JPWO2014199993A1 - 半導体検査用の耐熱性粘着シート - Google Patents
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Abstract
Description
・半導体ウエハのダイシング
・性能検査(常温)
・パッケージング
・性能検査(高温および常温)
上記の工程では、高温状態で異常があるチップはパッケージング後の性能検査まで判別することができない。そのため、高温状態で異常があるチップも全てパッケージングしなければならず、パッケージングコストの増大につながっていた。
この知見に基づき、本発明は、熱収縮率および線膨張係数の小さい基材を用いた粘着シートを提供する。
本発明の半導体検査用の耐熱性粘着シートは、半導体チップを加熱しながら性能検査する工程で使用される粘着シートであって、該粘着シートは基材の上に粘着剤層が設けられた粘着シートであり、該基材が、150℃で30分加熱した時の熱収縮率が1%未満であり、かつ60℃〜150℃の線膨張係数が5.0×10−5/K以下であり、かつ前記粘着シートの粘着剤層が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤とを含み、(メタ)アクリル酸エステル共重合体が100重量に対して、前記光重合性化合物が5〜200質量部、前記多官能イソシアネート硬化剤が0.5〜20質量部、前記光重合開始剤が0.1〜20質量部であり、かつ粘着付与樹脂を含まないものである。
好ましくは、前記粘着シートの粘着剤層が、シリコーン系グラフト共重合体を含む。
さらに、好ましくは、前記多官能イソシアネート硬化剤が、イソシアネート基を3個以上有する。
さらに、好ましくは、前記光重合開始剤が、23℃から10℃/分の昇温速度で昇温したときの質量減少率10%となる温度が250℃以上である。
さらに、好ましくは、上記の粘着シートが、(a)粘着シートを半導体チップに貼り付ける貼付工程、(b)粘着シートが貼り付けられた半導体チップを、60〜150℃のステージ上に粘着シートがステージに接するように載せて吸着固定する吸着工程、(c)ステージを60〜150℃に加熱しながら半導体チップの性能を検査する検査工程、(d)粘着シートに紫外線を照射する紫外線照射工程、(e)粘着シートから半導体チップをピックアップするピックアップ工程を含む半導体の製造方法で使用される。
さらに、好ましくは、上記の粘着シートが、(a)粘着シートを半導体ウエハ又は基板に貼り付ける貼付工程、(b)半導体ウエハ又は基板をダイシングして半導体チップにするダイシング工程、(c)粘着シートが貼り付けられた半導体チップを、60〜150℃のステージ上に粘着シートがステージに接するように載せて吸着固定する吸着工程、(d)ステージを60〜150℃に加熱しながら半導体チップの性能を検査する検査工程、(e)粘着シートに紫外線を照射する紫外線照射工程、(f)粘着シートから半導体チップをピックアップするピックアップ工程を含む半導体の製造方法で使用される。
1.粘着シート
(1)基材
(2)光硬化型粘着剤
(2−1)粘着付与樹脂を含まない
(2−2)(メタ)アクリル酸エステル共重合体
(2−3)光重合性化合物
(2−4)多官能イソシアネート硬化剤
(2−5)光重合開始剤
2.電子部品の製造方法
(1)貼付工程
(2)加温工程
(3)ダイシング工程
(4)紫外線照射工程
(5)ピックアップ工程
本発明に係る粘着シートは、熱収縮率および線膨張係数の小さい基材に光硬化型粘着剤層(以下、単に「粘着剤層」とも称する)を積層してなり、粘着剤層に粘着付与樹脂を含まないことを特徴とする。本発明に係る粘着シートは、加温された場合にも変形することがない。また、本発明に係る粘着シートは、粘着付与樹脂の軟化に起因した粘着剤層の軟化を生じないため、半導体ウエハに過度に密着することがない。従って、本発明に係る粘着シートでは、粘着シートの変形による検査時間の長期化や半導体チップの破損などを防止できる。更に、紫外線等の照射により粘着剤層の十分な接着力の低下が得られ、ピックアップ不良や糊残りを防止できる。
基材の材料としては、150℃で30分加熱したときの熱収縮率が1%以下であることが好ましい。熱収縮率が1%より大きいと、加温した時に基材が収縮して粘着シートが変形するおそれがある。ここで熱収縮率とは以下の式で求める値である。
(L0−L1)/L0×100 (%)
L0:加熱前の基材の長さ(10cm)
L1:150℃で30分加熱し、室温まで冷却した後の基材の長さ
また、基材の線膨張係数は5.0×10−5/K以下であることが好ましい。線膨張係数が5.0×10−5/Kより大きいと、粘着シートを貼り付けるリングフレームや、被検査体である半導体ウエハやチップとの線膨張係数差が大きくなり、粘着シートが変形するおそれがある。このような基材としては、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリフェニレンサルフィド(PPS)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリイミド(PI)などのプラスチック基材、和紙や上質紙、グラシン紙、クレープ紙などの紙基材が挙げられる。また、紙基材はラテックスなどで含浸、目止めをさせたものでもよい。
