JP2011029623A - 部品内蔵基板、その部品内蔵基板を用いたモジュール部品および部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ビア導体用の孔をレーザー照射により形成する際に、内蔵されたチップ部品の端子電極が損傷されることのない部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】 チップ部品の内蔵される部品内臓樹脂層を、チップ部品の上面よりも低い側面層とチップ部品の上面よりも高い上面層とで構成し、同一体積あたりに含有する無機材の含有量を異ならせ、上面層の含有量を側面層の含有量よりも少なくした。ビア導体は、主に上面層に形成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、部品内蔵基板に関し、特に、内蔵されるチップ部品が製造過程において損傷を受けることがなく、かつ製造が容易な部品内蔵基板に関する。また、本発明は、部品内蔵基板の製造方法、および部品内蔵基板を用いたモジュール部品に関する。

近時、電子機器の高性能化、小型化の流れにともない、電子部品の高密度実装が重要な課題となっており、その課題を解決する１つの方法として、内部にチップ部品を内蔵した部品内蔵基板が実用化されている。

たとえば、特許文献１には、支持基板にチップ部品を搭載し、そのチップ部品の側面方向および上面方向に、無機材のフィラーを含有した部品内蔵樹脂層を設け、さらに部品内蔵樹脂層の表面に所定の端子導体（配線パターン）を設けた部品内蔵基板が開示されている。

この部品内蔵基板においては、所定の端子導体どうしを接続するために、部品内蔵樹脂層にビア導体が形成されており、このビア導体の孔の形成方法としては、たとえばレーザーを用い得ることが開示されている。

特許文献１においては、部品内蔵樹脂層に無機材を含有させた目的として、従来のガラス−エポキシ基板より熱伝導性の高い基板を作ることができると説明しているが、この種の部品内蔵基板においては、他に、熱膨張係数の調整、流動性のコントロール、基板強度の向上、誘電率の調整などを目的として、部品内蔵樹脂層に無機材を含有させている。

また、特許文献２にも、支持基板にチップ部品を搭載し、そのチップ部品の側面方向および上面方向に部品内蔵樹脂層を設け、さらに部品内蔵樹脂層の表面に所定の端子導体（導体パターン）を設けた部品内蔵基板が開示されている。

この部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層の外部とチップ部品の端子電極とを接続するために、部品内蔵樹脂層にビア導体が形成されており、このビア導体の孔の形成方法としても、たとえばレーザーを用い得ることが開示されている。

特開２００５−３９１５８号公報 特開２００３−３０９３７３号公報

上述した先行技術においては、部品内蔵樹脂層にビア導体を形成するにあたり、次のような問題があった。

すなわち、フィラーやガラスクロスといった無機材を含有した部品内蔵樹脂層に、部品内蔵樹脂層の表面からチップ部品の端子電極に向かってレーザーを照射してビア導体用の孔を形成する場合、部品内蔵樹脂が無機材を含有しているため、その無機材を貫通する強い強度でレーザーを照射しなければならず、孔形成の最終段階においてチップ部品の端子電極が損傷してしまうことがあった。

また、無機材にレーザーを照射すると、その無機材がビア底、すなわちチップ部品の端子電極表面に融着してしまい、その除去にウエットのデスミア処理が必要になることがあった。そして、このデスミア処理は、工程数が増加するという不都合に加えて、デスミア処理液によってチップ部品の端子電極さらにはチップ部品本体が損傷してしまうことがあった。

本発明は、上述した先行技術の問題点を解決するためになされたものであり、次の構成からなる。

すなわち、本発明の部品内臓基板は、支持基板と、支持基板上に搭載されたチップ部品と、チップ部品を内蔵した部品内蔵樹脂層と、部品内蔵樹脂層に設けられ一端がチップ部品の端子電極に接続され他端が部品内臓樹脂層の外部に導出されたビア導体とを有し、部品内蔵樹脂層が、チップ部品の上面よりも低い部分からなる側面層と、チップ部品の上面よりも高い部分からなる上面層とにおいて、同一体積あたりに含有している無機材の含有量が異なり、上面層の無機材の含有量が側面層の無機材の含有量よりも少なくなるようにした。

また、本発明の部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層の上面層に、無機材を含有しないようにすることができる。

また、本発明の部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層の側面層に、下方部分から上方部分にかけて、同一体積あたりに含有する無機材の含有量に傾斜をもたせ、上方部分の含有量が下方部分の含有量よりも少なくなるようにすることができる。

