JPWO2013085039A1 - 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 - Google Patents
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Abstract
本発明は、耐湿熱性に優れた導電性微粒子を得ることを目的とする。
また本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、前記導電性金属層がニッケル層を含み、前記導電性微粒子を粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に回折線が観測されることを特徴とする導電性微粒子に関する。本発明は、該導電性微粒子を含む異方性導電材料も包含する。
また本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、前記導電性金属層がニッケル層を含み、前記導電性微粒子を粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に回折線が観測されることを特徴とする導電性微粒子に関する。本発明は、該導電性微粒子を含む異方性導電材料も包含する。
Description
本発明は、導電性金属層としてニッケル層を含む導電性微粒子に関し、特に耐湿熱性に優れた導電性微粒子に関する。
従来、電子機器の組み立てにおいて、対向する多数の電極や配線間の電気的接続を行うために、異方性導電材料による接続方式が採用されている。異方性導電材料は、導電性微粒子をバインダー樹脂等に混合した材料であり、例えば異方性導電ペースト（ＡＣＰ）、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、異方性導電インク、異方性導電シート等がある。また、異方性導電材料に用いられる導電性微粒子としては、金属粒子や、基材となる樹脂粒子の表面を導電性金属層で被覆したものが使用されている。
ところで電子機器の適用範囲は様々であり、例えば、高温、高湿環境下での使用が求められる事もある。この様な用途に合わせて、導電性微粒子の耐湿熱性を向上させること、すなわち高温、高湿での電気抵抗値の上昇を抑えることが望まれることもある。しかし、一般に、導電性微粒子は耐湿熱性が十分ではなく、またその改善方法も知られていない。
なお特許文献１には、導電性粒子における基材粒子の表面に形成された緩衝層の結晶子径を制御することによって、導電性粒子の圧着時の表面導電層の割れや剥離を抑制できることが開示されている。しかし、特許文献１は、導電性粒子の結晶状態と耐湿熱性との関係については全く教示がない。
本発明は、耐湿熱性に優れた導電性微粒子を得ることを目的とする。さらに詳しくは異方導電接続、すなわち圧縮状態において湿熱条件下で接続抵抗が安定した導電性微粒子の提供を目的とする。
上記課題を解決するために本発明者が鋭意検討した結果、導電性微粒子の導電性金属層にニッケル層を採用し、かつニッケルの（２００）面に垂直な方向（すなわち［２００］方向）に結晶が成長する様にすれば、導電性微粒子の耐湿熱性が改善されることを見出した。すなわち本発明に係る導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とから構成されており、前記導電性金属層がニッケル層を含み、前記導電性微粒子を粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観測されることを特徴とする。
前記導電性微粒子の粉末Ｘ線回折測定により測定されるニッケルの［２００］方向の結晶子径をｄ（２００）とし、ニッケルの［１１１］方向の結晶子径をｄ（１１１）としたとき、これらの比（ｄ（２００）／ｄ（１１１））が、０．０５以上であることが好ましい。上記基材粒子はビニル重合体粒子であることが好ましく、また基材粒子の個数平均粒子径が１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。前記基材粒子の１０％Ｋ値は１００Ｎ／ｍｍ2以上、４００００Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましい。
前記基材粒子の個数平均粒子径が３μｍ以下であり、かつ１０％Ｋ値が４０００Ｎ／ｍｍ2超である態様、基材粒子の個数平均粒子径が３μｍ以下であり、かつ、ｄ（２００）／ｄ（１１１））が０．２以上である態様、及び、前記基材粒子の１０％Ｋ値が１００Ｎ／ｍｍ2以上、４０００Ｎ／ｍｍ2以下である態様も、それぞれ本発明の好ましい態様である。
本発明は、該微粒子を含む異方性導電材料も包含する。
本発明によれば、ニッケル層の結晶が（２００）面に垂直な方向（すなわち［２００］方向）に成長しているため、導電性微粒子の耐湿熱性を向上できる。その結果、接続安定性に優れた異方導電接続が可能となる。
１．導電性微粒子
１−１．導電性金属層
本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有している。そして、前記導電性金属層がニッケル層を含み、粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、すなわちニッケル格子面（２００）に垂直な方向（［２００］方向）に結晶が成長している。これによって、導電性微粒子の耐湿熱性が向上できる。
１−１．導電性金属層
本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有している。そして、前記導電性金属層がニッケル層を含み、粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、すなわちニッケル格子面（２００）に垂直な方向（［２００］方向）に結晶が成長している。これによって、導電性微粒子の耐湿熱性が向上できる。
（２００）面に垂直な方向の結晶子径（以下、（ｘｙｚ）面に垂直な方向の結晶子径を、ｄ（ｘｙｚ）と表す）は、好ましくは０．５ｎｍ以上である。ｄ（２００）の下限は、より好ましくは０．８ｎｍ以上、さらに好ましくは１ｎｍ以上である。ｄ（２００）の上限は、特に限定されないが、好ましくは１０ｎｍ以下であり、より好ましくは６ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下である。
上記粉末Ｘ線回折測定では、上記した（２００）面の他、例えば（１１１）面に帰属される回折線が観測されていても良い。この場合、ｄ（２００）／ｄ（１１１）が０．０５以上であることが好ましく、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．２０以上（特に０．２０超）、さらに好ましくは０．３５以上である。これらの値が大きくなるほど、（２００）面に帰属される回折線の存在が明確であると言える。特に導電性微粒子の個数平均粒子径が３μｍ以下の時にｄ（２００）／ｄ（１１１）が前記範囲を満足すると、耐湿熱性をより長時間に亘って持続できる様になる。ｄ（２００）／ｄ（１１１）は、例えば１未満であることが好ましく、より好ましくは０．９以下、最も好ましくは０．８以下である。ｄ（１１１）は、通常１０ｎｍ未満であり、好ましくは２．０ｎｍ超である。
なお、本発明でいうｄ（２００）やｄ（１１１）等の結晶子径は、粉末Ｘ線回折測定により得られる回折線幅（半値幅）よりシェラーの式を用いて算出した値であり、具体的な結晶子径の測定方法については実施例において説明する。
なお、本発明でいうｄ（２００）やｄ（１１１）等の結晶子径は、粉末Ｘ線回折測定により得られる回折線幅（半値幅）よりシェラーの式を用いて算出した値であり、具体的な結晶子径の測定方法については実施例において説明する。
前記ニッケル層は、ニッケル又はニッケル合金から構成される。ニッケル合金を使用する場合、ニッケル合金中のニッケル含有率は５０質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、一層好ましくは８２質量％以上である。前記ニッケル合金としては、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｔｉ等が好ましく、これらの中でもＮｉ−Ｐ合金が好ましい。
前記Ｎｉ−Ｐ合金中のＰ（リン）濃度は、１５質量％以下が好ましく、より好ましくは１２質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。Ｐ濃度が低いほど、ニッケル層の電気抵抗値が低くなる。なお、Ｐ濃度が低すぎる場合、磁性による凝集が生じて、導電性微粒子を１次粒子に分散しにくくなる傾向がある。そのため、Ｐ濃度は２質量％以上が好ましく、より好ましくは３質量％以上であり、さらに好ましくは４質量％以上である。なお、Ｐ濃度は、ニッケル合金中のＮｉとＰとの合計質量に対するＰ質量の比（Ｐ／（Ｐ＋Ｎｉ））である。
前記ニッケル層の厚さは、０．００５μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０１μｍ以上、さらに好ましくは０．０５μｍ以上、より好ましくは０．０７μｍ以上である。また、ニッケル層の厚さは、０．３μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２５μｍ以下、さらに好ましくは０．２μｍ以下、一層好ましくは０．１２μｍ以下である。ニッケル層の厚さが前記範囲であれば、導電性微粒子の導電性がより良好となる。特に、ニッケル層の厚さが０．３μｍ以下であれば、導電性微粒子の密度が高くなり過ぎず、バインダー等に分散した場合の分散安定性が向上する。
導電性金属層は、前記ニッケル層の他に、他の導電性金属層を積層してもよく、積層しなくてもよいが、積層しない方が好ましい。他の導電性金属層を積層しない場合、ニッケル層が導電性金属層の最表層となる。
一方、他の導電性金属層を積層するときは、他の導電性金属層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、鉄、鉛、アルミニウム、クロム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、スズ、コバルト、インジウム及びニッケル−リン、ニッケル−ホウ素等の金属や金属化合物、及び、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、金、パラジウム、銀が導電性に優れており好ましい。導電性金属層は、例えば、ニッケル層−金層、ニッケル層−パラジウム層、ニッケル層−パラジウム層−金層、ニッケル層−銀層等の組合せが好ましく挙げられる。特に最外層として金層、又はパラジウム層を有することが好ましい。他の導電性金属層を積層するとき、他の導電性金属層が最表層となってもよい。
また、金やパラジウムなどの他の導電性金属層を構成する上記金属元素が、ニッケル元素と混在した金属層（合金状態の層を含む）を形成している形態も導電性金属層の好ましい形態の一つである。たとえば、ニッケル層を形成した後に、金の置換メッキを施した場合には、ニッケル層を構成するニッケル原子の少なくとも一部が金に置換されるために、上記のような導電性金属層となる。
前記ニッケル層は、基材粒子に直接形成してもよいし、下地として他の導電性金属層を基材粒子表面に形成し、その上にニッケル層を形成してもよいが、基材粒子に直接形成することが好ましい。
一方、他の導電性金属層を積層するときは、他の導電性金属層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、鉄、鉛、アルミニウム、クロム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、スズ、コバルト、インジウム及びニッケル−リン、ニッケル−ホウ素等の金属や金属化合物、及び、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、金、パラジウム、銀が導電性に優れており好ましい。導電性金属層は、例えば、ニッケル層−金層、ニッケル層−パラジウム層、ニッケル層−パラジウム層−金層、ニッケル層−銀層等の組合せが好ましく挙げられる。特に最外層として金層、又はパラジウム層を有することが好ましい。他の導電性金属層を積層するとき、他の導電性金属層が最表層となってもよい。
また、金やパラジウムなどの他の導電性金属層を構成する上記金属元素が、ニッケル元素と混在した金属層（合金状態の層を含む）を形成している形態も導電性金属層の好ましい形態の一つである。たとえば、ニッケル層を形成した後に、金の置換メッキを施した場合には、ニッケル層を構成するニッケル原子の少なくとも一部が金に置換されるために、上記のような導電性金属層となる。
前記ニッケル層は、基材粒子に直接形成してもよいし、下地として他の導電性金属層を基材粒子表面に形成し、その上にニッケル層を形成してもよいが、基材粒子に直接形成することが好ましい。
前記他の導電性金属層の厚さは、前記ニッケル層よりも薄いことが好ましい。具体的には、前記他の導電性金属層の厚さは、前記ニッケル層の厚さの３／４以下が好ましく、より好ましくは１／２以下、さらに好ましくは１／３以下である。
導電性金属層の厚さ（ニッケル層と他の金属層との合計の厚さ）は、０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．０７μｍ以上であり、０．３μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２５μｍ以下、さらに好ましくは０．２μｍ以下、一層好ましくは０．１２μｍ以下である。前記導電性金属層の厚さが上記範囲内であれは、バインダー等への分散安定性に優れ、且つ、導電性に優れた導電性微粒子が得られる。
１−２．基材粒子
前記基材粒子は、樹脂成分を含む樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子を用いることで、弾性変形特性に優れた導電性微粒子が得られる。前記樹脂としては、例えば、メラミンホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等のアミノ樹脂；スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル樹脂等のビニル重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類；ポリカーボネート類；ポリアミド類；ポリイミド類；フェノールホルムアルデヒド樹脂；オルガノポリシロキサン等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。電極の狭小化、或いは配線の微細化が進む電子部品実装において、今後、微細な導電性微粒子が要求されるため、基材粒子として、特に２．８μｍ未満の領域で、粒度分布が狭く、圧縮変形特性が制御された粒子が得られ易いという観点から、これらの中でも、ビニル重合体、アミノ樹脂、オルガノポリシロキサンが好ましく、ビニル重合体及びアミノ樹脂がより好ましく、特にビニル重合体が好ましい。ビニル重合体を含む材料は、ビニル基が重合して形成された有機系骨格を有し、加圧接続時の弾性変形に優れる。特に、ジビニルベンゼン及び／又はジ（メタ）アクリレートを重合成分として含むビニル重合体は、導電性金属被覆後の粒子強度の低下が少ない。
