JP2003304048A - 高周波モジュールユニットおよび高周波モジュールの実装方法 - Google Patents
高周波モジュールユニットおよび高周波モジュールの実装方法Info
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】パッケージ品の実装が容易で、電磁界放射を抑
制することができる高周波モジュールユニットを提供す
る。 【解決手段】 高周波モジュールＭが実装されているパ
ッケージ品１と、パッケージ品１をフリップ実装するた
めの高周波基板２とから有する高周波モジュールユニッ
トを構成する。パッケージ品１は、高周波モジュールＭ
との間で高周波信号の入出力を行うための入出力端子１
２と一対の接地端子１３とがコプレーナ線路として端部
側に引き出されている。高周波基板２には、高周波信号
入出力用の導電性部材２２と接地用の一対の導電性部材
２３とがコプレーナ線路状に形成されていて、パッケー
ジ品１のフリップ実装時に、入出力端子および一対の接
地端子とが、それぞれ対応する導電性部材２２，２３に
直接接合して導通する構造となっている。
制することができる高周波モジュールユニットを提供す
る。 【解決手段】 高周波モジュールＭが実装されているパ
ッケージ品１と、パッケージ品１をフリップ実装するた
めの高周波基板２とから有する高周波モジュールユニッ
トを構成する。パッケージ品１は、高周波モジュールＭ
との間で高周波信号の入出力を行うための入出力端子１
２と一対の接地端子１３とがコプレーナ線路として端部
側に引き出されている。高周波基板２には、高周波信号
入出力用の導電性部材２２と接地用の一対の導電性部材
２３とがコプレーナ線路状に形成されていて、パッケー
ジ品１のフリップ実装時に、入出力端子および一対の接
地端子とが、それぞれ対応する導電性部材２２，２３に
直接接合して導通する構造となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯およ
びミリ波帯で使用する高周波モジュールをパッケージに
収容してパッケージ品とするとともに、このパッケージ
品を高周波基板上に実装してなる高周波モジュールユニ
ットに関するものである。実装される高周波モジュール
としては、例えば、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave I
ntegratedCircuits）等がある。
びミリ波帯で使用する高周波モジュールをパッケージに
収容してパッケージ品とするとともに、このパッケージ
品を高周波基板上に実装してなる高周波モジュールユニ
ットに関するものである。実装される高周波モジュール
としては、例えば、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave I
ntegratedCircuits）等がある。
【０００２】
【従来の技術】高周波モジュールを湿気や微細な埃の悪
影響から保護するために、それをパッケージに収容し、
さらに、このパッケージを高周波基板に実装して動作さ
せる高周波モジュールユニットが知られている。従来の
この種の高周波モジュールユニットの例を図６〜図９を
参照して説明する。
影響から保護するために、それをパッケージに収容し、
さらに、このパッケージを高周波基板に実装して動作さ
せる高周波モジュールユニットが知られている。従来の
この種の高周波モジュールユニットの例を図６〜図９を
参照して説明する。
【０００３】図６は、マイクロストリップライン（以
下、「ＭＳＬ」と称する）により高周波信号の伝送を行
うパッケージ品４を高周波基板５に実装した高周波モジ
ュールユニットの構造例を示す断面図、図７はこの高周
波モジュールユニットの正面図である。波長の短いマイ
クロ波帯からミリ波帯向けのものでは、高周波信号の伝
送線路としてＭＳＬを用いるのが一般的である。ＭＳＬ
は例えば金等の高導電性の部材によってメッキされる。
下、「ＭＳＬ」と称する）により高周波信号の伝送を行
うパッケージ品４を高周波基板５に実装した高周波モジ
ュールユニットの構造例を示す断面図、図７はこの高周
波モジュールユニットの正面図である。波長の短いマイ
クロ波帯からミリ波帯向けのものでは、高周波信号の伝
送線路としてＭＳＬを用いるのが一般的である。ＭＳＬ
は例えば金等の高導電性の部材によってメッキされる。
【０００４】パッケージ品４は、接地電極（ＧＮＤ）と
なる金属層４０上に、高周波モジュールＭを実装するた
めの窪み空間が形成された誘電体４１を配置し、この誘
電体４１の上面に、ＭＳＬによって高周波入出力端子４
２を形成し、さらにその上面に、キャップ４４を支持す
