JP3791772B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体スイッチ素子のスイッチング動作に伴って発生するスイッチングノイズを濾波する電力変換器用ノイズフィルタを搭載した電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
インバータなどの電力変換器を構成する半導体スイッチ素子のスイッチング動作は、キャリア周波数を数kHzから十数kHz程度としたパルス幅変調(PWM)された駆動信号に基づいて行われ、このスイッチング動作により数十kHz以上の周波数成分のスイッチングノイズが電力変換器から発生する。
【0003】
近年、このようなスイッチングノイズの周波数成分のうち、百kHz以上の成分が外部機器に与える悪影響を抑制するべく、当該する電力変換器に様々の法的規制が敷かれ、これに対応するために電力変換用ノイズフィルタが用いられている。
【0004】
従来、この種の電力変換用ノイズフィルタとしては、フェライト、非晶質合金、結晶合金などからなるコアに電線を巻回してなる単体のリアクトルと、フィルムやチップなどからなる単体のコンデンサとを、例えば、逆L形に接続して該フィルタを構成し、1つのユニットになったものを電力変換器の前段に配線し、半導体スイッチ素子のスイッチング動作に伴って発生するスイッチングノイズを濾波するようにしている。
【0005】
近年、省スペースに対応するためや電力変換器とノイズフィルタユニットとの配線の手間を省くために、これらのノイズフィルタを電力変換器の内部に設置したものが要求されてきている。
【0006】
図8および図9は、ノイズフィルタをプリント基板上に実装した構成例を表わしている。図8は、その断面形状を表わし、図9はその立体形状を表わしたものである。
【0007】
リアクトルL21,接地コンデンサCy22,相間コンデンサCx23等のノイズフィルタ用各素子は、それぞれプリント基板7にピン挿入方式で実装されることによって、ノイズフィルタ基板8を構成している。
【0008】
図10は、図8および図9のノイズフィルタ基板8を電力変換器内に組み込んで構成した例である。
【0009】
この電力変換器は、各機能によって上段、中段、下段と分かれており、CPU等の信号処理や制御を行う制御基板9と、前述した図8のノイズフィルタを実装したプリント基板7と、整流回路3とスイッチング素子51からなるインバータ回路5が実装された主回路モジュール10とから構成されている。
【0010】
ノイズフィルタ基板8は、制御基板9と主回路モジュール10との間に配置される。発熱の少ない制御基板9は、通常一番上部に配置される。
【0011】
発熱の大きい主回路モジュール10は、冷却しやすくするため、セラミック基板や金属ベース基板等放熱性に優れた放熱プレート60を介して、通常放熱フィン11の中央部に直接搭載される。なお、この主回路モジュール10は、シリコーンゲル70によって封止されている。
放熱フィン11の周囲には、端子ブロック43が設けられており、この端子ブロック43に固定された支柱41を介して、プリント基板7と制御基板9とが多段構成されている。
【0012】
そして、これら各構成部品8,9,10を、端子ブロック43に固定されたケース12で覆うことによって、電力変換器が構成される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、この種のノイズフィルタを構成するリアクトル21からは、主に銅損等からなる発生ロスによる発熱があり、図10に示したように、電力変換器内部のプリント基板7上に実装すると、ケース12内部の雰囲気温度が上昇してしまう。特に、電力変換器の容量が大きくなると、ケース内部の雰囲気温度の上昇は顕著となる。
【0014】
しかも、電力変換器は、もともとパワー半導体の発生ロスが大きく、その冷却には最新の注意が払われており、さらなる熱源によるケース12内部雰囲気温度の上昇は、プリント基板7すなわち制御基板9の温度上昇を招いて、部品の耐熱寿命を縮めることになり、問題である。
【0015】
また、図10に示したような3段構造では、電力変換器全体の放熱性が悪くなり、容積も大きくなってしまうという問題がある。
【0016】
さらに、リアクトル21を電力変換器内部のプリント基板7上に実装するのでは冷却効果が小さく、できるだけ放熱フィン11に接するように配置することが望ましいが、リアクトル21の巻線と放熱フィン11との間には、通常対地電位が発生し、適切に絶縁をとらなければならない。
【0017】