前記基材粒子は、樹脂成分を含む樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子を用いることで、弾性変形特性に優れた導電性微粒子が得られる。前記樹脂としては、例えば、メラミンホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等のアミノ樹脂；スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル樹脂等のビニル重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類；ポリカーボネート類；ポリアミド類；ポリイミド類；フェノールホルムアルデヒド樹脂；オルガノポリシロキサン等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。電極の狭小化、或いは配線の微細化が進む電子部品実装において、今後、微細な導電性微粒子が要求されるため、基材粒子として、特に２．８μｍ未満の領域で、粒度分布が狭く、圧縮変形特性が制御された粒子が得られ易いという観点から、これらの中でも、ビニル重合体、アミノ樹脂、オルガノポリシロキサンが好ましく、ビニル重合体及びアミノ樹脂がより好ましく、特にビニル重合体が好ましい。ビニル重合体を含む材料は、ビニル基が重合して形成された有機系骨格を有し、加圧接続時の弾性変形に優れる。特に、ジビニルベンゼン及び／又はジ（メタ）アクリレートを重合成分として含むビニル重合体は、導電性金属被覆後の粒子強度の低下が少ない。
１−２−１．ビニル重合体粒子
ビニル重合体粒子は、ビニル重合体により構成される。ビニル重合体は、ビニル系単量体（ビニル基含有単量体）を重合（ラジカル重合）することによって形成でき、このビニル系単量体はビニル系架橋性単量体とビニル系非架橋性単量体とに分けられる。なお、「ビニル基」には、炭素−炭素二重結合のみならず、（メタ）アクリロキシ基、アリル基、イソプロペニル基、ビニルフェニル基、イソプロペニルフェニル基のような官能基と重合性炭素−炭素二重結合から構成される置換基も含まれる。なお、本明細書において「（メタ）アクリロキシ基」、「（メタ）アクリレート」や「（メタ）アクリル」は、「アクリロキシ基及び／又はメタクリロキシ基」、「アクリレート及び／又はメタクリレート」や「アクリル及び／又はメタクリル」を示すものとする。
ビニル重合体粒子は、ビニル重合体により構成される。ビニル重合体は、ビニル系単量体（ビニル基含有単量体）を重合（ラジカル重合）することによって形成でき、このビニル系単量体はビニル系架橋性単量体とビニル系非架橋性単量体とに分けられる。なお、「ビニル基」には、炭素−炭素二重結合のみならず、（メタ）アクリロキシ基、アリル基、イソプロペニル基、ビニルフェニル基、イソプロペニルフェニル基のような官能基と重合性炭素−炭素二重結合から構成される置換基も含まれる。なお、本明細書において「（メタ）アクリロキシ基」、「（メタ）アクリレート」や「（メタ）アクリル」は、「アクリロキシ基及び／又はメタクリロキシ基」、「アクリレート及び／又はメタクリレート」や「アクリル及び／又はメタクリル」を示すものとする。
前記ビニル系架橋性単量体とは、ビニル基を有し架橋構造を形成し得るものであり、具体的には、１分子中に２個以上のビニル基を有する単量体（単量体（１））、又は、１分子中に１個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基（カルボキシル基、ヒドロキシ基等のプロトン性水素含有基、アルコキシ基等の末端官能基等）を有する単量体（単量体（２））が挙げられる。ただし、単量体（２）によって架橋構造を形成させるには、当該単量体（２）の結合性官能基と反応（結合）可能な相手方単量体の存在が必要である。
前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体（１）（１分子中に２個以上のビニル基を有する単量体）の例として、例えば、アリル（メタ）アクリレート等のアリル（メタ）アクリレート類；アルカンジオールジ（メタ）アクリレート（例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等）、ポリアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート（例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、デカエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタデカエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタコンタヘクタエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート等）等のジ（メタ）アクリレート類；トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート等のトリ（メタ）アクリレート類；ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等のテトラ（メタ）アクリレート類；ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等のヘキサ（メタ）アクリレート類；ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、及びこれらの誘導体等の芳香族炭化水素系架橋剤（好ましくはジビニルベンゼン等のスチレン系多官能モノマー）；Ｎ，Ｎ−ジビニルアニリン、ジビニルエーテル、ジビニルサルファイド、ジビニルスルホン酸等のヘテロ原子含有架橋剤；等が挙げられる。
これらの中でも、１分子中に２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレート類（多官能（メタ）アクリレート）や、芳香族炭化水素系架橋剤（特にスチレン系多官能モノマー）が好ましい。前記１分子中に２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレート類（多官能（メタ）アクリレート）の中でも、前記１分子中に２個の（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレート（ジ（メタ）アクリレート）が特に好ましい。ジ（メタ）アクリレート類としては、アルカンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリアルキレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましく、エチレングリコールジ（メタ）アクリレートやトリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートであることがより好ましい。前記スチレン系多官能モノマーの中では、ジビニルベンゼンのように１分子中に２個のビニル基を有する単量体が好ましい。単量体（１）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体（２）（１分子中に１個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体）としては、例えば、（メタ）アクリル酸等のカルボキシル基を有する単量体；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート類、ｐ−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシ基含有スチレン類等のヒドロキシ基を有する単量体；２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、２−ブトキシエチル（メタ）アクリレート等のアルコキシ基含有（メタ）アクリレート類、ｐ−メトキシスチレン等のアルコキシスチレン類等のアルコキシ基を有する単量体；等が挙げられる。単量体（２）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記ビニル系非架橋性単量体としては、１分子中に１個のビニル基を有する単量体（単量体（３））か、もしくは相手方単量体が存在しない場合の前記単量体（２）（１分子中に１個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体）が挙げられる。
前記ビニル系非架橋性単量体のうち前記単量体（３）（１分子中に１個のビニル基を有する単量体）には、（メタ）アクリレート系単官能モノマーやスチレン系単官能モノマーが含まれる。（メタ）アクリレート系単官能モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；シクロプロピル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロオクチル（メタ）アクリレート、シクロウンデシル（メタ）アクリレート、シクロドデシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート等のシクロアルキル（メタ）アクリレート類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレート、フェネチル（メタ）アクリレート等の芳香環含有（メタ）アクリレート類が挙げられ、メチル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレートであることがより好ましい。スチレン系単官能モノマーとしては、スチレン；ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、エチルスチレン（エチルビニルベンゼン）、ｐ−ｔ−ブチルスチレン等のアルキルスチレン類、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン等のハロゲン基含有スチレン類等が挙げられ、スチレンが好ましい。単量体（３）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記ビニル系単量体としては、少なくとも前記ビニル系架橋性単量体（１）を含む態様が好ましく、中でも前記ビニル系架橋性単量体（１）と前記ビニル系非架橋性単量体（３）とを含む態様（特に単量体（１）と単量体（３）との共重合体）が好ましい。具体的には、構成成分として、スチレン系単官能モノマー、スチレン系多官能モノマー、多官能（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種を含む態様が好ましい。さらに好ましくは、スチレン系多官能モノマー及び多官能（メタ）アクリレートを必須構成成分とする態様；スチレン系多官能モノマー及びスチレン系単官能モノマーを必須構成成分とする態様；多官能（メタ）アクリレート及びスチレン系単官能モノマーを必須構成成分とする態様；である。上記態様において、スチレン系単官能モノマーとしてはスチレンが好ましく、スチレン系多官能モノマーとしてはジビニルベンゼンが好ましく、多官能メタ（アクリレート）としてはジ（メタ）アクリレートが好ましい。従って、ジビニルベンゼン及びジ（メタ）アクリレートを必須構成成分とする態様；ジビニルベンゼン及びスチレンを必須構成成分とする態様；ジ（メタ）アクリレート及びスチレンを必須構成成分とする態様が特に好ましい。
前記ビニル重合体粒子は、ビニル重合体の特性を損なわない程度に、他の成分を含んでいてもよい。この場合、ビニル重合体粒子は、ビニル重合体を５０質量％以上含むことが好ましく、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。
前記他の成分としては、特に限定されないが、ポリシロキサン成分が好ましい。ビニル重合体粒子に、ポリシロキサン骨格を導入することで、加圧接続時の弾性変形に優れるものとなる。
前記他の成分としては、特に限定されないが、ポリシロキサン成分が好ましい。ビニル重合体粒子に、ポリシロキサン骨格を導入することで、加圧接続時の弾性変形に優れるものとなる。
前記ポリシロキサン骨格は、シラン系単量体を用いることによって形成でき、このシラン系単量体はシラン系架橋性単量体とシラン系非架橋性単量体とに分けられる。また、シラン系単量体としてシラン系架橋性単量体を用いると、架橋構造を形成し得る。シラン系架橋性単量体により形成される架橋構造としては、ビニル重合体とビニル重合体とを架橋するもの（第一の形態）；ポリシロキサン骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの（第二の形態）；ビニル重合体骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの（第三の形態）；が挙げられる。
