JPWO2014030309A1 - 配線基板 - Google Patents

配線基板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014030309A1
JPWO2014030309A1 JP2013554712A JP2013554712A JPWO2014030309A1 JP WO2014030309 A1 JPWO2014030309 A1 JP WO2014030309A1 JP 2013554712 A JP2013554712 A JP 2013554712A JP 2013554712 A JP2013554712 A JP 2013554712A JP WO2014030309 A1 JPWO2014030309 A1 JP WO2014030309A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
base layer
layer
insulating layer
wall surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013554712A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5523641B1 (ja
Inventor
智弘 西田
智弘 西田
聖二 森
聖二 森
若園　誠
誠 若園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2013554712A priority Critical patent/JP5523641B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5523641B1 publication Critical patent/JP5523641B1/ja
Publication of JPWO2014030309A1 publication Critical patent/JPWO2014030309A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/116—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/1161—Physical or chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13113—Bismuth [Bi] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32237—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/38—Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/384—Bump effects
    • H01L2924/3841—Solder bridging
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0594—Insulating resist or coating with special shaped edges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0597—Resist applied over the edges or sides of conductors, e.g. for protection during etching or plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

配線基板は、絶縁性の基層と、基層に積層された絶縁層と、導電性の接続端子とを備える。絶縁層は、開口部が形成された第１表面と、記開口部の内側において第１表面に対し基層側に窪んだ第２表面と、開口部の内側において基層に対する絶縁層の積層方向に沿って第１表面と第２表面との間を繋ぐ壁面とを有する。接続端子は、第２表面から露出する。第２表面は、第２表面において最も基層側に位置する最深部を有し、基層側に凸状に湾曲して壁面と接続端子との間を繋ぐ。積層方向に直交する層面方向に沿った壁面と最深部との間の長さＬ１と、層面方向に沿った最深部と接続端子との間の長さＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２を満たす。

Description

本発明は、配線基板に関する。
配線基板には、半導体チップを実装可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献１，２を参照）。このような配線基板には、半導体チップと接続可能に構成された接続端子が形成されている。
特許文献１には、メッキ材料による接続端子間の電気的な短絡を防止するために、複数の接続端子を露出させる開口を有する絶縁層を形成し、その開口における複数の接続端子の間に絶縁物を形成した後、複数の接続端子にメッキを施すことが記載されている。特許文献２には、ハンダによる接続端子間の電気的な短絡を防止するために、接続端子間に形成した絶縁層を接続端子の厚み以下になるまで薄くすることが記載されている。
配線基板に対する半導体チップの実装時には、配線基板の接続端子は、半導体チップに対してハンダ付けされると共に、接続端子の周囲における配線基板と半導体チップとの隙間には、アンダーフィルとも呼ばれる液状硬化性樹脂が充填される（例えば、特許文献３を参照）。
特開２００７−１０３６４８号公報 特開２０１１−１９２６９２号公報 特開２０１０−１５３４９５号公報