本発明に係る粘着シートの粘着剤層を形成する光硬化型粘着剤は、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤とを含み、粘着付与樹脂を含まない。
加熱による粘着剤層の軟化の原因となる粘着付与樹脂としては、特に限定されないが、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、クマロン・インデン樹脂、スチレン系樹脂、キシレン樹脂およびこれらの樹脂の混合物が挙げられる。
なお、本発明の実施例においては、粘着付与樹脂は使用しておらず、粘着付与樹脂は比較例でのみ使用している。
(メタ)アクリル酸エステル共重合体は、(メタ)アクリル酸エステル単量体のみの重合体、又は、(メタ)アクリル酸エステル単量体とビニル化合物単量体との共重合体である。なお、(メタ)アクリレートとはアクリレートおよびメタアクリレートの総称である。(メタ)アクリル酸等の(メタ)を含む化合物等も同様に、名称中に「メタ」を有する化合物と「メタ」を有さない化合物の総称である。
エポキシ基を有する単量体としては、例えば、アリルグリシジルエーテルおよび(メタ)アクリル酸グリシジルエーテルがある。
アミド基を有する単量体としては、例えば、(メタ)アクリルアミドがある。
アミノ基を有する単量体としては、例えば、N,N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレートがある。
メチロール基を有する単量体としては、例えば、N−メチロールアクリルアミドがある。
光重合性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、シアヌル酸トリエチルアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
多官能イソシアネート硬化剤には、イソシアネート基を2個以上有するものであり、例えば芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環族ポリイソシアネート、これらの二量体や三量体、アダクト体などが用いられる。
光重合開始剤には、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類またはキサントン類などが用いられる。
アセトフェノン類としては、例えばベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−アセトフェノン、2,2―ジエトキシ−2−アセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノンなどがある。
アントラキノン類としては、2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノンなどがある。
チオキサントン類としては、例えば2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントンなどがある。
ケタール類としては、例えばアセトフェノンジメチルケータル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどがある。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述の粘着シートを貼り付けた電子部品を60〜150℃で加温する工程を含む。以下、製造方法の具体的な工程を順に説明する。
まず、貼付工程において、粘着シートを半導体ウエハ(又は基板)とリングフレームに貼り付ける。ウエハは、シリコンウエハおよびガリウムナイトライドウエハ、炭化ケイ素ウエハ、サファイアウエハなどの従来汎用のウエハであってよい。
ウエハ等に形成された回路の試験を行う場合、貼付工程後に、ウエハ等を60〜150℃程度で15分〜5時間程度加温する。また、加熱工程は、次に説明するダイシング工程後に切削水を除去する目的でも行われ、同様にウエハ等が60〜150℃程度で15分〜5時間程度加温される。
ダイシング工程では、シリコンウエハ等をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にする。半導体チップ又は半導体部品にした後、回路の試験を行う場合は、ダイシング工程後に上記の加温工程が行われる。またダイシング工程後、切削水を除去する目的で上記の加温工程が行われる場合がある。
光照射工程では、基材側から光硬化型粘着剤層に紫外線等の活性光線を照射する。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ブラックライト等を用いることができる。