また、本発明の部品内蔵基板においては、無機材としてセラミックフィラーを用いることができる。

また、本発明の部品内蔵基板においては、ビア導体の他端を、部品内蔵樹脂層の表面に形成された端子導体に接続することができる。

また、本発明の部品内蔵基板においては、端子導体を、マザー基板への接続用の端子導体とすることができる。

一方、本発明のモジュール部品は、上述した本発明の部品内蔵基板を用いる。

さらに、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、支持基板上にチップ部品を搭載する工程と、チップ部品の側面方向および上面方向に部品内蔵樹脂層を設ける工程と、部品内蔵樹脂層の表面からレーザーを照射して、部品内蔵樹脂層に、チップ部品の端子電極を露出させるようにビア導体用孔を形成する工程と、ビア導体用孔に導電材料を塗布または充填してビア導体を形成する工程とを備え、部品内蔵樹脂層が、チップ部品の上面よりも低い部分からなる側面層と、チップ部品の上面よりも高い部分からなる上面層とにおいて、同一体積あたりに含有している無機材の含有量が異なり、上面層の無機材の含有量が側面層の無機材の含有量よりも少なくなるようにした。

また、本発明の部品内蔵基板の製造方法においては、部品内蔵樹脂層の上面層に、無機材を含有しないようにすることができる。

本発明の部品内臓基板においては、部品内蔵樹脂層の表面からチップ部品の端子電極に至るビア導体が形成される、部品内蔵樹脂層の上面層の無機材の含有量が、側面層の無機材の含有量よりも少なくなっているため、ビア導体の孔をレーザー照射により形成する場合、多量の無機材を貫通させる必要がなく、レーザーの照射を最小限に抑えることができるため、孔形成の最終段階においてチップ部品の端子電極が損傷してしまうことがない。また、レーザーの照射量を少なくできるため、ビア導体の径を小さくすることが可能である。さらに、ビア底に無機材が融着しない、あるいは少量しか融着しないため、プラズマ照射等のドライプロセスでスミア除去をおこなうことができ、従来のようにウエットのデスミア処理の処理液によってチップ部品の端子電極やチップ部品本体が損傷してしまうことを抑制できる。

また、部品内蔵樹脂層の上面層のビア導体の孔の内周での無機材の露出量が少ないため、ビア導体をめっきにより形成する場合、孔内周への密着性に優れたビア導体とすることができる。

一方、部品内蔵樹脂層の側面層には、十分な量の無機材を含有させることができるため、基板全体の熱膨張係数の調整、基板強度の向上、熱伝導性の向上など、部品内蔵樹脂層に無機材を含有させる目的・機能は十分に果たすことができる。

また、本発明の部品内蔵基板において、部品内蔵樹脂層の上面層に無機材を含有しないようにした場合には、さらにレーザーの照射量を少なくすることができるため、上述した本発明の効果をより奏することができる。

また、本発明の部品内蔵基板において、部品内蔵樹脂層の側面層に、下方部分から上方部分にかけて、同一体積あたりに含有する無機材の含有量に傾斜をもたせ、上方部分の含有量が下方部分の含有量よりも少なくなるようにした場合には、部品内蔵樹脂層の上面層と、部品内蔵樹脂層の側面層の上方部分との間において、
同一体積あたりに含有する無機材の含有量をより近くすることができるため、両者の界面においてクラックやデラミネーションが発生することを防止することができる。

さらに、本発明の部品内蔵基板の製造方法によれば、少ないレーザーの照射量で、部品内蔵樹脂層の表面からチップ部品の端子電極に至るビア導体の孔を形成することができるため、内蔵されるチップ部品の端子電極が損傷してしまうことがない。また、ビア底に無機材が融着しない、あるいは少量しか融着しないため、プラズマ照射等のドライプロセスでスミア除去をおこなうことが可能であり、従来のようにウエットのデスミア処理の処理液によってチップ部品の端子電極やチップ部品本体が損傷してしまうこともない。この結果、本発明の部品内蔵基板の製造方法によれば、品質の高い部品内蔵基板を製造することができる。

本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法における、一つの工程を示す部分断面図である。 比較例である従来の部品内蔵基板を示す部分断面図である。 本発明の第２の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。 本発明の第３の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。 本発明の第４の実施形態にかかるモジュール部品の使用状態を示す部分断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施するための形態について説明する。