特許文献１，２の配線基板では、メッキやハンダによる接続端子間の短絡防止について考慮されているが、接続端子の周囲に対するアンダーフィルの充填について十分に考慮されておらず、アンダーフィルの流れが阻害され、アンダーフィルの充填不良によるボイド（空洞）が形成されてしまう可能性があった。
特許文献３の配線基板においても、配線基板と半導体チップとの隙間に吸い込まれた後のアンダーフィルの流れについて十分に考慮されておらず、アンダーフィルの充填不良によるボイドが形成されてしまう可能性があった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、絶縁性の基層と；前記基層に積層された絶縁層であって、開口部が形成された第１表面と、前記開口部の内側において前記第１表面に対して前記基層側に窪んだ第２表面と、前記開口部の内側において前記基層に対する前記絶縁層の積層方向に沿って前記第１表面と前記第２表面との間を繋ぐ壁面とを有する絶縁層と；前記第２表面から露出した導電性の接続端子とを備える配線基板であって、前記第２表面は、前記第２表面において最も前記基層側に位置する最深部を有し、前記基層側に凸状に湾曲して前記壁面と前記接続端子との間を繋ぐ面であり、前記積層方向に直交する層面方向に沿った前記壁面と前記最深部との間の長さＬ１と、前記層面方向に沿った前記最深部と前記接続端子との間の長さＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２を満たす。この形態の配線基板によれば、第２表面の湾曲した形状によってアンダーフィルの流れ性を向上させつつ、最深部よりも壁面側における第２表面上の空間が壁面に向かうに連れて狭くなるため、第２表面から壁面に至る領域におけるボイドの形成を抑制することができる。
（２）上記形態の配線基板において、前記最深部は、前記第２表面のうち前記接続端子と接続する接続部を含むとしてもよい。この形態の配線基板によれば、最深部が接続端子から離れている場合と比較して、アンダーフィルの流れ性を更に向上させることができる。
（３）上記形態の配線基板において、前記絶縁層は、更に、前記第１表面と前記壁面との間を外側に凸状に湾曲して繋ぐ湾曲面を有するとしてもよい。この形態の配線基板によれば、第１表面と壁面との間が角張っている場合と比較して、第２表面上に対するアンダーフィルの流し込み性を向上させることができる。
（４）上記形態の配線基板において、前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗いとしてもよい。この形態の配線基板によれば、アンダーフィルの流れ性を阻害することなく、毛細管現象を利用してアンダーフィルを第２表面上の各部に行き渡らせることができる。
本発明は、配線基板以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、配線基板を備える装置、配線基板の製造方法などの形態で実現することができる。
第１実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第２実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第３実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第４実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第５実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
Ａ．第１実施形態：
図１は、第１実施形態における配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。配線基板１０は、有機材料を用いて形成され、有機基板（オーガニック基板）とも呼ばれる板状の部材である。配線基板１０は、半導体チップ（図示しない）を実装可能に構成されたフリップチップ実装基板である。
配線基板１０は、基層１２０と、導体層１３０と、絶縁層１４０とを備える。本実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に導体層１３０を形成した後、その上に更に絶縁層１４０を形成してなる。他の実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に複数の導体層と複数の絶縁層とを交互に積層した多層構造を有するとしてもよいし、このような多層構造を基層１２０の両面にそれぞれ有するとしてもよい。
図１には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図１のＸＹＺ軸のうち、基層１２０に対する絶縁層１４０の積層方向に沿った軸をＺ軸とする。Ｚ軸に沿ったＺ軸方向のうち、基層１２０から絶縁層１４０に向かって＋Ｚ軸方向とし、＋Ｚ軸方向の反対方向を−Ｚ軸方向とする。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸に直交する層面方向に沿った２つの軸をＸ軸およびＹ軸とする。図１の説明では、Ｘ軸に沿ったＸ軸方向のうち、紙面左から紙面右に向かって＋Ｘ軸方向とし、＋Ｘ軸方向の反対方向を−Ｘ軸方向とする。図１の説明では、Ｙ軸に沿ったＹ軸方向のうち、紙面手前から紙面奥に向かって＋Ｙ軸方向とし、＋Ｙ軸方向の反対方向を−Ｙ軸方向とする。