第一の形態（ビニル重合体間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、ジメチルジビニルシラン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン等の２つ以上のビニル基を有するシラン化合物が挙げられる。第二の形態（ポリシロキサン間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等の４官能性シラン系単量体；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の３官能性シラン系単量体等が挙げられる。第三の形態（ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシエトキシプロピルトリメトキシシラン等の（メタ）アクリロイル基を有するジ又はトリアルコキシシラン；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン等のビニル基を有するジ又はトリアルコキシシラン；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン；３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン；が挙げられる。これらのシラン系架橋性単量体は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記シラン系非架橋性単量体として、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等のジアルキルシラン等の２官能性シラン系単量体；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリアルキルシラン等の１官能性シラン系単量体等が挙げられる。これらのシラン系非架橋性単量体は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
特に前記ポリシロキサン骨格は、ラジカル重合可能な炭素−炭素二重結合（例えば、（メタ）アクリロイル基等のビニル基）を有する重合性ポリシロキサン由来の骨格であることが好ましい。つまり、ポリシロキサン骨格は、構成成分として、少なくとも前記第三の形態（ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体（好ましくは（メタ）アクリロイル基を有するもの、より好ましくは３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン）を加水分解及び縮合することにより形成されたポリシロキサン骨格であることが好ましい。
前記ビニル重合体粒子に、ポリシロキサン骨格を導入する場合、ビニル系単量体の使用量は、シラン系単量体１００質量部に対して１００質量部以上が好ましく、より好ましくは２００質量部以上、さらに好ましくは３００質量部以上であり、２０００質量部以下が好ましく、７００質量部以下がより好ましく、さらに好ましくは６００質量部以下、特に好ましくは５００質量部以下である。
前記ビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体（ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計）の割合は、弾性変形と復元力に優れる点から、例えば２０質量％以上が好ましく、より好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。架橋性単量体を多くするほどビニル重合体粒子を硬質にすることができ、架橋性単量体の割合が上記範囲内であれば、優れた弾性変形特性を維持しつつ、復元力を向上させることができる。架橋性単量体の割合の上限は、特に限定されないが、用いる架橋性単量体の種類によっては、架橋性単量体の割合が多すぎると硬くなりすぎて異方導電接続時に圧縮変形させるために高い圧力が必要となる場合がある。そのため、架橋性単量体の割合は、例えば９８質量％以下であり、９５質量％以下が好ましく、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下である。
なお架橋性単量体の割合が少ないほど基材粒子の１０％Ｋ値を小さくでき、例えば、４０００Ｎ／ｍｍ2以下にすることもできる。目的とする１０％Ｋ値によっては、架橋性単量体の割合は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは２５質量％以下である。
なお架橋性単量体の割合が少ないほど基材粒子の１０％Ｋ値を小さくでき、例えば、４０００Ｎ／ｍｍ2以下にすることもできる。目的とする１０％Ｋ値によっては、架橋性単量体の割合は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは２５質量％以下である。
前記ビニル重合体粒子は、例えば、ビニル系単量体を重合することによって製造することができるが、具体的には、（ｉ）ビニル系単量体を重合成分として含む単量体組成物を用いて、従来公知の水性懸濁重合、分散重合、乳化重合する方法；（ii）シラン系単量体を用いてビニル基含有ポリシロキサンを得た後、このビニル基含有ポリシロキサンとビニル系単量体とを重合（ラジカル重合）する方法；（iii）シード粒子に、ビニル系単量体を吸収させた後、ビニル系単量体をラジカル重合する、いわゆるシード重合する方法；が好ましい。
前記製造方法（ｉ）では、ビニル系単量体として、前記２つ以上のビニル基を有するシラン化合物、ビニル基を有するジ又はトリアルコキシシラン等のビニル基を有するシラン化合物を併用してもよい。前記製造方法（ii）においては、少なくとも前記第三の形態を形成し得るシラン系架橋性単量体を用いることによって、ポリシロキサン骨格が導入されたビニル重合体粒子が得られる。
前記製造方法（iii）において、シード粒子としては、非架橋又は架橋度の低いポリスチレン粒子、ポリシロキサン粒子を用いることが好ましい。シード粒子にポリシロキサン粒子を用いることで、ビニル重合体にポリシロキサン骨格を導入できる。
ポリシロキサン粒子としては、前記第三の形態（ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体を含む組成物を、（共）加水分解縮合して得られるポリシロキサン粒子が好ましく、特にビニル基含有ポリシロキサン粒子が好ましい。ポリシロキサン粒子がビニル基を有する場合、得られるビニル重合体粒子が、ビニル重合体とポリシロキサン骨格がポリシロキサンを構成するケイ素原子を介して結合するため、弾性変形性及び接触圧に特に優れたものとなる。ビニル基含有ポリシロキサン粒子は、例えば、ビニル基を有するジ又はトリアルコキシシランを含むシラン系単量体（混合物）を（共）加水分解縮合することによって製造できる。
ポリシロキサン粒子としては、前記第三の形態（ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋）を形成し得るシラン系架橋性単量体を含む組成物を、（共）加水分解縮合して得られるポリシロキサン粒子が好ましく、特にビニル基含有ポリシロキサン粒子が好ましい。ポリシロキサン粒子がビニル基を有する場合、得られるビニル重合体粒子が、ビニル重合体とポリシロキサン骨格がポリシロキサンを構成するケイ素原子を介して結合するため、弾性変形性及び接触圧に特に優れたものとなる。ビニル基含有ポリシロキサン粒子は、例えば、ビニル基を有するジ又はトリアルコキシシランを含むシラン系単量体（混合物）を（共）加水分解縮合することによって製造できる。
また、前記ビニル重合体粒子がポリシロキサン骨格を含む場合、基材粒子に加熱処理を施すことも好ましい態様である。前記加熱処理は空気雰囲気下又は不活性雰囲気下で行うことが好ましく、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下）で行うことがより好ましい。前記加熱処理の温度は１２０℃（より好ましくは１８０℃、さらに好ましくは２００℃）以上が好ましく、熱分解温度（より好ましくは３５０℃、さらに好ましくは３３０℃）以下が好ましい。前記加熱処理の時間は、０．３時間（より好ましくは０．５時間、さらに好ましくは０．７時間）以上が好ましく、１０時間（より好ましくは５．０時間、さらに好ましくは３．０時間）以下が好ましい。
１−２−２．アミノ樹脂粒子
アミノ樹脂粒子を構成するアミノ樹脂は、アミノ化合物とホルムアルデヒドとの縮合物により構成されるものが好ましい。
前記アミノ化合物としては、例えば、ベンゾグアナミン、シクロヘキサンカルボグアナミン、シクロヘキセンカルボグアナミン、アセトグアナミン、ノルボルネンカルボグアナミン、スピログアナミン等のグアナミン化合物、メラミン等のトリアジン環構造を有する化合物等の多官能アミノ化合物が挙げられる。これらの中でも、多官能アミノ化合物が好ましく、トリアジン環構造を有する化合物がより好ましく、特にメラミン、グアナミン化合物（特にベンゾグアナミン）が好ましい。前記アミノ化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
アミノ樹脂粒子を構成するアミノ樹脂は、アミノ化合物とホルムアルデヒドとの縮合物により構成されるものが好ましい。
前記アミノ化合物としては、例えば、ベンゾグアナミン、シクロヘキサンカルボグアナミン、シクロヘキセンカルボグアナミン、アセトグアナミン、ノルボルネンカルボグアナミン、スピログアナミン等のグアナミン化合物、メラミン等のトリアジン環構造を有する化合物等の多官能アミノ化合物が挙げられる。これらの中でも、多官能アミノ化合物が好ましく、トリアジン環構造を有する化合物がより好ましく、特にメラミン、グアナミン化合物（特にベンゾグアナミン）が好ましい。前記アミノ化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
前記アミノ樹脂は、アミノ化合物中、グアナミン化合物を１０質量％以上含むことが好ましく、より好ましくは２０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上である。アミノ化合物中のグアナミン化合物の含有割合が上記範囲であれば、よりアミノ樹脂粒子の粒度分布がシャープであり、粒子径が精密にコントロールされたものとなる。なお、アミノ化合物として、グアナミン化合物のみを用いることも好ましい。
アミノ樹脂粒子は、例えば、水性媒体中でアミノ化合物とホルムアルデヒドを反応（付加縮合反応）させることにより得られる。通常、この反応は加熱下（５０〜１００℃）で行う。また、ドデシルベンゼンスルホン酸、硫酸等の酸触媒の存在下で反応を行うことにより、架橋度を高めることができる。
アミノ樹脂粒子の製造方法としては、例えば、特開２０００−２５６４３２号公報、特開２００２−２９３８５４号公報、特開２００２−２９３８５５号公報、特開２００２−２９３８５６号公報、特開２００２−２９３８５７号公報、特開２００３−５５４２２号公報、特開２００３−８２０４９号公報、特開２００３−１３８０２３号公報、特開２００３−１４７０３９号公報、特開２００３−１７１４３２号公報、特開２００３−１７６３３０号公報、特開２００５−９７５７５号公報、特開２００７−１８６７１６号公報、特開２００８−１０１０４０号公報、特開２０１０−２４８４７５号公報等に記載のアミノ樹脂架橋粒子及びその製造方法を適用することが好ましい。
アミノ樹脂粒子の製造方法としては、例えば、特開２０００−２５６４３２号公報、特開２００２−２９３８５４号公報、特開２００２−２９３８５５号公報、特開２００２−２９３８５６号公報、特開２００２−２９３８５７号公報、特開２００３−５５４２２号公報、特開２００３−８２０４９号公報、特開２００３−１３８０２３号公報、特開２００３−１４７０３９号公報、特開２００３−１７１４３２号公報、特開２００３−１７６３３０号公報、特開２００５−９７５７５号公報、特開２００７−１８６７１６号公報、特開２００８−１０１０４０号公報、特開２０１０−２４８４７５号公報等に記載のアミノ樹脂架橋粒子及びその製造方法を適用することが好ましい。
具体例としては、前記多官能アミノ化合物とホルムアルデヒドを、水性媒体（好ましくは塩基性の水性媒体）中で反応（付加縮合反応）させて縮合物オリゴマーを生成させ、該縮合物オリゴマーが溶解又は分散する水性媒体にドデシルベンゼンスルホン酸や硫酸等の酸触媒を混合して硬化させることによって、架橋されたアミノ樹脂粒子を製造することができる。縮合物オリゴマーを生成させる段階、架橋構造のアミノ樹脂とする段階は、いずれも、５０〜１００℃の温度で加熱された状態で行うことが好ましい。また、付加縮合反応を、界面活性剤の存在下で行うことにより、粒度分布のシャープなアミノ樹脂粒子が得られる。
１−２−３．オルガノポリシロキサン粒子
オルガノポリシロキサン粒子は、ビニル基を含有しないシラン系単量体（シラン系架橋性単量体、シラン系非架橋性単量体）の１種又は２種以上を（共）加水分解縮合することによって得られる。
前記ビニル基を含有しないシラン系単量体としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等の３官能性シラン系単量体；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン；３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン等が挙げられる。
オルガノポリシロキサン粒子は、ビニル基を含有しないシラン系単量体（シラン系架橋性単量体、シラン系非架橋性単量体）の１種又は２種以上を（共）加水分解縮合することによって得られる。
前記ビニル基を含有しないシラン系単量体としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等の３官能性シラン系単量体；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン；３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン等が挙げられる。
前記基材粒子（樹脂粒子）の個数平均粒子径は、１．０μｍ以上が好ましく、より好ましくは１．１μｍ以上、さらに好ましくは１．２μｍ以上、一層好ましくは１．３μｍ以上であり、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。前記基材粒子の粒子径の個数基準の変動係数（ＣＶ値）は、１０．０％以下が好ましく、より好ましくは８．０％以下、さらに好ましくは５．０％以下、一層好ましくは４．５％以下、特に好ましくは４．０％以下である。
導電性微粒子が微細（具体的には、個数平均粒子径が１０．０μｍ未満）になると、本発明の効果が一層顕著となる。よって、基材粒子の個数平均粒子径は、１０．０μｍ未満が好ましく、より好ましくは３．０μｍ以下、さらに好ましくは２．８μｍ以下が好ましいが、より一層好ましくは、２．８μｍ未満、さらに一層好ましくは２．７μｍ以下、なお一層好ましくは２．６μｍ以下、特に好ましくは２．５μｍ以下であり、一方、１．０μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。
