JPWO2015030093A1 - 素子収納用パッケージおよび実装構造体 - Google Patents
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Abstract
高周波帯での周波数特性を良好にすることが可能な素子収納用パッケージおよび実装構造体を提供することを目的とする。素子収納用パッケージ2は、上面に素子3を実装する実装領域Rを有する基板4と、実装領域Rを取り囲むように基板4の上面に配置されているとともに、貫通部Tを有する枠体5と、貫通部Tに挿通された入出力端子6とを備えている。入出力端子6は、積層構造体61と、信号導体と、接地導体と、信号リード端子62および接地リード端子63を有している。積層構造体61は、信号導体の接続部の上方に、層間の接地導体が形成されていない接地導体非形成領域を有するとともに、枠体5の外側に位置する側面に、接地導体に電気的に接続された外部接地導体65を有している。
Description
本発明は、素子を実装することが可能な素子収納用パッケージ、および素子を実装した実装構造体に関する。
近年、半導体素子、発光ダイオード、圧電素子、水晶振動子、レーザーダイオードまたはフォトダイオード等の素子を実装することが可能な小型の素子収納用パッケージが開発されている(例えば、特開2004−153165号公報参照)。
このような素子収納用パッケージは、基板と、貫通部を有し、基板の上面に配置された枠体と、枠体の貫通部に挿通され、枠体の内側に一部が配置された入出力端子と備え、入出力端子の下部に枠体の内側および枠体の外側を電気的に接続する信号リード端子が取り付けられている。
特に、光通信、マイクロ波通信またはミリ波通信等の高周波信号を用いる高周波用の素子収納用パッケージでは、高周波帯になればなるほど、周波数特性を制御することが難しく、高周波回路設計が困難になるという技術的課題がある。具体的には、入出力端子における信号導体と接地導体との間で発生する寄生容量や電界分布が、高周波帯になればなるほど素子収納用パッケージの周波数特性に影響を与える。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、高周波帯での周波数特性を良好なものにすることが可能な素子収納用パッケージおよび実装構造体を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る素子収納用パッケージは、上面に素子を実装する実装領域を有する基板と、実装領域を取り囲むように基板の上面に配置されているとともに、一部に内側および外側を貫通した貫通部を有する枠体と、貫通部に挿通された入出力端子とを備えている。入出力端子は、枠体の内側および枠体の外側に位置する、複数の絶縁層を積層した積層構造体を有している。また、入出力端子は、積層構造体に設けられた、枠体の内側における上部から枠体の外側に位置する下部にまで設けられた信号導体と、積層構造体の層間に層状に設けられた接地導体を有している。さらに、入出力端子は、枠体の外側に位置し、積層構造体の下部において信号導体に接続された、信号導体に高周波信号を入出力する信号リード端子と、積層構造体の下部において接地導体に接続された、信号リード端子に隣接する接地リード端子とを有している。信号導体は、積層構造体の下面に信号リード端子との接続部を有し、積層構造体は、信号導体の接続部の上方に、層間の接地導体が形成されていない接地導体非形成領域を有するとともに、枠体の外側に位置する側面に、接地導体に電気的に接続された外部接地導体を有している。
[素子収納用パッケージおよび実装構造体]
実装構造体1は、図1に示すように、素子収納用パッケージ2と、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに配置された素子3とを備えている。
実装構造体1は、図1に示すように、素子収納用パッケージ2と、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに配置された素子3とを備えている。
素子3は台座3aに実装される。台座3aは、素子収納用パッケージ2の内部の実装領域Rに配置されている。台座3aは、素子3を実装するものであって、素子3の高さ位置を調整することができる。台座3aは、絶縁材料からなり、台座3aの上面に素子3と電気的に接続される電気配線が形成されている。