るための側壁４３を形成している。高周波モジュールＭ
の高周波入力端はボンディングワイヤ又はリボンのよう
な配線部材４５を通じて高周波入出力端子４２と接合さ
れる。高周波基板５も同様に、接地電極（ＧＮＤ）とな
る金属層５０の上に、パッケージ品４を実装するための
窪み空間が形成された誘電体５１を配置し、この誘電体
５１上に、ＭＳＬによって高周波入出力端子５２を形成
している。パッケージ品４を高周波基板５に実装すると
きは、窪み空間の底面部（金属層５０）上にパッケージ
品４の金属層４０の底面部を載置し、両金属層４０，５
０の接触部を導電性接着剤で固定するとともに、基板側
の高周波入力端子５２とパッケージ品側の高周波入力端
子４２とを配線部材５３を通じて接合する。
なる金属層４０上に、高周波モジュールＭを実装するた
めの窪み空間が形成された誘電体４１を配置し、この誘
電体４１の上面に、ＭＳＬによって高周波入出力端子４
２を形成し、さらにその上面に、キャップ４４を支持す
るための側壁４３を形成している。高周波モジュールＭ
の高周波入力端はボンディングワイヤ又はリボンのよう
な配線部材４５を通じて高周波入出力端子４２と接合さ
れる。高周波基板５も同様に、接地電極（ＧＮＤ）とな
る金属層５０の上に、パッケージ品４を実装するための
窪み空間が形成された誘電体５１を配置し、この誘電体
５１上に、ＭＳＬによって高周波入出力端子５２を形成
している。パッケージ品４を高周波基板５に実装すると
きは、窪み空間の底面部（金属層５０）上にパッケージ
品４の金属層４０の底面部を載置し、両金属層４０，５
０の接触部を導電性接着剤で固定するとともに、基板側
の高周波入力端子５２とパッケージ品側の高周波入力端
子４２とを配線部材５３を通じて接合する。
【０００５】このような構造の高周波モジュールユニッ
トでは、高周波信号が、高周波入力端子５２，４２を介
して高周波モジュールＭの高周波入出力端に伝達され、
これにより、高周波モジュールユニット（高周波モジュ
ールＭ）の動作が可能になる。動作時の電磁界の状態を
図１０に示す。この図１０から明らかなように、図６お
よび図７の構造の高周波モジュールユニットでは、配線
部材５３によって接合された高周波入出力端子４２、５
２での電磁界が常に同じ向きとなり、放射電界の影響が
比較的少ない。そのため、高周波特性に優れるという利
点がある。しかしながら、このような構造の高周波モジ
ュールユニットでは、高周波入出力端子４２，５２がい
ずれもＭＳＬによって形成されることから、ハンダ付け
（フローハンダ／リフローハンダ）による接合には適さ
ないという問題がある。
トでは、高周波信号が、高周波入力端子５２，４２を介
して高周波モジュールＭの高周波入出力端に伝達され、
これにより、高周波モジュールユニット（高周波モジュ
ールＭ）の動作が可能になる。動作時の電磁界の状態を
図１０に示す。この図１０から明らかなように、図６お
よび図７の構造の高周波モジュールユニットでは、配線
部材５３によって接合された高周波入出力端子４２、５
２での電磁界が常に同じ向きとなり、放射電界の影響が
比較的少ない。そのため、高周波特性に優れるという利
点がある。しかしながら、このような構造の高周波モジ
ュールユニットでは、高周波入出力端子４２，５２がい
ずれもＭＳＬによって形成されることから、ハンダ付け
（フローハンダ／リフローハンダ）による接合には適さ
ないという問題がある。
【０００６】図８は、従来の他の高周波モジュールユニ
ットの構造を示す正面図（断面図は図６と同じになる）
である。この高周波モジュールユニットは、単体でプロ
ーブヘッドによる電気試験ができるもので、パッケージ
側の高周波入出力端子がコプレーナ線路構造になってい
る点が、図６および図７の高周波モジュールユニットと
異なる。すなわち、中央の高周波入出力端子４２の両側
に一対の接地端子８３が形成されている。接地端子８３
は、ビアホール、側面メタライズもしくは半割スルーホ
ール（以下、「ビアホール等」とする）を通じて底面の
金属層５０と導通しており、これによってコプレーナ線
路の接地電極として機能するようになっている。このよ
うな構造の高周波モジュールユニットでは、高周波電界
が高周波入出力端子４２に効率的に作用する利点はある
が、図６および図７に示した高周波モジュールユニット
と同様、実装時の上記の問題は解決されていない。
ットの構造を示す正面図（断面図は図６と同じになる）
である。この高周波モジュールユニットは、単体でプロ
ーブヘッドによる電気試験ができるもので、パッケージ
側の高周波入出力端子がコプレーナ線路構造になってい
る点が、図６および図７の高周波モジュールユニットと
異なる。すなわち、中央の高周波入出力端子４２の両側