配線基板１０の基層１２０は、絶縁性材料からなる板状の部材である。本実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、熱硬化性樹脂、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Bismaleimide-Triazine Resin、ＢＴ）やエポキシ樹脂等である。他の実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、繊維強化樹脂（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂）であってもよい。図１には図示しないが、基層１２０の内部に、スルーホール、スルーホール導体などを形成して、導体層１３０に接続する配線の一部を構成してもよい。
配線基板１０の導体層１３０は、基層１２０上に形成された導電性材料からなる導体パターンである。本実施形態では、導体層１３０は、基層１２０の表面上に形成された銅メッキ層を所望の形状にエッチングすることによって形成される。
導体層１３０は、接続端子１３２と、内部配線１３６とを含む。導体層１３０の接続端子１３２は、絶縁層１４０から露出した導体パターンであり、半導体チップ（図示しない）と接続可能に構成されている。導体層１３０の内部配線１３６は、絶縁層１４０によって被覆された導体パターンである。
配線基板１０の絶縁層１４０は、ソルダレジストとも呼ばれる絶縁性材料からなる層である。絶縁層１４０は、第１表面１４１と、第２表面１４２と、壁面１４８とを有する。
絶縁層１４０の第１表面１４１は、開口部１５０が形成された絶縁層１４０の表面である。本実施形態では、第１表面１４１は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、絶縁層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。
絶縁層１４０の第２表面１４２は、開口部１５０の内側において第１表面１４１に対して基層１２０側に窪んだ絶縁層１４０の表面である。第２表面１４２からは、導体層１３０の接続端子１３２が露出しており、本実施形態では、接続端子１３２は、第２表面１４２から＋Ｚ軸方向側に突出している。配線基板１０に対する半導体チップの実装時には、接続端子１３２は、半導体チップに対してハンダ付けされると共に、開口部１５０における配線基板１０と半導体チップとの隙間には、アンダーフィルが充填される。
第２表面１４２は、基層１２０側（−Ｚ軸方向側）に向けて凸状に湾曲して壁面１４８と接続端子１３２との間を繋ぐ面であり、開口部１５０の内側において絶縁層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。第２表面１４２は、第２表面１４２において最も基層１２０側（−Ｚ軸方向側）に位置する最深部ＤＰを有する。
接続端子１３２を横切る層面方向であるＸ軸方向に沿った壁面１４８と最深部ＤＰとの間の長さＬ１と、Ｘ軸方向に沿った最深部ＤＰと接続端子１３２との間の長さＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２を満たす。第２表面１４２と壁面１４８とが繋がる隅部１４５は、長さＬ１の基点である。第２表面１４２のうち接続端子１３２と接続する接続部１４３は、長さＬ２の基点である。
本実施形態では、第２表面１４２の表面粗さは、第１表面１４１よりも粗い。本実施形態では、第２表面１４２の中心線平均粗さＲａは、０．０６〜０．８μｍ（マイクロメートル）であり、第２表面１４２の十点平均粗さＲｚは、１．０〜９．０μｍである。このような第２表面１４２の表面粗さに対して、第１表面１４１の中心線平均粗さＲａは、０．０２〜０．２５μｍであり、第１表面１４１の十点平均粗さＲｚは、０．６〜５．０μｍである。
絶縁層１４０の壁面１４８は、開口部１５０の内側において積層方向（Ｚ軸方向）に沿って第１表面１４１と第２表面１４２との間を繋ぐ面である。本実施形態では、壁面１４８は、図１に示すように、角張った形状で第１表面１４１に繋がる。
本実施形態では、絶縁層１４０は、導体層１３０が形成された基層１２０上に光硬化型絶縁性樹脂を塗布した後、露光、現像を経て形成される。絶縁層１４０における開口部１５０は、露光時にマスクされた部分に相当し、現像時に未硬化部分が洗い流されることによって、絶縁層１４０における第２表面１４２および壁面１４８が形成される。このように、絶縁層１４０における第１表面１４１、第２表面１４２および壁面１４８は、単一の層を構成する部位として一体的に形成される。本実施形態では、第２表面１４２および壁面１４８の形状は、光硬化型絶縁性樹脂の材質、露光時におけるマスクの形状、並びに、露光時における照射光の強度、照射時間および照射角度などを調整することによって実現される。
図１には、＋Ｘ軸方向側の壁面１４８と−Ｘ軸方向側の壁面１４８との間に１つの接続端子１３２を図示したが、他の実施形態では、＋Ｘ軸方向側の壁面１４８と−Ｘ軸方向側の壁面１４８との間に２つ以上の接続端子１３２を設けてもよい。図１には図示しないが、Ｙ軸方向においても、Ｘ軸方向と同様に、接続端子１３２および絶縁層１４０を構成してもよい。
以上説明した第１実施形態によれば、Ｌ１＞Ｌ２を満たす第２表面１４２の湾曲した形状によってアンダーフィルの流れ性を向上させつつ、最深部ＤＰよりも壁面１４８側における第２表面１４２上の空間が壁面１４８に向かうに連れて狭くなるため、第２表面１４２から壁面１４８に至る隅部１４５におけるボイドの形成を抑制することができる。また、第２表面１４２の表面粗さが、第１表面１４１よりも粗いため、アンダーフィルの流れ性を阻害することなく、毛細管現象を利用してアンダーフィルを第２表面１４２上の各部に行き渡らせることができる。
Ｂ．第２実施形態：
図２は、第２実施形態における配線基板１０ｂの構成を模式的に示す部分断面図である。第２実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。