この場合、基材粒子としては、上記ビニル重合体粒子、アミノ樹脂粒子、オルガノポリシロキサン粒子の中でも、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子、及び、トリアルコキシシランをシラン系架橋性単量体として用いたオルガノポリシロキサン粒子が好ましい。１０％Ｋ値を制御し易い点で、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子がより好ましい。この微細なビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体（ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計）の割合は、３０質量％以上が好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは５０％質量以上である。
また、基材粒子（樹脂粒子）の個数平均粒子径が、１．０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲で比較的大粒子径であることも好ましい。例えば６μｍ以上、より好ましくは７μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上の場合であることが好ましい。この場合、上限は、例えば２５μｍ以下、より好ましくは２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
導電性微粒子が微細（具体的には、個数平均粒子径が１０．０μｍ未満）になると、本発明の効果が一層顕著となる。よって、基材粒子の個数平均粒子径は、１０．０μｍ未満が好ましく、より好ましくは３．０μｍ以下、さらに好ましくは２．８μｍ以下が好ましいが、より一層好ましくは、２．８μｍ未満、さらに一層好ましくは２．７μｍ以下、なお一層好ましくは２．６μｍ以下、特に好ましくは２．５μｍ以下であり、一方、１．０μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。
この場合、基材粒子としては、上記ビニル重合体粒子、アミノ樹脂粒子、オルガノポリシロキサン粒子の中でも、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子、及び、トリアルコキシシランをシラン系架橋性単量体として用いたオルガノポリシロキサン粒子が好ましい。１０％Ｋ値を制御し易い点で、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子がより好ましい。この微細なビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体（ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計）の割合は、３０質量％以上が好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは５０％質量以上である。
また、基材粒子（樹脂粒子）の個数平均粒子径が、１．０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲で比較的大粒子径であることも好ましい。例えば６μｍ以上、より好ましくは７μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上の場合であることが好ましい。この場合、上限は、例えば２５μｍ以下、より好ましくは２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
前記基材粒子の１０％Ｋ値は、１００Ｎ／ｍｍ2以上、４００００Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましい。基材粒子の１０％Ｋ値の下限を設定することで、異方性導電材料として用いた際に、周囲のバインダーをより十分に排除でき、また電極への食い込みをより良好にでき、接続抵抗値をさらに改善できる。また、基材粒子の１０％Ｋ値の上限を設定することも、より良好な電気的接触状態を確保することに貢献する。前記１０％Ｋ値は、より好ましくは５００Ｎ／ｍｍ2以上、特に１０００Ｎ／ｍｍ2以上である。また１０％Ｋ値は、より好ましくは２７０００Ｎ／ｍｍ2以下、特に１５０００Ｎ／ｍｍ2以下である。
一方、基材粒子がより軟質であることも本発明の好ましい一態様である。例えば、基材粒子の１０％Ｋ値が１００Ｎ／ｍｍ2以上、４０００Ｎ／ｍｍ2以下であることも好ましい。基材粒子の１０％Ｋ値が前記の範囲であると、耐湿熱性を発揮できる時間がより長くなる。つまり、１０％Ｋ値が小さく軟質な基材粒子を用いるほど、湿熱性条件下における抵抗値上昇をより長時間にわたって抑制できることがわかる。圧縮時、基材粒子に負荷が分散され、ニッケル層にかかる負荷が分散されるためと考えられる。耐湿熱性の持続時間の延長効果を期待する場合、基材粒子の１０％Ｋ値は、より好ましくは３００Ｎ／ｍｍ2以上、さらに好ましくは７００Ｎ／ｍｍ2以上、特に好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ2以上である。また、より好ましくは３９００Ｎ／ｍｍ2以下、さらに好ましくは３８５０Ｎ／ｍｍ2以下、特に好ましくは３８００Ｎ／ｍｍ2以下である。この効果は基材粒子の粒子径によらないが、この様に軟質な基材粒子が特に有用となるのは、基材粒子の個数平均粒子径が、例えば６μｍ以上、より好ましくは７μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上の場合である。上限は、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。粒子径が大きくなると、圧縮時の変形量が大きくなるが、ニッケル層の結晶が［２００］方向に成長しているため湿熱性条件下でもニッケル層が破断しにくくなる。その結果、湿熱性条件下で高圧縮時でも、抵抗値上昇をより一層効果的に抑制することができる。
この場合、基材粒子としては、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子が好ましい。この軟質なビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体（ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計）の割合は、５０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下であり、さらに好ましくは３０質量％以下である。また、この軟質なビニル重合体粒子を構成する単量体成分に含まれる非架橋性単量体は、好ましい非架橋性単量体としてスチレン系単官能モノマー、アルキル（メタ）アクリレート類を含むものであることが好ましい。前記スチレン系単官能モノマーの中では、スチレンが好ましい。また、前記アルキル（メタ）アクリレート類の中では、メチル（メタ）アクリレート、アルキル基の炭素数が３以上であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、１０％Ｋ値を所定の範囲に調整することが容易である観点から、アルキル基の炭素数が３以上であるアルキル（メタ）アクリレートがより好ましく、ブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。非架橋性単量体の全量に占める、好ましい単量体（スチレン系単官能モノマー、アルキル（メタ）アクリレート類）の合計の割合は５０質量％以上であることが好ましい。
基材粒子の１０％Ｋ値の上限又は下限は、基材粒子の粒子径に応じて調整してもよい。粒子径に応じて調整することで、１０％Ｋ値の制御効果をより確実に発揮させることができる。例えば、基材粒子の粒子径が３μｍ以下の場合、その１０％Ｋ値は、３０００Ｎ／ｍｍ2以上であることが好ましい。より好ましくは３５００Ｎ／ｍｍ2以上、さらに好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ2超である。また、４００００Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましく、より好ましくは３００００Ｎ／ｍｍ2以下、さらに好ましくは２５０００Ｎ／ｍｍ2以下である。基材粒子の個数平均粒子径を３μｍ以下程度にまで小さくすると、従来の導電性微粒子（ニッケル層の結晶が［２００］方向に成長していない導電性微粒子）では、湿熱性条件下で高圧縮時、接続抵抗値が上昇するという特有の不具合があった。小粒径、湿熱性条件、高圧縮が重なると、ニッケル層への負荷が大きくなり、導電性金属層が破断するためと思料される。本発明の導電性微粒子によれば、基材粒子の粒子径を３μｍ以下にしても、ニッケル層の結晶が［２００］方向に成長しているためニッケル層が破断しにくい。よってこの粒子径３μｍ以下の場合に特有のこの課題を解決でき、１０％Ｋ値の下限を比較的大きくすることが可能となる。
この場合、基材粒子としては、架橋性単量体を含む単量体成分を重合することによって形成されたビニル重合体粒子が好ましい。この軟質なビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体（ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計）の割合は、５０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下であり、さらに好ましくは３０質量％以下である。また、この軟質なビニル重合体粒子を構成する単量体成分に含まれる非架橋性単量体は、好ましい非架橋性単量体としてスチレン系単官能モノマー、アルキル（メタ）アクリレート類を含むものであることが好ましい。前記スチレン系単官能モノマーの中では、スチレンが好ましい。また、前記アルキル（メタ）アクリレート類の中では、メチル（メタ）アクリレート、アルキル基の炭素数が３以上であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、１０％Ｋ値を所定の範囲に調整することが容易である観点から、アルキル基の炭素数が３以上であるアルキル（メタ）アクリレートがより好ましく、ブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。非架橋性単量体の全量に占める、好ましい単量体（スチレン系単官能モノマー、アルキル（メタ）アクリレート類）の合計の割合は５０質量％以上であることが好ましい。
基材粒子の１０％Ｋ値の上限又は下限は、基材粒子の粒子径に応じて調整してもよい。粒子径に応じて調整することで、１０％Ｋ値の制御効果をより確実に発揮させることができる。例えば、基材粒子の粒子径が３μｍ以下の場合、その１０％Ｋ値は、３０００Ｎ／ｍｍ2以上であることが好ましい。より好ましくは３５００Ｎ／ｍｍ2以上、さらに好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ2超である。また、４００００Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましく、より好ましくは３００００Ｎ／ｍｍ2以下、さらに好ましくは２５０００Ｎ／ｍｍ2以下である。基材粒子の個数平均粒子径を３μｍ以下程度にまで小さくすると、従来の導電性微粒子（ニッケル層の結晶が［２００］方向に成長していない導電性微粒子）では、湿熱性条件下で高圧縮時、接続抵抗値が上昇するという特有の不具合があった。小粒径、湿熱性条件、高圧縮が重なると、ニッケル層への負荷が大きくなり、導電性金属層が破断するためと思料される。本発明の導電性微粒子によれば、基材粒子の粒子径を３μｍ以下にしても、ニッケル層の結晶が［２００］方向に成長しているためニッケル層が破断しにくい。よってこの粒子径３μｍ以下の場合に特有のこの課題を解決でき、１０％Ｋ値の下限を比較的大きくすることが可能となる。
なお、基材粒子の１０％Ｋ値は、粒子を１０％圧縮したとき（粒子の直径が１０％変位したとき）の圧縮弾性率であり、例えば、公知の微小圧縮試験機（島津製作所製「ＭＣＴ−Ｗ５００」など）を用い、室温で粒子の中心方向へ荷重負荷速度２．２２９５ｍＮ／秒で荷重をかけ、圧縮変位が粒子径の１０％となるまで粒子を変形させたときの荷重（圧縮荷重：Ｎ）と変位量（圧縮変位：ｍｍ）を測定し、下記式に基づき求めることができる。
１−３．導電性微粒子
前記導電性微粒子の個数平均粒子径は、１．０μｍ以上が好ましく、より好ましくは１．１μｍ以上、さらに好ましくは１．２μｍ以上、一層好ましくは１．３μｍ以上、特に好ましくは１．４μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。また前記導電性微粒子の粒子径の個数基準の変動係数（ＣＶ値）は、１０．０％以下が好ましく、より好ましくは８．０％以下、さらに好ましくは５．０％以下、一層好ましくは４．５％以下、特に好ましくは４．０％以下である。
導電性微粒子が微細（具体的には、個数平均粒子径が１０．０μｍ未満）になると、基材粒子を１０．０μｍ未満にした場合と同様、湿熱性条件下でも導電性微粒子の接続抵抗値上昇を効果的に抑制できる。よって、本発明の効果が一層顕著となる理由から、個数平均粒子径は、１０．０μｍ未満が好ましく、より好ましくは３．２μｍ以下、さらに好ましくは３．０μｍ以下が好ましいが、より一層好ましくは、２．８μｍ以下、さらに一層好ましくは２．７μｍ以下、なお一層好ましくは２．６μｍ以下であり、一方、１．１μｍ以上が好ましく、１．６μｍ以上がより好ましい。
一方、基材粒子が軟質であると、上述の通りニッケル層の結晶が［２００］方向に成長しているため、湿熱性条件下でも導電性微粒子の接続抵抗値上昇をより効果的に抑制できる。軟質な基材粒子が特に有用となるのは、導電性微粒子の個数平均粒子径が、例えば、６．３μｍ以上、より好ましくは７．３μｍ以上、さらに好ましくは８．３μｍ以上の場合である。上限は、例えば２５μｍ以下、より好ましくは２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
前記導電性微粒子の個数平均粒子径は、１．０μｍ以上が好ましく、より好ましくは１．１μｍ以上、さらに好ましくは１．２μｍ以上、一層好ましくは１．３μｍ以上、特に好ましくは１．４μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。また前記導電性微粒子の粒子径の個数基準の変動係数（ＣＶ値）は、１０．０％以下が好ましく、より好ましくは８．０％以下、さらに好ましくは５．０％以下、一層好ましくは４．５％以下、特に好ましくは４．０％以下である。