に一対の接地端子８３が形成されている。接地端子８３
は、ビアホール、側面メタライズもしくは半割スルーホ
ール（以下、「ビアホール等」とする）を通じて底面の
金属層５０と導通しており、これによってコプレーナ線
路の接地電極として機能するようになっている。このよ
うな構造の高周波モジュールユニットでは、高周波電界
が高周波入出力端子４２に効率的に作用する利点はある
が、図６および図７に示した高周波モジュールユニット
と同様、実装時の上記の問題は解決されていない。
【０００７】図９は、一例としてビアホールを介して高
周波入出力端子を底面に引き出した高周波モジュールユ
ニットの例を示した断面図である。この高周波モジュー
ルユニットのパッケージ品６は、接地電極（ＧＮＤ）と
なる金属層６０を囲むように、高周波モジュールＭを実
装するための窪み空間が形成された誘電体６１を配置
し、この誘電体６１の上面に第１高周波入出力端子６２
を形成する。この第１高周波入出力端子６２は誘電体６
１を貫通するビアホール６３を通じて、同じく導電性部
材からなる第２高周波入出力端子６４と導通するように
なっている。誘電体６１の上面にキャップ６６を支持す
るための側壁６５が形成されている点、パッケージの窪
み空間に高周波モジュールＭが実装される点、高周波モ
ジュールＭの高周波入出力端と第１高周波入出力端６２
とが、配線部材６７で接合される点は、図６および図７
に示したパッケージ品４と同じである。
周波入出力端子を底面に引き出した高周波モジュールユ
ニットの例を示した断面図である。この高周波モジュー
ルユニットのパッケージ品６は、接地電極（ＧＮＤ）と
なる金属層６０を囲むように、高周波モジュールＭを実
装するための窪み空間が形成された誘電体６１を配置
し、この誘電体６１の上面に第１高周波入出力端子６２
を形成する。この第１高周波入出力端子６２は誘電体６
１を貫通するビアホール６３を通じて、同じく導電性部
材からなる第２高周波入出力端子６４と導通するように
なっている。誘電体６１の上面にキャップ６６を支持す
るための側壁６５が形成されている点、パッケージの窪
み空間に高周波モジュールＭが実装される点、高周波モ
ジュールＭの高周波入出力端と第１高周波入出力端６２
とが、配線部材６７で接合される点は、図６および図７
に示したパッケージ品４と同じである。
【０００８】一方、高周波基板７は、接地電極（ＧＮ
Ｄ）となる金属層７０の上に誘電体７１を配置し、この
誘電体７１上に、高周波入出力端子７２と、もう一つの
接地電極となる金属板７３とを配置している。金属板７
３は誘電体７１を貫通する複数のビアホール７４を通じ
て金属層７０と導通する。パッケージ品６を高周波基板
７に実装するときは、パッケージ品側の第２高周波入出
力端子６４と基板側の高周波入力端子７２、パッケージ
品側の金属層６０と基板側の金属板７３とを直接接合す
る。
Ｄ）となる金属層７０の上に誘電体７１を配置し、この
誘電体７１上に、高周波入出力端子７２と、もう一つの
接地電極となる金属板７３とを配置している。金属板７
３は誘電体７１を貫通する複数のビアホール７４を通じ
て金属層７０と導通する。パッケージ品６を高周波基板
７に実装するときは、パッケージ品側の第２高周波入出
力端子６４と基板側の高周波入力端子７２、パッケージ
品側の金属層６０と基板側の金属板７３とを直接接合す
る。
【０００９】このような構造の高周波モジュールユニッ
トは、図６および図７に示したような高周波モジュール
ユニットと異なり、上記の２種類のリフローハンダによ
る実装が可能になる。しかしながら、動作時の電界の様
子を模式的に示す図１１および磁界の様子を模式的に示
す図１２から明らかなように、電磁界は、ビアホール６
３の部分とそれ以外とで９０度異なってしまう。つま
り、ビアホール６３とそれ以外の部位で電磁界の向きが
曲げられるため、電磁界放射が大きくなるという問題が
ある。これを高周波モジュールＭの特性としてみた場
合、放射電磁界分の損失が高周波モジュールＭにフィー
ドバックすることによる発振という形で現れる。
トは、図６および図７に示したような高周波モジュール
ユニットと異なり、上記の２種類のリフローハンダによ
る実装が可能になる。しかしながら、動作時の電界の様
子を模式的に示す図１１および磁界の様子を模式的に示
す図１２から明らかなように、電磁界は、ビアホール６
３の部分とそれ以外とで９０度異なってしまう。つま
り、ビアホール６３とそれ以外の部位で電磁界の向きが
曲げられるため、電磁界放射が大きくなるという問題が
ある。これを高周波モジュールＭの特性としてみた場
合、放射電磁界分の損失が高周波モジュールＭにフィー
ドバックすることによる発振という形で現れる。