第２実施形態の配線基板１０ｂは、第２表面１４２の形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第１実施形態では、第２表面１４２の最深部ＤＰは、接続部１４３と隅部１４５との間に位置するが、第２実施形態では、第２表面１４２の最深部ＤＰは、第２表面１４２が接続端子１３２に接続する接続部１４３に位置する。すなわち、最深部ＤＰは、接続部１４３を含む。第２実施形態では、長さＬ１と長さＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２＝０である。
以上説明した第２実施形態によれば、Ｌ１＞Ｌ２＝０を満たす第２表面１４２の湾曲した形状によってアンダーフィルの流れ性を、第１実施形態よりも更に向上させつつ、最深部ＤＰよりも壁面１４８側における第２表面１４２上の空間が壁面１４８に向かうに連れて狭くなるため、第２表面１４２から壁面１４８に至る隅部１４５におけるボイドの形成を抑制することができる。
Ｃ．第３実施形態：
図３は、第３実施形態における配線基板１０ｃの構成を模式的に示す部分断面図である。第３実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。
第３実施形態の配線基板１０ｃは、第２表面１４２の形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第３実施形態では、第２表面１４２の最深部ＤＰは、第２表面１４２において壁面１４８から接続部１４３に向かう途中で最も基層１２０側（−Ｚ軸方向側）に位置する最初の点とする。第１実施形態では、第２表面１４２は、最深部ＤＰから接続部１４３に向かうに連れて＋Ｚ軸方向へと隆起するが、第３実施形態では、第２表面１４２は、最深部ＤＰから接続部１４３に向けてＸ軸に平行な形状を有する。第３実施形態では、長さＬ１と長さＬ２との関係は、第１実施形態と同様に、Ｌ１＞Ｌ２を満たす。
以上説明した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、第２表面１４２から壁面１４８に至る隅部１４５におけるボイドの形成を抑制することができる。
Ｄ．第４実施形態：
図４は、第４実施形態における配線基板１０ｄの構成を模式的に示す部分断面図である。第４実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。
第４実施形態の配線基板１０ｄは、第１表面１４１と壁面１４８との間を外側に凸状に湾曲して繋ぐ湾曲面１４９を有する点を除き、第１実施形態と同様である。本実施形態では、湾曲面１４９の形状は、第２表面１４２および壁面１４８と同様に、光硬化型絶縁性樹脂の材質、露光時におけるマスクの形状、並びに、露光時における照射光の強度、照射時間および照射角度などを調整することによって実現される。
以上説明した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、第２表面１４２から壁面１４８に至る隅部１４５におけるボイドの形成を抑制することができる。また、第１表面１４１と壁面１４８との間に湾曲面１４９が形成されているため、第１実施形態のように第１表面１４１と壁面１４８との間が角張っている場合と比較して、第２表面１４２上に対するアンダーフィルの流し込み性を向上させることができる。第４実施形態の変形例として、第４実施形態の湾曲面１４９を、第２実施形態の配線基板１０ｂや第３実施形態の配線基板１０ｃに適用してもよい。
Ｅ．第５実施形態：
図５は、第５実施形態における配線基板１０ｅの構成を模式的に示す部分断面図である。第５実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。
第５実施形態の配線基板１０ｅは、壁面１４８の＋Ｚ軸方向側が開口部１５０の外周側に向かって傾斜している点を除き、第１実施形態と同様である。本実施形態では、第５実施形態における壁面１４８の形状は、光硬化型絶縁性樹脂の材質、露光時におけるマスクの形状、並びに、露光時における照射光の強度、照射時間および照射角度などを調整することによって実現される。
本実施形態では、第１表面１４１と壁面１４８との間は、角張っているが、他の実施形態では、第４実施形態のように、第１表面１４１と壁面１４８との間に湾曲面１４９が形成されていてもよい。本実施形態では、第２表面１４２の形状は、第１実施形態と同様であるが、他の実施形態では、第２実施形態と同様であってもよいし、第３実施形態と同様であってもよい。
以上説明した第５実施形態によれば、第１実施形態と同様に、第２表面１４２から壁面１４８に至る隅部１４５におけるボイドの形成を抑制することができる。また、壁面１４８の＋Ｚ軸方向側が開口部１５０の外周側に向かって傾斜しているため、アンダーフィルの流れ性を更に向上させることができる。
Ｆ．他の実施形態：
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
上述の実施形態において、絶縁層１４０の第２表面１４２および壁面１４８は、次の工程を経て形成されてもよい。
工程１．導体層１３０が形成された基層１２０上に、絶縁層１４０の材料である光硬化型絶縁性樹脂を、塗布またはラミネート加工
工程２．工程１を行った後、基層１２０上の光硬化型絶縁性樹脂に対してパターン露光
工程３．工程２を行った後、絶縁層１４０から接続端子１３２が露出するように、アルカリ水溶液を用いた現像処理によって、基層１２０上の光硬化型絶縁性樹脂における未硬化部分を除去
工程４．工程３を行った後、加熱による絶縁層１４０の硬化（熱硬化）と、紫外線による絶縁層１４０の硬化（光硬化）とを実施