そこで、本発明の目的は、ノイズフィルタによる発生熱を放熱フィンに効率よく放散させると同時に、必要な絶縁性を得ることが可能な電力変換装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電源から供給される電力を変換して電気機器を制御する電力変換装置であって、装置本体から発生するノイズ成分を除去するノイズフィルタ部と、前記電源から前記ノイズフィルタ部を介して供給される電力の整流機能、および、前記電気機器を制御する機能を有する駆動部と、薄膜樹脂絶縁層と金属板とが積層された基板により構成され、所定の熱伝導特性および絶縁特性を有する放熱容器と、放熱用基板とを具え、前記放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する樹脂絶縁材を用いて前記ノイズフィルタ部を封止して収納し、前記ノイズフィルタ部が収納された前記放熱容器と、前記駆動部とを、前記放熱用フィン上に直接取り付けることによって、電力変換装置を構成する。
【0019】
本発明は、電源から供給される電力を変換して電気機器を制御する電力変換装置であって、装置本体から発生するノイズ成分を除去するノイズフィルタ部と、前記電源から前記ノイズフィルタ部を介して供給される電力の整流機能、および、前記電気機器を制御する機能を有する駆動部と、薄膜樹脂絶縁層と金属板とが積層された基板により構成され、所定の熱伝導特性および絶縁特性を有する放熱容器と、放熱用基板とを具え、前記放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する第1の樹脂絶縁材を用いて前記ノイズフィルタ部を封止し、かつ、第2の樹脂絶縁材を用いて前記駆動部を封止して一体に収納し、前記ノイズフィルタ部および前記駆動部が一体に収納された前記放熱容器を、前記放熱用フィン上に直接取り付けることによって、電力変換装置を構成する。
【0020】
ここで、前記放熱容器は、前記薄膜樹脂絶縁層と前記金属板とが積層された基板の4辺を折り曲げることによって箱状の容器として構成してもよい。
【0021】
前記ノイズフィルタ部および前記駆動部に接続され、前記電気機器を駆動制御するための信号処理を行う信号処理部をさらに具え、前記信号処理部は、前記放熱用フィンの周辺部に立設された支持体の上部に取り付けてもよい。
【0022】
前記放熱容器を構成する前記薄膜樹脂絶縁層は、高熱伝導特性を有する部材により構成してもよい。
【0023】
前記放熱容器を構成する前記薄膜樹脂絶縁層は、折り曲げが可能な可とう性の部材を有する樹脂シートにより構成してもよい。
【0024】
前記樹脂絶縁材は、高熱伝導特性を有する部材により構成してもよい。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0026】
[第1の例]
本発明の第1の実施の形態を、図1〜図5に基づいて説明する。
【0027】
本発明は、電力変換器用のノイズフィルタを搭載した電力変換装置の構造、および、そのノイズフィルタを収納する放熱用基板の構造に特徴を有するものである。
【0028】
(放熱用基板)
まず、ノイズフィルタの収納容器として用いられる放熱用基板の構造について説明する。
【0029】
図3は、放熱用基板の構造例を示す。
【0030】
この放熱用基板は、薄膜樹脂絶縁層13と金属板14とからなる積層板15によって構成される。
【0031】
金属板14は、アルミ板,銅板,鉄板、又は、その他の金属板からなる。薄膜樹脂絶縁層13は、樹脂材料からなる。この薄膜樹脂絶縁層13を金属板14に積層することによって、積層板15が構成される。
【0032】
以下、この積層板15の作製方法について説明する。
【0033】
まず、薄膜樹脂絶縁層13と金属板14との接着性を得るために、金属板14の接着面は、凹凸を形成するための粗化処理が行われる。
【0034】
この粗化処理は、金属板14がアルミ板からなる場合は、アルマイト処理にて微細な空孔を形成することによってなされ、また、金属板14が銅板からなる場合は、黒化処理と呼ばれる微細な針状酸化物を形成させて凹凸を形成することによってなされる。この黒化処理の他にも、マイクロエッチングと呼ばれる銅表面を数μm凹状にエッチングする方法でも十分な接着力が得られる。
【0035】
次に、これらの粗化処理を行った金属板14に対して、薄膜樹脂絶縁層13を張り付けることによって、積層板15を作製する。
【0036】
この張り付けの方法としては、別途ポリエチレンシート等のキャリアーシートに樹脂(エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等)を塗工し、いわゆるBステージ(液状の樹脂に熱を加えてある程度固化させる処理)まで乾燥させたプリプレグ状のものを金属板14に加熱真空プレス機で張り合わせて硬化させることによって行う。キャリア用のポリエチレンシートは、硬化後、剥離することによって取り外せる。
【0037】
また、他の張り付け方法として、予めエポキシ樹脂やポリイミド樹脂でシート状に成形されたBステージのボンディングシートと呼ばれるものを直接金属板14に重ね、同様に、加熱真空プレス機で張り合わせて硬化させることによって行うことも可能である。
【0038】
さらに、他の張り付け方法として、液状の樹脂を金属板14に直接塗工し、成形用のステンレス板を介して加熱真空プレス機で張り合わせることによっても行うことができる。
【0039】
これらいずれかの張り付け方法によって薄膜樹脂絶縁層13を形成してもよいが、その厚みは40μmから200μmの間が好ましい。40μm未満の厚みになると絶縁破壊電圧が低くなり、絶縁性が得られなくなるからである。また、200μmを超える厚みになると、熱抵抗が大きくなり、リアクトルL21からの発熱を効率良く放散させることができなくなる。
【0040】
(放熱容器)
次に、ノイズフィルタを収納する放熱容器について説明する。
【0041】
図4は、成形された積層板15を所定の面積に切断して、4辺を所定の深さに折り曲げて加工した放熱容器の構造を示す。
【0042】
このようにして折り曲げて構成された積層板15内に、伝導ノイズ用フィルタ部品が収納されることになる。この場合、折り曲げはプレス機を用いて行うことができる。折り曲げた側面の角部には隙間ができるので、例えば、シリコーン系樹脂等で目止めを行う。
【0043】
(ノイズフィルタモジュール)
図5は、図4の折り曲げ加工した積層板15を用いて構成されるノイズフィルタモジュール2の構造を示す。
【0044】
ノイズフィルタモジュール2は、折り曲げ加工した積層板15内に、リアクトルL21,接地コンデンサCy22,相間コンデンサCx23等のノイズフィルタ用素子を配設し、樹脂絶縁材16で封止することによって構成される。
【0045】
ノイズフィルタ用のリアクトルL21は、リード線を上部に向けることによって他の回路と接続が可能である。
【0046】
ここで、熱の発生源となるリアクトルL21を放熱容器である積層板15内に収納するに際して、その積層板15の熱膨張係数と、封止用の樹脂絶縁材16の熱膨張係数とを、略同等の値に設定する。ただし、ここでいう、略同等とは、同等な値を含むものとする。
【0047】
具体的には、積層板15を構成する金属板14の熱膨張係数と、樹脂絶縁材16の熱膨張係数とを、同等若しくはできる限り同等に近い値に設定する。例えば、金属板14としてアルミニウムを使用した場合には、その熱膨張係数は23×10-6(℃-1)であるため、樹脂絶縁材16の熱膨張係数もそのアルミニウムの値に近い特性をもつ材料を使用する。また、例えば、金属板14として銅を使用した場合には、その熱膨張係数は16×10-6(℃-1)であるため、樹脂絶縁材16の熱膨張係数もその銅の値に近い特性をもつ材料を使用する。
【0048】
このように樹脂絶縁材16を用いて積層板15内に伝導ノイズ用フィルタ部品を樹脂封止することにより、以下のような利点がある。
【0049】
リアクトルL21のロスにより発生する熱を、樹脂絶縁材16中に効率良く分散させることができる。
【0050】
すなわち、リアクトルL21に巻回されている電線には、通常ポリウレタン等の樹脂により被覆されたエナメル電線を用いる。ただし、エナメル線の被覆は薄く絶縁性がなくそれを接地される金属面に直接接するわけにはいかない。しかし、本積層板15は、適切な絶縁耐圧が得られる薄膜樹脂絶縁層13を用いているので、直接エナメル電線を置いても、絶縁性は何ら問題とならない。逆に、薄膜樹脂絶縁層13に直接リアクトルL21を接することにより、ロスにより発生する熱を効率よく金属板14側に放散させることができる。
【0051】
また、各リード線80を樹脂材により固定することができ、他の回路との配線時等の外力に耐えることが可能となり、変形等も生じない。
【0052】
さらに、積層板15、特に金属板14の熱膨張係数と、樹脂絶縁材16の熱膨張係数とを略同等としたことにより、熱の上昇による剥がれやクラック等を無くすことができる。
【0053】
(電力変換装置)
図1は、電力変換装置の構成例を示す。
【0054】
放熱フィン11上には、図5のノイズフィルタモジュール2と、主回路モジュール10とが直接搭載されている。
【0055】
また、放熱フィン11の周辺部に設けられた支柱41の上端部には、制御基板9がネジ等によって固定されている。この制御基板9には、DC−DCコンバータ90、制御回路100等が搭載されている。
【0056】
制御基板9は、各種の制御等を行う電子部品を搭載したプリント基板(ガラエポ基板等)により構成されている。この制御基板9は、接続用ピン42を介して、ノイズフィルタモジュール2および主回路モジュール10と電気的に接続されている。
【0057】
このような構造とすることにより、以下の利点が得られる。
【0058】
(1)ノイズフィルタモジュール2は、放熱フィン11に直接接しているので、リアクトルL21で発生した熱を下方の放熱フィン11側に効率よく放散させることができる。
【0059】
これにより、ノイズフィルタモジュール2内で熱が発生しても、ケース12内の雰囲気温度の上昇を従来の構造に比べて極力抑えることができる。また、これに伴い、他の部品も耐熱対策を緩和させることができるため、高価な部品や耐熱用の余分な部材を具備する必要がなくなり、部品コストを抑えることができる。
【0060】
(2)ケース12内の空間部には、制御基板9が設けられているだけであり、従来の図8に示した3段構成に比べて、極めて単純な構造とすることができる。
【0061】
これにより、組み付け工程を大幅に簡略化できるため、作業効率を改善し、歩留まりを向上させることができる。また、プリント基板の枚数を半分以下に削減できることから、部品点数を大幅に削減することができ、製造コストを大幅に抑えることができる。さらに、従来の3段構成を2段構成にできることから、ケース12の高さを抑えることができ、スペース的にも小型化を図ることができる。
【0062】
(回路構成)
図2は、図1の電力変換装置の電気的な回路構成を示す。
【0063】
電力変換装置は、ノイズフィルタモジュール2と、主回路モジュール10と、制御基板9との3つの回路部に大別される。
【0064】
ノイズフィルタモジュール2は、3相交流電源1と入力端子R,S,Tを介して3本の電力ラインにそれぞれ直列に接続されたリアクトルL21と、接地コンデンサCy22と、相間コンデンサCx23とからなる。
【0065】
このノイズフィルタモジュール2は、インバータ等の電力変換器を構成する半導体スイッチ素子のスイッチング動作に伴って発生するスイッチングノイズ等の高調波ノイズ成分を濾波する機能をもつ。
【0066】
主回路モジュール10は、ノイズフィルタ2に接続された整流回路3と、整流回路3の一対の出力端子間に接続された平滑用コンデンサ4と、この平滑用コンデンサ4に接続されたインバータ回路5とからなっている。
【0067】
インバータ回路5は、例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)からなるスイッチング素子51を有し、各素子はオン,オフ制御される。なお、電気機器、ここではインバータ回路5の負荷として、三相誘導電動機(モータ)6が接続されている。
【0068】
制御回路9は、DC−DCコンバータ90、各種の信号処理や制御を行うCPU、ROM、RAM等を含む制御回路100等からなっている。
【0069】
DC−DCコンバータ90は、整流回路3の出力端子と接続され、3相交流電源1の電力を整流した電力が入力される。このDC−DCコンバータ90により所定の値に変換された電力は、制御回路100に供給される。
【0070】
制御回路100は、インバータ回路5のスイッチング素子51のゲート端子に接続されている。この制御回路100からの制御信号に基づいて、スイッチング素子51がオン,オフ制御され、これにより、パルス幅変調(PWM)された出力電圧V0が出力端子U,V,Wから出力され、三相誘導電動機6が回転する。
【0071】
[第2の例]
次に、本発明の第2の実施の形態を、図6および図7に基づいて説明する。なお、前述した第1の例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【0072】
本例では、所定の放熱性および絶縁性を有する放熱容器としての積層板15の構造を変えた場合の例である。
【0073】
(第1の変形例)
第1の変形例を、図6に基づいて説明する。
図6において、積層板15は、放熱フィン11の全面に渡って形成されている。この積層板15は、その中央部分で仕切り板200によって、2つの部屋110,120に仕切られている。
【0074】
積層板15内の一方の部屋110には、リアクトルL21と、接地コンデンサCy22と、相間コンデンサCx23とからなるノイズフィルタモジュール2の各部品が収納されており、樹脂絶縁材16によって封止されている。
【0075】
積層板15内の他方の部屋120には、整流回路3と、平滑用コンデンサ4と、インバータ回路5とからなる主回路モジュール10の各部品が収納されており、シリコーンゲル70によって封止されている。
【0076】
このように積層板15を底面部で共通化した構造としたことにより、放熱面積を広くとることができると共に、部品の共通化を図って部品点数を削減することが可能となる。従って、組み付け工程の簡略化と、生産コストを一層低減することができる。
【0077】
(第2の変形例)
第2の変形例を、図7に基づいて説明する。
【0078】
この例では、積層板15を、底面部のみならずその周辺側面部も共通化して一体に構成したものである。
【0079】
このような一体構造により、放熱面積を底面のみならず側面まで一段と広げることができ、部品点数もさらに削減することができる。
【0080】
[第3の例]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【0081】
本例は、積層板15の構成材料についての例である。
【0082】
リアクトルL21で発生した熱を効率よく薄膜樹脂絶縁層13を介して金属板14に伝えるには、薄膜樹脂絶縁層13の熱伝導率ができるだけ高い方が有効である。
【0083】
そこで、本例では、薄膜樹脂絶縁層13として、樹脂材と無機充填材とを適宜配合した材料を用いる。樹脂材には、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂をベースとした材料を用いる。無機充填材には、石英,アルミナ,窒化硼素,窒化アルミ,酸化珪素,酸化マグネシウム等若しくはそれらの混合物を用いる。
【0084】
これらの材料から形成される薄膜樹脂絶縁層13の熱伝導率は1.0〜10W/m・Kの範囲、好ましくは、1.0〜7W/m・Kの範囲のものを用いるのが好ましい。
【0085】
なお、無機充填材を含んだ薄膜樹脂絶縁層13を折り曲げると、クラックが生じてしまうが、ノイズフィルタ2用のリアクトルL21,接地コンデンサCy22,相間コンデンサCx23等の各素子は、折り曲げ部分からは十分に離れており、絶縁不良などの不具合の心配はない。
【0086】
[第4の例]
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【0087】
本例は、積層板15を構成する薄膜樹脂絶縁層13の折り曲げ部分に、クラックが生じないよう可とう性のある樹脂材を使用する場合の例である。
【0088】
可とう性のある樹脂材としては、エポキシ系やポリイミド系の無機充填材を含有していないボンディングシートを用いる。
【0089】
無機充填材を含有しないと熱伝導率が小さくなるので、絶縁層の厚みは40μm〜75μmが適しており、好ましくは40μm〜50μmの範囲である。40μm以下の厚みになると絶縁信頼性が得られなくなり、また、75μmを超えると熱抵抗が高くなり、好ましくない。
【0090】
[第5の例]
次に、本発明の第5の実施の形態について説明する。なお、前述した各例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
【0091】
本例は、ノイズフィルタモジュール2の封止用部材として用いられる樹脂絶縁材16の構成材料についての例である。
【0092】
石英,アルミナ,窒化硼素,窒化アルミ,酸化珪素,酸化マグネシウム等の無機充填材、若しくは、それらの混合物の無機充填材を、エポキシ樹脂,ウレタン樹脂,シリコーン樹脂等の樹脂材に添加することによって、高熱伝導性の樹脂絶縁材16を作製する。
【0093】
この場合、樹脂絶縁材16の熱伝導特性として、例えば熱伝導率は、1.0〜10W/m・Kの範囲、好ましくは、1.0〜7W/m・Kの範囲のものを用いるのが好ましい。
【0094】
熱伝導率の高い樹脂絶縁材16を用いることにより、ノイズフィルタ2用のリアクトルL21,接地コンデンサCy22,相間コンデンサCx23等の各素子から発生する熱を、特に、リアクトルL21から発生する熱を全体に分散させることができる。
【0095】
このように全体に分散した熱は、積層板15を介して放熱フィン11に放散させることができる。分散させた結果、発熱密度を低減でき、単位面積当たりの熱抵抗を小さくすることができる。
【0096】
また、樹脂絶縁材16は、熱応力による歪みを生じさせないために、熱膨張係数はリアクトルL21にフェライトコアを用いる場合はそれに合わせることが必要である。高熱伝導率を得るための無機充填材を添加させることは、熱膨張係数を下げることができるので、同時に熱応力の低減にもつながる。
【0097】
絶縁樹脂16の充填は、常圧下又は1〜150(Torr)[=133〜19.95×103(Pa)]の減圧下で行う。好ましくは、1〜50(Torr)[=133〜6.65×103(Pa)]の減圧下で行った方が、リアクトルL21等と積層板15の間の隙間にボイドが残留しにくく、好適である。
【0098】
なお、上記各例では、電気機器として、三相誘導電動機6を使用した例について説明したが、これに限るものではなく、例えば、誘導加熱コイル、スイッチング電源、無停電電源装置(UPS:Uninterruptible Power System)等にも応用できるものである。
【0099】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する樹脂絶縁材を用いてノイズフィルタ部を封止して収納し、該ノイズフィルタ部が収納された放熱容器と、駆動部とを、放熱用フィン上に直接取り付けて搭載したので、熱発生源であるノイズフィルタにより発生する熱を放熱容器を介して放熱用フィン側に効率よく放散させ、密閉されたケース内部の雰囲気温度の上昇を極力抑えることができると共に、必要な絶縁性も同時に確保することができ、これにより、単純な構成で組み付けを簡素化すると共に、安価で小型なノイズフィルタを搭載した電力変換装置を作製することができる。
【0100】
また、本発明によれば、放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する第1の樹脂絶縁材を用いてノイズフィルタ部を封止し、かつ、第2の樹脂絶縁材を用いて駆動部を封止して一体に収納し、ノイズフィルタ部および駆動部が一体に収納された放熱容器を、放熱用フィン上に直接取り付けて搭載したので、放熱用フィン側に一段と効率よく放散させることができると共に、部品の共通化によって組み付けがさらに簡素化され、より一層安価で小型なノイズフィルタを搭載した電力変換装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態である、ノイズフィルタモジュールが収納された放熱容器を放熱フィン上に直接搭載した電力変換装置の構成を示す断面図である。