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。なお、第１の実施形態における部品内蔵基板では、内部に複数のチップ部品を内蔵しているが、図１においては、そのうちの１個のチップ部品およびその周辺のみを部分的に示している。

図１において、１はアルミナからなる平板状の支持基板であり、表面に銅からなる一対の電極パターン２ａ、２ｂが形成されている。

４はチップ部品であり、本実施の形態では、積層セラミックコンデンサが用いられている。チップ部品（積層セラミックコンデンサ）４は、チタン酸バリュームを主原料とする誘電体セラミックスからなり、直方体形状で、両端に銅からなる一対の端子電極５ａ、５ｂが形成されている。また、チップ部品４の内部には、ニッケルからなる、端子電極５ａに接続された複数の内部電極６ａと、端子電極５ｂに接続された複数の内部電極６ｂとが交互に形成されている。

チップ部品４は、ハンダ７を用いて、端子電極５ａが支持基板１の電極パターン２ａに、端子電極５ｂが支持基板１の電極パターン２ｂにそれぞれ接続固定されている。

８は部品内蔵樹脂層であり、チップ部品４の上面よりも低い部分からなる側面層８ａと、チップ部品４の上面よりも高い部分からなる上面層８ｂとからなり、両者でチップ部品４を覆っている。部品内蔵樹脂層８（側面層８と上面層８ｂ）は、熱硬化性樹脂を硬化させたものであり、主剤であるエポキシ樹脂、後述する無機材の他、必要に応じて硬化剤、分散剤などが原料に添加されている。

部品内蔵樹脂層８において、側面層８ａと上面層８ｂとは、同一体積中に含有する無機材の含有量が異なる。本実施形態においては、無機材として、平均粒径１０μｍのシリカからなるセラミックフィラーが、側面層８ａには８０体積％、上面層８ｂには１０体積％含有されている。

９ａ、９ｂは、部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂに形成されたビア導体であり、上面層８ｂに形成された孔に銅が埋設されている。ビア導体９ａの一端はチップ部品４の端子電極５ａに接続され、他端は上面層８ｂの外部に導出されている。ビア導体９ｂ一端はチップ部品４の端子電極５ｂに接続され、他端は上面層８ｂの外部に導出されている。

１０ａ、１０ｂは、部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂの表面に形成された端子導体であり、銅からなる。端子導体１０ａは部品内蔵樹脂層８の上面層８ａの表面に導出されたビア導体９ａに、端子導体１０ｂは部品内蔵樹脂層８の上面層８ａの表面に導出されたビア導体９ｂにそれぞれ接続されている。

このような構成からなる本実施形態の部品内蔵基板は、上述のとおり、部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂに含有される無機材の含有量を１０体積％とし、側面層８ａに含有される無機材の含有量８０体積％よりも少なくしているため、上面層８ｂにビア導体９ａ、９ｂの孔をレーザー照射により形成する場合、多量の無機材を貫通させる必要がなく、レーザーの照射量を少なくすることができ、孔形成の最終段階においてチップ部品４の端子電極５ａ、５ｂが損傷してしまうことがない。また、レーザーの照射量が少ないため、ビア導体９ａ、９ｂの径を小さくすることも可能である。さらに、ビア底に無機材が融着しない、あるいは少量しか融着しないため、プラズマ照射等のドライプロセスでスミア除去をおこなうことができ、従来のようにウエットのデスミア処理の処理液によってチップ部品４の端子電極５ａ、５ｂやチップ部品４本体が損傷してしまうことがない。

一方、本実施形態の部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層８の側面層８ａに含有される無機材の含有量については制約がなく、必要十分な含有量とすることができるため、基板全体の熱膨張係数の調整、基板強度の向上、熱伝導性の向上など、部品内蔵樹脂層に無機材を含有させる目的・機能は十分に果たすことができる。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板について説明したが、本発明がこの内容に限定されることはない。たとえば、支持基板１の材質としては、アルミナに限られず、窒化アルミニュウム、ガラス含有セラミックス、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたものなど、他の材質を広く用いることができる。また、電極パターン２ａ、２ｂや、ビア導体９ａ、９ｂや、端子導体１０ａ、１０ｂの材質についても、上記のものに限定されず、他の材質を用いることができる。