【００１０】本発明は、上記のような問題を一挙に解消
し、パッケージ品の実装が容易で、電磁界放射を抑制す
ることができる高周波モジュールユニットを提供するこ
とを、主たる課題とする。本発明の他の課題は、電磁界
放射を抑制することができる高周波モジュールの実装方
法を提供することにある。
し、パッケージ品の実装が容易で、電磁界放射を抑制す
ることができる高周波モジュールユニットを提供するこ
とを、主たる課題とする。本発明の他の課題は、電磁界
放射を抑制することができる高周波モジュールの実装方
法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波モジュー
ルユニットは、高周波モジュールが実装されているパッ
ケージ品と、このパッケージ品をフリップ実装するため
の高周波基板とを有し、前記パッケージ品には、前記高
周波モジュールとの間で高周波信号の入出力を行うため
の入出力端子と一対の接地端子とがコプレーナ線路とし
て端部側に引き出されており、前記高周波基板には、高
周波信号入出力用の第１導電性部材と接地用の一対の第
２導電性部材とがコプレーナ線路状に形成されていて、
前記パッケージ品のフリップ実装時に前記第１導電性部
材と前記入出力端子、前記一対の第２導電性部材と前記
一対の接地端子とが、それぞれ直接接合して導通する構
造を有することを特徴とする。
ルユニットは、高周波モジュールが実装されているパッ
ケージ品と、このパッケージ品をフリップ実装するため
の高周波基板とを有し、前記パッケージ品には、前記高
周波モジュールとの間で高周波信号の入出力を行うため
の入出力端子と一対の接地端子とがコプレーナ線路とし
て端部側に引き出されており、前記高周波基板には、高
周波信号入出力用の第１導電性部材と接地用の一対の第
２導電性部材とがコプレーナ線路状に形成されていて、
前記パッケージ品のフリップ実装時に前記第１導電性部
材と前記入出力端子、前記一対の第２導電性部材と前記
一対の接地端子とが、それぞれ直接接合して導通する構
造を有することを特徴とする。
【００１２】好ましい実施の形態では、前記パッケージ
品から、さらに、前記高周波モジュールにバイアスを供
給するためのバイアス線路がモジュール実装部位から引
き出されており、前記高周波基板には、バイアス供給源
に接続されている第３導電性部材が形成されていて、前
記パッケージ品のフリップ実装時に、前記第３導電性部
材と前記バイアス線路とが直接接合して導通する構造に
する。
品から、さらに、前記高周波モジュールにバイアスを供
給するためのバイアス線路がモジュール実装部位から引
き出されており、前記高周波基板には、バイアス供給源
に接続されている第３導電性部材が形成されていて、前
記パッケージ品のフリップ実装時に、前記第３導電性部
材と前記バイアス線路とが直接接合して導通する構造に
する。
【００１３】前記高周波基板には、前記パッケージ品を
フリップ実装するための窪み空間を形成し、該窪み空間
の底面部を接地電位の金属面とする。また、フリップ実
装したときの前記パッケージ品の底面部を接地電位の金
属面とし、該金属面が、前記高周波モジュールの放熱機
構を兼ねるようにする。
フリップ実装するための窪み空間を形成し、該窪み空間
の底面部を接地電位の金属面とする。また、フリップ実
装したときの前記パッケージ品の底面部を接地電位の金
属面とし、該金属面が、前記高周波モジュールの放熱機
構を兼ねるようにする。
【００１４】本発明は、また、コプレーナ線路およびバ
イアス線路がモジュール実装部位から引き出されたパッ
ケージの内部に高周波モジュールを実装し、この高周波
モジュールの高周波入力端と前記コプレーナ線路、前記
高周波モジュールのバイアス端と前記バイアス線路とを
それぞれ接続してパッケージ品を構成する段階と、金属
面上にその中央部に窪み空間が形成されている誘電体を
配置するとともにこの誘電体の所定部位に前記コプレー
ナ線路および前記バイアス線路の各々とそれぞれ１対１
に対応する複数の導電性部材を形成して高周波基板を構
成する段階と、前記高周波基板に、前記パッケージ品を
その上面部が前記窪み空間に収容される状態でフリップ
実装し、その際に、パッケージ品側のコプレーナ線路お
よびバイアス線路と各々の線路に対応する高周波基板側
の導電性部材とをそれぞれ直接接合させて導通させる段
階とを有することを特徴とする。
イアス線路がモジュール実装部位から引き出されたパッ
ケージの内部に高周波モジュールを実装し、この高周波
モジュールの高周波入力端と前記コプレーナ線路、前記
高周波モジュールのバイアス端と前記バイアス線路とを
それぞれ接続してパッケージ品を構成する段階と、金属
面上にその中央部に窪み空間が形成されている誘電体を