素子3としては、例えば、半導体素子、トランジスタ、レーザーダイオード、フォトダイオードまたはサイリスタ等の能動素子、あるいは抵抗器、コンデンサ、太陽電池、圧電素子、水晶振動子またはセラミック発振子等の受動素子が挙げられる。
素子収納用パッケージ2は、図1および図2に示すように、基板4と、枠体5と、入出力端子6とを備えている。素子収納用パッケージ2は、高耐圧化、大電流化や大電力化または高速・高周波化に対応している素子を実装して機能させるのに適している。本実施形態は、素子3の一例として半導体素子を実装するものである。
基板4は、上面に素子3を実装する実装領域Rを有している。基板4は、矩形状の金属板であって、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金からなる。なお、基板4の熱伝導率は、例えば15W/(m・K)〜450W/(m・K)の範囲に設定できる。基板4の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K〜28×10−6/Kの範囲に設定できる。
また、基板4の表面は、酸化腐食を防止するために、電気めっき法または無電解めっき法を用いて、ニッケルまたは金等の金属層が形成されている。なお、金属層の厚みは、例えば0.5μm〜9μmの範囲に設定できる。
枠体5は、実装領域Rを取り囲むように基板4の上面に配置されている。なお、枠体5は、基板4の上面に、ろう材などの接合部材を介して接合されている。また、枠体5には、一部に内側および外側を貫通した、複数の貫通部Tが形成されている。この貫通部Tには、入出力端子6が挿通されている。また、複数の貫通部Tのうち1個の貫通部Tには、光ファイバからの光を枠体5の内側まで通す筒状部材5cが挿入固定されている。
枠体5の材料は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金が挙げられる。なお、枠体5の熱伝導率は、例えば15W/(m・K)〜450W/(m・K)の範囲に設定されている。枠体5の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K〜28×10−6/Kの範囲に設定できる。
入出力端子6は、枠体5の内側および枠体5の外側を電気的に接続する機能を有する。入出力端子6は、枠体5の貫通部Tに挿通されている。すなわち、図2および図3に示すように、入出力端子6の一部は、枠体5の内側に位置しているとともに、入出力端子6の他の一部は枠体5の外側に位置している。
また、入出力端子6は、積層構造体61と、複数の信号リード端子62と、複数の接地リード端子63とを備えている。なお、信号リード端子62および接地リード端子63は、棒状であって、外部のマザーボード上に実装される箇所が平らであり、マザーボードの上面と入出力端子の下面とが接触しないように、一部が折れ曲がっている。
積層構造体61は、積層体61aおよび複数の電極端子61bを有している。積層体61aは、複数の絶縁層および複数の接地導体Gが交互に積層されてなる。
絶縁層は誘電体からなる。絶縁層としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料が用いられる。
接地導体Gは、接地電位に設定される導体層である。また、接地導体Gは、積層構造体61の層間に層状に設けられている。接地導体Gは導電性材料で形成され、導電性材料としては、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金が挙げられる。
積層体61aの内部には、複数の信号導体Sが形成されている。信号導体Sは、接地導体Gに接触しないように積層構造体61の上部611から下部612にかけて形成されている。具体的には、信号導体Sは、積層構造体61において、枠体5の内側における上部611から枠体5の外側に位置する下部612にまで設けられている。信号導体Sは、積層構造体61の上部611に位置する複数の電極端子61bおよび積層構造体61の下部612に位置する複数の電極端子61bを接続している。ここで、積層構造体61の下部612に位置する複数の電極端子61bが、信号リード端子62との接続部Cである。なお、信号導体Sは接地導体Gと同じ材料で形成できる。
積層構造体61は、信号リード端子62との接続部Cである電極端子61b上方に、層間の接地導体Gが形成されていない接地導体非形成領域Nを有している。ここで、図14〜図21を用いて、接地導体非形成領域Nを説明する。図14〜図20にかけて、積層構造体61内の信号導体Sが階段状に設けられるとともに接地導体Gの層数が増えている。なお、図21は、図20で示した構造に外部接地導体65を追加した構造を示している。
高周波用の素子収納用パッケージ2では、外部の電子機器、具体的にはマザーボード上に実装する際に、マザーボード上の電気配線に信号リード端子62および接地リード端子63を接続する。特に、40GHz以上の高周波帯で用いる素子収納用パッケージ2では、信号リード端子62をマザーボード上に直接実装して高周波信号を伝送する際に、信号リード端子62と電極端子61bとの接続部Cとマザーボードとの間や、信号リード端子62と電極端子61bとの接続部Cと積層体61aの内部に設けられた接地導体Gとの間で寄生容量が大きくなることから、接続部Cにおいて特性インピーダンスが小さくなる。よって、入出力端子6は、高周波信号が接続部Cを伝送する際の挿入損失や反射損失が劣化するが、周波数特性の更なる向上を目指している。そこで、信号リード端子62と電極端子61bとの接続部Cの上方に、接地導体Gが設けられない接地導体非形成領域Nを設け、接続部Cの周囲における接地導体Gの面積を減らすことで、接続部Cにおける寄生容量成分を減らすとともに、接続部Cにおける特性インピーダンスを大きくしている。さらに、電極端子61bと信号リード端子62との接続部Cから積層体61aを介して接地導体非形成領域N内を分布する電界を積層体61a内に閉じ込めるとともに、接続部Cの周囲における電界分布を安定化させるため、積層体61aの枠体5の外側に位置する側部613に外部接地導体65を設けている。よって、枠体5の外側に位置する積層体61aの側部613に、接地導体非形成領域Nの一部と、信号リード端子62、電極端子61bおよび接続部Cを取り囲むように、接地導体Gに電気的に接続された外部接地導体65を設けることにより、入出力端子6の内外の電界分布の影響によって、周波数特性が悪化するのを抑制することができる。即ち、信号リード端子62、電極端子61b、接続部C、信号導体Sおよび接地導体非形成領域Nの間で生じる電界分布に起因する、積層体61a内の伝送線路に発生する不要な高周波信号の共振を抑制できる。
接地導体非形成領域Nは、図15に示すように、信号リード端子62との接続部Cである電極端子61bの周囲であって、積層構造体61の側面から積層構造体61の内部にかけて設けられている。なお、接地導体非形成領域Nは、信号リード端子62に沿った方向の長さが0.1mm〜1mmであって、信号リード端子62に直交した方向の長さが1mm〜10mmに設定されている。
また、本実施形態では、積層構造体61の上部611に立壁部64が配置されている。また、図5に示す一点鎖線Iは、積層体61a(積層構造体61)および立壁部64の区切を示す仮想線である(図6、図7、図10、図11および図13についても同様である)。
複数の電極端子61bは、積層構造体61の上部611および下部612に配置されている。図3および図5に示すように、積層構造体61の上部611に位置する電極端子61bは、一定方向に配列している。同様に、積層構造体61の下部612に位置する電極端子61bも、一定方向に配列している。なお、電極端子61bは接地導体Gと同じ材料で形成できる。
積層構造体61の上部611に位置する複数の電極端子61bは、枠体5の内側に位置しており、例えば、ボンディングワイヤなどによって素子3、または台座3aの上面に形成され、素子3に接続された電気配線と電気的に接続される。これによって、素子3は入出力端子6と電気的に接続される。一方、積層構造体61の下部612に位置する複数の電極端子61bは、枠体5の外側に位置しており、半田や銀ろう材等の導電性の接合部材を介して複数の信号リード端子62または接地リード端子63に接続されている。なお、各端子の間の距離は、GSSGの配列であって、狭ピッチに設定されている。具体的には、信号リード端子62と隣接した信号リード端子62の間の距離は0.5mm〜5mmに、信号リード端子62と隣接した接地リード端子63の間の距離は0.4mm〜4mmに設定されている。
また、積層構造体61は、枠体5の外側に位置する側面としての側部613に、外部接地導体65が形成されている。なお、図3に示すように、この側部613は、平面視して信号リード端子62および接地リード端子63に交差する部分である。
外部接地導体65は積層構造体61の外部に形成されている。すなわち、外部接地導体65は、積層構造体61の外表面に露出している。外部接地導体65は接地電位に設定されている導体である。また、外部接地導体65は接地リード端子63に電気的に接続されている。また、外部接地導体65は接地導体Gと同じ材料で形成できる。なお、図7については、外部接地導体65の形成領域を斜線で示している(図11および図13についても、同様である)。
図6および図7に示すように、外部接地導体65は、積層構造体61の側部613において、信号リード端子62の直上に位置する領域Eを取り囲むように形成されている。また、本実施形態の外部接地導体65は、各々の信号リード端子62の直上に位置する各々の領域Eを取り囲むように形成されている。さらに、本実施形態では、各々の領域Eを取り囲む外部接地導体65同士が接続されていることで、積層構造体61の側部613に位置する外部接地導体65が連続して一体的に形成されている。
また、図6および図7に示すように、領域Eを取り囲む外部接地導体65の直下には接地リード端子63が配置されている。また、外部接地導体65は接地リード端子63に電気的に接続されている。これによって、外部接地導体65を接地電位にすることができる。
なお、本実施形態では、積層構造体61の側部613には凹部が形成されており、この凹部内に外部接地導体65を形成している(図10、図11、図12および図13についても同様である)。これによって、例えば導電性を有する外部部材が外部接地導体65に接触することを低減できる。外部部材が外部接地導体65に接触することを低減することで、外部接地導体65が損傷することを抑制できる。また、外部部材が信号リード端子62に接触している場合には、信号リード端子62および外部接地導体65が短絡することを抑制できる。なお、凹部は、図13に示すように、側面視して、上下方向の長さが1mm〜10mmに、平面方向の長さが1mm〜10mmに、内部に窪んだ深さが0.1mm〜1mmに設定されている。
信号リード端子62は、信号導体Sに高周波信号を入出力する。具体的には、外部の電子機器等から積層構造体61に高周波信号を供給する機能を有する。信号リード端子62は、半田、銀ろう材等の導電性接合部材を介して積層構造体61の下部612に位置する電極端子61bに接続されている。なお、本実施形態の信号リード端子62は、外部の電子機器等から印加された高周波信号を積層構造体61および台座3aを介して素子3に印加している。
図7に示すように、複数の信号リード端子62は、1個または2個の接地リード端子63を挟んで一定方向に配列している。各々の信号リード端子62は各々の電極端子61bに接続されている。
接地リード端子63は、接地電位となる。具体的には、外部の電子機器等と共通の接地電位に接続する機能を有する。接地リード端子63は、半田、銀ろう材等の導電性接合部材を介して積層構造体61の下部612に位置する電極端子61bに接続されている。また、接地リード端子63は、電極端子61bおよび積層体61aの接地導体Gを介して外部接地導体65に接続されている。また、図6および図7に示すように、接地リード端子63は、1個の信号リード端子62の両側に配置されている。
信号リード端子62および接地リード端子63の材料としては、導電性材料が挙げられ、導電性材料としては例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金からなる。
図8は、本実施形態に係る実装構造体1の周波数特性(Sパラメータ)(反射損失:Return Loss”S11”、挿入損失:Insertion Loss”S21”)のシミュレーション結果を示したグラフである。図8のグラフでは、本実施形態に係る実装構造体1の周波数特性は実線で、比較例の実装構造体は点線で示している。なお、比較例の実装構造体は、積層構造体61が、枠体5の外側に位置する側部613に外部接地導体65を有していない。
反射損失値は、周波数が0GHzから高周波数になるにつれて緩やかに0dBに近付いていくが、45GHz近傍の特定の周波数を超えると急激に0dBに近付く。また、挿入損失値は、周波数が0GHzで0dBであるが、高周波数になるにつれて、徐々に0dBからのずれが大きくなり、45GHz近傍の特定の周波数を超えると急激に0dBからずれる。上記特定の周波数はいわゆる共振周波数である。
信号導体Sは、積層構造体61の内部で、複数の絶縁層および複数の接地導体Gを通過している。また、信号導体Sは、複数の接地導体Gにおいて、接地導体Gが形成されていない領域を通過することで、積層構造体61内に電気信号が伝送される伝送線路を形成することができる。
また、積層構造体61は、枠体5の外側に位置する側部613において、信号リード端子62の直上の領域Eを取り囲むように形成された外部接地導体65を有することで、信号リード端子62と電極端子61bとの接続部Cで発生する電界を接地導体非形成領域Nを介して接地導体Gおよび外部接地導体65に向かって分布させることができるとともに、積層構造体61の上部611から下部612にかけて積層体61aの内部に形成される信号導体Sから発生する電界を外部接地導体65に向かって分布させることができる。これによって、信号リード端子62と電極端子61bとの接続部Cおよび信号導体Sからの電界分布が大きく広がることを抑制し、積層体61a内の伝送線路に生じる不要な共振を抑制できることから、入出力端子6の周波数特性を向上できる。したがって、高周波帯における信号リード端子62と電極端子61bとの接続部C、信号導体S、接地導体非形成領域Nおよび外部接地導体65の間の電界分布に依存して、積層体61a内の伝送線路に発生する高周波信号の不要な共振を抑制できる。
その結果、例えば30GHz〜40GHzの高周波帯において反射損失値を低くすることができる。図8に示すように、外部接地導体65が形成されていない比較例では、周波数が30GHz〜40GHzの高周波帯において、−17dBより大きな反射損失値を示している。これに対して、本実施形態に係る実装構造体1では、周波数が例えば30GHz〜40GHzの高周波帯において、−21dBよりも小さな反射損失値を示しているので、本実施形態に係る実装構造体1は反射損失値が低くなっていることが確認できる。
また、積層構造体61は、枠体5の外側に位置する側部613において、信号リード端子62の直上の領域Eを取り囲むように形成された外部接地導体65を有することで、例えば30GHz〜40GHzの高周波帯において挿入損失値を0dBに近付けることができる。図8は、周波数が30GHz〜40GHzの高周波帯において、外部接地導体65が形成されていない比較例の挿入損失値を示す曲線が、本実施形態に係る実装構造体1の挿入損失値を示す曲線よりも下方に位置しており、実装構造体1の挿入損失値を示す曲線が上方(0dB側)に位置していることを示している。したがって、本実施形態に係る実装構造体1は挿入損失値を0dBに近付けられることが確認できる。
以上より、本実施形態に係る実装構造体1では、積層構造体61が、枠体5の外側に位置する側部613において、信号リード端子62の直上の領域Eを取り囲むように形成された外部接地導体65を有することで、高周波帯での周波数特性を良好にすることができる。
枠体5の上面には、シールリング7がろう材などの接合部材を介して配置されている。シールリング7は、枠体5および蓋体8を接続する機能を有する。なお、シールリング7は、蓋体8とのシーム溶接性に優れた、例えば銅、タングステン、鉄−ニッケル−コバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金からなる。なお、シールリング7の熱膨張係数は、例えば4×10−6/K〜16×10−6/Kの範囲に設定できる。
蓋体8は、枠体5で囲まれる領域を気密封止する機能を有する。また、蓋体8は、枠体5の内側に位置する素子3を覆うように、シールリング7の上面に配置されている。枠体5で囲まれた領域は、真空状態または窒素ガス等が充填されており、蓋体8をシールリング7上に配置することで、枠体5で囲まれる領域を気密封止された状態にすることができる。蓋体8は、所定雰囲気で、シールリング7上に載置され、シーム溶接を行なうことによりシールリング7上に接合される。
蓋体8は、例えば、銅、タングステン、鉄−ニッケル−コバルト等の金属、またはこれらの金属を複数種含む合金、もしくは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体もしくはガラスセラミックス等のセラミックスからなる。
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
上記実施形態では、積層構造体61の側部613に形成された外部接地導体65が一体的に形成されているが、これには限定されない。すなわち、図9〜図13に示すように、外部接地導体65を分割させて各々の領域Eを取り囲んでいても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果を奏する。
また、上記実施形態では、外部接地導体65が、信号リード端子62の直上に位置する領域Eの全周を取り囲むように形成されているが、これには限定されない。
すなわち、図9〜図13に示すように、領域Eの周囲に位置する外部接地導体65の一部に隙間を形成させても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果を奏する。なお、本変形例では、各領域Eの1個の角部近傍に外部接地導体65を形成していない。
さらに、積層構造体61は、信号リード端子62および接地リード端子63と電極端子61bとを接合する、半田や銀ろう材などの導電性接合部材が外部接地導体65を介して濡れ広がることを抑制できる。したがって、積層構造体61は、信号リード端子62および接地リード端子63と電極端子61bとの接合部に設けられる導電性接合部材が所望の量より少なくなることを抑制でき、信号リード端子62および接地リード端子63と電極端子61bとの接合信頼性を向上できる。
[素子収納用パッケージおよび実装構造体の製造方法]
図1に示す素子収納用パッケージ2および実装構造体1の製造方法を説明する。
図1に示す素子収納用パッケージ2および実装構造体1の製造方法を説明する。
まず、基板4、枠体5、信号リード端子62、接地リード端子63およびシールリング7を作製する。基板4、枠体5、信号リード端子62、接地リード端子63およびシールリング7は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打抜加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に作製される。
次に、積層構造体61、信号リード端子62および接地リード端子63を有する入出力端子6を作製する。まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物をシート状に形成し、グリーンシートを準備する。なお、この際、グリーンシートの所定箇所に貫通孔を形成しておく。
次に、電極端子61b、接地導体G、信号導体Sおよび外部接地導体65の原料となる、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを準備する。そして、この金属ペーストを未焼成のグリーンシートの所定位置に印刷する。この際に、金属ペーストを貫通孔にも印刷することで、金属ペーストを貫通孔の内面に形成する。
そして、グリーンシートの貫通孔を分断するように、未焼成のグリーンシートを所定形状に型抜きする。これによって、貫通孔の内面に形成された金属ペーストは、所定形状のグリーンシートの側面に形成された状態になる。
次に、上記グリーンシートを複数形成して、グリーンシートの側面に形成された金属ペーストが上下方向に配列するように、グリーンシートを複数積層させる。そして、グリーンシートの積層体を所定の温度で同時に焼成することで、側部613に領域E、外部接地導体65ならびに積層構造体61の上部611および下部612に電極端子61bを有する積層構造体61を作製できる。そして、信号リード端子62および接地リード端子63を積層構造体61の下部612に形成された電極端子61bにろう材で接合することで、入出力端子6を作製できる。
次に、枠体5の貫通部Tに筒状部材5cをろう材を介して嵌めて接続する。そして、基板4、枠体5および入出力端子6をろう材を介して接続する。このようにして、素子収納用パッケージ2を作製することができる。
次に、台座3aおよび素子3を準備する。そして、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに台座3aをろう材を介して配置する。さらに、台座3a上に素子3を実装して、素子3の電極と枠体5内の入出力端子6の積層構造体61の上部611に設けられた電極端子61bとをボンディングワイヤを介して電気的に接続する。このようにして、実装構造体1を作製することができる。最後に、実装構造体1にシールリング7および蓋体8を取り付ける。
本発明の実施形態に係る素子収納用パッケージは、上面に素子を実装する実装領域を有する基板と、実装領域を取り囲むように基板の上面に配置されているとともに、一部に内側および外側を貫通した貫通部を有する枠体と、貫通部に挿通された入出力端子とを備え
ている。入出力端子は、枠体の内側および枠体の外側に位置する、複数の絶縁層を積層した積層構造体を有している。また、入出力端子は、積層構造体に設けられた、枠体の内側における上部から枠体の外側に位置する下部にまで設けられた信号導体と、積層構造体の層間に層状に設けられた接地導体を有している。さらに、入出力端子は、枠体の外側に位置し、積層構造体の下部において信号導体に接続された、信号導体に高周波信号を入出力する信号リード端子と、積層構造体の下部において接地導体に接続された、信号リード端子に隣接する接地リード端子とを有している。信号導体は、積層構造体の下面に信号リード端子との接続部を有し、積層構造体は、信号導体の接続部の上方に、層間の接地導体が形成されていない接地導体非形成領域を有するとともに、枠体の外側に位置する側面に、接地導体に電気的に接続された外部接地導体を有しており、前記外部接地導体は、前記接地導体非形成領域を取り囲む領域に設けられている。
ている。入出力端子は、枠体の内側および枠体の外側に位置する、複数の絶縁層を積層した積層構造体を有している。また、入出力端子は、積層構造体に設けられた、枠体の内側における上部から枠体の外側に位置する下部にまで設けられた信号導体と、積層構造体の層間に層状に設けられた接地導体を有している。さらに、入出力端子は、枠体の外側に位置し、積層構造体の下部において信号導体に接続された、信号導体に高周波信号を入出力する信号リード端子と、積層構造体の下部において接地導体に接続された、信号リード端子に隣接する接地リード端子とを有している。信号導体は、積層構造体の下面に信号リード端子との接続部を有し、積層構造体は、信号導体の接続部の上方に、層間の接地導体が形成されていない接地導体非形成領域を有するとともに、枠体の外側に位置する側面に、接地導体に電気的に接続された外部接地導体を有しており、前記外部接地導体は、前記接地導体非形成領域を取り囲む領域に設けられている。
Claims (4)
- 上面に素子を実装する実装領域を有する基板と、前記実装領域を取り囲むように前記基板の上面に配置されているとともに、一部に内側および外側を貫通した貫通部を有する枠体と、前記貫通部に挿通された入出力端子とを備え、
前記入出力端子は、前記枠体の内側および前記枠体の外側に位置する、複数の絶縁層を積層した積層構造体と、前記積層構造体に設けられた、前記枠体の内側における上部から前記枠体の外側に位置する下部にまで設けられた信号導体と、前記積層構造体の層間に層状に設けられた接地導体と、前記枠体の外側に位置し、前記積層構造体の下部において前記信号導体に接続された、前記信号導体に高周波信号を入出力する信号リード端子と、前記積層構造体の下部において前記接地導体に接続された、前記信号リード端子に隣接する接地リード端子とを有し、
前記信号導体は、前記積層構造体の下面に前記信号リード端子との接続部を有し、
前記積層構造体は、前記信号導体の接続部の上方に、層間の前記接地導体が形成されていない接地導体非形成領域を有するとともに、前記枠体の外側に位置する側面に、前記接地導体に電気的に接続された外部接地導体を有していることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項1に記載の素子収納用パッケージであって、
前記外部接地導体は、前記接地導体非形成領域を取り囲む領域に設けられていることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項1または請求項2に記載の素子収納用パッケージであって、
前記積層構造体の前記枠体の外側に位置する側面には凹部が形成されており、前記外部接地導体が前記凹部内に設けられていることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項1に記載の素子収納用パッケージと、
前記素子収納用パッケージの前記実装領域に実装された素子とを備えたことを特徴とする実装構造体。
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