JPWO2014103036A1 - 半導体装置、自動車 - Google Patents

半導体装置、自動車 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014103036A1
JPWO2014103036A1 JP2014554025A JP2014554025A JPWO2014103036A1 JP WO2014103036 A1 JPWO2014103036 A1 JP WO2014103036A1 JP 2014554025 A JP2014554025 A JP 2014554025A JP 2014554025 A JP2014554025 A JP 2014554025A JP WO2014103036 A1 JPWO2014103036 A1 JP WO2014103036A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control signal
temperature
electrode
semiconductor element
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014554025A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6339022B2 (ja
Inventor
光徳 愛甲
光徳 愛甲
慎太郎 荒木
慎太郎 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2014103036A1 publication Critical patent/JPWO2014103036A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6339022B2 publication Critical patent/JP6339022B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04034—Bonding areas specifically adapted for strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73263—Layer and strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

ゲートを有し、ゲート電圧により制御される半導体素子と、該ゲート電圧を制御するゲート駆動回路と、該半導体素子と接続され、該半導体素子の主電流が流れる電極と、該電極の温度を検出する温度検出部と、該温度検出部で検出した温度に基づき、該電極の温度が予め定められた温度を超えない範囲で該半導体素子に最大の通電量を与える第１制御信号を生成する生成部と、該第１制御信号と、該ゲート電圧を制御するために外部から伝送された第２制御信号とを比較し、該電極の温度を抑制できる方の制御信号である選択制御信号を選択する比較部と、を備える。そして、該ゲート駆動回路は該選択制御信号に従い該ゲート電圧を制御する。

