JPWO2014175062A1 - パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器 - Google Patents

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Abstract

上部に凸状の段差部（１２）を有する金属ブロック（１）の上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層（２）が直接形成された絶縁層付金属ブロック（３）の素子実装領域にパワー半導体素子（４）を接合し、この絶縁層付金属ブロック（３）を金属板（５）の庇付貫通孔（１７）内に嵌合して固定することにより、低コストで放熱性に優れたパワー半導体モジュール（１００）を製作できる。また、このパワー半導体モジュール（１００）と、ヒートシンク（１１）とを備え、金属ブロック（１）の下面が絶縁層（２）を介してヒートシンク（１１）に当接するようにしてパワー半導体モジュール（１００）をヒートシンク（１１）に固定することにより、低コストで小型の電力変換器（３００）を製作できる。

Description

この発明は、インバータ、サーボコントローラ、ＵＰＳ（無停電電源）などに用いられるパワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器に関する。
パワー半導体モジュールは、家庭用エアコン、冷蔵庫などの民生用から、インバータ、サーボコントローラなどの産業用まで、広範囲に渡る電力変換機器分野で用いられている。
パワー半導体モジュールは、消費電力の点から、放熱性に優れたＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板や金属ベースプリント配線基板に搭載される。これらの配線板にパワー半導体素子などの回路素子が１個または複数個搭載され、プラスチックケース枠（樹脂ケース）が接着され、シリコーンゲルやエポキシ樹脂などの封止材で封止されている。金属ベースプリント配線基板とは、回路パターン用銅箔と樹脂絶縁層および金属板からなるプリント配線板のひとつであり、上面には回路パターンが形成されている。
一方、製造コストを低減するために、トランスファー成形方式によるフルモールドパワー半導体モジュールもある。通常、電力変換器は、前記に記載したパワー半導体モジュールを用いた主回路と、その他の電源回路や制御用の回路から構成されている。電源回路や制御用の回路は、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）、抵抗、コンデンサ、リアクトルなどの各種部品から構成されているが、通常、プリント基板に実装される。
つぎに、特許文献１に記載されている従来のパワー半導体モジュール３０を搭載した電力変換器について説明する。
図９は、従来のパワー半導体モジュール３０を採用した電力変換器６００の要部構成図である。電力変換器６００は、ヒートシンク１１（以下「冷却フィン」とも称する）上に、放熱性を高めるために図示しないサーマルコンパウンド（放熱グリース）を介して、主回路を構成するパワー半導体素子５１が搭載されたパワー半導体モジュール３０を搭載している。このパワー半導体モジュール３０上には、電力変換器６００における主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要となる電子部品６０が搭載されたプリント基板４０ａ、プリント基板４０ｂが間隔を空けて積層配置され、ヒートシンク１１に支柱７０(ピン等)により固定されている。そして、これらの構造物の全体がケース５０で覆われている。
また、特許文献２には、樹脂基板に回路配線が形成された配線基板の放熱板挿入穴に例えば銅からなる放熱板（金属ブロック）が埋め込まれ、この放熱板（金属ブロック）の上面に半導体チップ（パワー半導体素子）がハンダで固着されてなる半導体装置を、樹脂基板および放熱板（金属ブロック）の各裏面に設けた絶縁層を介して放熱器（ヒートシンク）上に搭載してなる構成の電力変換器が示されている。
特許第３７９１７７２号公報（図１０） 特開２０００−２２８４６６号公報
前記の図９に示す電力変換器６００において、ヒートシンク１１上に搭載されたパワー半導体モジュール３０は、金属ベースプリント配線基板２０を備えている。この金属ベースプリント配線基板２０は、ヒートシンク１１側から順に金属ベース板、絶縁膜および回路パターンが積層された構造をしており、その回路パターンにはパワー半導体素子５１が固着されている。そのため、パワー半導体素子５１からヒートシンク１１までの放熱経路には、多数の材料（回路パターン、絶縁膜、金属ベース板など）が介在する。そのため、熱抵抗が大きくなり、必ずしも冷却特性が十分ではなく、パワー半導体素子５１で発生する熱を十分にヒートシンク１１へ逃がすことができない。
また、パワー半導体モジュール３０をヒートシンク１１に取り付けるときは、樹脂ケース３１の外周部に設けた取り付け孔３２を用いてネジなどで固定される。このときに金属ベースプリント配線基板２０の金属ベース板３３の中央付近とヒートシンク１１との間に隙間３４が発生する場合がある。そのため、サーマルコンパウンド（放熱グリース）をヒートシンク１１の接触面に塗布してパワー半導体モジュール３０を固定し、金属ベース板３３とヒートシンク１１の間の隙間３４をサーマルコンパウンドで満たして、接触熱抵抗を低下させるようにしている。
しかしながら、樹脂ケース３１の外周部でネジ止めすると、締め付け圧力はパワー半導体モジュール３０とヒートシンク１１との接触面の全体にわたって均一にはならずに周辺に偏ってしまうため、たとえヒートシンク１１と金属ベース板３３との接触面にサーマルコンパウンドが塗布されていても、パワー半導体モジュール３０の中央部の熱抵抗は大きくなる。この現象はパワー半導体モジュール３０の接触面積が大きくなるほど顕著になり、放熱性を上げるためには大きなヒートシンク１１が必要になり、コストが高くなる。
そのため、パワー半導体モジュール３０を均一な圧力でヒートシンク１１に接触させ優れた放熱性が得られるようにすることが課題となる。なお、このような課題およびこれに対応した構成は特許文献２にも示されていない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、低コストで放熱性に優れたパワー半導体モジュールおよびその製造方法とこのパワー半導体モジュールを搭載した電力変換器を提供することである。
前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、パワー半導体モジュールを、庇付貫通孔を有する金属板と、金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成された絶縁層付金属ブロックとを備え、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックが、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されているとともに、前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子が固着され、前記パワー半導体素子と前記金属板上に絶縁材を介して配設された回路パターンとが接続導体で接続されている構成とする。
この請求項１に記載の発明によれば、パワー半導体モジュールを冷却用のヒートシンクに固定した状態において、その上面にパワー半導体素子が固着された、熱容量が高く放熱性に優れた金属ブロックの下面がセラミックス材料からなる絶縁層を介してヒートシンクと直接接するようにすることができるので、パワー半導体素子下部の熱抵抗を小さくすることができ、これにより、パワー半導体モジュールの放熱性を向上させることができる。