また、チップ部品４として積層セラミックコンデンサを用いたが、これに限らず、積層コイル、抵抗など、他のチップ部品を用いることができる。また、チップ部品４として積層セラミックコンデンサを用いる場合においても、誘電体セラミックスの原料や、端子電極５ａ、５ｂや内部電極６ａ、６ｂの材質は、上記のものに限定されない。

さらに、部品内蔵樹脂層８（側面層８ａと上面層８ｂ）の材料も上記には限定されず、たとえば、主剤として、エポキシ樹脂ではなく、フェノール樹脂など他のものを用いてもよい。また、熱硬化性樹脂ではなく光硬化性樹脂であってもよい。また、含有される無機材は、セラミックフィラーではなくガラスクロスであってもよい。

さらにまた、部品内蔵樹脂層８の側面層８ａと上面層８ｂに含有される無機材の含有量は、上記の値には限定されない。ただし、上面層８ｂに含有される無機材の含有量は、レーザーの照射量を少なくする観点からは0〜30体積％が好ましく、さらに0〜10体積％であることがより好ましい。

次に、本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法について説明する。図２〜８は、部品内蔵基板の一連の製造工程を示す部分断面図である。なお、図２〜８においても、複数内蔵されているチップ部品うち、１個のチップ部品およびその周辺のみを部分的に示している。

本実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法においては、まず、支持基板１にチップ部品４を搭載する。具体的には、支持基板１に形成された電極パターン２ａ、２ｂの表面に予めハンダペーストを塗布しておき、その上にチップ部品４の端子電極５ａ、５ｂを乗せ、リフロー加熱し、冷却して、図２に示すように、端子電極５ａを電極パターン２ａに、端子電極５ｂを電極パターン２ｂに、それぞれハンダ７により接続する。

次に、支持基板１に搭載されたチップ部品４の周囲に、部品内蔵樹脂層８（側面層８ａと上面層８ｂ）を設ける。具体的には、図３に示すように、側面層８ａとなる樹脂シート８ａ’の上に、上面層８ｂとなる樹脂シート８ｂ’を重ね、１００〜１４０℃に加熱して両者を半溶融状態にしたうえで、支持基板１に搭載されたチップ部品４の上に配置する。半溶融状態の樹脂シート８ａ’は、チップ部品４により押し拡げられ、図４に示すように、チップ部品４の周囲に樹脂シート８ａ’が、チップ部品４の上方に樹脂シート８ｂ’が設けられる。次に、樹脂シート８ａ’、８ｂ’を、さらに１８０℃で６０分間加熱して、硬化させて、側面層８ａと上面層８ｂからなる部品内蔵樹脂層８を得る。

次に、図５に示すように、部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂの表面から、チップ部品４の端子電極５ａ、５ｂに向かって、レーザーＬを照射させて、ビア導体９ａ用の孔９ａ’と、ビア導体９ｂ用の孔９ｂ’とを形成する。

部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂは、含有される無機材の含有量が１０体積％であり、側面層８ａに含有される無機材の含有量である８０体積％よりも少なくいため、２ｍＪ以下でレーザーを照射して、孔９ａ’、９ｂ’を形成することができる。この結果、チップ部品４の端子電極５ａ、５ｂが損傷してしまうことがない。また、孔９ａ’、９ｂ’の径を小さくしてビア導体９ａ、９ｂ用の径を小さくすることが可能である。さらに、ビア底に無機材が融着しない、あるいは少量しか融着しないため、プラズマ照射等のドライプロセスでスミア除去をおこなうことができ、従来のようにウエットのデスミア処理の処理液によってチップ部品４の端子電極５ａ、５ｂやチップ部品４本体が損傷してしまうことがない。

次に、図６に示すように、孔９ａ’、９ｂ’に、無電解めっきでシード層を形成し、電解めっきで充填することにより銅めっきをおこない、ビア導体９ａ、９ｂを形成する。部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂは無機材の含有量が少ないため、孔９ａ’、９ｂ’の内周表面に露出する無機材も少なくなっており、上述の銅めっきにより形成されるビア導体９ａ、９ｂは、孔９ａ’、９ｂ’への密着性に優れたものになっている。

次に、図７に示すように、ビア導体９ａ、９ｂが露出した部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂの全面に無電解めっきでシード層を形成し、電解めっきで充填することにより銅めっきをおこない、銅層１０’を形成する。この銅層１０’も、部品内蔵樹脂層８の上面層８ｂへの密着性に優れたものになっている。