工程４の光硬化における積算光量は、５００ｍＪ／ｃｍ2（ミリジュール毎平方センチメートル）以上２５００ｍＪ／ｃｍ2以下が好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ2以上２０００ｍＪ／ｃｍ2以下がさらに好ましい。
１０，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ…配線基板
１２０…基層
１３０…導体層
１３２…接続端子
１３６…内部配線
１４０…絶縁層
１４１…第１表面
１４２…第２表面
１４３…接続部
１４５…隅部
１４８…壁面
１４９…湾曲面
１５０…開口部
ＤＰ…最深部

Claims (4)

  1. 絶縁性の基層と、
    前記基層に積層された絶縁層であって、
    開口部が形成された第１表面と、
    前記開口部の内側において前記第１表面に対して前記基層側に窪んだ第２表面と、
    前記開口部の内側において前記基層に対する前記絶縁層の積層方向に沿って前記第１表面と前記第２表面との間を繋ぐ壁面と
    を有する絶縁層と、
    前記第２表面から露出した導電性の接続端子と
    を備える配線基板であって、
    前記第２表面は、前記第２表面において最も前記基層側に位置する最深部を有し、前記基層側に凸状に湾曲して前記壁面と前記接続端子との間を繋ぐ面であり、
    前記積層方向に直交する層面方向に沿った前記壁面と前記最深部との間の長さＬ１と、前記層面方向に沿った前記最深部と前記接続端子との間の長さＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２を満たすことを特徴とする配線基板。
  2. 前記最深部は、前記第２表面のうち前記接続端子と接続する接続部を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
  3. 前記絶縁層は、更に、前記第１表面と前記壁面との間を外側に凸状に湾曲して繋ぐ湾曲面を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
  4. 前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板。
JP2013554712A 2012-08-24 2013-08-05 配線基板 Expired - Fee Related JP5523641B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013554712A JP5523641B1 (ja) 2012-08-24 2013-08-05 配線基板

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012184962 2012-08-24
JP2012184962 2012-08-24
JP2013554712A JP5523641B1 (ja) 2012-08-24 2013-08-05 配線基板
PCT/JP2013/004722 WO2014030309A1 (ja) 2012-08-24 2013-08-05 配線基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5523641B1 JP5523641B1 (ja) 2014-06-18
JPWO2014030309A1 true JPWO2014030309A1 (ja) 2016-07-28

Family

ID=50149640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013554712A Expired - Fee Related JP5523641B1 (ja) 2012-08-24 2013-08-05 配線基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140284081A1 (ja)
EP (1) EP2750172A4 (ja)
JP (1) JP5523641B1 (ja)
KR (1) KR101603453B1 (ja)
CN (1) CN103907180B (ja)
TW (1) TW201419949A (ja)
WO (1) WO2014030309A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6139457B2 (ja) * 2014-04-22 2017-05-31 京セラ株式会社 配線基板の製造方法
US9620446B2 (en) * 2014-12-10 2017-04-11 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board, electronic component device, and method for manufacturing those
JP6543559B2 (ja) * 2015-11-18 2019-07-10 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW318321B (ja) * 1995-07-14 1997-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JP3346263B2 (ja) * 1997-04-11 2002-11-18 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
US5889655A (en) * 1997-11-26 1999-03-30 Intel Corporation Integrated circuit package substrate with stepped solder mask openings