ピックアップ工程では、粘着シートの粘着剤層から半導体チップ又は半導体部品を剥離する。この際、本発明に係る粘着シートでは紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られているため、チップ又は部品と粘着剤層との間の剥離が容易となり、良好なピックアップ性が得られ、糊残りなどの不良が生じることもない。ピックアップの方法としては、別の粘着シートに半導体チップや半導体部品を転写する方法や、粘着シートの裏側からスキージして剥離する方法、あるいはニードルピン等で突き上げる方法が挙げられる。また、必要に応じて、ピックアップ工程の前にエキスパンド工程を設けても良い。エキスパンド工程では、粘着シートを引き伸ばして半導体チップ又は半導体部品同士の間隔を広げ、ピックアップしやすくさせる。
「表1」に示す配合に従って光硬化型粘着剤を調製した。光硬化型粘着剤をポリエチレンテレフタレート製のセパレーターフィルム上に塗布し、乾燥後の粘着層の厚みが10μmとなるように塗工した。この粘着層を基材に積層し、40℃で7日間熟成し、粘着シートを得た。基材(K−1)には、厚さ100μmの帝人デュポンフィルム社製ポリエチレンナフタレート(品番:テオネックスQ51)を用いた。
なお、以下に示す表1、及び後述の表2において、(メタ)アクリル酸エステル共重合体、光重合性化合物、多官能イソシアネート硬化剤、光重合開始剤、シリコーン系グラフト共重合体、及び粘着付与樹脂の単位はいずれも質量部である。
K−1:ポリエチレンナフタレート(帝人デュポンフィルム社製テオネックスQ51、厚さ:100μm);150℃の熱収縮率0.1%、60℃〜150℃の線膨張係数1.3×10−5/K。
K−2:和紙フィルム(ユニークテープ社製、厚さ:70μm);150℃の熱収縮率0.2%、60℃〜150℃の線膨張係数3.0×10−5/K。
K−3:ポリフェニレンサルフィド(東レ社製トレリナ3000、厚さ:100μm);150℃の熱収縮率0.1%、60℃〜150℃の線膨張係数2.6×10−5/K。
K−4:ポリエーテルエーテルケトン(住友ベークライト社製スミライトFS−1100C、厚さ:100μm);150℃の熱収縮率0.4%、60℃〜150℃の線膨張係数4.7×10−5/K。
〔(メタ)アクリル酸エステル共重合体〕
A−1:日本ゼオン社製アクリルゴムAR53L;エチルアクリレート54%、ブチルアクリレート19%、メトキシエチルアクリレート24%の共重合体、乳化重合により得られる。
A−2:綜研化学社製SKダイン1496;2−エチルヘキシルアクリレート96%、2−ヒドロキシエチルアクリレート4%の共重合体、溶液重合により得られる。
〔光重合性化合物〕
B−1:根上工業社製UN−905;イソホロンジイソシアネートの三量体にジペタエリスリトールペンタアクリレートを主成分とするアクリレートを反応させたものであり、ビニル基の数が15個。
B−2:新中村化学社製A−TMPT;トリメチロールプロパントリアクリレート、ビニル基の数が3個。
〔多官能イソシアネート硬化剤〕
C−1:日本ポリウレタン社製コロネートL−45E;2,4−トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体。
C−2:トリメチレンジイソシアネート
〔光重合開始剤〕
D−1:BASFジャパン社製IRGACURE127;2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)−ベンジル]−フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、質量減少率が10%の際の温度275℃。
D−2:BASFジャパン社製IRGACURE OXE02;エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、質量減少率が10%の際の温度320℃。
D−3:BASFジャパン社製LUCIRIN TPO;2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、質量減少率が10%の際の温度270℃。
D−4:BASFジャパン社製IRGACURE651;ベンジルジメチルケタール、質量減少率が10%の際の温度185℃。
〔シリコーン系グラフト共重合体〕
E−1:綜研化学社製UTMM−LS2;シリコーン分子鎖の末端に(メタ)アクリロイル基を有するシリコーン系オリゴマ系単位、及びメチルメタアクリレート等からなるアクリルビニル単位を重合してなるシリコーン系グラフト共重合体。
〔粘着付与樹脂〕
F−1:ヤスハラケミカル製YSポリスターS145;テルペンフェノール系粘着付与樹脂、軟化点145℃。
ダイシング装置:DISCO社製DAD341
ダイシングブレード:DISCO社製NBC−ZH205O−27HEEE
ダイシングブレード形状:外径55.56mm、刃幅35μm、内径19.05mm
ダイシングブレード回転数:40,000rpm
ダイシングブレード送り速度:50mm/秒
ダイシングサイズ:10mm角
粘着シートへの切り込み量:15μm
切削水温度:25℃
切削水量:1.0リットル/分
紫外線照射:高圧水銀灯で照射量150mJ/cm2
ダイシングしたウエハの上に、転写用粘着シート(シリコンウエハへの粘着力:6.25N/25mm)を貼付したのち、転写用粘着シートを剥離してチップを転写。