そして、図８に示すように、銅層１０’を所望の形状にエッチングして、端子導体１０ａ、１０ｂを形成する。

以上、本発明の第１の実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法について説明したが、本発明の部品内蔵基板の製造方法がこの内容に限定されることはなく、発明の主旨を損なわない範囲で、適宜、工程に変更を加えることができる。

〔比較例〕
図９に、比較例にかかる部品内蔵基板を示す。

比較例においては、部品内蔵樹脂層１８のみが、第１の実施形態にかかる部品内蔵基板と異なる。

部品内蔵樹脂層１８は単層からなり、全体に、第１の実施形態における側面層８ａに用いたものと同じものが用いられている。すなわち、部品内蔵樹脂層１８には、無機材が８０体積％含有されている。

この結果、比較例の部品内蔵基板においては、ビア導体９ａ、９ｂ用の孔を形成するにあたっては、１０ｍＪ以上という強い強度でレーザーを照射しなければならず、チップ部品４の端子電極５ａ、５ｂが損傷してしまう、またビア底に無機材が融着するためウエットのデスミア処理をおこなわねばならず、その処理液によってチップ部品４の端子電極５ａ、５ｂやチップ部品４本体が損傷してしまうという問題点を有している。

〔第２の実施形態〕
図１０は、本発明の第２の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。

第２の実施形態にかかる部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層２８の上面層２８ｂのみが、第１の実施形態と異なる。

すなわち、第２の実施形態においては、部品内蔵樹脂層２８の上面層２８ｂに、無機材を含有させないようにした。なお、側面層２８ａには、第１の実施形態における側面層８ａに用いたものと同じものを用いている。

この結果、第２の実施形態においては、ビア導体９ａ、９ｂ用の孔を形成するにあたり、第１の実施形態よりもさらに弱い強度１ｍＪでレーザーを照射することができ、チップ部品４の端子電極５ａ、５ｂの損傷を、さらに小さくすることができる。

〔第３の実施形態〕
図１１は、本発明の第３の実施形態にかかる部品内蔵基板を示す部分断面図である。

第３の実施形態にかかる部品内蔵基板においては、部品内蔵樹脂層３８の側面層のみが第１の実施形態と異なる。

すなわち、第３の実施形態においては、側面層が３層からなり、下から順に、下方側面層３８ａ、中方側面層３８ｂ、上方側面層３８ｃからなる。下方側面層３８ａ、中方側面層３８ｂ、上方側面層３８ｃは含有する無機材の量が異なり、下方側面層３８ａには８０体積％、中方側面層３８ｂには５０体積％、上方側面層３８ｃには２０体積％の無機材が含有されており、上になるほど無機材の含有量は少ない。なお、上面層３８ｄには、第１の実施形態における上面層８ｂに用いたものと同じものを用いている。

この結果、第３の実施形態においては、上述した本発明の効果に加え、さらに、上方側面層３８ｃと上面層３８ｄとの無機材の含有量がより近いことにより、両者の界面においてクラックやデラミネーションが発生することを防止することができるという効果を奏する。

〔第４の実施形態〕
図１２は、本発明の第４の実施形態にかかるモジュール部品を、マザー基板であるプリント回路基板に搭載した状態（使用状態）を示す部分断面図である。なお、図１２においては、このモジュール部品に使用した部品内蔵基板の内部のみを断面図として示し、その他の部分は正面図として示している。

第４の実施形態にかかるモジュール部品において、５０は部品内蔵基板であり、側面層４８ａと上面層４８ｂとからなる部品内蔵樹脂層４８に、３個のチップ部品４が内蔵されている。なお、上面層４８ｂの無機材含有量は、側面層４８ａの無機材含有量よりも少ない。部品内蔵基板５０は、上面層４８ｂに、複数組のビア導体９ａ、９ｂを有している。なお、上面層４８ｂは、無機材を含有しないように変更することもできる。

また、部品内蔵基板５０は、一方面に複数組の端子導体１０ａ、１０ｂ、他方面に端子導体１０ｃが形成され、他方面には端子導体１０ｃを用いて、外付け部品であるＩＣ部品６０やチップ部品７０が搭載されている。

かかる構成からなる、第４の実施形態にかかるモジュール部品は、部品内臓基板５０に内蔵されたチップ部品４、部品内蔵基板５０に外付けされたＩＣ部品６０、チップ部品７０を含めて必要な回路が構成されている。

第４の実施形態にかかるモジュール部品は、たとえば、図１２に示すように、端子導体１０ａ、１０ｂを用いて、マザー基板であるプリント回路基板８０に搭載されて使用される。

第４の実施形態にかかるモジュール部品においては、部品内蔵基板５０の部品内蔵樹脂層４８の上面層４８ｂの無機材含有量が少ないため、ビア導体９ａ、９ｂ用の孔を少ない照射量のレーザーで形成でき、チップ部品４の端子電極５ａ、５ｂが損傷しないという効果に加え、プリント回路基板８０に搭載した場合に、たわみに対する接合強度が高いという特有の効果を奏する。すなわち、部品内蔵基板５０においてプリント回路基板８０側となる、上面層４８ｂの無機材含有量が少ないため、この部分の柔軟性が高くなっており、プリント回路基板８０にたわみが生じたとしても、上面層４８ｂでたわみを吸収することができ、プリント回路基板８０と本実施形態にかかるモジュール部品の接合が外れてしまうということがない。

１：支持基板
２ａ、２ｂ：電極パターン
４：チップ部品
５ａ、５ｂ：端子電極
６ａ、６ｂ：内部電極
７：ハンダ
８：部品内蔵樹脂層
８ａ：側面層
８ｂ：上面層
９ａ、９ｂ：ビア導体
１０ａ、１０ｂ：端子導体
２８：部品内蔵樹脂層
２８ａ：側面層
２８ｂ：上面層
３８：部品内蔵樹脂層
３８ａ：下方側面層
３８ｂ：中方側面層
３８ｃ：上方側面層
３８ｄ：上面層
４８：部品内蔵樹脂層
４８ａ：側面層
４８ｂ：上面層

Claims (9)

1. 支持基板と、前記支持基板上に搭載されたチップ部品と、前記チップ部品を内蔵した部品内蔵樹脂層と、前記部品内蔵樹脂層に設けられ一端が前記チップ部品の端子電極に接続され他端が部品内臓樹脂層の外部に導出されたビア導体とを有する部品内蔵基板において、
   前記部品内蔵樹脂層が、前記チップ部品の上面よりも低い部分からなる側面層と、前記チップ部品の上面よりも高い部分からなる上面層とにおいて、同一体積あたりに含有している無機材の含有量が異なり、上面層の無機材の含有量が側面層の無機材の含有量よりも少ないことを特徴とする部品内蔵基板。
2. 前記部品内蔵樹脂層の前記上面層が、無機材を含有しないことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板。
3. 前記部品内蔵樹脂層の前記側面層が、下方部分から上方部分にかけて、同一体積あたりに含有する無機材の含有量に傾斜をもち、上方部分の無機材の含有量が下方部分の無機材の含有量よりも少ないことを特徴とする請求項１または２に記載された部品内蔵基板。
4. 前記無機材がセラミックフィラーであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載された部品内蔵基板。
5. 前記ビア導体の前記他端が、前記部品内蔵樹脂層の表面に形成された端子導体に接続されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載された部品内蔵基板。
6. 前記端子導体が、マザー基板への接続用の端子導体であることを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵基板。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載された部品内蔵基板を用いたことを特徴とするモジュール部品。
8. 支持基板上にチップ部品を搭載する工程と、
   前記チップ部品の側面方向および上面方向に部品内蔵樹脂層を設ける工程と、
   前記部品内蔵樹脂層の表面からレーザーを照射して、前記部品内蔵樹脂層に、前記チップ部品の端子電極を露出させるようにビア導体用孔を形成する工程と、
   前記ビア導体用孔に導電材料を塗布または充填してビア導体を形成する工程とを備える部品内蔵基板の製造方法において、
   前記部品内蔵樹脂層が、前記チップ部品の上面よりも低い部分からなる側面層と、前記チップ部品の上面よりも高い部分からなる上面層とにおいて、同一体積あたりに含有している無機材の含有量が異なり、上面層の無機材の含有量が側面層の無機材の含有量よりも少ないことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
9. 前記部品内蔵樹脂層の前記上面層が、無機材を含有しないことを特徴とする請求項８に記載の部品内蔵基板の製造方法。