導電性微粒子が微細（具体的には、個数平均粒子径が１０．０μｍ未満）になると、基材粒子を１０．０μｍ未満にした場合と同様、湿熱性条件下でも導電性微粒子の接続抵抗値上昇を効果的に抑制できる。よって、本発明の効果が一層顕著となる理由から、個数平均粒子径は、１０．０μｍ未満が好ましく、より好ましくは３．２μｍ以下、さらに好ましくは３．０μｍ以下が好ましいが、より一層好ましくは、２．８μｍ以下、さらに一層好ましくは２．７μｍ以下、なお一層好ましくは２．６μｍ以下であり、一方、１．１μｍ以上が好ましく、１．６μｍ以上がより好ましい。
一方、基材粒子が軟質であると、上述の通りニッケル層の結晶が［２００］方向に成長しているため、湿熱性条件下でも導電性微粒子の接続抵抗値上昇をより効果的に抑制できる。軟質な基材粒子が特に有用となるのは、導電性微粒子の個数平均粒子径が、例えば、６．３μｍ以上、より好ましくは７．３μｍ以上、さらに好ましくは８．３μｍ以上の場合である。上限は、例えば２５μｍ以下、より好ましくは２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
前記導電性微粒子は、導電性金属層の耐腐食性や酸化防止、変色防止を行うため、必要に応じてさらに表面処理を行ってもよい。ニッケル層の酸化を効果的に防ぐことができる方法としては、例えば、ニッケル層の表面にセリウム、又は、チタンを含有する金属酸化物層を形成させる；炭素数が３〜２２のアルキル基を有する化合物で表面処理を行うこと；等が挙げられる。
本発明の導電性微粒子は、ＬＣＤ用導通スペーサ、半導体や電子回路の実装における異方導電接続用の導電性微粒子として、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等の異方性導電材料に好適に用いることができる。
１−４．導電性微粒子の製法
前記導電性微粒子は、無電解めっき法により製造でき、この微粒子中のニッケル層において（２００）面に垂直な方向に結晶を成長させるには、無電解めっき工程で特有の処理が必要となる。すなわち無電解めっき工程におけるめっき液（ニッケル塩含有めっき液）がグリシンと酢酸ナトリウムを含むこと、言い換えればニッケルめっき時にグリシンと酢酸ナトリウムが共存することが重要である。さらに、（i）グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合（酢酸ナトリウム／グリシン）を１．８以下（好ましくは１．７以下、さらに好ましくは１．６以下）にすること、又は（ii）グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合が１．８を超える場合（好ましくは１．９以上、さらに好ましくは２．０以上の場合）には、めっき後に、窒素などの不活性雰囲気下、２７０℃以上（好ましくは２７５℃以上、さらに好ましくは２８０℃以上）で熱処理することによって、本発明の導電性微粒子を得ることができる。
前記（i）の場合、グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合の下限は、例えば０．５以上、好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。
前記（ii）の場合、グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合の上限は３以下であることが好ましく、より好ましくは２．５以下である。不活性雰囲気下での熱処理温度は、３５０℃以下が好ましく、より好ましくは３２０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。不活性雰囲気下での熱処理時間の下限は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは１時間以上であり、前記熱処理時間の上限は、好ましくは２０時間以下、より好ましくは１０時間以下、さらに好ましくは５時間以下である。
前記導電性微粒子は、無電解めっき法により製造でき、この微粒子中のニッケル層において（２００）面に垂直な方向に結晶を成長させるには、無電解めっき工程で特有の処理が必要となる。すなわち無電解めっき工程におけるめっき液（ニッケル塩含有めっき液）がグリシンと酢酸ナトリウムを含むこと、言い換えればニッケルめっき時にグリシンと酢酸ナトリウムが共存することが重要である。さらに、（i）グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合（酢酸ナトリウム／グリシン）を１．８以下（好ましくは１．７以下、さらに好ましくは１．６以下）にすること、又は（ii）グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合が１．８を超える場合（好ましくは１．９以上、さらに好ましくは２．０以上の場合）には、めっき後に、窒素などの不活性雰囲気下、２７０℃以上（好ましくは２７５℃以上、さらに好ましくは２８０℃以上）で熱処理することによって、本発明の導電性微粒子を得ることができる。
前記（i）の場合、グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合の下限は、例えば０．５以上、好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。
前記（ii）の場合、グリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合の上限は３以下であることが好ましく、より好ましくは２．５以下である。不活性雰囲気下での熱処理温度は、３５０℃以下が好ましく、より好ましくは３２０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。不活性雰囲気下での熱処理時間の下限は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは１時間以上であり、前記熱処理時間の上限は、好ましくは２０時間以下、より好ましくは１０時間以下、さらに好ましくは５時間以下である。
上記特有の処理以外は、通常の方法によって、導電性金属層が形成される。まず無電解めっき工程に供される基材粒子には、通常、めっき工程に先立って触媒化処理が施される。また、基材粒子自体が親水性を有さず、導電性金属層との密着性が良好でない場合は、触媒化工程前に、エッチング処理工程を設けることが好ましい。すなわち、必要に応じてエッチング処理を行った後、触媒化処理を経て、無電解めっきを行うことが好ましい。
エッチング処理
エッチング処理工程では、クロム酸、無水クロム酸−硫酸混合液、過マンガン酸等の酸化剤；塩酸、硫酸、フッ酸、硝酸等の強酸；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリ溶液；その他市販の種々のエッチング剤等を用いて、基材粒子の表面に親水性付与し、その後の無電解めっき液に対する濡れ性を高める。また、微小な凹凸を形成させ、その凹凸のアンカー効果によって、無電解めっき後の基材粒子と導電性金属層との密着性の向上を図る。
エッチング処理工程では、クロム酸、無水クロム酸−硫酸混合液、過マンガン酸等の酸化剤；塩酸、硫酸、フッ酸、硝酸等の強酸；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリ溶液；その他市販の種々のエッチング剤等を用いて、基材粒子の表面に親水性付与し、その後の無電解めっき液に対する濡れ性を高める。また、微小な凹凸を形成させ、その凹凸のアンカー効果によって、無電解めっき後の基材粒子と導電性金属層との密着性の向上を図る。
触媒化処理
前記触媒化処理では、基材粒子表面に貴金属イオンを捕捉させた後、これを還元して前記貴金属を基材粒子表面に担持させ、基材粒子の表面に次工程の無電解めっきの起点となりうる触媒層を形成させる。基材粒子自体が貴金属イオンの捕捉能を有さない場合、触媒化を行う前に、表面改質処理を行うことも好ましい。表面改質処理は、表面処理剤を溶解した水又は有機溶媒に、基材粒子を接触させることで行うことができる。
前記触媒化処理では、基材粒子表面に貴金属イオンを捕捉させた後、これを還元して前記貴金属を基材粒子表面に担持させ、基材粒子の表面に次工程の無電解めっきの起点となりうる触媒層を形成させる。基材粒子自体が貴金属イオンの捕捉能を有さない場合、触媒化を行う前に、表面改質処理を行うことも好ましい。表面改質処理は、表面処理剤を溶解した水又は有機溶媒に、基材粒子を接触させることで行うことができる。
触媒化処理は、例えば、塩化パラジウムや硝酸銀のような貴金属塩の希薄な酸性水溶液に、エッチングした基材粒子を浸漬させた後、基材粒子を分離し水洗する。引き続き水に分散させて、これに還元剤を加えて貴金属イオンの還元処理を行う。前記還元剤としては、例えば、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、ヒドラジン、ホルマリン等が挙げられる。還元剤は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、スズイオン（Ｓｎ2+）を含有する溶液に基材粒子を接触させることによりスズイオンを基材粒子表面に吸着させ感受性化処理を施した後、パラジウムイオン（Ｐｄ2+）を含有する溶液に浸漬させることにより、基材粒子表面にパラジウムを析出させる方法（センシタイジング−アクチベーティング法）等を用いてもよい。なお、前記スズイオン（Ｓｎ2+）を含有する溶液や、パラジウムイオン（Ｐｄ2+）を含有する溶液に基材粒子を浸漬する際の液温及び浸漬時間は、各イオンが基材粒子に十分に吸着できる範囲で適宜調整すればよく、特に限定されないが、例えば、液温は１０〜６０℃が好ましく、浸漬時間は１分〜１２０分が好ましい。
無電解めっき工程
無電解めっき工程では、上述の特有の処理（グリシンと酢酸ナトリウムの併用と、これらの割合に応じた熱処理の有無）を施す以外は、通常の無電解めっき工程が採用される。すなわち無電解めっき工程では、まず、触媒化基材粒子を水に十分に分散させ、触媒化基材粒子の水性スラリーを調製する。ここで、安定した導電特性を発現させるためには、触媒化基材粒子をめっき処理を行う水性媒体に十分に分散させておくことが好ましい。触媒化基材粒子が凝集した状態で無電解めっき処理を行うと、基材粒子同士の接触面に未処理面（導電性金属層が存在しない面）が生じるからである。触媒化基材粒子を水性媒体に分散させる手段としては、例えば、通常攪拌装置、高速攪拌装置、コロイドミル又はホモジナイザーのような剪断分散装置など従来公知の分散手段や、超音波や分散剤（界面活性剤等）を用いれば良い。
無電解めっき工程では、上述の特有の処理（グリシンと酢酸ナトリウムの併用と、これらの割合に応じた熱処理の有無）を施す以外は、通常の無電解めっき工程が採用される。すなわち無電解めっき工程では、まず、触媒化基材粒子を水に十分に分散させ、触媒化基材粒子の水性スラリーを調製する。ここで、安定した導電特性を発現させるためには、触媒化基材粒子をめっき処理を行う水性媒体に十分に分散させておくことが好ましい。触媒化基材粒子が凝集した状態で無電解めっき処理を行うと、基材粒子同士の接触面に未処理面（導電性金属層が存在しない面）が生じるからである。触媒化基材粒子を水性媒体に分散させる手段としては、例えば、通常攪拌装置、高速攪拌装置、コロイドミル又はホモジナイザーのような剪断分散装置など従来公知の分散手段や、超音波や分散剤（界面活性剤等）を用いれば良い。
次に、ニッケル塩、還元剤、錯化剤及び各種添加剤等を含有する無電解めっき液に、上記で調製した触媒化基材粒子の水性スラリーを添加することにより、無電解めっき反応を生じさせる。無電解めっき反応は、触媒化基材粒子の水性スラリーを添加すると速やかに開始する。また、この反応には水素ガスの発生を伴うので、水素ガスの発生が認められなくなった時点をもって無電解めっき反応を終了すればよい。無電解めっき反応の終了後、反応系内から導電性金属層が形成された基材粒子を取り出し、必要に応じて洗浄、乾燥を施すことにより、導電性微粒子を得ることができる。
前記無電解めっき液に含有させるニッケル塩としては、ニッケルの塩化物、硫酸塩、酢酸塩等が挙げられる。すなわち、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等のニッケル塩等を無電解めっき液に含有させればよい。導電性金属塩は１種のみであってもよいし２種以上であってもよい。ニッケル塩の濃度は、所望の膜厚の導電性金属層が形成されるように、基材粒子のサイズ（表面積）等を考慮して適宜決定すればよい。
前記無電解めっき液に含有させる還元剤としては、例えば、ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、グリオキシル酸、ヒドラジン等が挙げられる。還元剤は１種のみであってもよいし２種以上であってもよい。
錯化剤としては、上記グリシンがそれとして作用する。従って本発明では、他の錯化剤の使用は必須ではないが、必要に応じて他の錯化剤を使用してもよい。他の錯化剤としては、クエン酸、ヒドロキシ酢酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、グルコン酸またはそれらのアルカリ金属塩やアンモニウム塩などのカルボン酸（塩）；グルタミン酸等のアミノ酸；エチレンジアミン、アルキルアミン等のアミン酸；その他のアンモニウム、ＥＤＴＡ、ピロリン酸（塩）；などが挙げられる。グリシンの濃度は、めっき液１Ｌ中につき、例えば２０〜５０ｇ程度であり、錯化剤の濃度は、めっき液１Ｌ中につき、例えば２０〜１５０ｇ程度である。
前記無電解めっき液のｐＨは、限定されないが、好ましくは６〜１４である。また、無電解めっき液の液温も特に限定されないが、例えば３０〜１００℃である。
前記無電解めっき液のｐＨは、限定されないが、好ましくは６〜１４である。また、無電解めっき液の液温も特に限定されないが、例えば３０〜１００℃である。
無電解めっき工程は、必要に応じて繰返し行ってもよい。例えば金属種の異なる無電解めっき液を用いて無電解めっき工程を繰返すことにより、基材粒子の表面に異種金属を幾層にも被覆できる。具体的には、基材粒子にニッケルめっきを施してニッケル被覆粒子を得た後、該ニッケル被覆粒子をさらに無電解金めっき液に投入して金置換めっきを行うことにより、最外層が金層で覆われ、その内側にニッケル層を有する導電性微粒子が得られる。
２．突起を有する導電性微粒子
導電性微粒子はその表面が平滑であっても凹凸状であっても良いが、バインダー樹脂を効果的に排除して電極との接続を行える点で複数の突起を有することが好ましい。突起を有することで、導電性微粒子を電極間の接続に用いた際の接続信頼性を高めることができる。