【図2】図1の電力変換装置における電気回路の構成を簡略化して示す回路図である。
【図3】積層板の構造を示す断面図である。
【図4】積層板を箱状に折り曲げ加工した放熱容器の構造を示す断面図である。
【図5】積層板からなる放熱容器内にノイズフィルタモジュールを収納して樹脂絶縁材で封止した構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態における第1の変形例を示すものであり、ノイズフィルタモジュールおよびモータ駆動部が一体に収納された放熱容器を放熱フィン上に直接搭載した電力変換装置の構成を示す断面図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態における第2の変形例を示すものであり、ノイズフィルタモジュールおよびモータ駆動部が一体に収納された放熱容器を放熱フィン上に直接搭載した電力変換装置の構成を示す断面図である。
【図8】従来のノイズフィルタ用部品等をプリント基板上に実装した断面図である。
【図9】従来のノイズフィルタ用部品等をプリント基板上に実装した斜視図である。
【図10】ノイズフィルター用部品等が実装されたプリント基板を電力変換装置内に搭載した従来の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 交流電源
2 ノイズフィルタモジュール
3 整流回路
4 平滑用コンデンサ
5 インバータ回路
6 三相誘導電動機
7 プリント基板
8 ノイズフィルタ基板
9 制御基板
10 主回路モジュール
11 放熱フィン
12 ケース
13 薄膜樹脂絶縁層
14 金属板
15 積層板
16 樹脂絶縁層
21 リアクトル
22 接地コンデンサ
23 相間コンデンサ
41 支柱
42 接続用ピン
43 端子ブロック
44 金属ベース基板
51 スイッチング素子
60 放熱プレート
70 シリコーンゲル
100 制御回路
110,120 部屋
200 仕切り板

Claims (7)

  1. 電源から供給される電力を変換して電気機器を制御する電力変換装置であって、
    装置本体から発生するノイズ成分を除去するノイズフィルタ部と、
    前記電源から前記ノイズフィルタ部を介して供給される電力の整流機能、および、前記電気機器を制御する機能を有する駆動部と、
    薄膜樹脂絶縁層と金属板とが積層された基板により構成され、所定の熱伝導特性および絶縁特性を有する放熱容器と、
    放熱用基板と
    を具え、
    前記放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する樹脂絶縁材を用いて前記ノイズフィルタ部を封止して収納し、
    前記ノイズフィルタ部が収納された前記放熱容器と、前記駆動部とを、前記放熱用フィン上に直接取り付けたことを特徴とする電力変換装置。
  2. 電源から供給される電力を変換して電気機器を制御する電力変換装置であって、
    装置本体から発生するノイズ成分を除去するノイズフィルタ部と、
    前記電源から前記ノイズフィルタ部を介して供給される電力の整流機能、および、前記電気機器を制御する機能を有する駆動部と、
    薄膜樹脂絶縁層と金属板とが積層された基板により構成され、所定の熱伝導特性および絶縁特性を有する放熱容器と、
    放熱用基板と
    を具え、
    前記放熱容器内に、該放熱容器の薄膜樹脂絶縁層の熱伝導特性と略同等の熱伝導特性を有する第1の樹脂絶縁材を用いて前記ノイズフィルタ部を封止し、かつ、第2の樹脂絶縁材を用いて前記駆動部を封止して一体に収納し、
    前記ノイズフィルタ部および前記駆動部が一体に収納された前記放熱容器を、前記放熱用フィン上に直接取り付けたことを特徴とする電力変換装置。
  3. 前記放熱容器は、前記薄膜樹脂絶縁層と前記金属板とが積層された基板の4辺を折り曲げることによって箱状の容器として構成したことを特徴とする請求項1又は2記載の電力変換装置。
  4. 前記ノイズフィルタ部および前記駆動部に接続され、前記電気機器を制御するための信号処理を行う信号処理部をさらに具え、
    前記信号処理部は、前記放熱用フィンの周辺部に立設された支持体の上部に取り付けられたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の電力変換装置。
  5. 前記放熱容器を構成する前記薄膜樹脂絶縁層は、高熱伝導特性を有する部材からなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の電力変換装置。
  6. 前記放熱容器を構成する前記薄膜樹脂絶縁層は、折り曲げが可能な可とう性の部材を有する樹脂シートからなることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の電力変換装置。
  7. 前記樹脂絶縁材は、高熱伝導特性を有する部材からなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の電力変換装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4517774B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-04 株式会社安川電機 ノイズフィルタ装置およびノイズフィルタ装置装着インバータ装置
JP4850564B2 (ja) * 2006-04-06 2012-01-11 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP4931458B2 (ja) 2006-04-06 2012-05-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5470730B2 (ja) * 2008-03-26 2014-04-16 富士電機株式会社 電力変換装置
JP5332264B2 (ja) * 2008-03-28 2013-11-06 株式会社デンソー 電力変換装置
JP5314933B2 (ja) * 2008-06-02 2013-10-16 本田技研工業株式会社 電力変換装置
JP4937326B2 (ja) * 2009-09-30 2012-05-23 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP5915350B2 (ja) 2012-04-19 2016-05-11 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール
WO2014080462A1 (ja) * 2012-11-21 2014-05-30 三洋電機株式会社 電力変換装置
JP5885773B2 (ja) * 2014-04-29 2016-03-15 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP6701637B2 (ja) * 2015-07-21 2020-05-27 ダイキン工業株式会社 インバータ装置
DE102015219979A1 (de) 2015-10-14 2017-04-20 Conti Temic Microelectronic Gmbh Entstörmodul für einen elektrisch kommutierten Elektromotor, Verfahren zur Herstellung eines Entstörmoduls und Fahrzeug mit einem solchen Entstörmodul
TW201743677A (zh) * 2016-06-14 2017-12-16 台達電子工業股份有限公司 電子裝置之防電磁干擾設置
JP6341971B2 (ja) * 2016-10-25 2018-06-13 伸▲よし▼ 杉谷 トーテムポール回路のパワー素子接続構造
DE102017111396B4 (de) * 2017-05-24 2020-08-06 Hanon Systems Anordnung zur aktiven Unterdrückung von Störsignalen
JP6486443B1 (ja) * 2017-10-18 2019-03-20 三菱電機株式会社 電力変換装置
CN118019293A (zh) * 2018-04-25 2024-05-10 松下汽车电子系统株式会社 电源装置
JP7053382B2 (ja) * 2018-06-13 2022-04-12 新電元工業株式会社 電力変換装置
JP7051602B2 (ja) * 2018-06-13 2022-04-11 新電元工業株式会社 電力変換装置
FR3083421B1 (fr) * 2018-06-28 2021-05-21 Valeo Siemens Eautomotive France Sas Equipement electrique comprenant un dispositif de plaque support de dissipation
JPWO2023002623A1 (ja) * 2021-07-21 2023-01-26

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014175062A1 (ja) 2013-04-24 2014-10-30 富士電機株式会社 パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器
US9373555B2 (en) 2013-04-24 2016-06-21 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module, method for manufacturing the same, and power converter

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