また、金属板の庇付貫通孔内に、金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成された絶縁層付金属ブロックが、その上部側が庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されている。このため、半導体モジュールが金属板の周辺部の取り付け孔を介したネジ止めによりヒートシンクに固定された状態において、ネジ止めによる締め付け圧力は剛性の高い金属板を伝わって、庇付貫通孔の庇から絶縁層付金属ブロックの上部側の外周部に伝達されるので、絶縁層付金属ブロックの底面には均一な圧力が伝達される。これにより、上部側の素子実装領域にパワー半導体素子が固着された絶縁層付金属ブロックの底面はヒートシンクに均一で十分に大きな圧力で接触するため、良好な放熱性を得ることが可能となる。
このように、請求項１に記載の発明によれば、パワー半導体素子で発生する熱を効率よく放熱することができるので、動作時のパワー半導体素子の温度を十分に低くすることができる。その結果、パワー半導体素子自体の放熱表面積は小さくてよいことから、より面積が小さく、かつ、よりコストの低いパワー半導体素子を採用することが可能となる。
また、パワー半導体素子の面積をより小さくできることによって、このパワー半導体素子を搭載する絶縁層付金属ブロック、さらには、この絶縁層付金属ブロックが庇付貫通孔内に嵌合される金属板もより小型化することができ、これにより、パワー半導体モジュールの小型化および低コスト化を図ることができる。
また、特許請求の範囲の請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記絶縁層付金属ブロックは、上部に凸状の段差部を有する金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成されてなり、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックが、前記段差部の底面に形成された絶縁層が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されているとよい。
この請求項２に記載の発明によれば、絶縁層付金属ブロックにおける金属ブロックを、上部に凸状の段差部を有する構成としている。金属ブロックの上部に凸状の段差部がない場合、パワー半導体素子および回路パターンの厚さにもよるが、金属板の庇付貫通孔における庇の厚さと、金属板と回路パターンとの間に介在する絶縁材の厚さとの合計厚さと同程度だけ、パワー半導体素子の上面が回路パターンの上面より低い状態が生じることになる。これに対して、請求項２に記載の発明では、金属ブロックの上部の凸状の段差部における底面に形成された絶縁層が庇付貫通孔の庇の下面に当接するとともに、上記段差部における底面より上方に突出した金属ブロックの上面にパワー半導体素子が固着されるので、パワー半導体素子の上面の高さを回路パターンの上面の高さにより近づけることができ、これにより、パワー半導体素子と回路パターンとのアルミワイヤなどの接続導体による接続作業をより容易なものとすることができる。
また、特許請求の範囲の請求項３に記載の発明によれば、請求項１または２に記載の発明において、前記絶縁層付導電ブロックの底面が前記金属板の裏面から突出しているとよい。
この請求項３に記載の発明によれば、絶縁層付金属ブロックの底面を金属板の裏面から突出させていることにより、絶縁材を介して回路パターンが配設される金属板の面積が大きくなった場合でも、半導体モジュールを、金属板の周辺部の取り付け孔を介したネジ止めによりヒートシンクに固定した状態において、絶縁層付金属ブロックの底面をヒートシンクに均一で十分に大きな圧力で接触させることができるため、良好な放熱性を確実に得ることが可能となる。
また、特許請求の範囲の請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明において、前記絶縁層の厚みが、５０μｍ以上、２０００μｍ以下であるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項５に記載の発明によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発明において、前記絶縁層は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素からなるフィラー群の少なくとも１種類からなるセラミックス層であるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項６に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明において、前記絶縁層は、前記フィラー群の少なくとも１種によるセラミックス微粒子をプラズマ溶射法にて堆積させることにより形成するとよい。
また、特許請求の範囲の請求項７に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明において、前記絶縁層は、前記フィラー群の少なくとも１種によるセラミックス微粒子をエアロゾルデポジション法にて堆積させることにより形成するとよい。
また、特許請求の範囲の請求項８に記載の発明によれば、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発明において、前記回路パターンは前記金属板上に固着されたプリント基板の回路パターンであり、この回路パターンに電子部品が固着されているとよい。
また、特許請求の範囲の請求項９に記載の発明によれば、請求項８に記載の発明において、前記プリント基板の上方に、電子部品が固着した別のプリント基板を配設しているとよい。
この請求項９に記載の発明によれば、上段側に配設された別のプリント基板にも電力変換器の主回路以外の例えば電源回路や制御用の回路などで必要となる電子部品の一部を搭載することで、金属板上に固着された下段側のプリント基板の面積を小さくすることができるとともに金属板の面積も小さくすることができるので、パワー半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、金属板の面積が小さくなることにより、金属板をヒートシンクにネジ止めした状態でのたわみが生じないようにするために必要な金属板の厚さを低減することができるとともに、これに対応して金属ブロックの厚さも低減することができるので、パワー半導体モジュールの重量の低減化も図ることができる。さらに、パワー半導体モジュールを小型化かつ軽量化できることにより、パワー半導体モジュールをヒートシンクに固定して電力変換器を構成する場合の組立性が向上し低コスト化を図ることができる。
次に、特許請求の範囲の請求項１０に記載の発明によれば、電力変換器を、前記請求項１〜９のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュールと、ヒートシンクとを備え、前記金属ブロックの下面が前記絶縁層を介して前記ヒートシンクに当接するようにして前記パワー半導体モジュールが前記ヒートシンクに固定されている構成とする。
次に、特許請求の範囲の請求項１１に記載の発明によれば、パワー半導体モジュールの製造方法を、金属板に庇付貫通孔を形成する工程と、金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して絶縁層付金属ブロックを構成する工程と、前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子を接合する工程と、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定する工程と、前記金属板上に絶縁材を介して回路パターンを形成する工程と、前記パワー半導体素子と前記回路パターンとを接続導体で接続する工程と、を含む構成とする。