導電性微粒子はその表面が平滑であっても凹凸状であっても良いが、バインダー樹脂を効果的に排除して電極との接続を行える点で複数の突起を有することが好ましい。突起を有することで、導電性微粒子を電極間の接続に用いた際の接続信頼性を高めることができる。
導電性微粒子の表面に突起を形成させる方法としては、（１）基材粒子合成における重合工程において、高分子の相分離現象を利用して表面に突起の形成された基材粒子を得た後、無電解メッキにより導電性金属層を形成させる方法；（２）基材粒子表面に、金属粒子、金属酸化物粒子等の無機粒子或いは有機重合体からなる有機粒子を付着させた後、無電解メッキにより導電性金属層を形成させる方法；（３）基材粒子表面に無電解メッキを行った後、金属粒子、金属酸化物粒子等の無機粒子或いは有機重合体からなる有機粒子を付着させ、さらに無電解メッキを行う方法；（４）無電解メッキ反応時におけるメッキ浴の自己分解を利用して、基材粒子表面に突起の核となる金属を析出させ、さらに無電解メッキを行うことによって、突起部を含む導電性金属層が連続皮膜となった導電性金属層を形成する方法；等が挙げられる。
前記突起の高さは２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ〜８００ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ〜６００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。突起の高さが前記範囲であると、接続信頼性が一層向上する。なお、突起の高さは、任意の導電性微粒子１０個を電子顕微鏡で観察して求める。具体的には、観察される導電性微粒子の周縁部の突起について、導電性微粒子１個につき任意の１０個の突起高さを測定し、その測定値を算術平均することにより求められる。
前記突起の数は特に限定されないが、高い接続信頼性を確保する点から導電性微粒子の表面を電子顕微鏡で観察したときの任意の正投影面において、少なくとも１個以上の突起を有することが好ましく、より好ましくは５個以上、さらに好ましくは１０個以上である。
３．絶縁被覆導電性微粒子
本発明の導電性微粒子は、表面の少なくとも一部に絶縁層を有する態様（絶縁被覆導電性微粒子）であってもよい。このように表面の導電性金属層にさらに絶縁層が積層されていると、高密度回路の形成時や端子接続時等に生じやすい横導通を防ぐことができる。
本発明の導電性微粒子は、表面の少なくとも一部に絶縁層を有する態様（絶縁被覆導電性微粒子）であってもよい。このように表面の導電性金属層にさらに絶縁層が積層されていると、高密度回路の形成時や端子接続時等に生じやすい横導通を防ぐことができる。
絶縁層の厚さは０．００５μｍ〜１μｍが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ〜０．８μｍである。絶縁層の厚さが前記範囲内であれば、導電性微粒子による導通特性を良好に維持しつつ、粒子間の電気絶縁性が良好となる。
前記絶縁層としては、導電性微粒子の粒子間における絶縁性が確保でき、一定の圧力及び／又は加熱により容易にその絶縁層が崩壊あるいは剥離するものであれば特に限定されず、例えば、ポリエチレン等のポリオレフィン類；ポリメチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート重合体及び共重合体；ポリスチレン；等の熱可塑性樹脂やその架橋物；エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂及びこれらの混合物；シリコーン樹脂等の有機化合物、或いはシリカ、アルミナ等の無機化合物が挙げられる。
前記絶縁層は、単層であっても、複数の層からなるものであってもよい。例えば、単一又は複数の皮膜状の層が形成されていてもよいし、絶縁性を有する粒状、球状、塊状、鱗片状その他の形状の粒子を導電性金属層の表面に付着させた層であってもよいし、さらには、導電性金属層の表面を化学修飾することにより形成された層であってもよく、又は、これらが組み合わされたものであってもよい。これらの中でも絶縁性を有する粒子（以下、「絶縁粒子」という。）が導電性金属層表面に付着した態様が好ましい。
絶縁粒子の平均粒子径は導電性微粒子の平均粒子径や絶縁被覆導電性微粒子の用途によって適宜選択されるが、絶縁粒子の平均粒子径は０．００５μｍ〜１μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ〜０．８μｍである。絶縁粒子の平均粒子径が０．００５μｍより小さくなると、複数の導電性微粒子間の導電層どうしが接触しやすくなり、１μｍより大きくなると対向する電極間に導電性微粒子が挟み込まれた際に発揮するべき導電性が不十分となる虞がある。
絶縁粒子の平均粒子径における変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下、最も好ましくは２０％以下である。ＣＶ値が４０％を超えると導通性が不十分となる虞がある。
絶縁粒子の平均粒子径は、導電性微粒子の平均粒子径の１／１０００以上、１／５以下であることが好ましい。絶縁粒子の平均粒子径が前記範囲であると、導電性微粒子の表面に均一に絶縁粒子層を形成させることができる。また、粒子径の異なる２種類以上の絶縁粒子を使用してもよい。
絶縁粒子はその表面に導電性微粒子への付着性を高めるため官能基を有していても良い。前記官能基としては、アミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、リン酸基、シラノール基、アンモニウム基、スルホン酸基、チオール基、ニトロ基、ニトリル基、オキサゾリン基、ピロリドン基、スルホニル基、水酸基等が挙げられる。
絶縁粒子はその表面に導電性微粒子への付着性を高めるため官能基を有していても良い。前記官能基としては、アミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、リン酸基、シラノール基、アンモニウム基、スルホン酸基、チオール基、ニトロ基、ニトリル基、オキサゾリン基、ピロリドン基、スルホニル基、水酸基等が挙げられる。
導電性微粒子表面における絶縁粒子の被覆率（絶縁被覆導電性微粒子の正投影面）は、好ましくは１％以上９８％以下、より好ましくは５％以上９５％以下である。絶縁粒子による導電性微粒子の被覆率が前記範囲であることにより、充分な導通性を確保しつつ、隣接する絶縁被覆導電性微粒子間を確実に絶縁することができる。なお、上記被覆率は、例えば電子顕微鏡を用いて任意の１００個の絶縁被覆導電性微粒子表面を観察したときに、絶縁被覆導電性微粒子の正投影面における絶縁粒子の被覆されている部分と樹脂粒子の被覆されていない部分の面積比率を測定することにより評価できる。
４．異方性導電材料
本発明の導電性微粒子は、異方性導電材料として有用である。
前記異方性導電材料としては、前記導電性微粒子がバインダー樹脂に分散してなるものが挙げられる。異方性導電材料の形態は特に限定されず、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等様々な形態が挙げられる。これらの異方性導電材料を相対向する基材同士や電極端子間に設けることにより、良好な電気的接続が可能になる。なお、本発明の導電性微粒子を用いた異方性導電材料には、液晶表示素子用導通材料（導通スペーサー及びその組成物）も含まれる。
本発明の導電性微粒子は、異方性導電材料として有用である。
前記異方性導電材料としては、前記導電性微粒子がバインダー樹脂に分散してなるものが挙げられる。異方性導電材料の形態は特に限定されず、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等様々な形態が挙げられる。これらの異方性導電材料を相対向する基材同士や電極端子間に設けることにより、良好な電気的接続が可能になる。なお、本発明の導電性微粒子を用いた異方性導電材料には、液晶表示素子用導通材料（導通スペーサー及びその組成物）も含まれる。
前記バインダー樹脂中に導電性微粒子が分散してなる、ペースト状（異方性導電ペースト）又はフィルム状（異方性導電フィルム）の異方性導電性材料は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ）などのＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の基板と、これに画像信号を送るドライバＩＣとを接着させ、電気的に接続させる材料として広く使用されている。具体的には、パネルを駆動する信号を発信するドライバＩＣを搭載した、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージなどの信号出力電極とＬＣＤパネルとの接続（一般的にＦＯＧと呼ばれる）、ＴＣＰ、ＣＯＦなどとこれらに信号を入力するプリント基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）との接続（一般的にＦＯＢと呼ばれる）、ドライバＩＣをペアチップのままＬＣＤパネル上に実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式での接続などに使用されているほか、タッチパネル引き出し回路とＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）との接続やカメラモジュールの接続に使用されている。
これらの用途の中でも、本発明の異方性導電性材料はＦＰＤのＦＯＧ接続、ＣＯＧ接続、ならびにタッチパネル引き出し回路とＦＰＣ接続用に好適に用いられる。異方性導電材料の形態としてはペースト状であってもフィルム状であっても良いが、接続信頼性をより高められる点でフィルム状（異方性導電フィルム）であることが好ましい。
これらの用途の中でも、本発明の異方性導電性材料はＦＰＤのＦＯＧ接続、ＣＯＧ接続、ならびにタッチパネル引き出し回路とＦＰＣ接続用に好適に用いられる。異方性導電材料の形態としてはペースト状であってもフィルム状であっても良いが、接続信頼性をより高められる点でフィルム状（異方性導電フィルム）であることが好ましい。
前記バインダー樹脂としては、絶縁性の樹脂であれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体等の熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
バインダー樹脂組成物には、必要に応じて充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、酸化防止剤、各種カップリング剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤、熱伝導向上剤、有機溶剤等を配合することができる。
なお、前記異方性導電材料は、前記バインダー樹脂中に導電性微粒子を分散させ、所望の形態とすることで得られるが、例えば、バインダー樹脂と導電性微粒子とを別々に使用し、接続しようとする基材間や電極端子間に導電性微粒子をバインダー樹脂とともに存在させることによって接続してもかまわない。
前記異方性導電材料において、導電性微粒子の含有量は、用途に応じて適宜決定すればよいが、例えば、異方性導電材料の全量に対して０．０１体積％以上が好ましく、より好ましくは０．０３体積％以上、さらに好ましくは０．０５体積％以上であり、５０体積％以下が好ましく、より好ましくは３０体積％以下、さらに好ましくは２０体積％以下である。導電性微粒子の含有量が少なすぎると、充分な電気的導通が得られ難い場合があり、一方、導電性微粒子の含有量が多すぎると、導電性微粒子同士が接触してしまい、異方性導電材料としての機能が発揮され難い場合がある。
前記異方性導電材料におけるフィルム膜厚、ペーストや接着剤の塗工膜厚、印刷膜厚等については、使用する導電性微粒子の粒子径と、接続すべき電極の仕様とを考慮し、接続すべき電極間に導電性微粒子が狭持され、且つ接続すべき電極が形成された接合基板同士の空隙がバインダー樹脂層により充分に満たされるように、適宜設定することが好ましい。
本願は、２０１１年１２月８日に出願された日本国特許出願第２０１１−２６８６７７号に基づく優先権の利益を主張するものである。２０１１年１２月８日に出願された日本国特許出願第２０１１−２６８６７７号の明細書の全内容が、本願に参考のため援用される。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、前記、後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
１．評価方法
１−１．個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）
粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「コールターマルチサイザーIII型」）により３００００個の粒子の粒子径を測定し、個数基準の平均粒子径、粒子径の標準偏差を求めるとともに、下記式に従って粒子径の個数基準のＣＶ値（変動係数）を算出した。
粒子の変動係数（％）＝１００×（粒子径の標準偏差／個数基準平均粒子径）
なお、基材粒子では、基材粒子０．００５部に界面活性剤（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標） Ｎ−０８」）の１％水溶液２０部を加え、超音波で１０分間分散させた分散液を測定試料とした。シード粒子では、加水分解、縮合反応で得られた分散液を、界面活性剤（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標） Ｎ−０８」）の１％水溶液により希釈したものを測定試料とした。
１−１．個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）
粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「コールターマルチサイザーIII型」）により３００００個の粒子の粒子径を測定し、個数基準の平均粒子径、粒子径の標準偏差を求めるとともに、下記式に従って粒子径の個数基準のＣＶ値（変動係数）を算出した。
粒子の変動係数（％）＝１００×（粒子径の標準偏差／個数基準平均粒子径）
なお、基材粒子では、基材粒子０．００５部に界面活性剤（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標） Ｎ−０８」）の１％水溶液２０部を加え、超音波で１０分間分散させた分散液を測定試料とした。シード粒子では、加水分解、縮合反応で得られた分散液を、界面活性剤（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標） Ｎ−０８」）の１％水溶液により希釈したものを測定試料とした。
１−２．回折線及び結晶子径
粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、「ＲＩＮＴ（登録商標）−ＴＴＲIII」）を使用して、導電性微粒子についてＸ線回折測定を行った。次いで、解析ソフトとして総合粉末Ｘ線解析ソフトウエア（リガク社製、「ＰＤＫＬ」）を用い、ミラー指数（２００）の格子面に帰属されるピーク（回折線）の幅（積分幅）から、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式に基づいて、該格子面に垂直方向の結晶子径ｄ（２００）を計算した。また、同様にして、各実施例についてミラー指数（１１１）の格子面に垂直方向の結晶子径ｄ（１１１）も計算した。
粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、「ＲＩＮＴ（登録商標）−ＴＴＲIII」）を使用して、導電性微粒子についてＸ線回折測定を行った。次いで、解析ソフトとして総合粉末Ｘ線解析ソフトウエア（リガク社製、「ＰＤＫＬ」）を用い、ミラー指数（２００）の格子面に帰属されるピーク（回折線）の幅（積分幅）から、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式に基づいて、該格子面に垂直方向の結晶子径ｄ（２００）を計算した。また、同様にして、各実施例についてミラー指数（１１１）の格子面に垂直方向の結晶子径ｄ（１１１）も計算した。
１−３．導電性金属層膜厚
フロー式粒子像解析装置（シスメックス社製、「ＦＰＩＡ（登録商標）−３０００」）を用いて、基材粒子３０００個の粒子径、導電性微粒子３０００個の粒子径を測定し、基材粒子の個数平均粒子径Ｘ（μｍ）、導電性微粒子の個数平均粒子径Ｙ（μｍ）、ＣＶ値（％）を求めた。そして、下記式に従って導電性金属層の膜厚を算出した。
導電性金属層膜厚（μｍ）＝（Ｙ−Ｘ）／２
フロー式粒子像解析装置（シスメックス社製、「ＦＰＩＡ（登録商標）−３０００」）を用いて、基材粒子３０００個の粒子径、導電性微粒子３０００個の粒子径を測定し、基材粒子の個数平均粒子径Ｘ（μｍ）、導電性微粒子の個数平均粒子径Ｙ（μｍ）、ＣＶ値（％）を求めた。そして、下記式に従って導電性金属層の膜厚を算出した。
導電性金属層膜厚（μｍ）＝（Ｙ−Ｘ）／２
１−４．リン濃度
導電性微粒子０．０５ｇに王水４ｍｌを加え、加熱下で攪拌することにより金属層を溶解し、ろ別した。その後、ろ液をＩＣＰ発光分析装置を用いて、ニッケル及びリンの含有量を分析した。
導電性微粒子０．０５ｇに王水４ｍｌを加え、加熱下で攪拌することにより金属層を溶解し、ろ別した。その後、ろ液をＩＣＰ発光分析装置を用いて、ニッケル及びリンの含有量を分析した。
１−５．耐湿熱性評価
導電性微粒子１０質量部（以下、質量部については単に「部」と表す）に、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂（三菱化学社製、「ＪＥＲ８２８」）を１００部、硬化剤（三新化学社製、「サンエイド（登録商標） ＳＩ−１５０」）２部、及びトルエン１００部を加えた。この混合物に、１ｍｍのジルコニアビーズ５０部を加えて、ステンレス製の２枚攪拌羽根を用いて３００ｒｐｍで１０分間分散を行い、ペースト状組成物を得た。得られたペースト状組成物をバーコーターで剥離処理ＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥させて、異方性導電フィルムを得た。
得られた異方性導電フィルムを、抵抗測定用の線を有する全面アルミ蒸着ガラス基板と、１００μｍピッチで銅パターンを形成したポリイミドフィルム基板間に挟み込み、５ＭＰａ、２００℃の圧着条件で熱圧着して測定試料を作製した。この試料について、電極間の抵抗値（初期抵抗値）を評価した。また、測定試料を、温度８０℃、湿度１００％で１０００時間、２０００時間、又は３０００時間放置した後の電極間の抵抗値についてもそれぞれ同様に測定した。
下記式により抵抗値上昇率を求め、抵抗値上昇率が１％未満の場合を「Ａ」、抵抗値上昇率が１％以上の場合を「Ｂ」と評価した。
抵抗値上昇率（％）＝（（温度８０℃、湿度１００％、所定時間放置後の抵抗値）−（初期抵抗値）／（初期抵抗値））×１００
導電性微粒子１０質量部（以下、質量部については単に「部」と表す）に、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂（三菱化学社製、「ＪＥＲ８２８」）を１００部、硬化剤（三新化学社製、「サンエイド（登録商標） ＳＩ−１５０」）２部、及びトルエン１００部を加えた。この混合物に、１ｍｍのジルコニアビーズ５０部を加えて、ステンレス製の２枚攪拌羽根を用いて３００ｒｐｍで１０分間分散を行い、ペースト状組成物を得た。得られたペースト状組成物をバーコーターで剥離処理ＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥させて、異方性導電フィルムを得た。
得られた異方性導電フィルムを、抵抗測定用の線を有する全面アルミ蒸着ガラス基板と、１００μｍピッチで銅パターンを形成したポリイミドフィルム基板間に挟み込み、５ＭＰａ、２００℃の圧着条件で熱圧着して測定試料を作製した。この試料について、電極間の抵抗値（初期抵抗値）を評価した。また、測定試料を、温度８０℃、湿度１００％で１０００時間、２０００時間、又は３０００時間放置した後の電極間の抵抗値についてもそれぞれ同様に測定した。
下記式により抵抗値上昇率を求め、抵抗値上昇率が１％未満の場合を「Ａ」、抵抗値上昇率が１％以上の場合を「Ｂ」と評価した。
抵抗値上昇率（％）＝（（温度８０℃、湿度１００％、所定時間放置後の抵抗値）−（初期抵抗値）／（初期抵抗値））×１００
１−６．基材粒子の１０％Ｋ値
微小圧縮試験機（島津製作所製「ＭＣＴ−Ｗ５００」）を用いて、室温（２５℃）において、試料台上に散布した試料粒子１個について、直径５０μｍの円形平板圧子を用いて、「標準表面検出」モードで粒子の中心方向へ一定の負荷速度（２．２２９５ｍＮ／秒）で荷重をかけた。そして、圧縮変位が粒子径の１０％となったときの荷重（ｍＮ）を測定し、得られた圧縮荷重、粒子の圧縮変位及び粒子径から、１０％Ｋ値を算出した。なお、測定は各試料について、異なる１０個の粒子に対して行い、平均した値を測定値とした。
微小圧縮試験機（島津製作所製「ＭＣＴ−Ｗ５００」）を用いて、室温（２５℃）において、試料台上に散布した試料粒子１個について、直径５０μｍの円形平板圧子を用いて、「標準表面検出」モードで粒子の中心方向へ一定の負荷速度（２．２２９５ｍＮ／秒）で荷重をかけた。そして、圧縮変位が粒子径の１０％となったときの荷重（ｍＮ）を測定し、得られた圧縮荷重、粒子の圧縮変位及び粒子径から、１０％Ｋ値を算出した。なお、測定は各試料について、異なる１０個の粒子に対して行い、平均した値を測定値とした。
２．基材粒子の準備
２−１．合成例１：ビニル重合体粒子１の合成
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子(重合性ポリシロキサン粒子)の乳濁液を調製した。このポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は３．０２μｍであった。
２−１．合成例１：ビニル重合体粒子１の合成
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子(重合性ポリシロキサン粒子)の乳濁液を調製した。このポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は３．０２μｍであった。
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標） ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、単量体成分（吸収モノマー）としてスチレン２００部及びジビニルベンゼン（ＤＶＢ９６０：新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製した。この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認された。
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これをビニル重合体粒子１とした。このビニル重合体粒子１の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−２．合成例２：ビニル重合体粒子２の合成
重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液を調製するにあたり、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加」することに代えて、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール４５０部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１５０部及びメタノール５００部の混合液を添加」したこと以外は、合成例１と同様にしてビニル重合体粒子２を作製した。このとき中間生成物であるポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は１．５０μｍであった。また、得られたビニル重合体粒子２の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液を調製するにあたり、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加」することに代えて、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール４５０部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１５０部及びメタノール５００部の混合液を添加」したこと以外は、合成例１と同様にしてビニル重合体粒子２を作製した。このとき中間生成物であるポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は１．５０μｍであった。また、得られたビニル重合体粒子２の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−３．合成例３：ビニル重合体粒子３の合成
重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液を調製するにあたり、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加」することに代えて、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール５５０部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール５０部の混合液を添加」したこと以外は、合成例１と同様にしてビニル重合体粒子３を作製した。このとき中間生成物であるポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は１．１５μｍであった。また、得られたビニル重合体粒子３の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液を調製するにあたり、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール３５５部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール２４５部の混合液を添加」することに代えて、「四つ口フラスコに、イオン交換水１８００部と、２５％アンモニア水２４部、メタノール５５０部を入れ、攪拌下、滴下口から３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００部及びメタノール５０部の混合液を添加」したこと以外は、合成例１と同様にしてビニル重合体粒子３を作製した。このとき中間生成物であるポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は１．１５μｍであった。また、得られたビニル重合体粒子３の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−４．合成例４：ビニル重合体粒子４の合成
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水１０００．０部と、２５％アンモニア水１５．０部を入れ、攪拌下、滴下口から、単量体成分（シード形成モノマー）としてビニルトリメトキシシラン５９．３部、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン４０．７部、及びメタノール１７０．０部を添加し、ビニルトリメトキシシラン及び３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、ビニル基及びメタクリロイル基を有する重合性ポリシロキサン粒子(シード粒子)の分散液を調製した。このポリシロキサン粒子の個数基準の平均粒子径は４．３６μｍであった。
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１２．５部をイオン交換水５００部に溶解した溶液に、単量体成分（吸収モノマー）としてジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）１２．０部とを溶解した溶液を加え、乳化分散させて単量体成分（吸収モノマー）の乳化液を調製した。乳化分散の開始から２時間後、得られた乳化液を、ポリシロキサン粒子（シード粒子）の分散液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が吸収モノマーを吸収して肥大化していることが確認された。