(1)粘着シートの変形
120℃で1時間加温した後の粘着シートを観察し、以下の基準により評価した。
◎(優) :加温後も粘着シートに“たわみ”や“しわ”が発生しない。
○(良) :加温によって粘着シートに“たわみ”や“しわ”がわずかに発生する。
×(不可):加温によって粘着シートに“たわみ”や“しわ”が発生する。
(1)チップ保持性
チップ保持性は、ダイシング工程後において、半導体チップが粘着シートに保持されている半導体チップの残存率に基づき、以下の基準により評価した。
◎(優) :チップ飛びが5%未満
○(良) :チップ飛びが5%以上10%未満
×(不可):チップ飛びが10%以上
ピックアップ性は、ピックアップ工程において、転写用粘着シートを用いて半導体チップを転写させ、転写成功率(ピックアップ成功率)に基づき、以下の基準により評価した。
◎(優) :チップのピックアップ成功率が95%以上
○(良) :チップのピックアップ成功率が80%以上95%未満
×(不可):チップのピックアップ成功率が80%未満
基材の材料、(メタ)アクリル酸エステル共重合体および光重合性化合物、多官能イソシアネート硬化剤、光重合開始剤、シリコーン系グラフト共重合体の種類あるいは添加有無を「表1」に示すように変更した以外は実施例1と同様にして粘着シートを製造し、評価を行った。結果を表に示す。
基材として、以下の基材を用い、表2に示す配合に従った以外は実施例1と同様にして粘着シートを製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
K−5:ポリエチレンテレフタレート(東レ社製ルミラーS10、厚さ:100μm);150℃の熱収縮率1.1%、60℃〜150℃の線膨張係数6.5×10−5/K。
K−6:環状オレフィンコポリマー(グンゼ社製Fフィルム、厚さ:100μm);150℃の熱収縮率0.2%、60℃〜150℃の線膨張係数6.5×10−5/K。
<比較例3>
シリコーン系グラフト共重合体を添加せず、粘着付与樹脂を添加した以外は実施例1と同様にして粘着シートを製造し、評価を行った。結果を表に示す。
Claims (6)
- 半導体チップを加熱しながら性能検査する工程で使用される半導体検査用の耐熱性粘着シートであって、該粘着シートは基材の上に粘着剤層が設けられた粘着シートであり、該基材が、150℃で30分加熱した時の熱収縮率が1%未満であり、かつ60℃〜150℃の線膨張係数が5.0×10−5/K以下であり、かつ前記粘着シートの粘着剤層が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤とを含み、
(メタ)アクリル酸エステル共重合体が100質量部に対して、
前記光重合性化合物が5〜200質量部、
前記多官能イソシアネート硬化剤が0.5〜20質量部、
前記光重合開始剤が0.1〜20質量部であり、
かつ粘着付与樹脂を含まない
半導体検査用の耐熱性粘着シート。 - 前記粘着剤層が、シリコーン系グラフト共重合体を含む、請求項1に記載の半導体検査用の耐熱性粘着シート。
- 前記多官能イソシアネート硬化剤が、イソシアネート基を3個以上有する、請求項1又は請求項2に記載の半導体検査用の耐熱性粘着シート。
- 前記光重合開始剤が、23℃から10℃/分の昇温速度で昇温したときの質量減少率10%となる温度が250℃以上である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体検査用の耐熱性粘着シート。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の粘着シートが、
(a)粘着シートを半導体チップに貼り付ける貼付工程、
(b)粘着シートが貼り付けられた半導体チップを、60〜150℃のステージ上に粘着シートがステージに接するように載せて吸着固定する吸着工程、
(c)ステージを60〜150℃に加熱しながら半導体チップの性能を検査する検査工程、
(d)粘着シートに紫外線を照射する紫外線照射工程、
(e)粘着シートから半導体チップをピックアップするピックアップ工程、
を含む半導体の製造方法で使用される、半導体検査用の耐熱性粘着シート。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の粘着シートが、
(a)粘着シートを半導体ウエハ又は基板に貼り付ける貼付工程、
(b)半導体ウエハ又は基板をダイシングして半導体チップにするダイシング工程、
(c)粘着シートが貼り付けられた半導体チップを、60〜150℃のステージ上に粘着シートがステージに接するように載せて吸着固定する吸着工程、
(d)ステージを60〜150℃に加熱しながら半導体チップの性能を検査する検査工程、
(e)粘着シートに紫外線を照射する紫外線照射工程、
(f)粘着シートから半導体チップをピックアップするピックアップ工程、
を含む半導体の製造方法で使用される、半導体検査用の耐熱性粘着シート。
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