また、特許請求の範囲の請求項１２に記載の発明によれば、請求項１１に記載の発明において、上部に凸状の段差部を有する金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して前記絶縁層付金属ブロックを構成するとともに、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、前記段差部の底面に形成された絶縁層が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定するとよい。
また、特許請求の範囲の請求項１３に記載の発明によれば、請求項１１または１２に記載の発明において、前記絶縁層が、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素からなるフィラー群の少なくとも１種類によるセラミックス微粒子をプラズマ溶射法、エアロゾルデポジション法またはスパッタ法のいずれかを用いて堆積させることにより形成されるようにするとよい。
この発明によれば、パワー半導体素子で発生する熱を効率よく放熱することができるため、より面積が小さく、かつ、よりコストの低いパワー半導体素子を採用することが可能になるので、低コストで放熱性に優れたパワー半導体モジュールを製作できる。また、このパワー半導体モジュールを搭載することで、低コストで小型の電力変換器を製作できる。
この発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュール１００の構成図であって、図１ａは要部平面図、図１ｂは図１ａのＸ−Ｘ線で切断した要部断面図であり、また、図１ｃ、図１ｄは、それぞれパワー半導体モジュールの異なる構成例を示す部分断面図である。 この発明の第２実施例に係る、図１で示したパワー半導体モジュール１００の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。 図２に続く、この発明の第２実施例に係る、図１で示したパワー半導体モジュール１００の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。 図３に続く、この発明の第２実施例に係る、図１で示したパワー半導体モジュール１００の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。 この発明の第３実施例に係るパワー半導体モジュール２００の要部構成図である。 この発明の第４実施例に係る電力変換器３００の要部構成図である。 この発明の第５実施例に係る電力変換器４００の要部断面図である。 この発明の第６実施例に係る電力変換器５００の要部断面図である。 従来のパワー半導体モジュール３０を採用した電力変換装器６００の要部構成図である。
本発明の実施形態を以下の実施例で説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施することができるものである。また、以下の説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分または要素には、共通する参照符号が付されている。
図１は、この発明の第１実施例に係るパワー半導体モジュール１００の構成図であって、図１ａは要部平面図、図１ｂは図１ａのＸ−Ｘ線で切断した要部断面図であり、また、図１ｃ、図１ｄは、それぞれパワー半導体モジュールの異なる構成例を示す部分断面図である。
このパワー半導体モジュール１００は、庇１７ａを有する庇付貫通孔１７を設けた金属板５と、庇付貫通孔１７に嵌合された、上部に凸状の段差部１２を有する絶縁層付金属ブロック３と、絶縁層付金属ブロック３の絶縁層２の開口部１６であって、金属ブロック１の上面が露出した箇所である素子実装領域に直接例えばはんだでの接合などにより固着された、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー半導体素子４（以下では「半導体チップ」とも称する）とを備える。
ここで、金属板５の庇付貫通孔１７は、金属板５を板厚方向に貫通する開口部（貫通孔）の内周側壁の上端部に、内側に向けて突出する突出部である庇１７ａが設けられた構造となっている。パワー半導体モジュール１００では、図１ｂに示されるように、絶縁層付金属ブロック３の凸状の段差部１２における絶縁層２で覆われた底面１３が金属板５の庇付貫通孔１７の庇１７ａの下面に当接するようにして、絶縁層付金属ブロック３が金属板５の庇付貫通孔１７内に嵌合されて固定される。
絶縁層付金属ブロック３は、金属ブロック１の上面以外の各面と、該上面の素子実装領域（開口部１６）を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層２が直接形成された構成であるため、この絶縁層付金属ブロック３を金属板５の庇付貫通孔１７内に嵌合して固定した状態で、絶縁層付金属ブロック３と金属板５との間の電気的絶縁が絶縁層２により確保されている。これにより、後述の図６に示すように、パワー半導体モジュール１００を金属材料からなるヒートシンク１１に固定した状態で、金属板５はヒートシンク１１と直接接触してヒートシンク１１と同電位になるが、金属ブロック１はヒートシンク１１に対して電気的絶縁が確保される。
なお、金属ブロック１には例えば銅が用いられるが、金属ブロック１を形成する金属材料は銅に限るものではなく、例えば銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金なども適用可能である。
また、パワー半導体モジュール１００は、金属板５上に固着されるプリント基板６と、プリント基板６の回路パターン６ａに固着される電子部品８と、パワー半導体素子４とプリント基板６の回路パターン６ａを接続するアルミワイヤ７とを備える。
ここで、パワー半導体モジュール１００では、電力変換器の主回路を構成するパワー半導体素子４だけでなく、電力変換器の主回路以外の電源回路や制御用の回路を構成する他の電子部品も必要になってくる。また、パワー半導体素子４から外部に導通をとるため回路パターンも必要になってくる。このため、上述のように、回路パターン６ａが形成されたプリント基板６を金属板５上に固着している。
パワー半導体素子４として例えばＩＧＢＴを実装した構成では、ＩＧＢＴの裏面のコレクタ電極が絶縁層付金属ブロック３の素子実装領域（金属ブロック１の上面）に接合され、ＩＧＢＴの表面に形成されているエミッタ電極とゲート電極とがそれぞれアルミワイヤ７によりプリント基板６の回路パターン６ａに接続される。
金属板５上に固着されるプリント基板６は、例えばガラスエポキシ（ガラスファイバで強化されたエポキシ樹脂）などで構成される絶縁基板６ｂと、この絶縁基板６ｂ上に形成された回路パターン６ａとで構成され、中央部には金属板５の庇付貫通孔１７の庇１７ａの箇所の開口部１７ｂに対応する開口部１９が形成されている。なお、絶縁基板６ｂを形成する材料は上記のガラスエポキシに限定されるものではなく、金属板５に対し電気的に絶縁した状態で回路パターン６ａを支持できる絶縁材であればよい。
また、パワー半導体モジュール１００は、プリント基板６の外周に固着し、図示しない外部導出端子を有する樹脂ケース９と、樹脂ケース９内に充填されるシリコーンゲルなどの封止材１０とを備える。
図１に示した電子部品８は電力変換器における主回路以外の電源回路や制御用の回路を構成するインダクタ、抵抗、コンデンサなどの部品の一部である。また、図中の符号で、１７ｂは庇１７ａの箇所の開口部であり、２１は金属板５およびプリント基板６の外周部に設けられた取り付け孔である。取り付け孔２１は、平面図には図示しないが、例えば両端の中央部の２箇所や端部の４隅の４箇所に配置される。
前記の絶縁層２は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、の少なくとも１種によるセラミックス微粒子を用いて形成されたセラミックス層である。
前記の絶縁層付金属ブロック３の底面（以下では「下面」とも称する）１８が金属板５の裏面（以下では「下面」とも称する）５ａから多少突出するようにして絶縁層付金属ブロック３が金属板５に固定されている。その突出の高さは数１０μｍ程度である。なお、金属板５の裏面５ａと絶縁層付金属ブロック３の底面１８との面高さを高精度に一致させることができる場合には、上述のような絶縁層付金属ブロック３の底面を金属板５の裏面５ａから突出させる構成は不要である。また、金属板５の面積が小さい場合には必ずしも突出させる必要はない。ただし、少なくとも金属板５の裏面５ａから絶縁層付金属ブロック３の底面１８が引っ込む状態は避けなければならない。
前記したように、絶縁層付金属ブロック３は、その底面１８が金属板５の裏面５ａから多少突出するようにして、金属板５に形成された庇付貫通孔１７に嵌合される。金属板５およびプリント基板６の外周部にはパワー半導体モジュール１００を冷却用のヒートシンク１１（図６参照）に固定するために、ネジ止め用の取り付け孔２１が形成されている。
ネジ止めによる締め付け圧力の伝達について図６を用いて説明する。ネジ止めにより、金属板５の外周部はヒートシンク１１の上面に密着して固定される。ネジ止めによる締め付け圧力Ｐは剛性のある金属板５を伝わって、庇付貫通孔１７の庇１７ａから絶縁層付金属ブロック３の上部の凸状の段差部１２に伝達される。この段差部１２は絶縁層付金属ブロック３の外周部に形成されているので、絶縁層付金属ブロック３の底面１８には均一な圧力Ｐが伝達される。また、この底面１８を金属板５の裏面５ａより数十μｍ程度突出させることで、絶縁層付金属ブロック３はヒートシンク１１に均一で十分に大きな圧力で接触する。このように、絶縁層付金属ブロック３がヒートシンク１１に均一で十分に大きな圧力で取り付けられるので、優れた放熱性を得ることができる。勿論、ヒートシンク１１にサーマルコンパウンド（放熱グリース）を塗布することで、さらに放熱性を高めることができる。
プリント基板６に固着する電子部品８の個数が増えて、プリント基板６の面積が大きくなり、このプリント基板６が固着する金属板５が大きくなった場合でも、絶縁層付金属ブロック３の底面１８を前記のように突出させることで、ヒートシンク１１に均一で十分に大きな圧力で接触させることができる。
また、前記のパワー半導体素子４は絶縁層２を介さずに熱容量が大きく放熱性に優れた金属ブロック１に直接例えばはんだでの接合などにより固着しているため、パワー半導体素子４で発生する熱を効率よく放熱することができるので、動作時のパワー半導体素子４の温度を十分に低くすることができる。その結果、パワー半導体素子（半導体チップ）４自体の放熱表面積は小さくてよいことから、より小型で面積の小さいパワー半導体素子（半導体チップ）４を採用して低コスト化を図ることが可能となる。
また、前記したように絶縁層付金属ブロック３とヒートシンク１１との接触性が改善されるため、絶縁層付金属ブロック３自体の放熱表面積も小さくてよくなるので、絶縁層付金属ブロック３を小型化できるとともに、これにより低コスト化も図ることができる。
また、電力変換器における主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要とする電子部品８の一部を前記のプリント基板６に実装し、樹脂ケース９に収納しているので、電力変換器の小型化と低コスト化を図ることができる。
また、上述のように絶縁層付金属ブロック３の底面１８の絶縁層２を金属板５の裏面５ａから突出させることで、パワー半導体モジュール１００とヒートシンク１１の間の接触熱抵抗を小さくできる。接触熱抵抗が小さくなることで、パワー半導体モジュール１００の動作時に上昇するパワー半導体素子４の温度をより低く抑えることができる。そのため、パワー半導体素子（半導体チップ）４をより小型化できるとともに、これによって絶縁層付金属ブロック３もより小型化できる。そして、この小型化により製造コストを低減することができる。
また、プリント基板６を金属板５上に固着することで、電子部品８で発熱した熱を効率的に金属板５に放熱できる。なお、金属板５とヒートシンク１１の間に隙間がある場合にはサーマルコンパウンドを塗布することで放熱性を向上させることができる。その結果、電子部品８をプリント基板６に密集して配置できるため、プリント基板６の小型化と低コスト化を図ることができる。
このように、本発明のパワー半導体モジュール１００は、金属板５の庇付貫通孔１７に嵌合された、上部に凸状の段差部１２を有する絶縁層付金属ブロック３の絶縁層２の開口部１６であって、金属ブロック１の上面が露出した箇所である素子実装領域に直接パワー半導体素子４が例えばはんだでの接合などにより固着された構成としていることにより、同一回路構成を、図９に示した従来の電力変換器６００におけるパワー半導体モジュール３０のように、金属ベースプリント配線基板２０の回路パターンにパワー半導体素子５１を固着して製作した場合に比べて、放熱性がより優れており、小型化と低コスト化を図ることができる。
また、図９に示した従来の電力変換器６００におけるパワー半導体モジュール３０には電力変換器６００における主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要とする電子部品６０を搭載していないが、これと同様に本発明のパワー半導体モジュール１００に、主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要とする電子部品８を搭載しないようにした場合、本発明のパワー半導体モジュール１００は、従来のパワー半導体モジュール３０に比べて放熱性が優れていることによって小型化でき、これにより製造コストも低減できる。
次に、図１ｃ、図１ｄは、それぞれ、パワー半導体モジュールの異なる構成例を示す部分断面図であって、絶縁層付金属ブロックの部分の断面構造を示すものである。
図１ｃに示されるパワー半導体モジュール１００Ａは、図１ｂに示されるパワー半導体モジュール１００に対して、その絶縁層付金属ブロック３Ａが絶縁層付金属ブロック３の段差部１２の代わりに段差部１２Ａを備えている点が異なっている。絶縁層付金属ブロック３Ａの段差部１２Ａは、その側面部の高さ寸法が絶縁層付金属ブロック３の段差部１２よりも大きく、絶縁層付金属ブロック３Ａの上面は金属板５の上面より図の上方に突出している。段差部１２Ａの側面部の絶縁層２のうち、金属板５の上面より突出している部分の高さは、金属ブロック１Ａと金属板５との間の絶縁沿面距離として有効である。このため、金属ブロック１Ａと金属板５との間に十分な絶縁沿面距離を確保できるように、絶縁層付金属ブロック３Ａの上面の金属板５の上面からの突出寸法を設定した場合には、図１ｃに示すように絶縁層付金属ブロック３Ａを構成する金属ブロック１Ａの上面の全体にわたって絶縁層２を形成しない構成とすることもできる。パワー半導体モジュール１００Ａにおける絶縁層付金属ブロック３Ａと金属板５の庇付貫通孔１７との嵌合構造はパワー半導体モジュール１００と同様である。なお、パワー半導体モジュール１００Ａの構成は、絶縁層付金属ブロックの構造以外の点ではパワー半導体モジュール１００と同様であり、図１ｃでは、パワー半導体モジュール１００Ａの全体構造の図示は省略している。
図１ｄに示されるパワー半導体モジュール１００Ｂは、図１ｂに示されるパワー半導体モジュール１００に対して、その絶縁層付金属ブロック３Ｂが絶縁層付金属ブロック３のような段差部１２を備えていない点が異なっている。パワー半導体モジュール１００Ｂでは、図１ｄに示されるように、絶縁層付金属ブロック３Ｂの上面の絶縁層２で被覆された周縁部が金属板５の庇付貫通孔１７の庇１７ａの下面に当接するようにして、絶縁層付金属ブロック３Ｂが金属板５の庇付貫通孔１７内に嵌合されて固定される。なお、パワー半導体モジュール１００Ｂの構成は、絶縁層付金属ブロックの構造以外の点ではパワー半導体モジュール１００と同様であり、図１ｄでは、パワー半導体モジュール１００Ｂの全体構造の図示は省略している。
図２〜図４は、この発明の第２実施例に係る、図１で示したパワー半導体モジュール１００の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。
（１）先ず、絶縁層付金属ブロック３を形成する工程を説明する。
図２ａにおいて、最初に、１．０ｍｍ〜５．０ｍｍ程度の厚さの銅板を、プレス加工により、正方形または長方形に打ち抜いて、上部に凸状の段差部１２ａを有する金属ブロック１を形成する。図中の符号で１３ａは段差部１２ａの底面である。
次に、図２ｂにおいて、プラズマ溶射法もしくはエアロゾルデポジション法によりセラミックス微粒子１４（１４ａ）を前記金属ブロック１に溶射もしくは堆積させて積層することにより絶縁層２を被覆した絶縁層付金属ブロック３を形成する。このとき、絶縁層付金属ブロック３の上面の中央部にマスク１５を配置し、金属ブロック１の上面が露出する絶縁層２の開口部１６（素子実装領域）を設ける。これはパワー半導体素子（半導体チップ）４をこの露出した金属ブロック１の表面に直接はんだなどを介して固着して電気的・機械的に接合するためである。金属ブロック１のその他の箇所は前記の絶縁層２で被覆する。図２ｂでは、金属ブロック１を固定し、セラミックス微粒子１４（１４ａ）の溶射もしくは堆積を金属ブロック１の上下左右から行なう場合を示した。一方、金属ブロック１を回転させて、セラミックス微粒子１４（１４ａ）の溶射もしくは堆積を一方向から行なうようにしてもよい。尚、図２ａで示す金属ブロック１の段差部１２ａと底面１３ａは、図２ｂに示す絶縁層付金属ブロック３では絶縁層２が被覆した段差部１２と底面１３に変わる。
この絶縁層２を金属ブロック１に被覆する方法についてさらに説明する。
［Ａ］プラズマ溶射法を用いる場合
絶縁層２の形成に必要なセラミックス微粒子１４には酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、の少なくとも１種によるセラミックス微粒子を用いればよい。
また、絶縁層２を形成するときの雰囲気は大気もしくは減圧下であり、金属ブロック１に溶射を行い絶縁層２を堆積させて絶縁層付金属ブロック３を形成する。絶縁層２の厚みは溶射時間（秒のオーダー）を制御することにより調整できる。絶縁層２の厚みは５０〜２０００μｍの範囲がよい。これは、前記の絶縁層２の厚みが５０μｍ未満になると、絶縁破壊強度が低すぎて、定格電圧１００Ｖ以上のパワー半導体モジュールでは適用が困難なためである。一方、絶縁層２の厚みが２０００μｍ超では、絶縁層２が厚くなり過ぎて熱抵抗が大きくなるので採用は困難である。好ましくは、絶縁層２の厚みは５０μｍ以上、５００μｍ以下がよい。また、一例ではあるが、絶縁層２の厚さが２００μｍ程度である場合には、交流破壊電圧で５ｋＶ以上の絶縁破壊強度を有しており、耐電圧定格が１２００Ｖのパワー半導体モジュールに適用できる。
［Ｂ］エアロゾルデポジション法を用いる場合
エアロゾルデポジション法とは、微粒子あるいは超微粒子原料をガスと混合してエアロゾル化し、ノズルを通して基板（ここでは金属ブロック１）に皮膜を形成する技術である。ガスにはヘリウムもしくは空気が用いられる。皮膜形成装置はエアロゾル化チャンバーと成膜チャンバーから構成されている。成膜チャンバーは真空ポンプで５０〜１ｋＰａ前後に減圧する。
原料であるセラミックス微粒子１４ａあるいは超微粒子材料は乾燥された状態でエアロゾル化チャンバー内でガスと攪拌、混合してエアロゾル化される。両チャンバーの圧力差により生じるガスの流れによりエアロゾル化した微粒子（超微粒子）が成膜チャンバーに搬送され、スリット上のノズルを通し加速され、金属ブロック１に噴射される。
原料のセラミックス微粒子１４ａには、粒径０．１〜２μｍに粉砕したセラミックスを用いる。ガス搬送されたセラミックス微粒子１４ａは、減圧されたチャンバー内の微少開口のノズルを通すことで数百ｍ／ｓｅｃまで加速される。成膜速度や成膜体の密度は使用されるセラミックス微粒子１４ａの粒径や凝集状態、乾燥状態などに大きく依存するため、エアロゾル化チャンバーと成膜チャンバーの間に凝集粒子の解砕器や分級装置が設置される。
前記の絶縁層２が膜状に金属ブロック１に形成されるメカニズムについて説明する。
粒径０．１〜２μｍのセラミックス微粒子１４ａを高速で金属ブロック１上に吹付けると、その時の衝突エネルギーで１０〜３０ｎｍ前後の微結晶粒子に破砕され新生面が形成され表面が活性化され粒子同士が結合される。したがって、緻密なナノ結晶組織のセラミックス膜（絶縁層２）が形成される。また、このセラミックス膜（絶縁層２）は、特に温度を上げることなく常温で形成可能である。
エアロゾルデポジションのセラミックス微粒子１４ａとしては、粒子径が０．１μｍ〜２μｍ程度の酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは窒化ホウ素のいずれかを用いることが好ましい。
ここで、セラミックス微粒子１４ａには窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかのセラミックス微粒子に酸化アルミニウムの皮膜を形成したもの、もしくは、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素いずれかのセラミックス微粒子に酸化ケイ素の皮膜を形成したものでも適用可能である。これらのセラミックス微粒子１４ａを組み合わせれば、２種類以上を複合した絶縁層２が形成できる。
絶縁層２の厚みは、溶射法と同様であり、５０〜２０００μｍの範囲がよく、好ましくは、絶縁層２の厚みは５０μｍ以上、５００μｍ以下がよい。また、一例ではあるが、絶縁層２の厚さが２００μｍ程度である場合には、交流破壊電圧で５ｋＶ以上の絶縁破壊強度を有しており、耐電圧定格が１２００Ｖのパワー半導体モジュールに適用できる。
なお、前記したプラズマ溶射法、エアロゾルデポジション法以外にも、スパッタ法などを用いて絶縁層２を形成するようにしてもよい。
（２）次に、絶縁層付金属ブロック３にパワー半導体素子（半導体チップ）４を固着する工程を説明する。
図２ｃにおいて、絶縁層付金属ブロック３の上面の金属ブロック１が露出した開口部１６（素子実装領域）にパワー半導体素子（半導体チップ）４をはんだなどで固着して電気的・機械的に接合する。
はんだ固着は、通常、クリームはんだを用いリフロー炉で行う。はんだ材料には例えば、ＳｎＰｂＡｇからなる高温はんだ、ＳｎＡｇＣｕ系からなる鉛フリーはんだなどを用いる。はんだ付けの温度は、はんだの融点に応じて設定される。
パワー半導体素子（半導体チップ）４と絶縁層付金属ブロック３の間のはんだ層にボイドが残留すると、熱抵抗が高くなり、パワー半導体素子（半導体チップ）４から生じる熱を効率よく放熱することができなくなる。そこで、ボイドが発生しないように、はんだが溶融している状態で、例えば、１０Ｔｏｒｒ（１０×１３３Ｐａ）程度以下の数Ｔｏｒｒ（数百Ｐａ）程度で真空引きを行なう。
（３）次に、金属板５を形成する工程を説明する。
図３ｄにおいて、前記絶縁層付金属ブロック３を取り付ける金属板５を用意する。
金属板５の中央付近に、絶縁層付金属ブロック３を嵌合・固定するための庇付貫通孔１７を形成する。この庇付貫通孔１７の庇１７ａは絶縁層付金属ブロック３の凸状の段差部１２の底面１３と接触して金属板５から伝達される下方への圧力Ｐを絶縁層付金属ブロック３の底面１３に伝える働きをする。そのため、この金属板５には、高い熱伝導性と高い剛性が要求され、例えば、アルミニム板や銅板を用いる。金属板５の厚みｔは、面積によって変わるが、たわみが生じないように１ｍｍ〜５ｍｍ程度に設定するとよい。図中の符号の１７ｂは前記したように庇１７ａの箇所の開口部である。
（４）次に、金属板５の庇付貫通孔１７に絶縁層付金属ブロック３を嵌合・固定する工程を説明する。
図３ｅにおいて、前記絶縁層付金属ブロック３を金属板５の庇付貫通孔１７に嵌合・固定する。このとき、庇付貫通孔１７の庇１７ａから絶縁層付金属ブロック３の凸状の段差部１２の底面１３に金属板５の圧力Ｐが伝達するようにするために庇１７ａと段差部１２の底面１３を接触させる。ここで、凸状の段差部１２の突出した箇所１２ｂと庇１７ａの箇所の開口部１７ｂとが互いに位置が合うように設計されている。また、絶縁層付金属ブロック３が庇付貫通孔１７から抜けないように接着剤を介して嵌合・固定してもよい。
また、ヒートシンク１１（図６参照）と絶縁層付金属ブロック３の接触性を良くするため、絶縁層付金属ブロック３の底面１８、すなわち絶縁層２の下面が金属板５の裏面５ａから数１０μｍ程度突出するようにするとよい。尚、裏面５ａと底面１８の面高さを揃える場合もある。また、金属板５の面積が小さい場合には突出させない場合もある。
次に、金属板５に絶縁層付金属ブロック３を嵌合・固定する方法について説明する。
前記の絶縁層付金属ブロック３を、パワー半導体素子４実装面側を上にして配置し、上方から金属板５を、庇付貫通孔１７側を上にして下方に移動させて、庇付貫通孔１７に絶縁層付金属ブロック３を嵌合し固定する。勿論、上記方法とは逆に、金属板５を、庇付貫通孔１７側を下にして配置し、上方から絶縁層付金属ブロック３を、パワー半導体素子４の実装面側を下にして下方に移動させて、絶縁層付金属ブロック３を庇付貫通孔１７に嵌合し固定するようにしても構わない。この嵌合に当たっては、庇付貫通孔１７の庇１７ａに絶縁層付金属ブロック３の上部の凸状の段差部１２の底面１３を当接させる。このとき、前記したように、絶縁層付金属ブロック３の底面１８、すなわち絶縁層２の下面が金属板５の裏面５ａより数十μｍ程度突出するように絶縁層付金属ブロック３の厚さ寸法は設計されている。
このように金属板５の庇付貫通孔１７を絶縁層付金属ブロック３に嵌合・固定することにより、ヒートシンク１１に金属板５をネジ止めする場合に、絶縁層付金属ブロック３の底面１８が均一で十分に大きな圧力でヒートシンク１１に接触する。
その過程を図６を用いて説明する。ネジ止めにより、金属板５に下方へ向かう圧力Ｐを加えたとき、金属板５に形成された庇付貫通孔１７の庇１７ａから絶縁層付金属ブロック３の凸状の段差部１２の底面１３へ圧力Ｐが加えられる。この凸状の段差部１２は絶縁層付金属ブロック３の上部の周囲全域に形成されているため、加えられた圧力Ｐは絶縁層付金属ブロック３の底面１８全域で均一な圧力となり、この均一な圧力によって絶縁層付金属ブロック３の底面１８がヒートシンク１１に接触する。
（５）プリント基板６に電子部品８を固着するまでの工程を説明する。
図３ｆにおいて、前記金属板５上に貼り付けるプリント基板６を用意する。このプリント基板６は例えばガラスエポキシ（ガラスファイバで強化されたエポキシ樹脂）などで構成される絶縁基板６ｂと、この絶縁基板６ｂ上に形成された回路パターン６ａとで構成され、中央部には金属板５の庇付貫通孔１７の庇１７ａの箇所の開口部１７ｂに対応する開口部１９が形成されている。また、プリント基板６の外周部にはヒートシンク１１にネジで固定するための取り付け孔２１が形成されている。
次に、図４ｇにおいて、金属板５の庇付貫通孔１７の庇１７ａの箇所の開口部１７ｂにプリント基板６の開口部１９が位置するようにして、金属板５とプリント基板６との外周部に形成された取り付け孔２１同士の位置合わせをする。その状態で金属板５にプリント基板６を接着剤で貼り付ける。接着剤としては、熱伝導率の大きいものが好ましい。
次に、図４ｈにおいて、このプリント基板６に電力変換器の主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要となる電子部品８の一部を固着する。続いて、パワー半導体素子４とプリント基板６に形成された回路パターン６ａをアルミワイヤ７などの接続導体により互いを接続する。アルミワイヤ７は、線径が１２５〜５００μｍ程度であり、超音波接合で各部位との接合を行う。この接続をアルミワイヤ７の代わりに、リードフレームやリボン状のアルミなどの接続導体で行なってもよい。また、電子部品８のプリント基板６の回路パターン６ａへの固着ははんだなどで行なう。
（６）次に、上記（５）の次の工程から、パワー半導体モジュール１００が完成するまでの工程を説明する。
図４ｉにおいて、パワー半導体素子４やプリント基板６に固着した電子部品８およびプリント基板６の回路パターン６ａ同士を電気的に絶縁したり表面保護したりするために、樹脂ケース９を金属板５に（図ではプリント基板６も含めて）固着した後で、樹脂ケース９内をシリコーンゲルなどの封止材１０で充填する。なお、封止材１０としては、エポキシ樹脂やウレタン樹脂などの充填材を用いても良い。このような工程を経て、パワー半導体モジュール１００が完成する。
図５は、この発明の第３実施例に係るパワー半導体モジュール２００の要部構成図である。パワー半導体モジュール２００の、図１のパワー半導体モジュール１００との違いは、電力変換器の主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要となる電子部品を搭載するためのプリント基板を、金属板５の上面に貼り付けられたプリント基板６と該プリント基板６の上方に間隔を空けて配設されたプリント基板６Ａとの２段構成にした点である。このプリント基板６Ａは、上述のプリント基板６と同様に、例えばガラスエポキシ（ガラスファイバで強化されたエポキシ樹脂）などで構成される絶縁基板６Ａｂと、この絶縁基板６Ａｂ上に形成された回路パターン６Ａａとで構成されている。
パワー半導体モジュール２００は、図１のパワー半導体モジュール１００と同様に、プリント基板６の外周に固着し図示しない外部導出端子を有する樹脂ケース９と、樹脂ケース９内に充填されるシリコーンゲルなどの封止材１０を備えている。図５に示した電子部品８は電力変換器の主回路以外の電源回路や制御用の回路を構成するインダクタ、抵抗、コンデンサなどの部品の一部である。
プリント基板６の上方に間隔を空けて配設されるプリント基板６Ａは例えば樹脂ケース９の内周面に固着するようにして支持されており、このプリント基板６Ａも含めて樹脂ケース９内の部材が封止材１０により封止されている。
上段のプリント基板６Ａにも電力変換器の主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要となる電子部品８の一部を搭載することで、下段のプリント基板６の面積を小さくすることができるとともにプリント基板６が貼り付けられる金属板５の面積も小さくすることができ、これにより、パワー半導体モジュール２００の小型化を図ることができる。また、金属板５の面積が小さくなることにより、金属板５をヒートシンク１１にネジ止めした状態でのたわみが生じないようにするために必要な金属板５の厚さを低減することができるとともに、これに対応して金属ブロック１の厚さも低減することができるので、これによりパワー半導体モジュール２００の重量の低減化も図ることができる。さらに、パワー半導体モジュール２００を小型化かつ軽量化できることにより、パワー半導体モジュール２００をヒートシンク１１に固定して電力変換器（後述の電力変換器４００）を構成する場合の組立性が向上し低コスト化を図ることができる。尚、図中の符号でＳはパワー半導体モジュール２００の床面積を示す。尚、ここではプリント基板の構成として２段の例を示したがさらに多段にする場合もある。
図６は、この発明の第４実施例に係る電力変換器３００の要部構成図であり、図１のパワー半導体モジュール１００をヒートシンク（冷却フィン）１１に固定して製作される電力変換器の例を示している。
図１のパワー半導体モジュール１００を放熱用のヒートシンク（冷却フィン）１１にサーマルコンパウンド（放熱グリス）を介してネジ止めして電力変換器３００が出来上がる。パワー半導体モジュール１００の床面積が小さい場合はサーマルコンパウンドを用いないこともある。なお、ヒートシンク１１を形成する金属材料としては、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金などが適用可能である。
ヒートシンク１１へのパワー半導体モジュール１００の固定は、外周部に形成された取り付け孔２１とヒートシンク１１のネジ孔１１ａを用いてネジ止めすることで行なわれる。この外周部によるネジ止めでも、絶縁層付金属ブロック３の底面１８が金属板５の裏面５ａより突出しているため、絶縁層付金属ブロック３の底面１８が均一な圧力でヒートシンク１１に接触するため、優れた放熱性が得られる。
また、電力変換器３００における絶縁層付金属ブロック３の底面１８を構成する絶縁層２、すなわち金属ブロック１の底面（下面）側に形成される絶縁層２として、特に上述の第２実施例で説明したエアロゾルデポジション法またはプラズマ溶射法によるセラミックス材の絶縁層を採用した場合、以下のような利点がある。
（１）絶縁耐圧の向上
エアロゾルデポジション法では、室温（常温）で成膜が可能であり、かつ音速レベルのスピードでサブミクロンオーダーのセラミックス微粒子を基板に衝突させるため、活性な新生面が露出したセラミックス微粒子が結合する。また、プラズマ溶射法によっても同様である。いずれの方法においても、非常にち密な電気絶縁膜であるセラミックス微粒子層を形成することが可能となり、膜内に空孔（ボイド）が含まれないため、従来の焼結法により形成されたセラミックス板よりも単位長さ当たりの破壊電圧が１０倍程度向上する。
（２）熱抵抗の低下
熱伝導率はバルクと同等であり、熱伝導率は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で約２０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で約１６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）で約８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度確保できる。これに加えて単位長さ当たりの破壊電圧が向上するため、絶縁層２を薄く形成することができ、このため全体の熱抵抗が低くなる。
これらの点により、絶縁層２の高絶縁と低熱抵抗とを共に確保することが可能となる。
このように、電力変換器３００は、上面にパワー半導体素子４が実装される金属ブロック１の底面（下面）が、熱伝導性に優れたセラミックス材よりなる絶縁層２を介して、ヒートシンク１１に均一な圧力で接触するように構成されているので、パワー半導体素子４下部の熱抵抗を十分に小さくすることができ、優れた放熱性を備えたものとなっており、これにより、従来構造に比べて小型化と低コスト化を図ることができる。
なお、電力変換器３００の主回路以外の電源回路や制御用の回路を構成する電子部品８（インダクタ、抵抗、コンデンサなど）は、その全てをプリント基板６に搭載するようにしてもよいが、一部の部品だけをプリント基板６に搭載するとともに残りの部品をヒートシンク１１に固定された図示されない別のプリント基板に搭載するようにしてもよい。
図７は、この発明の第５実施例に係る電力変換器４００の要部断面図である。電力変換器４００の、図６の電力変換器３００との違いは、２段構成のプリント基板を搭載したパワー半導体モジュール２００をヒートシンク（冷却フィン）１１に固定した点である。電力変換器４００では、パワー半導体モジュール２００の床面積Ｓが電力変換器３００におけるパワー半導体モジュール１００の床面積に比べて小さくなることで、ヒートシンク１１をより小型化できる。その結果、図６の電力変換器３００に比べて電力変換器４００ではより一層の小型化と低コスト化ができる。また、電力変換器４００の主回路以外の電源回路や制御用の回路を構成する電子部品のうち、この２段のプリント基板６、６Ａに搭載できない電子部品がある場合には、その電子部品は図示しない別のプリント基板に搭載してこの別のプリント基板をヒートシンク１１に固定するようにして電力変換器４００を構成することができる。
図８は、この発明の第６実施例に係る電力変換器５００の要部断面図である。電力変換器５００の、図６の電力変換器３００との違いは、パワー半導体モジュール１００上に、電力変換器５００の主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要とされる電子部品８のうち一部の部品を搭載したプリント基板６Ｂを、間隔を空けて積層配置してケース２２で覆った点である。
このプリント基板６Ｂは、上述のプリント基板６、６Ａと同様に、例えばガラスエポキシ（ガラスファイバで強化されたエポキシ樹脂）などで構成される絶縁基板６Ｂｂと、この絶縁基板６Ｂｂ上に形成された回路パターン６Ｂａとで構成されている。プリント基板６Ｂの支持構造は、図８に示されるように、ヒートシンク１１上に設けた支柱２３にプリント基板６Ｂの側面端部が固着するようにして配設される構成とすることができるが、このような構成に限定されるものではなく、例えばパワー半導体モジュール１００の樹脂ケース９の上端部にプリント基板６Ｂの裏面（下面）が固着するようにして配設される構成とすることもできる。
電力変換器５００においては、上述のように電力変換器５００の主回路以外の電源回路や制御用の回路で必要とされる電子部品８のうち一部の部品をパワー半導体モジュール１００の外部に設けたプリント基板６Ｂに搭載するので、パワー半導体モジュール１００の内部に設けられるプリント基板６を小型化することができるとともにプリント基板６が貼り付けられる金属板５も小型化することができ、これによりパワー半導体モジュール１００の小型化を図ることができる。
さらに、パワー半導体モジュール１００を構成するプリント基板６および金属板５が小型化することにより、パワー半導体モジュール１００の組立性が向上し低コスト化を図ることができる。
また、さらに、電力変換器５００におけるパワー半導体モジュール１００の床面積は電力変換器３００におけるパワー半導体モジュール１００の床面積に比べて小さくなる。このため、プリント基板６Ｂの支持構造にもよるが、パワー半導体モジュール１００の床面積が小さくなるのに合わせてヒートシンク１１も小型化することができ、これにより、電力変換器５００の小型化と低コスト化を図ることができる。
尚、図８では、電力変換器５００を、パワー半導体モジュール１００の上に間隔を空けて電子部品８が搭載されたプリント基板６Ｂを一枚積層する構成としているが、多層積層する構成としてもよい。
本出願は、２０１３年４月２４日出願の特願２０１３−０９０９７１に基づく。この内容は、全てここに含めておく。
前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、パワー半導体モジュールを、庇付貫通孔を有する金属板と、金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成された絶縁層付金属ブロックとを備え、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックが、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されて、前記金属ブロックと前記金属板との間の電気的絶縁が前記絶縁層により確保されるとともに、前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子が固着され、前記パワー半導体素子と前記金属板上に絶縁材を介して配設された回路パターンとが接続導体で接続されている構成とする。
また、特許請求の範囲の請求項６に記載の発明によれば、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発明において、前記回路パターンは前記金属板上に固着されたプリント基板の回路パターンであり、この回路パターンに電子部品が固着されているとよい。
また、特許請求の範囲の請求項７に記載の発明によれば、請求項６に記載の発明において、前記プリント基板の上方に、電子部品が固着した別のプリント基板を配設しているとよい。
この請求項７に記載の発明によれば、上段側に配設された別のプリント基板にも電力変換器の主回路以外の例えば電源回路や制御用の回路などで必要となる電子部品の一部を搭載することで、金属板上に固着された下段側のプリント基板の面積を小さくすることができるとともに金属板の面積も小さくすることができるので、パワー半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、金属板の面積が小さくなることにより、金属板をヒートシンクにネジ止めした状態でのたわみが生じないようにするために必要な金属板の厚さを低減することができるとともに、これに対応して金属ブロックの厚さも低減することができるので、パワー半導体モジュールの重量の低減化も図ることができる。さらに、パワー半導体モジュールを小型化かつ軽量化できることにより、パワー半導体モジュールをヒートシンクに固定して電力変換器を構成する場合の組立性が向上し低コスト化を図ることができる。
次に、特許請求の範囲の請求項８に記載の発明によれば、電力変換器を、前記請求項１〜７のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュールと、ヒートシンクとを備え、前記金属ブロックの下面が前記絶縁層を介して前記ヒートシンクに当接するようにして前記パワー半導体モジュールが前記ヒートシンクに固定されている構成とする。
次に、特許請求の範囲の請求項９に記載の発明によれば、パワー半導体モジュールの製造方法を、金属板に庇付貫通孔を形成する工程と、金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して絶縁層付金属ブロックを構成する工程と、前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子を接合する工程と、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定し、前記金属ブロックと前記金属板との間の電気的絶縁を前記絶縁層により確保する工程と、前記金属板上に絶縁材を介して回路パターンを形成する工程と、前記パワー半導体素子と前記回路パターンとを接続導体で接続する工程と、を含む構成とする。
また、特許請求の範囲の請求項１０に記載の発明によれば、請求項９に記載の発明において、上部に凸状の段差部を有する金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して前記絶縁層付金属ブロックを構成するとともに、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、前記段差部の底面に形成された絶縁層が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定するとよい。
また、特許請求の範囲の請求項１１に記載の発明によれば、請求項９または１０に記載の発明において、前記絶縁層が、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素からなるフィラー群の少なくとも１種類によるセラミックス微粒子をプラズマ溶射法、エアロゾルデポジション法またはスパッタ法のいずれかを用いて堆積させることにより形成されるようにするとよい。

Claims (13)

  1. 庇付貫通孔を有する金属板と、
    金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成された絶縁層付金属ブロックとを備え、
    前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックが、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されているとともに、
    前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子が固着され、
    前記パワー半導体素子と前記金属板上に絶縁材を介して配設された回路パターンとが接続導体で接続されている
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  2. 前記絶縁層付金属ブロックは、上部に凸状の段差部を有する金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層が直接形成されてなり、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックが、前記段差部の底面に形成された絶縁層が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合されていることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
  3. 前記絶縁層付金属ブロックの底面が前記金属板の裏面から突出していることを特徴とする請求項１または２に記載のパワー半導体モジュール。
  4. 前記絶縁層の厚みが、５０μｍ以上、２０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュール。
  5. 前記絶縁層は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素からなるフィラー群の少なくとも１種類からなるセラミックス層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュール。
  6. 前記絶縁層は、前記フィラー群の少なくとも１種によるセラミックス微粒子をプラズマ溶射法にて堆積させることにより形成したことを特徴とする請求項５に記載のパワー半導体モジュール。
  7. 前記絶縁層は、前記フィラー群の少なくとも１種によるセラミックス微粒子をエアロゾルデポジション法にて堆積させることにより形成したことを特徴とする請求項５に記載のパワー半導体モジュール。
  8. 前記回路パターンは前記金属板上に固着されたプリント基板の回路パターンであり、この回路パターンに電子部品が固着されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュール。
  9. 前記プリント基板の上方に、電子部品が固着した別のプリント基板を配設していることを特徴とする請求項８に記載のパワー半導体モジュール。
  10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュールと、ヒートシンクとを備え、前記金属ブロックの下面が前記絶縁層を介して前記ヒートシンクに当接するようにして前記パワー半導体モジュールが前記ヒートシンクに固定されていることを特徴とする電力変換器。
  11. 金属板に庇付貫通孔を形成する工程と、
    金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して絶縁層付金属ブロックを構成する工程と、
    前記金属ブロックの上面の前記素子実装領域にパワー半導体素子を固着する工程と、
    前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、その上部側が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定する工程と、
    前記金属板上に絶縁材を介して回路パターンを形成する工程と、
    前記パワー半導体素子と前記回路パターンとを接続導体で接続する工程と、
    を含むことを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
  12. 上部に凸状の段差部を有する金属ブロックの上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層を直接形成して前記絶縁層付金属ブロックを構成するとともに、前記金属板の前記庇付貫通孔内に前記絶縁層付金属ブロックを、前記段差部の底面に形成された絶縁層が前記庇付貫通孔の庇に当接するように嵌合して固定することを特徴とする請求項１１に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
  13. 前記絶縁層が、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素からなるフィラー群の少なくとも１種類によるセラミックス微粒子をプラズマ溶射法、エアロゾルデポジション法またはスパッタ法のいずれかを用いて堆積させることにより形成されることを特徴とする請求項１１または１２に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
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