JP6381764B1 - 半導体パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板の一の面にそれぞれダイボンド材を介して配設された複数の半導体素子と、絶縁基板の他の面に設けられた放熱板と、複数の半導体素子のうち1つの半導体素子に設けられた温度検出素子とを備え、温度検出素子を設けた半導体素子のダイボンド材と接する面から放熱板の絶縁基板と接しない他の面に至るまでの熱抵抗が、温度検出素子を設けていない半導体素子のダイボンド材と接する面から放熱板の絶縁基板と接しない他の面に至るまでの熱抵抗よりも大きくなるように構成した。
【選択図】図4
Description
図1は、半導体パワーモジュール1a〜1fを用いた電力変換装置であるインバータの主回路100の回路図である。主回路100は、合計6個の半導体パワーモジュール1a〜1fが設けられ、半導体パワーモジュール1a〜1fが備える温度検出素子3と接続される制御回路部101を有している。接続は、信号端子9により行われる。主回路100は、U相、V相、W相の3つの相で構成されている。各相は上アームと下アームの2つのアームで構成されており、それぞれのアームに、半導体パワーモジュールが設けられる。例えば、U相では上アームの半導体パワーモジュール1a、下アームの半導体パワーモジュール1bを備えている。半導体パワーモジュール1a〜1fは、それぞれ主回路配線8a、8bを備えている。主回路配線8a、8bは、半導体パワーモジュール1a〜1fの出力と入力に係る端子である。図1に示す回路図では、上アームを構成する半導体パワーモジュール1a、1c、1eの主回路配線8bと、下アームを構成する半導体パワーモジュール1b、1d、1fの主回路配線8aがコンデンサ102と接続される。また、上アームを構成する半導体パワーモジュール1a、1c、1eの主回路配線8aは、下アームを構成する半導体パワーモジュール1b、1d、1fの主回路配線8b、および駆動モータ103のU相、V相、W相と接続される。制御回路部101は、温度検出素子3で検出された温度に応じて、各半導体モジュールに入力する電力の制御を行う。具体的には、制御回路部101は、図示していないが電力変換装置の電源側と接続されており、例えば、各半導体モジュールに印加される電圧を低下させる。
図11は、本発明の実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1aの概略構成を示す断面図である。実施の形態1では、ダイボンド材をはんだ4、4aとし、温度検出素子3を半導体素子2aに内蔵した温度検出用のダイオードとしたが、実施の形態2においては、ダイボンド材をAgシンター17、17aとし、温度検出素子3にサーミスタを用いたものである。半導体素子2gは、温度検出素子3を内蔵せず、別体として設けられた温度検出素子3により、温度が検出される半導体素子である。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため、同一の符号を付して、説明を省略する。
図12は、本発明の実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1aの概略構成を示す断面図である。実施の形態3における半導体パワーモジュール1aは、ダイボンド材をAgシンター17、17bとし、半導体素子2gにおいてのみ、半導体素子2gの外形よりもAgシンター17bの外形を小さくしたものである。半導体素子2gは、温度検出素子3を内蔵せず、別体として設けられた温度検出素子3により、温度が検出される半導体素子である。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため、同一の符号を付して、説明を省略する。
図13は、本発明の実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1aの概略構成を示す断面図である。実施の形態4における半導体パワーモジュール1aは、図4の構成に加えて、制御用IC18、空隙部19を設けたものである。なお図13では、図4に示した信号端子9は不要となるため削除しており、その他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため、同一の符号を付して、説明を省略する。
Claims (15)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の一の面にそれぞれダイボンド材を介して配設された複数の半導体素子と、
前記絶縁基板の他の面に設けられた放熱板と、
前記複数の半導体素子のうち1つの半導体素子に設けられた温度検出素子とを備え、
前記温度検出素子を設けた半導体素子の前記ダイボンド材と接する面から前記放熱板の前記絶縁基板と接しない他の面に至るまでの熱抵抗が、温度検出素子を設けていない半導体素子のダイボンド材と接する面から前記放熱板の前記絶縁基板と接しない他の面に至るまでの熱抵抗よりも大きくなるように構成したことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記複数の半導体素子は、前記絶縁基板の一の面に設けられた導電性パターンに前記ダイボンド材を介して配設されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子を備えた半導体素子に接する前記ダイボンド材の熱抵抗が、他の前記半導体素子に接する前記ダイボンド材の熱抵抗よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子を備えた半導体素子に接する前記ダイボンド材の、前記絶縁基板もしくは前記導電性パターンと接合される面積が、他の前記半導体素子に接する前記ダイボンド材の面積よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子を備えた半導体素子に接する前記ダイボンド材の、前記半導体素子の厚み方向の高さが、他の前記半導体素子に接する前記ダイボンド材の高さよりも高いことを特徴とする請求項3に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記ダイボンド材は、はんだであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記ダイボンド材は、Agシンターであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記Agシンターの外周側面の少なくとも一面は、前記温度検出素子を備えた半導体素子の外周側面より内側に位置することを特徴とする請求項7に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子を備えた半導体素子に近接して、前記温度検出素子と接続された信号端子を設けたことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子は、半導体素子の内部に設けられたダイオードであることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子は、サーミスタであることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記温度検出素子の出力に応じて、前記半導体パワーモジュールの出力電力を抑制する制御用ICを設けたことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記複数の半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項13に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記放熱板の他の面に設けられた冷却器を備え、
前記冷却器が備える配管の内部を循環する冷媒は、前記温度検出素子を備えた半導体素子の下面を最後に通過することを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載した半導体パワーモジュール。
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CN112466819A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-09 | 浙江大学 | 一种带辅助绝缘衬底的功率半导体模块及制造方法 |
WO2023221970A1 (zh) * | 2022-05-18 | 2023-11-23 | 华为数字能源技术有限公司 | 功率模块、电源系统、车辆及光伏系统 |
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- 2017-10-20 JP JP2017203242A patent/JP6381764B1/ja active Active
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