Description

この発明は、高電圧、大電流のスイッチングなどに用いられる半導体装置及びその半導体装置を備えた自動車に関する。
特許文献１には、はんだ等により絶縁基板に半導体素子、コレクタ電極、エミッタ電極、及びゲート電極を接合した電力用パワー半導体モジュールが開示されている。この電力用パワー半導体モジュールは、熱電対により半導体素子及び各部品の温度を測定し、測定された温度の変化から接合界面の劣化及び装置の冷却状況を把握するものである。接合界面に亀裂が発生進展すると熱抵抗が増大し温度の上昇が起こる。従って温度の上昇の度合を測定することによって亀裂の進行状況がわかる。
日本特開平０７−０１４９４８号公報
特許文献１に開示の構成では、半導体素子と電極が高温になる可能性がある。半導体素子にヒートシンクなどを取り付けることで半導体素子の放熱は容易に達成できる。しかしヒートシンクを取り付けていない電極の放熱は容易ではない。また、半導体装置において、電極の大部分は樹脂に覆われるので電極及びその周辺に熱がたまりやすい。従って、電極の温度を予め定められた規格値以下に保つためには、電極のサイズを大きくしなければならない問題があった。
本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、電極の温度を規格値以下に保ちつつ、電極を小型化できる半導体装置及びその半導体装置を備えた自動車を提供することを目的とする。
本願の発明にかかる半導体装置は、ゲートを有し、ゲート電圧により制御される半導体素子と、該ゲート電圧を制御するゲート駆動回路と、該半導体素子と接続され、該半導体素子の主電流が流れる電極と、該電極の温度を検出する温度検出部と、該温度検出部で検出した温度に基づき、該電極の温度が予め定められた温度を超えない範囲で該半導体素子に最大の通電量を与える第１制御信号を生成する生成部と、該第１制御信号と、該ゲート電圧を制御するために外部から伝送された第２制御信号とを比較し、該電極の温度を抑制できる方の制御信号である選択制御信号を選択する比較部と、を備える。そして、該ゲート駆動回路は該選択制御信号に従い該ゲート電圧を制御する。
本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
この発明によれば、検出した電極温度に基づき、電極の温度が規格値を超えないように制御信号を変えるので、電極の温度を規格値以下に保ちつつ、電極を小型化できる。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の図である。 樹脂の内部を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作を示すフローチャートである。 温度検出部の取り付け位置の変形例を示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の図である。 本発明の実施の形態４に係る自動車の図である。
本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の図である。この半導体装置は、基板１０を備えている。基板１０は例えばヒートスプレッダで形成されている。基板１０の上には例えばはんだで半導体素子１２が固定されている。半導体素子１２は表面にゲート１２ａとエミッタ１２ｂを有するＩＧＢＴで形成されている。基板１０上の半導体素子１２の横には例えばはんだで、還流ダイオードとして機能するダイオード１４が固定されている。ダイオード１４は表面電極１４ａを有している。
ゲート１２ａにはワイヤ２０を介してゲート電極２２が接続されている。ゲート電極２２はワイヤ２４を介してゲート駆動回路２６に接続されている。ゲート駆動回路２６は、ゲート１２ａのゲート電圧を制御する部分である。半導体素子１２は、このゲート電圧により制御される。
エミッタ１２ｂと表面電極１４ａには例えばはんだで電極３０が固定されている。電極３０には半導体素子１２の主電流が流れる。電極３０は、主電流経路から分岐した分岐部３０ａを有している。分岐部３０ａには温度検出部４０が取り付けられている。温度検出部４０は電極３０の温度を検出する熱電対で形成されている。基板１０には電極３２が固定されている。電極３２は、基板１０を介して半導体素子１２の裏面のコレクタと電気的に接続されている。
半導体素子１２、ダイオード１４、ゲート電極２２、及び電極３０、３２は、ゲート電極２２の一部、及び電極３０、３２の一部を外部に露出させるように樹脂５０で覆われている。電極３０、３２は外部のバスバーとの接続のために樹脂５０の外に伸びている。また、前述の分岐部３０ａ及び温度検出部４０は樹脂５０の外に露出している。
温度検出部４０には、ワイヤ４２を介して制御部６０が接続されている。制御部６０は、生成部６０ａ、比較部６０ｂ、及び出力部６０ｃを備えている。生成部６０ａは、温度検出部４０で検出した温度に基づき、電極３０の温度が予め定められた温度（規格値）を超えない範囲で半導体素子１２に最大の通電量を与える第１制御信号を生成する部分である。制御信号とは、半導体素子１２の通電時間を決めるものであり、例えば、アームで達成されるべきデューティ比及びスイッチングに関する信号である。
制御部６０には、ワイヤ６２を介して上位システム７０が接続されている。上位システム７０は、ゲート電圧を制御するための第２制御信号を制御部６０へ伝送する部分である。この上位システム７０は必ずしも本発明の実施の形態１に係る半導体装置に含める必要はない。つまり、制御部６０が「外部」から信号を受信できれば上位システム７０は必須ではない。以下の実施の形態でも同様である。比較部６０ｂは、第１制御信号と第２制御信号とを比較し、電極３２の温度を抑制できる方の制御信号を選択する部分である。比較部６０ｂで選択された制御信号を「選択制御信号」と称する。出力部６０ｃは、この選択制御信号をゲート駆動回路２６に伝送する部分である。
