖに電気的に接続する蓄積容量１１７に対しても、正常に信号を伝送できる。したがって、表示欠陥が解消する。

（１−４）参照幹線と他の導体とが短絡している場合の修正方法
図２２は、修正方法（１−４）を模式的に示した平面図であり、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａに適用された本発明の第一実施形態にかかる基板１ａのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。

修正方法（１−４）は、（ａ）参照幹線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程、（ｃ）参照幹線における不良箇所と不良箇所の一方側に位置する所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程、（ｄ）参照幹線における不良箇所と不良箇所の他方側に位置する他の所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程、（ｅ）所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｆ）他の所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）参照幹線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程
この工程は、修正方法（１−３）における工程（ａ）と略同じである。したがって、説明は省略する。

（ｂ）不良が検出された場合には不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程
この工程は、修正方法（１−３）における工程（ｂ）と略同じ内容である。すなわち、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに所定の画像を表示させながら、パネル額縁領域１２を局所的に加圧し、これにより不良箇所Ｖ（＝参照幹線と他の導体との短絡箇所）のおおよその位置を特定し、その後顕微鏡によって参照幹線１２３ａを観察し、不良箇所Ｖの位置を厳密に特定する。

（ｃ）参照幹線における不良箇所と不良箇所の一方側に位置する所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程
この工程においては、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの一方側（上流側または下流側。ここでは上流側とする）の所定の箇所δを切断する。まず、参照幹線１２３ａと参照配線１１３ａとが電気的に接続する部分（参照幹線１２３ａと参照配線１１３ａとが絶縁膜３２を挟んで重畳し、絶縁膜３２に形成されたコンタクトホールによって電気的に接続する部分。図２２においては、塗り潰された部分）のうち、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの上流側の直近に形成されるものが選択される。そして、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖと選択されたものとの間のいずれかの箇所δ（＝所定の箇所δ）おいて参照幹線１２３ａを切断する。具体的には、所定の箇所δに本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａの外側（＝本発明の第一実施形態にかかる基板１ａの外側）から光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。光エネルギが照射されると、光エネルギの熱によって参照幹線１２３ａが溶融して切断される。

（ｄ）参照幹線における短絡箇所と短絡箇所の他方側に位置する他の所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程
この工程においては、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの他方側（前記工程（ｃ）で選択された側とは反対側。ここでは下流側）の所定の箇所εを切断する。まず、参照幹線１２３ａと参照配線１１３ａとが電気的に接続する部分のうち、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの下流側の直近にあるものが選択される。そして、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖと選択されたものとの間の所定の箇所ε（＝所定の箇所ε）において参照幹線１２３ａを切断する。切断方法は前記工程（ｃ）と同じ方法が適用される。

前記工程（ｃ）および工程（ｄ）を経ると、不良箇所Ｖが参照幹線１２３ａの他の部分から電気的に切り離される。このため、参照幹線１２３ａと他の導体との短絡が解消する。なお、工程（ｃ）と工程（ｄ）の順序は限定されるものではなく、どちらの工程が先であってもよい。

（ｅ）所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程では、まず参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの一方側（上流側または下流側。ここでは上流側とする）において参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ｘが選択される。説明の便宜上、この参照配線１１３ｘを、修正方法（１−４）においては、所定の参照配線１１３ｘと称する。所定の参照配線１１３ｘは、不良箇所Ｖの上流側において参照幹線１２３ａに電気的に接続するものであればよい。ただし、不良箇所Ｖの上流側直近において参照幹線１２３ａに電気的にするものが所定の参照配線１１３ｘとして選択されることが好ましい（図２２においても、不良箇所の上流側直近で電気的に接続するものが所定の参照配線１１３ｘとして選択される構成を示す）。このような構成によれば、予備配線１２４の有効利用を図ることができる。

そして、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４とが重畳する部分Ｇ（以下、重畳部分と称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、任意の一本の予備配線１２４との重畳部分Ｇに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｇにおいて、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４とが、重畳部分Ｇにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

（ｆ）他の所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程では、まず、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの他方側（前記工程（ｅ）において選択された側とは反対側。ここでは下流側）において参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ｙが選択される。修正方法（１−４）においては、この参照配線１１３ｙを他の所定の参照配線１１３ｙと称する。他の所定の参照配線１１３ｙは、不良箇所Ｖの下流側において参照幹線１２３ａに電気的に接続するものであればよい。ただし、不良箇所Ｖの下流側直近において参照幹線に電気的に接続するものが、他の所定の参照配線１１３ｙとして選択されることが好ましい（図２２においても、不良箇所Ｖの下流側直近で電気的に接続するものが、他の所定の参照配線１１３ｙとして選択される構成を示す）。このような構成によれば、予備配線１２４の有効利用を図ることができる。

そして、他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４とが重畳する部分Ｈ（以下、重畳部分Ｈと称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、前記工程（ｅ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｈに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｈにおいて他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４とが重畳部分Ｈにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

要は、所定の参照配線１１３ｘと他の所定の参照配線１１３ｙは、不良箇所Ｖを挟んで上流側で参照幹線１２３ａに電気的に接続するものと、下流側で参照幹線に電気的に接続するもの二本が選択されるものであればよい。

以上の工程を経ると、まず、参照幹線１２３ａと他の導体との短絡が解消される。このため、短絡が解消された状態で、不良箇所Ｖよりも上流側において参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ａに、正常に信号を伝送できるようになる。また、参照幹線１２３ａの不良箇所Ｖの下流側には、所定の参照配線１１３ｘ、所定の参照配線１１３ｘと予備配線１２４との重畳部分Ｇ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｙと予備配線１２４との重畳部分Ｈ、他の所定の参照配線１１３ｙを通じて信号を伝送できる。すなわち、信号の迂回路が形成される。したがって、不良箇所Ｖの下流側において参照幹線１２３ａに電気的に接続する参照配線１１３ａにも正常に信号を伝送できる。この結果、参照幹線１２３ａと他の導体との間の短絡に起因する表示欠陥を解消することができ、さらにアクティブ領域１１の全体にわたって正常に表示を行うことができる。

次に、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂを修正する方法について説明する。以下、（２−１）特定の参照配線に断線がある場合の修正方法、（２−２）特定の参照幹線に断線がある場合の修正方法、（２−３）特定の参照配線と他の導体とが短絡している場合の修正方法、（２−４）特定の参照幹線と他の導体とが短絡している場合の修正方法、に分けて説明する。

（２−１）特定の参照配線に断線がある場合の修正方法
図２３は、修正方法（２−１）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。なお、図２３においては、参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分を塗り潰して示す。参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂが重畳する部分であっても、塗り潰していない部分においては電気的に接続していない。

修正方法（２−１）は、（ａ）アクティブ領域から延出する参照配線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照配線（以下、「不良参照配線」と称する）を特定するとともに不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程、（ｃ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｄ）不良参照配線と電気的に接続する参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）アクティブ領域から延出する参照配線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程
この工程においては、断線している参照配線１１３ｚ（以下、不良参照配線１１３ｚと称する）が存在するか否かを検出する。
（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照配線（以下、「不良参照配線」と称する）を特定するとともに不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程
この工程は、不良参照配線１１３ｚの不良箇所Ｗ（＝断線箇所）を特定する。
これらの工程（ａ）、工程（ｂ）は、修正方法（１−１）の工程（ａ）および工程（ｂ）と略同じである。したがって、説明は省略する。

（ｃ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、不良参照配線１１３ｚと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｉ（以下、重畳部分Ｉと称する）に、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの外側（本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの外側）から、光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４を備える構成においては、いずれか一本の任意の予備配線１２４との重畳部分Ｉが選択される。そして、光エネルギの熱によって、重畳部分Ｉに形成される絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、重畳部分Ｉにおいて不良参照配線１１３ｚと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融させ、不良参照配線１１３ｚと予備配線１２４とを物理的に接合させる。これにより重畳部分Ｉにおいて不良参照配線１１３ｚと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

（ｄ）不良参照配線と電気的に接続する参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず、不良を有していない（たとえば、断線や他の導体との短絡がない）参照配線１１３ｂのうちから、不良参照配線１１３ｚに電気的に接続する参照配線１１３ｎが選択される。修正方法（２−１）においては、この参照配線１１３ｎを「所定の参照配線１１３ｎ」と称する。

なお、Ｎ本の参照幹線１２３ｂを備える構成において、Ｎ本の参照幹線１２３ｂがすべて異なる信号を伝送するものではなく、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちの一部または全部が同じ信号を伝送することがある。このような構成においては、所定の参照配線１１３ｎとして、必ずしも一本の参照幹線１２３ｂを通じて電気的に接続するものが選択される必要はない。要は、不良参照配線１１３ｚとは異なる参照幹線１２３ｂに接続する参照配線１１３ｂであっても、当該異なる参照幹線１２３ｂが、不良参照配線１１３ｚに電気的に接続する参照幹線１２３ｂと同じ信号を伝送するものであれば、不良参照配線１１３ｚとは異なる参照幹線１２３ｂに接続する参照配線を所定の参照配線１１３ｎとして選択できる。

そして、所定の参照配線１１３ｎと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｊ（以下、重畳部分Ｊと称する）に、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの外側（本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの外側）から、光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４を備える構成においては、前記工程（ｃ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｊに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、重畳部分Ｊに形成される絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、重畳部分Ｊにおいて所定の参照配線１１３ｎと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融させ、所定の参照配線１１３ｎと予備配線１２４とを物理的に接合させる。これにより重畳部分Ｊにおいて所定の参照配線１１３ｎと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、ある一本の参照幹線１２３ｂに伝送された信号は、所定の参照配線１１３ｎ、所定の参照配線１１３ｎと予備配線１２４との重畳部分Ｊ（光エネルギが照射された部分）、予備配線１２４、不良参照配線１１３ｚと予備配線１２４との重畳部分Ｉ（光エネルギが照射された部分）を通じて、本来伝送すべき信号を、不良参照配線１１３ｚの不良箇所Ｗ（＝断線箇所）よりも下流側に伝送できるようになる。すなわち、信号の迂回路が形成される。したがって、不良参照配線１１３ｚに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できるようになるから、表示欠陥が解消する。

（２−２）特定の参照幹線に断線がある場合の修正方法
図２４は、修正方法（２−２）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。なお、図２４においては、参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分を塗り潰して示す。参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂが重畳する部分であっても、塗り潰していない部分においては電気的に接続していない。

修正方法（２−２）は、（ａ）複数の参照幹線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照幹線（以下、「不良参照幹線」と称する）を特定するとともに不良箇所（＝断線箇所）を特定する工程、（ｃ）不良箇所の一方側に位置し不良参照幹線に電気的に接続する参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｄ）不良箇所の他方側に位置し不良参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）複数の参照幹線に不良（＝断線）があるか否かを検出する工程
この工程においては、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに所定の画像を表示させ、表示欠陥が現れるか否かを調べる。断線している参照幹線１２３ｘ（以下、不良参照幹線１２３ｘと称する）が存在すると、不良箇所Ｘ（＝断線箇所）よりも下流側で不良参照幹線１２３ｘに電気的に接続する参照配線１１３ｂに信号を伝送できず、これらの参照配線１１３ｂに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できない。このため、不良箇所Ｘよりも上流側で不良参照幹線１２３ｘに電気的に接続する参照配線１１３ｂとの間に蓄積容量１１７が形成される絵素電極１１６と、下流側で不良参照幹線１２３ｘに電気的に接続する参照配線１１３ｂとの間に蓄積容量１１７が形成される絵素電極１１６とは、表示態様が相違する。

ところで、本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂにはＮ本の参照幹線１２３ｂが設けられ、参照配線１１３ｂはＮ本ごとに同じ参照幹線１２３ｂに電気的にするという構成を備える。したがって、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂが表示する画像の所定の領域には、縞状の表示欠陥（たとえば、アクティブ領域１１の下半分に縞状のムラが現れるという表示欠陥）が現れる。このように、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに所定の画像を表示させることにより、特定の参照幹線１２３ｘに不良（＝断線）が発生しているか否かを検出することができる。

（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照幹線を特定するとともに不良箇所を特定する工程
前記工程（ａ）において、アクティブ領域１１の特定の領域に縞状の表示ムラが現れる場合には、正常に画像を表示する領域と縞状のムラが現れる領域との境界において特定の参照幹線１２３ｘが断線していると判断できる。したがって、前記境界において、参照幹線１２３ｂを顕微鏡などで観察することによって、不良参照幹線１２３ｘを特定することができるとともに、不良箇所Ｘ（＝断線箇所）の位置を特定できる。

（ｃ）不良箇所の一方側に位置し不良参照幹線に電気的に接続する参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、不良参照幹線１２３ｘの不良箇所Ｘの一方側（上流側または下流側。ここでは、上流側とする）において不良参照幹線１２３ｘと電気的に接続する参照配線１１３ｌが選択される。説明の便宜上、修正方法（２−２）においては、この参照配線１１３ｌを所定の参照配線１１３ｌと称する。なお、Ｎ本の参照幹線１２３ｂを備え、Ｎ本の参照幹線１２３ｂの一部または全部が同じ信号を伝送する構成が適用されることがある。このような構成においては、所定の参照配線１１３ｌには、必ずしも不良参照幹線１２３ｘに電気的に接続する参照配線が選択される必要はなく、不良参照幹線１２３ｘと同じ信号を伝送する参照幹線１２３ｂに電気的に接続する参照配線が選択されてもよい。

そして所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｋ（以下、「重畳部分Ｋ」と称する）に、光エネルギ（＝所定のワット数を有するレーザ光）を照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、任意の一本の予備配線１２４との重畳部分Ｋに光エネルギを照射する。重畳部分Ｋに光エネルギを照射することにより、所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を、光エネルギの熱により溶融して除去する。そして光エネルギの熱により、所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｋにおいて所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４とが重畳部分Ｋにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

（ｄ）不良箇所の他方側に位置し不良参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、不良参照幹線１２３ｘの不良箇所Ｘの他方側（前記工程（ｃ）で選択した側とは反対側。ここでは下流側）において不良参照幹線１２３ｘと電気的に接続する参照配線１１３ｋが選択される。説明の便宜上、この参照配線を、修正方法（２−２）においては、他の所定の参照配線１１３ｋと称する。そして他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４とが絶縁膜３２を挟んで重畳する部分Ｌ（以下、「重畳部分Ｌ」と称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、前記工程（ｃ）で選択された一本の予備配線１２４との重畳部分Ｌに光エネルギを照射する。重畳部分Ｌに光エネルギを照射することにより、他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を、光エネルギの熱により溶融して除去する。そして光エネルギの熱により、他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４の少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｌにおいて、他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４とが重畳部分Ｌにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、不良参照幹線１２３ｘの不良箇所Ｘ（＝断線箇所）の上流側に伝送された信号は、所定の参照配線１１３ｌ、所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４との重畳部分Ｋ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４との重畳部分Ｌ、他の所定の参照配線１１３ｋ、という経路を通じて、不良参照幹線１２３ｘの不良箇所Ｘよりも下流側に信号を伝送できるようになる。すなわち、信号の迂回路が形成される。

また、所定の参照配線１１３ｌとして、不良参照幹線１２３ｘと異なる参照幹線であって不良参照幹線１２３ｘと同じ信号を伝送する参照幹線に接続する参照配線が選択された場合には、不良参照幹線１２３ｘとは異なる参照幹線、所定の参照配線１１３ｌ、所定の参照配線１１３ｌと予備配線１２４との重畳部分Ｋ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｋと予備配線１２４との重畳部分Ｌ、他の所定の参照配線１１３ｋを通じて、不良参照幹線１２３ｘの不良箇所Ｘの下流側に信号を伝送できる。この信号は、不良参照幹線１２３ｘの上流側に伝送される信号と同じ信号である。

したがって、不良箇所Ｘよりも下流側において参照幹線１２３ｂに電気的に接続する参照配線１１３ｂ、およびこれらの参照配線１１３ｂに電気的に接続する蓄積容量１１７に信号を伝送できるようになるから、表示欠陥が解消される。

（２−３）特定の参照配線と他の導体とが短絡している場合の修正方法
図２５は、修正方法（２−３）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。なお、図２５においては、参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分を塗り潰して示す。参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂが重畳する部分であっても、塗り潰していない部分においては電気的に接続していない。

修正方法（２−３）は、（ａ）複数の参照配線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照配線（以下、「不良参照配線」と称する）を特定するとともに不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程、（ｃ）不良参照配線の不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程、（ｄ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｅ）不良参照配線と電気的に接続する参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）複数の参照配線に不良（＝他の導体との短絡）があるか否かを検出する工程
他の導体と短絡する参照配線１１３ｊ（以下、不良参照配線１１３ｊと称する）が存在すると、不良参照配線１１３ｊおよび不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照配線１１３ｂの電位は、不良参照配線１１３ｊが短絡する他の導体の電位と略同じとなる。このため、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する蓄積容量１１７に加え、他の参照配線１１３ａに電気的に接続する蓄積容量１１７にも、正常に信号を伝送できなくなる。たとえば、Ｎ本の参照幹線１２３ｂが形成され、参照配線１１３ｂがＮ本ごとに同じ参照幹線に電気的に接続する構成であれば、不良参照配線１１３ｊにＮ本ごとに形成される参照配線１１３ｂは、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する。このような構成であると、不良参照配線１１３ｊおよび不良参照配線１１３ｊにＮ本ごとに形成される参照配線１１３ｂに電気的に接続する蓄積容量１１７に正常に信号を伝送できなくなる。このため、このような構成において不良参照配線１１３ｊが存在すると、アクティブ領域１１の全体にわたって、縞状の表示欠陥が現れる。このため、ある参照配線またはある参照幹線に不良（＝他の導体との短絡）があると判断できる。

（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照配線（以下、「不良参照配線」と称する）を特定するとともに不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程
この工程は、修正方法（１−３）の工程（ｂ）と同じ方法が適用できる。したがって、説明は省略する。

（ｃ）不良参照配線の不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程
この工程では、不良箇所Ｙの前後両側（上流側の所定の箇所θおよび下流側の所定の箇所ι）において、不良参照配線１１３ｊを切断する。上流側の所定の箇所θは、具体的には、不良箇所Ｙの上流側であって参照幹線１２３ｂと電気的に接続する部分の下流側のいずれかの位置である。または、下流側の所定の箇所ιは、不良箇所Ｙの下流側であって予備配線１２４と重畳する部分の上流側のいずれかの位置である。

（ｄ）不良参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程では、不良参照配線１１３ｊと予備配線１２４とが重畳する部分Ｎ（以下、重畳部分Ｎと称する）において、不良参照配線１１３ｊと予備配線１２４とを短絡する。

これらの工程（ｃ）および工程（ｄ）は、修正方法（１−３）の工程（ｃ）および工程（ｄ）と同じ工程が適用できる。したがって説明は省略する。

（ｅ）不良参照配線と電気的に接続する参照幹線に電気的に接続する所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず、不良参照配線１１３ｊと電気的に接続する参照配線１１３ｉが選択される。修正方法（２−３）においては、この参照配線１１３ｉを所定の参照配線１１３ｉと称する。本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂは、Ｎ本の参照幹線１２３ｂが形成される構成を備える。したがって、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうち、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照幹線１２３ｂを選択し、この選択した参照幹線１２３ｂに電気的に接続する参照配線１１３ｂのうち、不良を有しないものを、所定の参照配線１１３ｉとして選択する。このように、所定の参照配線１１３ｉとして、所定の参照幹線１２３ｂを通じて不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照配線１１３ｂが選択される。

なお、Ｎ本の参照幹線１２３ｂを備え、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちの一部または全部が同じ信号を伝送する構成が適用される場合がある。このような構成においては、所定の参照配線１１３ｉとして、必ずしも不良参照配線１１３ｊと電気的に接続する参照配線が選択される必要はない。この場合には、所定の参照配線１１３ｉとして、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照幹線１２３ｂと同じ信号を伝送する参照幹線１２３ｂに電気的に接続する参照配線が選択されてもよい。

そして、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４とが重畳する部分Ｍ（以下、「重畳部分Ｍ」と称する）に光エネルギを照射する。複数の予備配線１２４を備える構成においては、前記工程（ｄ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｍに光エネルギを照射する。そして光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｍにおいて、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、重畳部分Ｍにおいて、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４とが短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、不良箇所Ｙの前後両側（上流側および下流側）において不良参照配線１１３ｊが切断されるから、不良箇所Ｙが電気的に独立する。このため、不良参照配線１１３ｊと他の導体との短絡が解消される。したがって、不良参照配線１１３ｊ以外の参照配線に電気的に接続する蓄積容量１１７に正常に信号を伝送できるようになる。すなわち、信号の迂回路が形成される。また、不良参照配線１１３ｊには、ある参照幹線１２３ｂ、所定の参照配線１１３ｉ、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４との重畳部分Ｍ、予備配線１２４、不良参照配線１１３ｊと予備配線１２４との重畳部分Ｎを通じて信号が伝送される。

なお、所定の参照配線１１３ｉとして、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照幹線１２３ｂと同じ信号を伝送する参照幹線１２３ｂ（不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する参照幹線１２３ｂとは異なる参照幹線）に電気的に接続する参照配線が選択された場合には、他の参照幹線１２３ｂ、所定の参照配線１１３ｉ、所定の参照配線１１３ｉと予備配線１２４との重畳部分Ｍ、予備配線１２４、不良参照配線１１３ｊと予備配線１２４との重畳部分Ｎを通じて、不良参照配線１１３ｊに信号が伝送される。不良参照配線１１３ｊに伝送される信号は、不良参照配線１１３ｊが電気的に接続する参照幹線１２３ｂが伝送する信号と同じ信号である。このため、不良参照配線１１３ｊに電気的に接続する蓄積容量１１７に対しても、正常に信号を伝送できる。したがって、表示欠陥が解消する。

（２−４）ある参照幹線と他の導体とが短絡している場合の修正方法
図２６は、修正方法（２−４）を模式的に示した平面図であり、本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに適用された本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂのパネル額縁領域１２の一部を抜き出して示した図である。図２６においては、参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分を塗り潰して示す。参照幹線１２３ｂと参照配線１１３ｂが重畳する部分であっても、塗り潰していない部分においては電気的に接続していない。

修正方法（２−４）は、（ａ）複数の参照幹線に不良（＝他の導体と短絡）があるか否かを検出する工程、（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照幹線（以下、不良参照幹線と称する）を特定するとともに不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程、（ｃ）不良参照幹線における不良箇所と不良箇所の一方側に位置する所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程、（ｄ）不良参照幹線における不良箇所と不良箇所の他方側に位置する他の所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程、（ｅ）所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、（ｆ）他の所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程、を含む。

（ａ）複数の参照幹線に不良（＝他の導体と短絡）があるか否かを検出する工程
この工程は、修正方法（２−３）の工程（ａ）と同じ工程が適用できる。したがって、説明は省略する。

（ｂ）不良が検出された場合には不良を有する参照幹線（以下、不良参照幹線と称する）を特定するとともに不良箇所（＝短絡箇所）を特定する工程
この工程においては、他の導体と短絡する参照幹線１２３ｙ（以下不良参照幹線１２３ｙと称する）を特定するとともに、不良箇所Ｚ（＝短絡箇所）の位置を特定する。この工程は、修正方法（２−３）の工程（ｂ）と同じ工程が適用できる。したがって、説明は省略する。

（ｃ）不良参照幹線における不良箇所と不良箇所の一方側に位置する所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程
この工程においては、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの一方側（上流側または下流側。ここでは上流側とする）の所定の箇所κを切断する。まず、不良参照幹線１２３ｙと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分（不良参照幹線１２３ｙと参照配線１１３ｂとが絶縁膜３２を挟んで重畳し、絶縁膜３２に形成されたコンタクトホールによって電気的に接続する部分）のうち、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの上流側直近に形成されるものが選択される。そして、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚと選択されたものとの間のいずれかの箇所（＝所定の箇所κ）において、不良参照幹線１２３ｙを切断する。具体的には、所定の箇所κに本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂの外側（＝本発明の第二実施形態にかかる基板１ｂの外側）から光エネルギ（＝所定のワット数のレーザ光）を照射する。光エネルギが照射されると、光エネルギの熱によって不良参照幹線１２３ｙが溶融して切断される。

（ｄ）不良参照幹線における不良箇所と不良箇所の他方側に位置する他の所定の参照配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程
この工程においては、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの他方側（前記工程で選択した側とは反対側。ここでは下流側）の所定の箇所λを切断する。まず、不良参照幹線１２３ｙと参照配線１１３ｂとが電気的に接続する部分のうち、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの下流側直近に形成されるものが選択される。そして、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚと選択されたものとの間のいずれかの箇所（＝所定の箇所λ）において、不良参照幹線１２３ｙを切断する。切断方法は、工程（ｃ）と同じ方法が適用できる。

前記工程（ｃ）および工程（ｄ）を経ると、不良箇所Ｚが不良参照幹線１２３ｙの他の部分から電気的に切り離される。このため、不良参照幹線１２３ｙと他の導体との短絡が解消する。なお、工程（ｃ）と工程（ｄ）の順序は限定されるものではなく、どちらの工程が先であってもよい。

（ｅ）所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの一方側（上流側または下流側。ここでは上流側とする）において不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線１１３ｈが選択される。この参照配線１１３ｈを、修正方法（２−４）においては、所定の参照配線１１３ｈと称する。所定の参照配線１１３ｈは、不良箇所Ｚの上流側において不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線であればいずれの参照配線であってもよい。ただし、不良箇所Ｚの上流側直近において不良参照幹線１２３ｙに電気的にする参照配線が所定の参照配線１１３ｈとして選択されることが好ましい（図２６においても、不良箇所Ｚの上流側直近で電気的に接続する参照配線が所定の参照配線１１３ｈとして選択される構成を示す）。

なお、Ｎ本の参照幹線１２３ｂのうちの一部または全部が同じ信号を伝送する構成が適用されることがある。この場合には、所定の参照配線１１３ｈとして、必ずしも不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線が選択される必要はない。この場合には、不良参照幹線１２３ｙと同じ信号を伝送する他の参照幹線１２３ｂに電気的に接続する参照配線１１３ｂが選択されてもよい。

そして、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４とが重畳する部分Ｏ（以下、重畳部分Ｏと称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、任意の一本の予備配線１２４との重畳部分Ｏに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｏにおいて所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４とが重畳部分Ｏにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

（ｆ）他の所定の参照配線と予備配線とを短絡する工程
この工程においては、まず、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの他方側（前記工程（ｃ）において選択された側とは反対側。ここでは下流側）において不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線１１３ｇが選択される。この参照配線１１３ｇを、修正方法（２−４）における他の所定の参照配線１１３ｇと称する。他の所定の参照配線１１３ｇは、不良箇所Ｚの下流側において不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線であれば、いずれの参照配線であってもよい。ただし、不良箇所Ｚの下流側直近において不良参照幹線１２３ｙに電気的にする参照配線が、他の所定の参照配線１１３ｇとして選択されることが好ましい（図２６においても、不良箇所の下流側直近で電気的に接続する参照配線が、他の所定の参照配線１１３ｇとして選択される構成を示す）。

そして、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４とが重畳する部分Ｐ（以下、重畳部分と称する）に光エネルギを照射する。なお、複数の予備配線１２４が形成される構成においては、前記工程（ｅ）で選択された予備配線１２４との重畳部分Ｐに光エネルギを照射する。そして、光エネルギの熱によって、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４との間にある絶縁膜３２を溶融して除去する。さらに光エネルギの熱によって、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４との少なくとも一方を溶融し、重畳部分Ｐにおいて他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４とを物理的に接合する。これにより、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４とが重畳部分Ｐにおいて短絡（＝電気的に接続）する。

以上の工程を経ると、まず、不良参照幹線１２３ｙと他の導体との短絡が解消される。このため、不良箇所Ｚよりも上流側においては、不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線１１３ｂに、正常に信号を伝送できるようになる。不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの下流側には、所定の参照配線１１３ｈ、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４との重畳部分Ｏ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４との重畳部分Ｐ、他の所定の参照配線１１３ｇ、を通じて信号を伝送できる。すなわち、信号の迂回路が形成される。

また、所定の参照配線１１３ｇとして、不良参照幹線１２３ｙ以外の参照幹線（ただし、不良参照幹線１２３ｙと同じ信号を伝送する他の参照幹線１２３ｂ）に電気的に接続する参照配線１１３ｂが選択された場合には、他の参照幹線１２３ｂ、所定の参照配線１１３ｈ、所定の参照配線１１３ｈと予備配線１２４との重畳部分Ｏ、予備配線１２４、他の所定の参照配線１１３ｇと予備配線１２４との重畳部分Ｐ、他の所定の参照配線１１３ｇを通じて、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚの下流側に信号が伝送される。この信号は、不良参照幹線１２３ｙの不良箇所Ｚよりも上流側に伝送される信号と同じ信号である。したがって、不良箇所Ｚの下流側において不良参照幹線１２３ｙに電気的に接続する参照配線１１３ｂにも、正常に信号を伝送できる。この結果、不良参照幹線１２３ｙと他の導体との間の短絡に起因する表示欠陥を解消することができ、さらにアクティブ領域１１の全体にわたって正常に表示を行うことができる。

なお、上記各修正方法（１−１）（１−２）（１−３）（１−４）（２−１）（２−２）（２−３）（２−４）における工程（ａ）は共通の工程である。すなわち、本発明の第一実施形態にかかる表示パネル２ａまたは本発明の第二実施形態にかかる表示パネル２ｂに所定の画像を表示させ、表示欠陥が現れるか否かを検査する。そして、表示欠陥が現れた場合には、表示欠陥の態様に基づいて、表示欠陥の原因が参照配線の断線であるか、参照幹線の断線であるか、参照配線と他の導体との短絡であるか、参照幹線と他の導体との短絡であるか、またはそれ以外であるかを判定する。そして、表示欠陥の原因が参照配線の断線であれば、修正方法（１−１）または修正方法（２−１）の工程（ｂ）以下に進み、参照配線の断線であれば、修正方法（１−２）または修正方法（２−２）の工程（ｂ）以下に進み、参照配線と他の導体との短絡であれば、修正方法（１−３）または修正方法（２−３）の工程（ｂ）以下に進み、参照幹線と他の導体との短絡であれば、修正方法（１−４）または修正方法（２−４）の工程（ｂ）以下に進む。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変が可能である。

前記実施形態においては、薄膜トランジスタが形成される基板とカラーフィルタ層が形成される基板とが別々の基板であり、これらの基板を貼り合わせることにより液晶表示パネルを形成する構成を示したが、このような構成の表示パネル用の基板に限定されるものではない。たとえば、薄膜トランジスタ上にカラーフィルタ層が形成される基板、いわゆるＣＦｏｎＴＦＴ（Color Filter on Thin Film Transistor）タイプの基板に対しても適用できる。要は、薄膜トランジスタが形成される基板であれば、他の要素の有無に関係なく適用することができる。

１ａ本発明の第一実施形態にかかる基板
１ｂ本発明の第二実施形態にかかる基板
１１アクティブ領域
１１１ゲート配線
１１２ソース配線
１１３ａ，１１３ｂ参照配線
１１４ドレイン配線
１１５薄膜トランジスタ
１１５１ゲート電極
１１５２ソース電極
１１５３ドレイン電極
１１６絵素電極
１１７蓄積容量
１２パネル額縁領域
１２１シールパターン領域
１２２端子領域
１２２１配線電極端子
１２３ａ，１２３ｂ参照幹線
１２４予備配線
１２５導体膜
２ａ本発明の第一実施形態にかかる表示パネル
２ｂ本発明の第二実施形態にかかる表示パネル
３ＴＦＴアレイ基板に形成される各要素
３１透明基板
３２ゲート絶縁膜
３３接続ランド
３４半導体膜
３４１第一のサブ半導体膜
３４２第二のサブ半導体膜
３５パッシベーション膜
３６有機絶縁膜
５対向基板（カラーフィルタ）
５１透明基板
５２ブラックマトリックス
５３着色層
５４保護膜
５５透明電極（共通電極）
５６配向規制構造物

修正方法（１−１）の説明における符号
１１３ｍ所定の参照配線
１１３ｓ不良参照配線
Ａ不良参照配線と予備配線との重畳部分
Ｂ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｓ不良箇所（不良参照配線の断線箇所）

修正方法（１−２）の説明における符号
１１３ｔ所定の参照配線
１１３ｕ他の所定の参照配線
Ｃ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｄ他の所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｔ不良箇所（参照幹線の断線箇所）

修正方法（１−３）の説明における符号
１１３ｖ不良参照配線
１１３ｗ所定の参照配線
α 不良箇所の上流側の切断箇所
β 不良箇所の下流側の切断箇所
Ｅ不良参照配線と予備配線との重畳部分
Ｆ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｕ不良箇所（不良参照配線の短絡箇所）

修正方法（１−４）の説明における符号
１１３ｘ所定の参照配線
１１３ｙ他の所定の参照配線
δ 不良箇所の上流側の切断箇所
ε 不良箇所の下流側の切断箇所
Ｇ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｈ他の所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｖ不良箇所（参照幹線の短絡箇所）

修正方法（２−１）の説明における符号
１１３ｚ不良参照配線
１１３ｎ所定の参照配線
Ｉ不良参照配線と予備配線との重畳部分（第五）
Ｊ所定の参照配線と予備配線との重畳部分（第五）
Ｗ不良箇所（参照配線の断線箇所）

修正方法（２−２）の説明における符号
１２３ｘ不良参照幹線
１１３ｌ所定の参照配線
１１３ｋ他の所定の参照配線
Ｋ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｌ他の所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｘ不良箇所（不良参照幹線の断線箇所）

修正方法（２−３）の説明における符号
１１３ｊ不良参照配線
１１３ｉ所定の参照配線
ι 不良箇所の上流側の切断箇所
θ 不良箇所の下流側の切断箇所
Ｍ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｎ不良参照配線と予備配線との重畳部分
Ｙ不良箇所（不良参照配線の短絡箇所）

修正方法（２−４）の説明における符号
１２３ｙ不良参照幹線
１１３ｈ所定の参照配線
１１３ｇ他の所定の参照配線
κ 不良箇所の上流側の切断箇所
λ 不良箇所の下流側の切断箇所
Ｏ所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｐ他の所定の参照配線と予備配線との重畳部分
Ｚ不良箇所（不良参照幹線の短絡箇所）