配置するとともにこの誘電体の所定部位に前記コプレー
ナ線路および前記バイアス線路の各々とそれぞれ１対１
に対応する複数の導電性部材を形成して高周波基板を構
成する段階と、前記高周波基板に、前記パッケージ品を
その上面部が前記窪み空間に収容される状態でフリップ
実装し、その際に、パッケージ品側のコプレーナ線路お
よびバイアス線路と各々の線路に対応する高周波基板側
の導電性部材とをそれぞれ直接接合させて導通させる段
階とを有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態を説明する。図１は、本発明を適用した高周波
モジュールユニットの断面図、図２はパッケージ品の正
面図、図３は高周波基板の正面図である。この高周波モ
ジュールユニットは、高周波基板２にパッケージ品１を
フリップ実装して構成される。
実施形態を説明する。図１は、本発明を適用した高周波
モジュールユニットの断面図、図２はパッケージ品の正
面図、図３は高周波基板の正面図である。この高周波モ
ジュールユニットは、高周波基板２にパッケージ品１を
フリップ実装して構成される。
【００１６】パッケージ品１は、接地電極（ＧＮＤ）と
なる金属層１０上に、高周波モジュールＭを実装するた
めの窪み空間が形成された誘電体１１を配置している。
窪み空間の底面部は金属層１０の表面が露出しており、
その上に高周波モジュールＭが実装されたときに高周波
モジュールＭで生じた熱が金属層１０に伝わるようにな
っている。誘電体１１の上面の窪み空間に対して対称と
なる部位には、それぞれ導体パターンからなる高周波入
出力端子１２と一対の接地端子１３とが形成され、コプ
レーナ線路として使用できるようになっている。なお、
窪み空間と隣接する部分、つまり高周波モジュールＭを
実装する部分はＭＳＬであり、高周波入出力端子１２と
して使用する部分がＭＳＬとコプレーナ線路との整合を
とるための変換機構となっている。接地端子１３は、ビ
アホール等（ビアホール、側面メタライズ、半割スルー
ホールその他の導体間接続部材）によって金属層１０と
接続されている。これにより、接地端子１３と金属層１
０とが同一電位となる。
なる金属層１０上に、高周波モジュールＭを実装するた
めの窪み空間が形成された誘電体１１を配置している。
窪み空間の底面部は金属層１０の表面が露出しており、
その上に高周波モジュールＭが実装されたときに高周波
モジュールＭで生じた熱が金属層１０に伝わるようにな
っている。誘電体１１の上面の窪み空間に対して対称と
なる部位には、それぞれ導体パターンからなる高周波入
出力端子１２と一対の接地端子１３とが形成され、コプ
レーナ線路として使用できるようになっている。なお、
窪み空間と隣接する部分、つまり高周波モジュールＭを
実装する部分はＭＳＬであり、高周波入出力端子１２と
して使用する部分がＭＳＬとコプレーナ線路との整合を
とるための変換機構となっている。接地端子１３は、ビ
アホール等（ビアホール、側面メタライズ、半割スルー
ホールその他の導体間接続部材）によって金属層１０と
接続されている。これにより、接地端子１３と金属層１
０とが同一電位となる。
【００１７】高周波モジュールＭは、実装されたとき
に、その高周波入力端がボンディングワイヤ又はリボン
のような配線部材１６を通じて高周波入出力端子１２に
つながるＭＳＬと接合される。その際、接地端子の配線
は不要なので、パッケージ内の配線の自由度が大きくな
る。誘電体１１の上面の他の部位には、導体パターンか
らなるバイアス線路１４が形成されており、誘電体１１
および各導体パターン（１２，１３，１４）の上面に
は、側壁１５が形成されている。高周波モジュールＭを
実装し、配線部材１６で配線した後は、キャップ１７を
取り付け、窪み空間を封止する。
に、その高周波入力端がボンディングワイヤ又はリボン
のような配線部材１６を通じて高周波入出力端子１２に
つながるＭＳＬと接合される。その際、接地端子の配線
は不要なので、パッケージ内の配線の自由度が大きくな
る。誘電体１１の上面の他の部位には、導体パターンか
らなるバイアス線路１４が形成されており、誘電体１１
および各導体パターン（１２，１３，１４）の上面に
は、側壁１５が形成されている。高周波モジュールＭを
実装し、配線部材１６で配線した後は、キャップ１７を
取り付け、窪み空間を封止する。
【００１８】高周波基板２は、接地電極（ＧＮＤ）とな
る金属層２０の上に、パッケージ品１を実装するための
窪み空間が形成された誘電体２１を配置している。窪み
空間の底面部は金属層２０の表面が露出しており、パッ
ケージ品１が実装されたときに、電磁シールドできる構
造になっている。そのため、キャップ１７を金属としな
くても電磁シールドの問題が起こらない。
る金属層２０の上に、パッケージ品１を実装するための
窪み空間が形成された誘電体２１を配置している。窪み
空間の底面部は金属層２０の表面が露出しており、パッ
ケージ品１が実装されたときに、電磁シールドできる構
造になっている。そのため、キャップ１７を金属としな
くても電磁シールドの問題が起こらない。
【００１９】誘電体２１の上面であって窪み空間に対し
て対称となる部位には、それぞれ上記の高周波入出力端
子１２および接地端子１３とそれぞれ１対１に対応する
導体パターンからなる基板側高周波入出力端子２２およ
び接地端子２３とがコプレーナ線路状に形成されてい
る。基板側高周波入出力端子２２となる導体パターンか
ら基板外部方向に向かう部分はＭＳＬとなっている。つ
まり、基板側高周波入出力端子２２の部分は、ＭＳＬと
の整合をとるための変換機構となっている。上記のバイ
アス線路１４と１対１に対応する誘電体２１の上面の部
位には、導体パターン２４が形成されている。
て対称となる部位には、それぞれ上記の高周波入出力端
子１２および接地端子１３とそれぞれ１対１に対応する
導体パターンからなる基板側高周波入出力端子２２およ
び接地端子２３とがコプレーナ線路状に形成されてい
る。基板側高周波入出力端子２２となる導体パターンか
ら基板外部方向に向かう部分はＭＳＬとなっている。つ
まり、基板側高周波入出力端子２２の部分は、ＭＳＬと
の整合をとるための変換機構となっている。上記のバイ
アス線路１４と１対１に対応する誘電体２１の上面の部
位には、導体パターン２４が形成されている。
【００２０】高周波モジュールユニットに組み上げると
きは、高周波基板２の窪み空間にパッケージ品１をフリ
ップ実装、すなわち、パッケージ品の上面部が窪み空間
の底面部を指向するようにした状態で実装する。その
際、パッケージ品側のコプレーナ線路（１２，１３）お
よびバイアス線路１４と各々の線路１２〜１４に対応す
る高周波基板側の導電性部材２２，２３，２４とをそれ
ぞれ直接接合させて導通させる。導通部位はいずれも導
体パターンが直接接合する構造になっているので、例え
ばリフローハンダ３１によって容易に接合することがで
きる。
きは、高周波基板２の窪み空間にパッケージ品１をフリ
ップ実装、すなわち、パッケージ品の上面部が窪み空間
の底面部を指向するようにした状態で実装する。その
際、パッケージ品側のコプレーナ線路（１２，１３）お
よびバイアス線路１４と各々の線路１２〜１４に対応す
る高周波基板側の導電性部材２２，２３，２４とをそれ
ぞれ直接接合させて導通させる。導通部位はいずれも導
体パターンが直接接合する構造になっているので、例え
ばリフローハンダ３１によって容易に接合することがで
きる。
【００２１】このような構造の高周波モジュールユニッ
トでは、パッケージ品１を高周波基板２にフリップ実装
し、導体パターンの接合部分をハンダ付け（リフローハ
ンダ）するだけで、両者の接合が可能になるので、実装
時の作業性が格段に向上する。
トでは、パッケージ品１を高周波基板２にフリップ実装
し、導体パターンの接合部分をハンダ付け（リフローハ
ンダ）するだけで、両者の接合が可能になるので、実装
時の作業性が格段に向上する。
【００２２】また、フリップ実装するだけで、高周波入
出力端子１２およびバイアス線路１４をビアホール等を
用いずに同一面上に配置したままモジュール実装部位か
ら外部に取り出すことができる。高周波入出力端子１２
にビアホール等を有せず、高周波電磁界の乱れが殆どな
いので、図４および図５に示すように、モジュール品１
と高周波基板２との間で電磁界の方向が変化しないの
で、外部への電磁界放射が著しく抑制される。
出力端子１２およびバイアス線路１４をビアホール等を
用いずに同一面上に配置したままモジュール実装部位か
ら外部に取り出すことができる。高周波入出力端子１２
にビアホール等を有せず、高周波電磁界の乱れが殆どな
いので、図４および図５に示すように、モジュール品１
と高周波基板２との間で電磁界の方向が変化しないの
で、外部への電磁界放射が著しく抑制される。
【００２３】また、フリップ実装するので、従来のパッ
ケージ品４，６よりも高周波基板との接合面積が小さく
て済み（接合するのは、高周波入出力端子１２、接地端
子１３、バイアス線路１４のみ）、高周波基板２で発生
した熱がパッケージ品１に伝わりにくくなる。そのた
め、熱による高周波モジュールＭへの影響も抑制され
る。さらに、フリップ実装によってパッケージ品１の金
属層１０の底面が高周波基板２の上面方向で露出してい
るため、高周波モジュールＭで発生した熱を金属層１０
から外部に放熱させることも可能となる。また、ヒート
シンクやヒートパイプを装着することも容易になる。
ケージ品４，６よりも高周波基板との接合面積が小さく
て済み（接合するのは、高周波入出力端子１２、接地端
子１３、バイアス線路１４のみ）、高周波基板２で発生
した熱がパッケージ品１に伝わりにくくなる。そのた
め、熱による高周波モジュールＭへの影響も抑制され
る。さらに、フリップ実装によってパッケージ品１の金
属層１０の底面が高周波基板２の上面方向で露出してい
るため、高周波モジュールＭで発生した熱を金属層１０
から外部に放熱させることも可能となる。また、ヒート
シンクやヒートパイプを装着することも容易になる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電磁界の乱れがなく、それ故に外部への電磁
界放射が抑制される高周波モジュールユニットを低コス
トで制作することができる。
によれば、電磁界の乱れがなく、それ故に外部への電磁
界放射が抑制される高周波モジュールユニットを低コス
トで制作することができる。
【図１】本発明の一実施形態による高周波モジュールユ
ニットの断面図。
ニットの断面図。
【図２】本実施形態によるパッケージ品の正面図（キャ
ップを外した状態）。
ップを外した状態）。
【図３】本実施形態による高周波基板の正面図。
【図４】本実施形態による高周波モジュールユニットの
高周波入出力端子付近の電界の様子を示した模式図。
高周波入出力端子付近の電界の様子を示した模式図。
【図５】本実施形態による高周波モジュールユニットの
高周波入出力端子付近の磁界の様子を示した模式図。
高周波入出力端子付近の磁界の様子を示した模式図。
【図６】従来の高周波モジュールユニットの断面図。
【図７】図６に示した高周波モジュールユニットの正面
図（キャップを外した状態）。
図（キャップを外した状態）。
【図８】従来の他の高周波モジュールユニットの構造を
示す正面図。
示す正面図。
【図９】ビアホール等を介して高周波入出力端子を底面
に引き出した従来の高周波モジュールユニットの例を示
した断面図。
に引き出した従来の高周波モジュールユニットの例を示
した断面図。
【図１０】ビアホール等を有しない場合の高周波入出力
端子付近の電磁界の状態を示した模式図。
端子付近の電磁界の状態を示した模式図。
【図１１】従来の高周波モジュールユニットにおける高
周波入出力端子付近の電界の状態を示した模式図。
周波入出力端子付近の電界の状態を示した模式図。
【図１２】従来の高周波モジュールユニットにおける高
周波入出力端子付近の磁界の状態を示した模式図。
周波入出力端子付近の磁界の状態を示した模式図。
１，４，６ パッケージ品
１０，４０，６０ パッケージ品の金属層
１１，４１，６１ パッケージ品の誘電体
１２，４２，６２，６４ パッケージ品の高周波入力
端子（導体パターン） １３，８３ パッケージ品の接地端子 １４ バイアス線路 １５，４３，６５ パッケージの側壁 １６，４５，５３ 配線部材 １７，４４，６６ キャップ ２，５，７ 高周波基板 ２０，５０，７０ 高周波基板の金属層 ２１，５１、７１ 高周波基板の誘電体 ２２，５２，７２ 高周波基板の入出力端子（導体パタ
ーン） ２３ 接地端子（導体パターン） ２４ バイアス線路（導体パターン） ６３，７４ ビアホール ７３ 金属板 Ｍ 高周波モジュール
端子（導体パターン） １３，８３ パッケージ品の接地端子 １４ バイアス線路 １５，４３，６５ パッケージの側壁 １６，４５，５３ 配線部材 １７，４４，６６ キャップ ２，５，７ 高周波基板 ２０，５０，７０ 高周波基板の金属層 ２１，５１、７１ 高周波基板の誘電体 ２２，５２，７２ 高周波基板の入出力端子（導体パタ
ーン） ２３ 接地端子（導体パターン） ２４ バイアス線路（導体パターン） ６３，７４ ビアホール ７３ 金属板 Ｍ 高周波モジュール
Claims (7)
- 【請求項１】 高周波モジュールが実装されているパッ
ケージ品と、このパッケージ品をフリップ実装するため
の高周波基板とを有し、 前記パッケージ品には、前記高周波モジュールとの間で
高周波信号の入出力を行うための入出力端子と一対の接
地端子とがコプレーナ線路として端部側に引き出されて
おり、 前記高周波基板には、高周波信号入出力用の第１導電性
部材と接地用の一対の第２導電性部材とがコプレーナ線
路状に形成されていて、前記パッケージ品のフリップ実
装時に前記第１導電性部材と前記入出力端子、前記一対
の第２導電性部材と前記一対の接地端子とが、それぞれ
直接接合して導通する構造を有することを特徴とする、 高周波モジュールユニット。 - 【請求項２】 前記パッケージ品からは、さらに、前記
高周波モジュールにバイアスを供給するためのバイアス
線路がモジュール実装部位から引き出されており、 前記高周波基板には、バイアス供給源に接続されている
第３導電性部材が形成されていて、前記パッケージ品の
フリップ実装時に、前記第３導電性部材と前記バイアス
線路とが直接接合して導通する構造を有することを特徴
とする、 請求項１記載の高周波モジュールユニット。 - 【請求項３】 前記導通する部位がフローハンダ又はリ
フローハンダによる接続が可能な構造を有することを特
徴とする、 請求項１又は２記載の高周波モジュールユニット。 - 【請求項４】 前記パッケージ品および高周波基板に
は、それぞれマイクロストリップラインと、このマイク
ロストリップラインをコプレーナ線路に変換するための
変換機構とが設けられており、 前記高周波入出力端子と前記マイクロストリップライン
とが前記変換機構を介して高周波信号の受け渡しを行う
ことを特徴とする、 請求項１記載の高周波モジュールユニット。 - 【請求項５】 前記高周波基板には、前記パッケージ品
をフリップ実装するための窪み空間が形成されており、
該窪み空間の底面部が、接地電位の金属面であることを
特徴とする、 請求項１記載の高周波モジュールユニット。 - 【請求項６】 フリップ実装したときの前記パッケージ
品の底面部が接地電位の金属面を有し、該金属面が、前
記高周波モジュールの放熱機構を兼ねることを特徴とす
る、 請求項１記載の高周波モジュールユニット。 - 【請求項７】 コプレーナ線路およびバイアス線路がモ
ジュール実装部位から引き出されたパッケージの内部に
高周波モジュールを実装し、この高周波モジュールの高
周波入力端と前記コプレーナ線路、前記高周波モジュー
ルのバイアス端と前記バイアス線路とをそれぞれ接続し
てパッケージ品を構成する段階と、 金属面上にその中央部に窪み空間が形成されている誘電
体を配置するとともにこの誘電体の所定部位に前記コプ
レーナ線路および前記バイアス線路の各々とそれぞれ１
対１に対応する複数の導電性部材を形成して高周波基板
を構成する段階と、 前記高周波基板に、前記パッケージ品をその上面部が前
記窪み空間に収容される状態でフリップ実装し、その際
に、パッケージ品側のコプレーナ線路およびバイアス線
路と各々の線路に対応する高周波基板側の導電性部材と
をそれぞれ直接接合させて導通させる段階とを有するこ
とを特徴とする、 高周波モジュールの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002106064A JP2003304048A (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 高周波モジュールユニットおよび高周波モジュールの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002106064A JP2003304048A (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 高周波モジュールユニットおよび高周波モジュールの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003304048A true JP2003304048A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29390494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002106064A Pending JP2003304048A (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 高周波モジュールユニットおよび高周波モジュールの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003304048A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030093A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
-
2002
- 2002-04-09 JP JP2002106064A patent/JP2003304048A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030093A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20080221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080916 |