図２は、樹脂５０の内部を示す断面図である。半導体素子１２は裏面にコレクタ１２ｃを有している。ダイオード１４は裏面に裏面電極１４ｂを有している。コレクタ１２ｃと裏面電極１４ｂは例えばはんだで基板１０の表面に固定されている。基板１０の裏面には絶縁シート８０が貼り付けられている。基板１０の裏面にはこの絶縁シート８０を介して銅箔８２が固定されている。銅箔８２には、例えばはんだ付け、超音波接合、ロウ付け、溶接、又は接着剤などでヒートシンクが固定されることが好ましい。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作について説明する。図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作を示すフローチャートである。まず、温度検出部４０で電極３０の温度を検出する（ステップＳ１）。温度検出部４０は熱電対であるので、ワイヤ４２を介して熱起電力（電圧信号）が制御部６０に伝送される。
次いで、検出した温度（熱起電力）を生成部６０ａでデジタル変換する（ステップＳ２）。次いで、デジタル変換された熱起電力に基づき生成部６０ａが、第１制御信号を生成する（ステップＳ３）。ここで、生成部６０ａは、生成部６０ａに記憶された電極３０の形状等のデータ（以後、形状モデルと称する）を利用して第１制御信号を演算する。形状モデルに含まれるパラメータとしては、例えば、基板１０の厚み、並びに電極３０の厚さ、幅、及び長さなどがある。前述のとおり第１制御信号は、電極３０の温度が規格値を超えない範囲で半導体素子１２に最大の通電量を与える信号である。
次いで、比較部６０ｂが第１制御信号と第２制御信号を比較して、電極３２の温度を抑制できる方の制御信号（選択制御信号）を選択する（ステップＳ５）。次いで、出力部６０ｃが、この選択制御信号をゲート駆動回路２６に伝送する（ステップＳ６）。そして、ゲート駆動回路２６は選択制御信号に従いゲート電圧を制御する。
次いで、新たな第２制御信号が出されていれば再度上記の工程を実施し、新たな制御信号が出されていなければ処理を終了する（ステップＳ７）。このような一連の動作は、少なくとも上位システム７０から制御部６０へ第２制御信号が送られてくるたびに実施する。より好ましい動作は、温度検出部４０が電極３０の温度を継続的に検出することで常に第１制御信号を更新し続け、最新の第１制御信号と第２制御信号とを比較することである。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置によれば、上位システム７０から出された第２制御信号が電極３０の温度を規格値より高めるものである場合には第２制御信号を採用せず、第１制御信号にて半導体素子１２を制御できる。第２制御信号を選択せず第１制御信号を選択することは、実質的には第２制御信号の通電量を削減することに等しい。このようにして、電極３０の温度を規格値以下に保つことができる。そして、本発明では小型の電極３０を用いることを前提としているので、当該小型の電極３０の規格値を設定しておくことで、電極の温度が規格値を超えることを防止できる。従って、電極の温度を規格値以下に保ちつつ、電極を小型化できる。
ところで生成部６０ａで生成する第１制御信号は、可能な限り上位システム７０の所望の制御を実現できるように、規格値を超えない範囲で半導体素子に最大の通電量を与えるものであることが好ましい。従って、第１制御信号は精度よく生成されなければならない。本発明の実施の形態１に係る半導体装置では生成部６０ａに記憶された形状モデルを用いて第１制御信号を生成しているので、電極３０の温度の予測精度が高い。よって精度よく第１制御信号を生成できる。
本発明の実施の形態１では、形状モデルを用いて第１制御信号を生成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、生成部６０ａは、電極温度に対応する第１制御信号を記憶したマップデータを利用して第１制御信号を生成してもよい。この場合、マップデータを用いて電極温度から即座に第１制御信号を生成できるので演算が不要となる。よって、処理を迅速化できる。
図４は、温度検出部の取り付け位置の変形例を示す断面図である。この半導体装置は、樹脂５０内で電極３０に接続され、一部が樹脂５０の外部に露出する金属部９０を備えている。また、金属部９０の樹脂５０の外部に露出した部分を接点とするソケット９２を備えている。さらに、温度検出部９４はソケット９２に挿入できる形状となっている。このようにすると、温度検出部９４をソケット９２に挿入するだけで容易に電極３０の温度を検出できる。なお、ソケット９２を省略して金属部９０に温度検出部を固定してもよい。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置は、半導体素子１２の主電流が流れる電極の温度を測定するものである。従って、温度検出部は、分岐部３０ａ、又はソケット９２内の金属部９０に限らず、主電流が流れる電極のどこかに取り付けられればよい。
温度検出部４０は温度検出が可能なものであれば特に熱電対に限定されない。例えば、温度検出部４０はサーマルダイオードで形成してもよい。半導体素子１２はゲート電圧でオンオフを制御するものであれば特にＩＧＢＴに限定されない。例えば、半導体素子１２としてパワーＭＯＳＦＥＴを利用してもよい。なお、上記の各変形は以下の実施の形態においても応用可能である。
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体装置は実施の形態１に係る半導体装置と一致点が多いので、実施の形態１に係る半導体装置との相違点を中心に説明する。図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の図である。この半導体装置は、電極３０に加えて半導体素子１２の温度も検出するものである。
半導体素子１２の表面には素子温度検出部１００が取り付けられている。素子温度検出部１００は例えば熱電対で形成されている。素子温度検出部１００にはワイヤ１０２を介して素子温度監視部１０４が接続されている。素子温度監視部１０４は、第３制御信号生成部１０４ａと出力部１０４ｂを備えている。第３制御信号生成部１０４ａは、素子温度検出部１００で検出した温度に基づき、半導体素子１２の温度が予め定められた温度（素子規格値）を超えない範囲で半導体素子１２に最大の通電量を与える第３制御信号を生成する部分である。出力部１０４ｂは第３制御信号を制御部６０へ伝送する部分である。
本発明の実施の形態２に係る半導体装置の動作を説明する。比較部６０ｂでは、第１制御信号と第２制御信号と第３制御信号を比較する。そして、これらの３つの制御信号のうち、電極３２の温度を最も抑制できる制御信号を選択制御信号として選択する。この選択制御信号は、半導体素子１２の温度を最も抑制できる制御信号でもある。
本発明の実施の形態２に係る半導体装置によれば、選択制御信号により半導体素子１２を制御することで、半導体素子１２の温度は素子規格値を超えず、かつ電極３０の温度は規格値を超えないようにすることができる。よって、実施の形態１と同様の効果を得つつ半導体素子１２の信頼性を確保することができる。
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体装置は実施の形態１に係る半導体装置と一致点が多いので、実施の形態１に係る半導体装置との相違点を中心に説明する。図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の図である。この半導体装置は、制御部１１０が実施の形態１と異なっている。
制御部１１０は、温度検出部４０で検出した温度に基づき、電極３０の温度が予め定められた温度（規格値）を超えないように、ゲート電圧を制御するために上位システム７０から伝送された制御信号の内容を変更する。この変更は、上位システム７０から制御部１１０へ伝送された制御信号が電極の温度を規格値より高めてしまうものである場合に行われる。具体的な変更内容は、例えば半導体素子１２の通電電流の削減又は通電時間（信号幅）の削減である。この削減量は温度検出部４０で検出した温度が高いほど大きくする。そして、ゲート駆動回路２６は制御部１１０で必要に応じて変更された制御信号に従いゲート電圧を制御する。
本発明の実施の形態３に係る半導体装置は、上位システム７０から伝送された制御信号をベースとしてこの制御信号を変更するので、制御部１１０の構成を簡素化しつつ、実施の形態１の半導体装置と同様の効果を得ることができる。
実施の形態４．
本発明の実施の形態４は自動車に関する。本発明の実施の形態４に係る自動車は実施の形態１の半導体装置を含む。図７は、本発明の実施の形態４に係る自動車の図である。この自動車はエンジン２００とモータ２０２の両方又は一方を用いて走行するハイブリッドカーである。モータ２０２は、インバータ２０４で制御される。インバータ２０４は、図１で説明した半導体装置を含む。より具体的には、例えば半導体素子１２が６つ並べられて３相交流インバータを形成している。そして、モータ２０２はインバータ２０４に含まれる半導体素子の主電流によって制御される。
インバータ２０４に対する高電圧はリレー２０６を介して高電圧電源２０８から供給される。ゲート駆動回路２６に対する低電圧は低電圧電源２１０から供給される。
ところで、自動車用パワーモジュールの通電電流パターンには、通常時に用いるパルス通電モードと、モータロック時に用いるＤＣ通電モードがある。ＩＧＢＴなどの半導体素子は温度センス機能によってその発熱を抑える設計がなされていることが多いので、サイズの最適化が容易であった。他方、電極（図１の電極３０、３２）を、ＤＣ通電モードのＤＣ電流をもとに設計すると、電極の大型化が避けられない問題があった。
ところが、本発明の実施の形態４に係る自動車によれば、ＤＣ通電モードのような大電流時に制御部６０の比較部６０ｂが第１制御信号を選択することで、電極温度を規格値以下に保つことができるので、電極を小型化できる。よって、自動車を小型化できる。なお、本発明の実施の形態４に係る自動車に、実施の形態２又は３の半導体装置を採用してもよい。
１０ 基板、 １２ 半導体素子、 １２ａ ゲート、 １２ｂ エミッタ、 １２ｃ コレクタ、 １４ ダイオード、 １４ａ 表面電極、 １４ｂ 裏面電極、 ２０，２４，４２，６２ ワイヤ、 ２２ ゲート電極、 ２６ ゲート駆動回路、 ３０，３２ 電極、 ３０ａ 分岐部、 ４０ 温度検出部、 ５０ 樹脂、 ６０ 制御部、 ６０ａ 生成部、 ６０ｂ 比較部、 ６０ｃ 出力部、 ７０ 上位システム、 ８０ 絶縁シート、 ８２ 銅箔、 ９０ 金属部、 ９２ ソケット、 ９４ 温度検出部、 １００ 素子温度検出部、 １０４ 素子温度監視部、 １０４ａ 第３制御信号生成部、 １０４ｂ 出力部、 １１０ 制御部、 ２００ エンジン、 ２０２ モータ、 ２０４ インバータ

Claims (8)

  1. ゲートを有し、ゲート電圧により制御される半導体素子と、
    前記ゲート電圧を制御するゲート駆動回路と、
    前記半導体素子と接続され、前記半導体素子の主電流が流れる電極と、
    前記電極の温度を検出する温度検出部と、
    前記温度検出部で検出した温度に基づき、前記電極の温度が予め定められた温度を超えない範囲で前記半導体素子に最大の通電量を与える第１制御信号を生成する生成部と、
    前記第１制御信号と、前記ゲート電圧を制御するために外部から伝送された第２制御信号とを比較し、前記電極の温度を抑制できる方の制御信号である選択制御信号を選択する比較部と、を備え、
    前記ゲート駆動回路は前記選択制御信号に従い前記ゲート電圧を制御することを特徴とする半導体装置。
  2. 前記生成部は、前記電極の形状モデルを利用して前記第１制御信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記生成部は、前記電極の温度に対応する前記第１制御信号を記憶したマップデータを利用して前記第１制御信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体素子に取り付けられた素子温度検出部と、
    前記素子温度検出部で検出した温度に基づき、前記半導体素子の温度が予め定められた温度を超えない範囲で前記半導体素子に最大の通電量を与える第３制御信号を生成する第３制御信号生成部と、を備え、
    前記比較部では、前記第１制御信号と前記第２制御信号と前記第３制御信号を比較することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. ゲートを有し、ゲート電圧により制御される半導体素子と、
    前記ゲート電圧を制御するゲート駆動回路と、
    前記半導体素子と接続され、前記半導体素子の主電流が流れる電極と、
    前記電極の温度を検出する温度検出部と、
    前記温度検出部で検出した温度に基づき、前記電極の温度が予め定められた温度を超えないように、前記ゲート電圧を制御するために外部から伝送された制御信号の内容を変更する制御部と、を備え、
    前記ゲート駆動回路は前記制御部で変更された制御信号に従い前記ゲート電圧を制御することを特徴とする半導体装置。
  6. 前記電極は主電流経路から分岐した分岐部を有し、
    前記温度検出部は、前記分岐部に取り付けられたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 前記半導体素子と前記電極を、前記電極の一部を外部に露出させるように覆う樹脂と、
    前記樹脂内で前記電極に接続され、一部が前記樹脂の外部に露出する金属部と、
    前記金属部の前記樹脂の外部に露出した部分を接点とするソケットと、を備え、
    前記温度検出部は前記ソケットに挿入できる形状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置を備えた自動車。
JP2014554025A 2012-12-28 2012-12-28 半導体装置、自動車 Active JP6339022B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/084153 WO2014103036A1 (ja) 2012-12-28 2012-12-28 半導体装置、自動車

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014103036A1 true JPWO2014103036A1 (ja) 2017-01-12
JP6339022B2 JP6339022B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=51020186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014554025A Active JP6339022B2 (ja) 2012-12-28 2012-12-28 半導体装置、自動車

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9484927B2 (ja)
JP (1) JP6339022B2 (ja)
CN (1) CN104885218B (ja)
DE (1) DE112012007270B4 (ja)
WO (1) WO2014103036A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015200480A1 (de) * 2015-01-14 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung und Leistungsmodul
CN108496247B (zh) * 2016-01-29 2022-05-17 三菱电机株式会社 半导体装置
EP3489994B1 (en) * 2017-11-28 2020-08-26 Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V. Device and a method and a system for allowing the restoration of an interconnection of a die of a power module
JP7090044B2 (ja) * 2019-03-04 2022-06-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP7322654B2 (ja) 2019-10-15 2023-08-08 富士電機株式会社 半導体モジュール
WO2023042641A1 (ja) * 2021-09-17 2023-03-23 ローム株式会社 半導体装置、半導体装置の駆動装置、および、半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110866A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子装置
JP2005268496A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Denso Corp 半導体装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139561A (ja) 1984-07-31 1986-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 混成パワ−トランジスタ保護装置
JPH0682778B2 (ja) * 1988-01-08 1994-10-19 三菱電機株式会社 パワーモジユールなどの温度センス構造
JPH04196472A (ja) 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp 半導体装置
JPH06112425A (ja) 1992-09-25 1994-04-22 Fujitsu Ltd 集積回路装置
JPH0714948A (ja) 1993-06-15 1995-01-17 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
US6100728A (en) * 1995-07-31 2000-08-08 Delco Electronics Corp. Coil current limiting feature for an ignition coil driver module
DE59704999D1 (de) * 1996-09-18 2001-11-22 Infineon Technologies Ag Temperaturgeschütztes elektrisches schalter-bauelement
US6791063B2 (en) * 2002-11-19 2004-09-14 Illinois Tool Works Inc. Welding-type power supply with thermal management
JP2007502569A (ja) * 2003-08-12 2007-02-08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電力変換回路及び電力制御回路の動作及び回路
DE102004055908A1 (de) * 2003-11-21 2005-07-28 Denso Corp., Kariya Halbleiteranordnung mit einem Paar von Wärmeabstrahlplatten
TW200530566A (en) * 2004-03-05 2005-09-16 Hitachi Ind Equipment Sys Method for detecting temperature of semiconductor element and semiconductor power converter
JP2005252090A (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 半導体素子の温度検出方法及び電力変換装置
JP5014740B2 (ja) 2006-11-10 2012-08-29 株式会社豊田中央研究所 信頼性試験装置および信頼性試験方法
US8057094B2 (en) * 2007-11-16 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with temperature measurement
JP4580997B2 (ja) * 2008-03-11 2010-11-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP2009254158A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Motor Corp スイッチング装置
JP5443946B2 (ja) * 2009-11-02 2014-03-19 株式会社東芝 インバータ装置
DE102009054987A1 (de) * 2009-12-18 2011-06-22 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG, 79111 Verfahren zur Erzeugung von Wechselstromleistung
JP4950275B2 (ja) 2009-12-25 2012-06-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5278475B2 (ja) * 2011-03-28 2013-09-04 株式会社デンソー 情報伝達装置
DE102011007491A1 (de) 2011-04-15 2012-10-18 Robert Bosch Gmbh Steuervorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer durch einen Wechselrichter angesteuerten elektrischen Maschine
JP5304835B2 (ja) * 2011-04-20 2013-10-02 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置および画像形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110866A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子装置
JP2005268496A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Denso Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9484927B2 (en) 2016-11-01
DE112012007270T5 (de) 2015-10-08
JP6339022B2 (ja) 2018-06-06
CN104885218A (zh) 2015-09-02
WO2014103036A1 (ja) 2014-07-03
US20150333757A1 (en) 2015-11-19
CN104885218B (zh) 2018-01-05
DE112012007270B4 (de) 2019-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6339022B2 (ja) 半導体装置、自動車
JP6557517B2 (ja) 半導体集積回路装置および電子装置
US9935577B2 (en) Semiconductor device and fault detecting method
JP5622043B2 (ja) インバータ装置
JP4642081B2 (ja) 電動機制御装置の過温検知方式
JP4892032B2 (ja) 電力変換装置
ES2709898T3 (es) Convertidor para una máquina eléctrica con control de los contactos de los componentes semiconductores
JP6381764B1 (ja) 半導体パワーモジュール
JP2015033149A (ja) 半導体素子の駆動装置及びそれを用いた電力変換装置
JP2007049870A (ja) 電力用半導体モジュール
JP2009123804A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、電力制御装置、電子機器およびモジュール
JP2005354812A (ja) インバータ装置
JP2009296846A (ja) 車両用インバータ装置
JP7099938B2 (ja) パワー半導体装置
JP4366269B2 (ja) 半導体素子の温度検出方法及び電力変換装置
CN113939989B (zh) 电力转换装置、半导体芯片的寿命诊断装置及半导体芯片的寿命诊断方法
JP5194693B2 (ja) 半導体素子モジュール及び電力変換装置
JP2007081155A (ja) 半導体装置
JP2014228330A (ja) 半田クラック検出装置及び半田クラック検出方法
JP2011087401A (ja) 電子部品の温度検出装置及び車載電力素子の駆動制御装置
JP6973252B2 (ja) 電力変換装置
JP5151021B2 (ja) 電力用半導体素子の異常検出装置
JP7086511B2 (ja) 状態判定装置、及びエレベータ装置
JP2023111741A (ja) 電力変換装置、過熱判定装置及び過熱判定方法
JP5523541B2 (ja) サーボモータ制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161110

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20161118

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20170106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180509

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6339022

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250