JP3922151B2 (ja) * 2002-09-27 2007-05-30 ブラザー工業株式会社 フレキシブル配線基板の接続構造および接続方法
TWI231028B (en) * 2004-05-21 2005-04-11 Via Tech Inc A substrate used for fine-pitch semiconductor package and a method of the same
DE102005014665A1 (de) * 2005-03-29 2006-11-02 Infineon Technologies Ag Substrat zur Herstellung einer Lötverbindung mit einem zweiten Substrat
JP4747770B2 (ja) 2005-10-04 2011-08-17 日立化成工業株式会社 プリント配線板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法
KR100850243B1 (ko) * 2007-07-26 2008-08-04 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5117371B2 (ja) 2008-12-24 2013-01-16 新光電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8222538B1 (en) * 2009-06-12 2012-07-17 Amkor Technology, Inc. Stackable via package and method
JP5255545B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストの形成方法
JP5444050B2 (ja) 2010-03-12 2014-03-19 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストパターンの形成方法
JP5479233B2 (ja) * 2010-06-04 2014-04-23 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
CN102480849B (zh) * 2010-11-29 2014-09-24 宏恒胜电子科技（淮安）有限公司 电路板及其制作方法
JP2013062472A (ja) * 2011-09-15 2013-04-04 Toppan Printing Co Ltd 半導体パッケージおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140284081A1 (en) 2014-09-25
KR20140069213A (ko) 2014-06-09
TWI562686B (ja) 2016-12-11
JP5523641B1 (ja) 2014-06-18
CN103907180A (zh) 2014-07-02
EP2750172A4 (en) 2015-05-06
TW201419949A (zh) 2014-05-16
EP2750172A1 (en) 2014-07-02
CN103907180B (zh) 2016-08-31
WO2014030309A1 (ja) 2014-02-27
KR101603453B1 (ko) 2016-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9788433B2 (en) Circuit board and method of manufacturing the same
TWI526128B (zh) 多層基板及其製造方法
TWI536508B (zh) Wiring board
KR101472672B1 (ko) 전자부품 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5093353B2 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
JP2016213308A (ja) プリント回路板及びプリント配線板
JP5462404B1 (ja) 部品内蔵基板及び部品内蔵基板用コア基材
JP5523641B1 (ja) 配線基板
KR102078009B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2011029623A (ja) 部品内蔵基板、その部品内蔵基板を用いたモジュール部品および部品内蔵基板の製造方法
TWI573502B (zh) 基板結構及其製作方法
JP2007088140A (ja) 集合プリント配線板
JP5491605B1 (ja) 配線基板
JP5513694B1 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2014044979A (ja) 配線基板
JP2016009763A (ja) 多層プリント配線板およびその製造方法
KR20170038535A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2014036183A (ja) 電子部品実装基板の製造方法
JP2010263138A (ja) 電子回路装置
KR20160016033A (ko) 인쇄회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5523641

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees