JP2009251494A

JP2009251494A - 薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法

Info

Publication number: JP2009251494A
Application number: JP2008102220A
Authority: JP
Inventors: Takatoshi Saito; 貴翁斉藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2008-04-10
Filing date: 2008-04-10
Publication date: 2009-10-29

Abstract

【課題】ゲート配線に断線等の不具合が発生しても、容易に修正することができる薄膜トランジスタアレイ基板を提供すること。
【解決手段】ゲート配線とソース配線とが交差するように形成され、ゲート配線とソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、ゲート配線とソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、ドレイン配線からゲート配線に向かって第１の修正用枝線が延設され、ドレイン配線から同じくゲート配線に向かって第２の修正用枝線が延設されると共に、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれがゲート配線に絶縁膜を介して重畳されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示パネル用の薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法に関し、更に詳しくはゲート配線の断線等を修正するのが容易な薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法に関する。

近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示パネルが広く用いられている。液晶表示パネルは、一般には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板とからなる一対の基板が所定の間隔を置いて平行に対向配置され、両基板間に液晶が充填された構成をなしている。ＴＦＴアレイ基板には複数の画素電極がマトリクス状に形成され、ＣＦ基板にはほぼ全面に共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶を配向制御することができるようになっている。

図１５は、従来用いられてきた液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタアレイ基板の平面図、図１６（ａ）は図１５のＱ−Ｑ線における液晶表示パネルの断面構造、図１６（ｂ）は図１５のＲ−Ｒ線における液晶表示パネルの断面構造、図１６（ｃ）は図１５のＳ−Ｓ線における液晶表示パネルの断面構造を示している。

図１５に示されるようにＴＦＴアレイ基板３０には、複数本のゲート配線３１と同じく複数本のソース配線３２が交差するように形成され、隣り合うゲート配線３１，３１と隣り合うソース配線３２，３２で囲まれる領域に画素電極３３が形成されている。この画素電極３３とソース配線３２との間には、ゲート配線３１によってオン・オフ制御される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３４がドレイン配線３５を介して接続されている。また、ＴＦＴアレイ基板３０には、ソース配線３２から供給されて画素電極３３に蓄えられた電荷の保持時間を確保すべく、補助容量配線３６が画素電極３３と重ね合うように配置されている。

また、このようなＴＦＴアレイ基板３０に対向配置されるＣＦ基板４０は、図１６（ａ）に示されるように、上述したゲート配線３１とソース配線３２が形成された領域を遮光するように格子形状のブラックマトリクス（ＢＭ）４１が形成されており、隣り合うＢＭ４１で囲まれた領域には、赤、青、緑等の着色層４２が形成されている。また、着色層４２の下側には各画素電極３３に共通の共通電極４３が形成されている。

このような構成の液晶表示パネル５０が備えるＴＦＴアレイ基板３０の製造工程において、何らかの理由により、図１７（ａ）に示されるようにゲート配線３１に断線部１４が発生したり、図１７（ｂ）に示されるように導電性の異物１５がゲート配線３１上に混入したりすることがある。

図１７（ａ）に示されるようにゲート配線３１が断線すると、この断線箇所より先端側に位置するＴＦＴ３４には、伝送されるべきゲート信号が伝達されないため、断線箇所から先端側に位置する画素電極３３が駆動されなくなり、液晶表示パネル５０に線状の表示欠陥が現れてしまう。

また、図１７（ｂ）に示されるようにゲート配線３１上の導電性の異物１５の大きさが基板３０，４０間の間隔よりも大きく、ＴＦＴアレイ基板３０のゲート配線３１とＣＦ基板４０の共通電極４３が短絡してしまう場合は、共通電極４３の電圧がゲート配線３１に常時印加されるため、同じく液晶表示パネル５０に線状の表示欠陥が現れてしまう。このようなゲート配線３１と共通電極４３との間の短絡は、導電性の異物１５をレーザ光の照射によってゲート配線３１と共に除去することで防止できるが、除去の際にゲート配線３１が切断されてしまうため、やはり液晶表示パネル５０に線状の表示欠陥が現れてしまう。

このようなゲート配線３１の断線等の不具合の対策として、例えば、ＴＦＴアレイ基板３０の画素電極３３が形成された領域の外に、この領域を囲むように予備配線を形成しておき、何れかのゲート配線３１が断線した場合は、この予備配線を経由して、ゲート配線３１にゲート信号を入力することが行われている。尚、本発明に関連する先行技術文献としては下記特許文献が挙げられる。

特開２００６−３１７７２６号公報

しかしながら、このような予備配線をＴＦＴアレイ基板３０上に形成する場合、予備配線は画像表示に関係しないので、予備配線を形成するのに必要な面積分だけＴＦＴアレイ基板３０が大きくなってしまうという問題があった。また、予備配線を形成する場合、ゲート配線３１の一箇所の断線等の不具合を修正することができても、同一のゲート配線３１に二箇所以上の断線等が発生している場合は、断線間で挟まれた部分を修正することができないという問題があった。

そこで、本発明が解決する課題は、ゲート配線に断線等の不具合が発生しても、容易に修正することができる薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法を提供することである。

上記課題を解決するために本発明は、基板上に複数本のゲート配線と複数本のソース配線とが交差するように形成され、隣り合う前記ゲート配線と隣り合う前記ソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、前記ゲート配線と前記ソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が前記薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が前記画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、前記ドレイン配線から前記ゲート配線に向かって第１の修正用枝線が延設され、前記ドレイン配線から同じく前記ゲート配線に向かって第２の修正用枝線が延設されると共に、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれが前記ゲート配線に絶縁膜を介して重畳されていることを要旨とするものである。

このような構成の薄膜トランジスタアレイ基板によれば、前記ゲート配線に断線箇所が存在する場合は、該断線箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の断線箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線を介して迂回接続されるようにした修正方法により、簡便にゲート配線の断線箇所を修正接続することができる。

また、同じくこのような薄膜トランジスタアレイ基板によれば、前記ゲート配線上に導電性の異物が存在する場合は、前記ゲート配線を該異物から分離切断する工程と、この切断箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の切断箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線を介して迂回接続されるようにした修正方法により、簡便に導電性の異物が存在したゲート配線の切断箇所を修正接続することができる。

更に、上記課題を解決するための別の本発明は、基板上に複数本のゲート配線と複数本のソース配線とが交差するように形成され、隣り合う前記ゲート配線と隣り合う前記ソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、該画素電極に絶縁膜を介して重畳するように補助容量配線が形成され、前記ゲート配線と前記ソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が前記薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が前記画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、前記ゲート配線と前記補助容量配線との間を橋渡しするように前記ドレイン配線から該ゲート配線と該補助容量配線のそれぞれに向かって第１の修正用枝線が延設され、前記ゲート配線と前記補助容量配線との間を橋渡しするように前記ドレイン配線から同じく該ゲート配線と該補助容量配線のそれぞれに向かって第２の修正用枝線が延設され、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれが前記ゲート配線および前記補助容量配線と絶縁膜を介して重畳されていることを要旨とするものである。

このような構成の薄膜トランジスタアレイ基板によれば、前記ゲート配線に断線箇所が存在する場合は、該断線箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記第１の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部をそれぞれ前記補助容量配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程と、前記第１の修正用枝線と前記第２の修正用枝線とを分離切断する工程と、前記補助容量配線の前記第１の修正用枝線との重畳部および前記補助容量配線の前記第２の修正用枝線との重畳部が一体的になるように該補助容量配線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の断線箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線と前記補助容量配線とを介して迂回接続されるようにした修正方法により、簡便にゲート配線の断線箇所を修正接続することができる。

また、同じくこのような薄膜トランジスタアレイ基板によれば、前記ゲート配線上に導電性の異物が存在する場合は、前記ゲート配線を該異物から分離切断する工程と、この切断箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記第１の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部をそれぞれ前記補助容量配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および第２の修正用枝線から分離切断する工程と、前記第１の修正用枝線と前記第２の修正用枝線とを分離切断する工程と、前記補助容量配線の前記第１の修正用枝線との重畳部および前記補助容量配線の前記第２の修正用枝線との重畳部が一体的になるように該補助容量配線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の切断箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線と前記補助容量配線とを介して迂回接続されるようにした修正方法により、簡便に導電性の異物が存在したゲート配線の切断箇所を修正接続することができる。

上記構成を有する薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法によれば、ドレイン配線からゲート配線に向かって第１の修正用枝線が延設され、ドレイン配線から同じくゲート配線に向かって第２の修正用枝線が延設されると共に、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれがゲート配線に絶縁膜を介して重畳されているので、このような第１の修正用枝線および第２の修正用枝線を用いて、ゲート配線の断線箇所やゲート配線上に導電性の異物が存在する箇所を迂回接続して修正することができる。したがって、ゲート配線にこのような不具合が発生しても、容易に修正することができ、上述した線状の表示欠陥が解消される。また、同一のゲート配線に二箇所以上の断線等が発生している場合でも、それぞれについて迂回接続して修正することができる。

また、画素電極に絶縁膜を介して重畳するように補助容量配線が形成されている場合には、ゲート配線と補助容量配線との間を橋渡しするようにドレイン配線からゲート配線と補助容量配線のそれぞれに向かって第１の修正用枝線が延設され、ゲート配線と補助容量配線との間を橋渡しするようにドレイン配線から同じくゲート配線と補助容量配線のそれぞれに向かって第２の修正用枝線が延設され、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれがゲート配線および補助容量配線と絶縁膜を介して重畳されているので、このような第１の修正用枝線および第２の修正用枝線と補助容量配線を用いて、ゲート配線の断線箇所やゲート配線上に導電性の異物が存在する箇所を迂回接続して修正することができる。

以下に、本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法の実施の形態について図面を参照して説明する。尚、以下の説明では各図面において同一の構成については同符号を付して重複した説明は省略する。

先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の概略構成を拡大して示した平面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線における断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線における断面図、図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線における断面図である。

図１に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１には複数の画素電極２がマトリクス状に形成されている。各画素電極２の周囲には、アルミニウム等からなるゲート配線３とソース配線４とが相互に直交するように形成されている。ゲート配線３とソース配線４とは、その交差部において、ソース配線４が上側、ゲート配線３が下側となるように交差しており、交差部においてゲート配線３とソース配線４は電気的に絶縁されている。

また、ゲート配線３とソース配線４と交差部には、ゲート配線３の一部であるゲート電極３ａに接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５が形成されている。ゲート配線３は窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜６に覆われている。

ＴＦＴ５が形成されている領域のゲート絶縁膜６の上側には、アモルファスシリコン等からなる半導体膜７が、ゲート電極３ａに重畳するように形成されている。また、その半導体膜７の上側には、ソース配線４の一部であるソース電極４ａとドレイン配線８のドレイン電極８ａが形成されている。この場合、ソース電極４ａとドレイン電極８ａは、ゲート電極６ａ上の半導体膜７の両側に相互に離隔して形成されている。そして、ドレイン電極８ａを第１の接続部８ｂとするドレイン配線８は、ＴＦＴ５が形成されている領域から画素電極２の略中央部に向かって延設されており、第２の接続部８ｃが画素電極２のコンタクトホール部２ａを介して画素電極２に接続されている。

ＴＦＴ５は、ゲート配線３のゲート電極３ａより供給されるゲート信号電圧によってオン・オフ制御される。また、ソース配線４のソース電極４ａより供給されるソース信号電圧は、ドレイン配線８のドレイン電極８ａ（第１の接続部８ｂ）から、第２の接続部８ｃおよびコンタクトホール部２ａを介して画素電極２に供給される。

このようなＴＦＴ５は、ゲート絶縁膜６の上側に形成された層間絶縁膜９に覆われている（図２（ａ）参照）。この層間絶縁膜９は感光性樹脂からなり、この層間絶縁膜９の上に画素電極２が形成されている。この画素電極２は例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）等の透明導電膜により形成されている。この画素電極２の上側には図示しない配向膜が形成され、液晶がこの配向膜により所定の方向に配向規制される。

また、このようなＴＦＴアレイ基板１には、ソース配線４から供給されてＴＦＴ５を介して画素電極２に蓄えられた電荷の保持時間を確保すべく、補助容量配線１１が画素電極２に対してゲート絶縁膜６および層間絶縁膜９を介して重ね合うように配置されている（図２（ｃ）参照）。この場合、補助容量配線１１は、ゲート配線３と平行になるように画素電極２の略中央位置に設けられている。

そして、図１に示されるように、ドレイン配線８の第１の接続部８ｂと第２の接続部８ｃとの間の途中部位からは、第１の修正用枝線１２がゲート配線３に向かって延設されており、その第１の修正用枝線１２の終端部１２ａは、ゲート配線３上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている（図２（ｂ）参照）。また、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃからは、第２の修正用枝線１３が同じくゲート配線３に向かって延設されており、その第２の修正用枝線１３の終端部１３ａは、ゲート配線３上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている（図２（ｂ）参照）。

このような構成のＴＦＴアレイ基板１の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１ａ表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロムなどからなる単層または多層の導電膜を成膜する。この導体膜の成膜方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。そして、成膜した導電膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのゲート配線３と補助容量配線１１が同時に得られる。

次に、ゲート絶縁膜６を形成する。このゲート絶縁膜６は、たとえば窒化シリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。そして、このゲート絶縁膜６上に、半導体膜７、ソース配線４、ドレイン配線８を形成する。

半導体膜７は、たとえばｎ^＋型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する。そして、ソース配線４、ドレイン配線８は、上述したゲート配線３と同様の方法により同時に形成される。このとき、ドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１２と第２の修正用枝線１３もドレイン配線８と同時に形成される。

次に、感光性樹脂からなる層間絶縁膜９を成膜する。そして、成膜した層間絶縁膜９に、画素電極２のコンタクトホール部２ａ形成のための開口部を形成する。この開口部は、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。そして、この層間絶縁膜９の表面に、ＩＴＯからなる透明導電膜をスパッタリング法などを用いて成膜する。その後、成膜した透明導電膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの画素電極２およびそのコンタクトホール部２ａが得られる。

画素電極２を形成した後に、図示しない配向膜を形成する。円圧式印刷装置やインクジェット式印刷装置を用い、ポリイミドなどからなる液状の配向材を塗布する。その後、配向膜焼成装置などを用いて基板を加熱し、塗布した配向材を焼成する。これにより画素電極２の上に、固体の配向膜を得る。以上の工程を経て、ＴＦＴアレイ基板１が製造される。

このように製造されたＴＦＴアレイ基板１に、図１６に示されるようなＣＦ基板４０が貼り合わされ、両基板１，４０間に図示されるような液晶１０が充填されて、液晶１０が充填された領域の外周がシールされることにより、液晶表示パネルが製造される。

次に、図１に示したＴＦＴアレイ基板１の製造工程において、何らかの理由により、図３に示されるようにゲート配線３が断線した場合の修正方法について説明する。尚、図４（ａ）は図３のＤ−Ｄ線における断面図、図４（ｂ）は図３のＥ−Ｅ線における断面図である。

図示されるようにゲート配線３の途中部位に断線部１４が発生している。このとき、ゲート配線３には矢印Ｔで示す一方向からのみゲート信号が入力されるようになっており、断線部１４が存在することによって、ゲート配線３の断線部１４より先端側に位置するＴＦＴ５が動作されず、線状の表示欠陥が発生する。

そこで、この断線部１４を挟んで位置するドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１２と第２の修正用枝線１３を用いて、ゲート配線３の断線部１４を迂回して接続する修正を行う。

先ず、ゲート配線３の断線部１４を挟んで位置する第１の修正用枝線１２の終端部１２ａおよび第２の修正用枝線１３の終端部１３ａをそれぞれレーザ光の照射によりゲート配線３と接続する。図４（ｂ）に示されるように、第１の修正用枝線１２の終端部１２ａのレーザ光照射領域１２ｂと第２の修正用枝線１３の終端部１３ａのレーザ光照射領域１３ｂにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまりゲート配線３と第１の修正用枝線１２の終端部１２ａおよび第２の修正用枝線１３の終端部１３ａがそれぞれ電気的に接続されることになる。

次に、ドレイン配線８のドレイン電極８ａを含むように第１の接続部８ｂを切断部８ｄ位置で切断し、第１の接続部８ｂをドレイン配線８から分離させる（図４（ａ）参照）。また、コンタクトホール部２ａをドレイン配線８の第２の接続部８ｃの途中部位である切断部８ｅ位置で切断し、第２の接続部８ｃからコンタクトホール部２ａを分離させる。この切断は、レーザ光の照射により行われる。レーザ光を照射するとドレイン配線８を構成する導電膜が熱により四散することで除去されて、切断箇所において電気的に絶縁状態になる。

このような修正を行うことで、ゲート配線３に矢印Ｔ方向から入力されたゲート信号は、レーザ光照射領域１２ｂ、第１の修正用枝線１２、分離切断されたドレイン配線８、第２の修正用枝線１３、レーザ光照射領域１３ｂを経由して、ゲート配線３の断線部１４より先端に位置するゲート配線３に伝送されることになる。これにより、断線部１４より先端に位置するＴＦＴ５を正常に動作させることができ、ゲート配線３の断線に起因する線状の表示欠陥が解消される。この場合、ドレイン配線８が切断された画素電極２部分の画素が点状の表示欠陥となるが、このような点状の表示欠陥は目立たないので問題がない。尚、上述したレーザ光照射による導電膜同士の接続と導線膜の切断の順序は上述したものとは逆の構成であっても良く、上述した順序には限定されない。

次に、図１に示したＴＦＴアレイ基板１の製造工程において、何らかの理由により、図５に示されるようにゲート配線３上に導電性異物１５が存在することで、ＴＦＴアレイ基板１のゲート配線３と、図１７（ｂ）に示したＣＦ基板４０の共通電極４３が短絡してしまうような場合の修正方法について説明する。尚、図６（ａ）は図５のＦ−Ｆ線における断面図、図６（ｂ）は図５のＧ−Ｇ線における断面図である。

図６（ｂ）に示されるようにゲート配線３の途中部位には導電性異物１５が存在しており、この状態のＴＦＴアレイ基板１に図１６に示したＣＦ基板４０を貼り合わせると、図１７（ｂ）に示したようにＣＦ基板４０の共通電極４３とゲート配線３が短絡してしまう不具合が発生する。このような場合、ＣＦ基板４０の共通電極４３に印加された電圧が導電性異物１５を介してゲート配線３に伝送されてしまう結果、共通電極４３の電圧がゲート配線３に常時印加される。したがって、このゲート配線３に接続された全てのＴＦＴ５が正常に動作せず、線状の表示欠陥が発生する。

そこで、この導電性異物１５を挟んで位置するドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１２と第２の修正用枝線１３を用いて、ゲート配線３の導電線異物１５が存在する部分を迂回して接続する修正を行う。

先ず、ゲート配線３の導電性異物１５を挟んで位置する第１の修正用枝線１２の終端部１２ａおよび第２の修正用枝線１３の終端部１３ａをそれぞれレーザ光の照射によりゲート配線３と接続する。図６（ｂ）に示されるように、第１の修正用枝線１２の終端部１２ａのレーザ光照射領域１２ｂと第２の修正用枝線１３の終端部１３ａのレーザ光照射領域１３ｂにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまりゲート配線３と第１の修正用枝線１２の終端部１２ａおよび第２の修正用枝線１３の終端部１３ａがそれぞれ電気的に接続される。

次に、ドレイン配線８のドレイン電極８ａを含むように第１の接続部８ｂを切断部８ｄ位置で切断し、この第１の接続部８ｂをドレイン配線８から分離させる（図６（ａ）参照）。また、コンタクトホール部２ａをドレイン配線８の第２の接続部８ｃの途中部位である切断部８ｅ位置で切断し、第２の接続部８ｃからコンタクトホール部２ａを分離させる。この切断は、レーザ光の照射により行われる。レーザ光を照射するとドレイン配線８を構成する導電膜が熱により四散することで除去されて、切断箇所において電気的に絶縁状態になる。

そして、ゲート配線３の導電性異物１５が存在する領域を含むようにゲート配線３を切断部３ｃ位置および切断部３ｄ位置で切断し、導電性異物１５をゲート配線３から分離させる（図６（ｂ）参照）。この場合の切断も、レーザ光の照射により行われる。レーザ光を照射すると、ゲート配線３を構成する導電膜が熱により四散することで除去されて、切断箇所において導電性異物１５はゲート配線３から電気的に絶縁状態にされる。

このような修正を行うことで、導電性異物１５によるゲート配線３とＣＦ基板４０の共通電極４３との短絡部分を、ゲート配線３から分離させることができると共に、ゲート配線３に矢印Ｔ方向から入力されたゲート信号は、レーザ光照射領域１２ｂ、第１の修正用枝線１２、分離切断されたドレイン配線８、第２の修正用枝線１３、レーザ光照射領域１３ｂを経由して、ゲート配線３の導電性異物１５より先端に位置するゲート配線３に伝送されることになる。

これにより、導電性異物１５が存在するゲート配線３に接続された全てのＴＦＴ５を正常に動作させることができ、ゲート配線３上の導電性異物１５に起因する線状の表示欠陥が解消される。この場合、ドレイン配線８が切断された画素電極２部分の画素が点状の表示欠陥となるが、このような点状の表示欠陥は目立たないので問題がない。尚、この場合も上述したレーザ光照射による導電膜同士の接続と導線膜の切断の順序は上述したものとは逆の構成であっても良く、上述した順序には限定されない。

尚、上述した第１の実施形態では、第２の修正用枝線１３がドレイン配線８の第２の接続部８ｃからゲート配線３に向かって延設された構成を示したが、図７に示されるように、第１の修正用枝線１２の場合と同じく第２の修正用枝線１３をドレイン配線８の途中部位からゲート配線３に向かって延設された構成にしても良い。このような構成にしても、上述した修正方法によりゲート配線３の断線等の不具合を解消することが可能である。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図８は本発明の第２の実施形態に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の概略構成を拡大して示した平面図、図９（ａ）は図８のＨ−Ｈ線における断面図、図９（ｂ）は図８のＩ−Ｉ線における断面図、図９（ｃ）は図８のＪ−Ｊ線における断面図である。尚、上述した第１の実施形態に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板１と同一の構成については同符号を付して説明は省略し、異なる点と中心に説明する。

図示されるように、ＴＦＴアレイ基板２０には、ソース配線４から供給されて画素電極２に蓄えられた電荷の保持時間を確保すべく、２本の補助容量配線２１，２２が画素電極２と重ね合うように配置されている。この場合の補助容量配線２１，２２は、複数箇所において連結部２３を介してそれぞれ接続されている。また、補助容量配線２１，２２は、ゲート配線３と平行になるように画素電極２の略中央位置に設けられている。

この場合のＴＦＴアレイ基板２０には、ドレイン配線８の第１の接続部８ｂと第２の接続部８ｃとの間の途中部位からゲート配線３と補助容量配線２１との間を橋渡しするように第１の修正用枝線１６，１６がゲート配線３と補助容量配線２１のそれぞれに向かって延設されている。

ゲート配線３に向かって延設された第１の修正用枝線１６の終端部１６ａは、ゲート配線３上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている。また、補助容量配線２１に向かって延設された第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂは、その補助容量配線２１上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている。

また、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃからゲート配線３と補助容量配線２１との間を橋渡しするように第２の修正用枝線１７，１７がゲート配線３と補助容量配線２１のそれぞれに向かって延設されている。

ゲート配線３に向かって延設された第２の修正用枝線１７の終端部１７ａは、ゲート配線３上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている。また、補助容量配線２１に向かって延設された第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂは、その補助容量配線２１上においてゲート絶縁膜６を介して重畳するように形成されている。

このような構成のＴＦＴアレイ基板２０の製造方法については、上述した第１の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１と同様の製造方法であるので、説明は省略する。

次に、図８に示したＴＦＴアレイ基板２０の製造工程において、何らかの理由により、図１０に示されるようにゲート配線３が断線した場合の修正方法について説明する。尚、図１１（ａ）は図１０のＫ−Ｋ線における断面図、図１１（ｂ）は図１０のＬ−Ｌ線における断面図、図１１（ｃ）は図１０のＭ−Ｍ線における断面図である。

そこで、ドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１６，１６および第２の修正用枝線１７，１７と、補助容量配線２１を用いて、ゲート配線３の断線部１４を迂回して接続する修正を行う。

先ず、ゲート配線３の断線部１４を挟んで位置する第１の修正用枝線１６の終端部１６ａおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ａをそれぞれレーザ光の照射によりゲート配線３と接続する。図１１（ｂ）に示されるように、第１の修正用枝線１６の終端部１６ａのレーザ光照射領域１６ｃと第２の修正用枝線１７の終端部１７ａのレーザ光照射領域１７ｃにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまりゲート配線３と第１の修正用枝線１６の終端部１６ａおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ａがそれぞれ電気的に接続される。

そして、第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂをそれぞれレーザ光の照射により補助容量配線２１と接続する。図１１（ｃ）に示されるように、第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂのレーザ光照射領域１６ｄと第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂのレーザ光照射領域１７ｄにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまり補助容量配線２１と第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂがそれぞれ電気的に接続される。

次に、ドレイン配線８のドレイン電極８ａを含むように第１の接続部８ｂを切断部８ｄ位置で切断し、ドレイン配線８から第１の接続部８ｂを分離させる（図１１（ａ）参照）。また、ドレイン配線８をそのドレイン配線８の第２の接続部８ｃ寄りの切断部８ｆ位置で切断し、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃを第１の修正用枝線１６，１６から分離させる（図１１（ａ）参照）。同じく、第２の修正用枝線１７，１７をドレイン配線８の第２の接続部８ｃ寄りの切断部８ｇ位置で切断し、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃを第２の修正用枝線１７，１７から分離させる。

これにより、第１の修正用枝線１６，１６と第２の修正用枝線１７，１７とが分離切断されると共に、第１の修正用枝線１６，１６と第２の修正用枝線１７，１７がそれぞれ一繋がりの連続線として構成されるようになる。このような切断は、レーザ光の照射により行われる。レーザ光を照射するとドレイン配線８を構成する導電膜が熱により四散することで除去されて、切断箇所において電気的に絶縁状態になる。

次に、補助容量配線２１を第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂの左側の切断部２１ａ位置で切断すると共に、同じく補助容量配線２１を第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂの右側の切断部２１ｂ位置で切断することで、補助容量配線２２から補助容量配線２１が部分的に分離される（図１１（ｃ）参照）。

このような修正を行うことで、ゲート配線３に矢印Ｔ方向から入力されたゲート信号は、レーザ光照射領域１６ｃ、第１の修正用枝線１６，１６、レーザ光照射領域１６ｄ、分離切断された補助容量配線２１、レーザ光照射領域１７ｄ、第２の修正用枝線１７，１７、レーザ光照射領域１７ｃを経由して、ゲート配線３の断線部１４より先端に位置するゲート配線３に伝送されることになる。これにより、断線部１４より先端に位置するＴＦＴ５を正常に動作させることができ、ゲート配線３の断線に起因する線状の表示欠陥が解消される。この場合、ドレイン配線８が切断された画素電極２部分の画素が点状の表示欠陥となるが、このような点状の表示欠陥は目立たないので問題がない。尚、上述したレーザ光照射による導電膜同士の接続と導線膜の切断の順序は上述したものとは逆の構成であっても良く、上述した順序には限定されない。

次に、図８に示したＴＦＴアレイ基板２０の製造工程において、何らかの理由により、図１２に示されるようにゲート配線３上に導電性異物１５が存在することで、ＴＦＴアレイ基板２０のゲート配線３と、図１７（ｂ）に示したＣＦ基板４０の共通電極４３が短絡してしまうような場合の修正方法について説明する。尚、図１３（ａ）は図１２のＮ−Ｎ線における断面図、図１３（ｂ）は図１２のＯ−Ｏ線における断面図、図１３（ｃ）は図１２のＰ−Ｐ線における断面図である。

図１３（ｂ）に示されるようにゲート配線３の途中部位には導電性異物１５が存在しており、この状態のＴＦＴアレイ基板１に図１６に示したＣＦ基板４０を貼り合わせると、図１７（ｂ）に示したようにＣＦ基板４０の共通電極４３とゲート配線３が短絡してしまう不具合が発生する。このような場合、ＣＦ基板４０の共通電極４３に印加された電圧が導電性異物１５を介してゲート配線３に伝送されてしまう結果、共通電極４３の電圧がゲート配線３に常時印加される。したがって、このゲート配線３に接続された全てのＴＦＴ５が正常に動作せず、線状の表示欠陥が発生する。

そこで、ドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１６，１６および第２の修正用枝線１７，１７と、補助容量配線２１を用いて、ゲート配線３の導電性異物１５が存在する部分を迂回して接続する修正を行う。

先ず、ゲート配線３の導電性異物１５を挟んで位置する第１の修正用枝線１６の終端部１６ａおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ａをそれぞれレーザ光の照射によりゲート配線３と接続する。図１３（ｂ）に示されるように、第１の修正用枝線１６の終端部１６ａのレーザ光照射領域１６ｃと第２の修正用枝線１７の終端部１７ａのレーザ光照射領域１７ｃにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまりゲート配線３と第１の修正用枝線１６の終端部１６ａおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ａがそれぞれ電気的に接続される。

そして、第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂをそれぞれレーザ光の照射により補助容量配線２１と接続する。図１３（ｃ）に示されるように、第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂのレーザ光照射領域１６ｄと第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂのレーザ光照射領域１７ｄにそれぞれレーザ光を照射すると、下層のゲート絶縁膜６に穴が開けられると共に、開けられた穴の周辺を介して溶融された導電膜同士、つまり補助容量配線２１と第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂおよび第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂがそれぞれ電気的に接続される。

次に、ドレイン配線８のドレイン電極８ａを含むように第１の接続部８ｂを切断部８ｄ位置で切断し、ドレイン配線８から第１の接続部８ｂを分離させる（図１３（ａ）参照）。また、ドレイン配線８をそのドレイン配線８の第２の接続部８ｃ寄りの切断部８ｆ位置で切断し、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃを第１の修正用枝線１６，１６から分離させる（図１３（ａ）参照）。同じく、第２の修正用枝線１７，１７をドレイン配線８の第２の接続部８ｃ寄りの切断部８ｇ位置で切断し、ドレイン配線８の第２の接続部８ｃを第２の修正用枝線１７，１７から分離させる。

次に、補助容量配線２１を第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂの左側の切断部２１ａ位置で切断すると共に、同じく補助容量配線２１を第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂの右側の切断部２１ｂ位置で切断することで、補助容量配線２２から補助容量配線２１が部分的に分離される（図１３（ｃ）参照）。

そして、ゲート配線３の導電性異物１５が存在する領域を含むようにゲート配線３を切断部３ｃ位置および切断部３ｄ位置で切断し、導電性異物１５をゲート配線３から分離させる（図１３（ｂ）参照）。この場合の切断も、レーザ光の照射により行われる。レーザ光を照射すると、ゲート配線３を構成する導電膜が熱により四散することで除去されて、切断箇所において導電性異物１５はゲート配線３から電気的に絶縁状態にされる。

このような修正を行うことで、導電性異物１５によるゲート配線３とＣＦ基板４０の共通電極４３との短絡部分を、ゲート配線３から分離させることができると共に、ゲート配線３に矢印Ｔ方向から入力されたゲート信号は、レーザ光照射領域１６ｃ、第１の修正用枝線１６，１６、レーザ光照射領域１６ｄ、分離切断された補助容量配線２１、レーザ光照射領域１７ｄ、第２の修正用枝線１７，１７、レーザ光照射領域１７ｃを経由して、ゲート配線３の導電性異物１５より先端に位置するゲート配線３に伝送されることになる。

これにより、導電性異物１５が存在するゲート配線３に接続された全てのＴＦＴ５を正常に動作させることができ、ゲート配線３上の導電性異物１５に起因する線状の表示欠陥が解消される。この場合、ドレイン配線８が切断された画素電極２部分の画素が点状の表示欠陥となるが、このような点状の表示欠陥は目立たないので問題がない。尚、この場合も上述したレーザ光照射による導電膜同士の接続と導線膜の切断の順序は上述したものとは逆の構成であっても良いく、上述した順序には限定されない。

尚、上述した第２の実施形態では、２本の補助容量配線２１，２２が複数箇所において連結部２３を介してそれぞれ接続された構成を示したが、図１４に示されるように１本の補助容量配線２５とした構成でも上述した修正方法が適用される。この場合、補助容量配線２５の第１の修正用枝線１６の終端部１６ｂとの重畳部および補助容量配線２５の第２の修正用枝線１７の終端部１７ｂとの重畳部が一体的になるように補助容量配線２５から切断部２５ａ位置で分離切断すれば良い。このような構成にしても、上述した修正方法によりゲート配線３の断線等の不具合を解消することが可能である。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。例えば、ドレイン配線８から延設された第１の修正用枝線１２や第１の修正用枝線１６，１６、または第２の修正用枝線１３や第２の修正用枝線１７，１７の形状や大きさについて、上述した実施の形態には限定されず、種々なる形状や大きさが適用される。

本発明の第１の実施形態に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の１画素の概略構成を拡大して示す平面図である。（ａ）は図１のＡ−Ａ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図１のＴＦＴアレイ基板のゲート配線が断線した状態を示した平面図である。（ａ）は図３のＤ−Ｄ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図３のＥ−Ｅ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図１のＴＦＴアレイ基板のゲート配線上に導電性の異物が存在する状態を示した平面図である。（ａ）は図５のＦ−Ｆ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図５のＧ−Ｇ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図１の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の変形例の概略構成を示す平面図である。本発明の第２の実施形態に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の１画素の概略構成を拡大して示す平面図である。（ａ）は図８のＨ−Ｈ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図８のＩ−Ｉ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｃ）は図８のＪ−Ｊ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図８のＴＦＴアレイ基板のゲート配線が断線した状態を示した平面図である。（ａ）は図１０のＫ−Ｋ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図１０のＬ−Ｌ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｃ）は図１０のＭ−Ｍ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図８のＴＦＴアレイ基板のゲート配線上に導電性の異物が存在する状態を示した平面図である。（ａ）は図１２のＮ−Ｎ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｂ）は図１２のＯ−Ｏ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図、（ｃ）は図１２のＰ−Ｐ線におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。図８の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板の変形例の概略構成を示す平面図である。従来用いられてきた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の１画素の概略構成を拡大して示す平面図である。（ａ）は図１５のＱ−Ｑ線におけるＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示パネルの断面図、（ｂ）は図１５のＲ−Ｒ線におけるＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示パネルの断面図、（ｃ）は図１５のＳ−Ｓ線におけるＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示パネルの断面図である。（ａ）は図１６（ｂ）のＴＦＴアレイ基板のゲート配線が断線した状態を示した液晶表示パネルの断面図、（ｂ）は図１６（ｂ）のＴＦＴアレイ基板のゲート配線上に導電性の異物が存在する状態を示した液晶表示パネルの断面図である。

符号の説明

１，２０薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板
２画素電極
２ａコンタクトホール部
３ゲート配線
４ソース配線
５薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
６ゲート絶縁膜
７半導体膜
８ドレイン配線
８ｂ第１の接続部
８ｃ第２の接続部
１０液晶
１２，１６第１の修正用枝線
１３，１７第２の修正用枝線
１４断線部
１５導電性異物
２１，２５補助容量配線

Claims

基板上に複数本のゲート配線と複数本のソース配線とが交差するように形成され、隣り合う前記ゲート配線と隣り合う前記ソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、前記ゲート配線と前記ソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が前記薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が前記画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、前記ドレイン配線から前記ゲート配線に向かって第１の修正用枝線が延設され、前記ドレイン配線から同じく前記ゲート配線に向かって第２の修正用枝線が延設されると共に、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれが前記ゲート配線に絶縁膜を介して重畳されていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。
基板上に複数本のゲート配線と複数本のソース配線とが交差するように形成され、隣り合う前記ゲート配線と隣り合う前記ソース配線とで囲まれた領域にはそれぞれ画素電極が形成され、該画素電極に絶縁膜を介して重畳するように補助容量配線が形成され、前記ゲート配線と前記ソース配線の交差部近傍には薄膜トランジスタが形成されると共に、第１の接続部が前記薄膜トランジスタに接続され、第２の接続部が前記画素電極に接続されたドレイン配線が形成されてなる薄膜トランジスタアレイ基板において、前記ゲート配線と前記補助容量配線との間を橋渡しするように前記ドレイン配線から該ゲート配線と該補助容量配線のそれぞれに向かって第１の修正用枝線が延設され、前記ゲート配線と前記補助容量配線との間を橋渡しするように前記ドレイン配線から同じく該ゲート配線と該補助容量配線のそれぞれに向かって第２の修正用枝線が延設され、これら第１の修正用枝線および第２の修正用枝線のそれぞれが前記ゲート配線および前記補助容量配線と絶縁膜を介して重畳されていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。
請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法であって、前記ゲート配線に断線箇所が存在する場合は、該断線箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の断線箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線を介して迂回接続されるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法。
請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法であって、前記ゲート配線上に導電性の異物が存在する場合は、前記ゲート配線を該異物から分離切断する工程と、この切断箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の切断箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線を介して迂回接続されるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法。
請求項２に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法であって、前記ゲート配線に断線箇所が存在する場合は、該断線箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記第１の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部をそれぞれ前記補助容量配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程と、前記第１の修正用枝線と前記第２の修正用枝線とを分離切断する工程と、前記補助容量配線の前記第１の修正用枝線との重畳部および前記補助容量配線の前記第２の修正用枝線との重畳部が一体的になるように該補助容量配線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の断線箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線と前記補助容量配線とを介して迂回接続されるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法。
請求項２に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法であって、前記ゲート配線上に導電性の異物が存在する場合は、前記ゲート配線を該異物から分離切断する工程と、この切断箇所を挟んで位置する前記第１の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記ゲート配線との重畳部をそれぞれ前記ゲート配線と接続する工程と、前記第１の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部および前記第２の修正用枝線の前記補助容量配線との重畳部をそれぞれ前記補助容量配線と接続する工程と、前記ドレイン配線の第１の接続部および第２の接続部を前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線から分離切断する工程と、前記第１の修正用枝線と前記第２の修正用枝線とを分離切断する工程と、前記補助容量配線の前記第１の修正用枝線との重畳部および前記補助容量配線の前記第２の修正用枝線との重畳部が一体的になるように該補助容量配線から分離切断する工程とを備え、前記ゲート配線の切断箇所が前記ドレイン配線の前記第１の修正用枝線および前記第２の修正用枝線と前記補助容量配線とを介して迂回接続されるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法。
前記各工程における接続および分離切断がレーザー光の照射によりなされていることを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ基板の修正方法。