Claims

絵素電極と、前記絵素電極または絵素電極に電気的に接続する配線との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、を有することを特徴とする基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、を有することを特徴とする基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の絵素電極を駆動するトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線と、を有することを特徴とする基板。
前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線は前記ソース配線と同じ層に形成されることを特徴とする請求項３に記載の基板。
前記第一の配線は参照配線であり、前記複数の第一の配線と前記絵素電極との間に形成される容量は蓄積容量であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板。
前記複数の第一の配線は互いに略平行に形成されるとともに、前記第二の配線は前記複数の第一の配線に略直交する方向に延伸するように形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿うように設けられることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板。
絵素電極と、前記絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に電気的に接続して所定の信号を伝送する第三の配線と、を有することを特徴とする基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に所定の信号を伝送する第三の配線と、を有することを特徴とする基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線に所定の信号を伝送する第三の配線と、前記複数の絵素電極を駆動する複数のトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線と、を有することを特徴とする基板。
前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線および前記第三の配線は前記ソース配線と同じ層に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の基板。
前記複数の第一の配線は互いに略平行に形成されるとともに、前記第二の配線は前記複数の第一の配線に略直交する方向に延伸するように形成されることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿うように設けられることを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域と前記第三の配線との間に設けられることを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は前記第三の配線に略平行に設けられることを特徴とする請求項８から請求項１４のいずれか１項に記載の基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線のうちの所定の一部の第一の配線に電気的に接続して所定の信号を伝送する複数の第三の配線と、を有することを特徴とする基板。
複数の絵素電極と、前記複数の絵素電極のうちの所定の一部の絵素電極との間に容量を形成する複数の第一の配線と、絶縁膜と、前記複数の第一の配線に前記絶縁膜を挟んで重畳する部分を有する単数または複数の第二の配線と、前記複数の第一の配線のうちの所定の一部の第一の配線に所定の信号を伝送する複数の第三の配線と、前記複数の絵素電極を駆動する複数のトランジスタと、前記トランジスタのゲート電極に所定の信号を伝送するゲート配線と、前記トランジスタのソース電極に所定の信号を伝送するソース配線と、を有することを特徴とする基板。
前記絶縁膜はゲート絶縁膜であり、前記複数の第一の配線は前記ゲート配線と同じ層に形成され、前記第二の配線および前記複数の第三の配線は前記ソース配線と同じ層に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の基板。
前記複数の第一の配線は互いに略平行に形成されるとともに、前記第二の配線は前記複数の第一の配線に略直交する方向に延伸するように形成されることを特徴とする請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域の外側に前記領域の外周に沿って設けられることを特徴とする請求項１６から請求項１９のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は、前記絵素電極が形成される領域と前記複数の第三の配線との間に設けられることを特徴とする請求項１６から請求項２０のいずれか１項に記載の基板。
前記第二の配線は前記複数の第三の配線に略平行に設けられることを特徴とする請求項１６から請求項２１のいずれか１項に記載の基板。
請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の基板と、対向基板と、を備え、前記基板と前記対向基板とが所定の間隔をおいて対向して貼り合わせられるとともに、前記基板と前記対向基板との間に液晶が充填されることを特徴とする表示パネル。
請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記複数の第一の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良を有する第一の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、を有するとともに、
前記不良が断線である場合には、
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有し、
前記不良が他の導体との短絡である場合には、
前記不良を有する第一の配線の前記不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程と、
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有することを特徴とする表示パネルの修正方法。
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記不良を有する第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射することにより前記絶縁膜を除去するとともに前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良を有する第一の配線が伝送する信号と同じ信号を伝送する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させることを特徴とする請求項２４に記載の表示パネルの修正方法。
請求項８から請求項２２のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記複数の第一の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良を有する第一の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、を有するとともに、
前記不良が断線である場合には、
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有し、
前記不良が他の導体との短絡である場合には、
前記不良を有する第一の配線の前記不良箇所の前後両側の箇所を切断する工程と、
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有することを特徴する表示パネルの修正方法。
前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記不良を有する第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射することにより前記絶縁膜を除去するとともに前記不良を有する第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良を有する第一の配線と電気的に接続する前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させることを特徴とする請求項２７に記載の表示パネルの修正方法。
請求項８から請求項１５のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記第三の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良箇所を特定する工程と、
前記不良が他の導体との短絡である場合には、
前記第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の一方側に位置する所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、
前記第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の他方側に位置する他の所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、
前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有することを特徴とする表示パネルの修正方法。
請求項１６から請求項２２のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記複数の第三の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良を有する第三の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、
前記不良が他の導体との短絡である場合には、
前記不良を有する第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の一方側に位置する所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、
前記不良を有する第三の配線における前記不良箇所と前記不良箇所の他方側に位置する他の所定の第一の配線が電気的に接続する箇所との間の箇所を切断する工程と、
前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を有することを特徴とする表示パネルの修正方法。
前記所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記所定の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記所定の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の所定の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の所定の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させることを特徴とする請求項３０に記載の表示パネルの修正方法。
請求項８から請求項１５のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記第三の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良箇所を特定する工程と、
前記不良が断線である場合には、
前記不良箇所の一方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良箇所の他方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を含むことを特徴とする表示パネルの修正方法。
前記不良箇所の一方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、前記不良箇所の他方側に位置し前記第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させることを特徴とする請求項３１に記載の表示パネルの修正方法。
請求項１６から請求項２２のいずれか１項に記載の基板を備える表示パネルの修正方法であって、
前記複数の第三の配線に不良の有無を検出する工程と、
不良が検出された場合には不良を有する第三の配線を特定するとともに不良箇所を特定する工程と、
前記不良が断線である場合には、
前記不良箇所の一方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
前記不良箇所の他方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程と、
を含むことを特徴とする表示パネルの修正方法。
前記不良箇所の一方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させ、不良箇所の他方側に位置し前記不良を有する第三の配線に電気的に接続する他の第一の配線と前記第二の配線とを短絡する工程においては、前記他の第一の配線が前記絶縁膜を挟んで前記第二の配線に重畳する部分に光エネルギを照射して前記絶縁膜を除去するとともに前記他の第一の配線と前記第二の配線の少なくとも一方を溶融させて短絡させることを特徴とする請求項３３に記載の表示パネルの修正方法。