次いで、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液２５．０部を加え、窒素雰囲気下で反応液を６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成し、ビニル重合体粒子４を得た。ビニル重合体粒子４の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水１０００．０部と、２５％アンモニア水１５．０部を入れ、攪拌下、滴下口から、単量体成分（シード形成モノマー）としてビニルトリメトキシシラン５９．３部、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン４０．７部、及びメタノール１７０．０部を添加し、ビニルトリメトキシシラン及び３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、ビニル基及びメタクリロイル基を有する重合性ポリシロキサン粒子(シード粒子)の分散液を調製した。このポリシロキサン粒子の個数基準の平均粒子径は４．３６μｍであった。
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１２．５部をイオン交換水５００部に溶解した溶液に、単量体成分（吸収モノマー）としてジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）１２．０部とを溶解した溶液を加え、乳化分散させて単量体成分（吸収モノマー）の乳化液を調製した。乳化分散の開始から２時間後、得られた乳化液を、ポリシロキサン粒子（シード粒子）の分散液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が吸収モノマーを吸収して肥大化していることが確認された。
次いで、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液２５．０部を加え、窒素雰囲気下で反応液を６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成し、ビニル重合体粒子４を得た。ビニル重合体粒子４の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−５．合成例５：ビニル重合体粒子５の合成
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が４．５０μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「スチレン２５０部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）２５０部」に変更したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子５を得た。ビニル重合体粒子５の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が４．５０μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「スチレン２５０部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）２５０部」に変更したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子５を得た。ビニル重合体粒子５の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−６．合成例６：ビニル重合体粒子６の合成
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が５．１５μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「メチルメタクリレート４７５．０部、エチレングリコールジメタクリレート２５．０部」に変更し、焼成の代わりに窒素雰囲気下８０℃で４時間乾燥したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子６を得た。ビニル重合体粒子６の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が５．１５μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「メチルメタクリレート４７５．０部、エチレングリコールジメタクリレート２５．０部」に変更し、焼成の代わりに窒素雰囲気下８０℃で４時間乾燥したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子６を得た。ビニル重合体粒子６の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
２−７．合成例７：ビニル重合体粒子７の合成
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が３．２５μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「ｎ−ブチルメタクリレート１４４０．０部、トリエチレングリコールジメタクリレート１６０．０部、及びメタクリル酸４００部」に変更し、焼成の代わりに窒素雰囲気下４０℃で１２時間乾燥したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子７を得た。ビニル重合体粒子７の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
イオン交換水、メタノール、アンモニア水の量を適宜変更し、個数基準の平均粒子径が３．２５μｍのシード粒子を作製した後、吸収モノマーの種類と使用量を「ジビニルベンゼン（新日鐡化学社製「ＤＶＢ９６０」：ジビニルベンゼン９６％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）５００．０部」に代えて、「ｎ−ブチルメタクリレート１４４０．０部、トリエチレングリコールジメタクリレート１６０．０部、及びメタクリル酸４００部」に変更し、焼成の代わりに窒素雰囲気下４０℃で１２時間乾燥したこと以外は合成例４と同様にして、ビニル重合体粒子７を得た。ビニル重合体粒子７の個数平均粒子径、粒子径の変動係数（ＣＶ値）および１０％Ｋ値を測定した。結果を表１に示す。
３．導電性粒子の製造
３−１．実施例１
上記した基材粒子（ビニル重合体粒子１）に、水酸化ナトリウム水溶液によるエッチング処理を施した後、二塩化スズ溶液に接触させ、その後、二塩化パラジウム溶液に浸漬させることにより（センシタイジング−アクチベーティング法）、パラジウム核を形成させた。パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得た。この懸濁液を７０℃に加熱して攪拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加した。前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを５７．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１０．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており（すなわち、ニッケルめっき液中のグリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合は、１．５）、ｐＨは６．３に調整されている。液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌した。その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄することにより、ニッケルめっきを施した導電性微粒子１を得た。
３−１．実施例１
上記した基材粒子（ビニル重合体粒子１）に、水酸化ナトリウム水溶液によるエッチング処理を施した後、二塩化スズ溶液に接触させ、その後、二塩化パラジウム溶液に浸漬させることにより（センシタイジング−アクチベーティング法）、パラジウム核を形成させた。パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得た。この懸濁液を７０℃に加熱して攪拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加した。前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを５７．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１０．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており（すなわち、ニッケルめっき液中のグリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合は、１．５）、ｐＨは６．３に調整されている。液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌した。その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄することにより、ニッケルめっきを施した導電性微粒子１を得た。
導電性微粒子１の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）は４９．７Å（４．９７ｎｍ）であり、ｄ（１１１）は８６．８Å（８．６８ｎｍ）、ｄ（２００）／ｄ（１１１）＝０．５７３であった。また、導電性微粒子１の耐湿熱性評価の結果は１０００時間放置後の場合「Ａ」、２０００時間放置後の場合「Ｂ」であった。これらの評価結果を表３に示す。
３−２．実施例２
実施例１と同様にしてパラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得た。この懸濁液を７０℃に加熱して撹拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加した。前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、リンゴ酸を１０．５ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを７６．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１３．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており（すなわち、ニッケルめっき液中のグリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合は、２．０）、ｐＨは６．８に調整されている。液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌した。その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間加熱処理を行い、ニッケルめっきを施した導電性微粒子２を得た。
実施例１と同様にしてパラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得た。この懸濁液を７０℃に加熱して撹拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加した。前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、リンゴ酸を１０．５ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを７６．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１３．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており（すなわち、ニッケルめっき液中のグリシンに対する酢酸ナトリウムの質量割合は、２．０）、ｐＨは６．８に調整されている。液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌した。その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間加熱処理を行い、ニッケルめっきを施した導電性微粒子２を得た。
導電性微粒子２の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子２を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）は１１Å（１．１ｎｍ）であり、ｄ（１１１）は２７．５Å（２．７５ｎｍ）、ｄ（２００）／ｄ（１１１）＝０．４００であった。また、導電性微粒子２の耐湿熱性評価の結果は１０００時間放置後の場合「Ａ」、２０００時間放置後の場合「Ｂ」であった。これらの評価結果を表３に示す。
３−３．比較例１
窒素雰囲気下、２８０℃で２時間の加熱処理を行わないこと以外は実施例２と同様にして、導電性微粒子３を得た。
導電性微粒子３の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子３を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子３の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
窒素雰囲気下、２８０℃で２時間の加熱処理を行わないこと以外は実施例２と同様にして、導電性微粒子３を得た。
導電性微粒子３の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子３を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子３の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
３−４．比較例２
実施例２における窒素雰囲気下、２８０℃で２時間の加熱処理の代わりに、窒素雰囲気下、２６０℃で２時間加熱処理を行ったこと以外は実施例２と同様にして、導電性微粒子４を得た。
導電性微粒子４の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子４を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子４の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
実施例２における窒素雰囲気下、２８０℃で２時間の加熱処理の代わりに、窒素雰囲気下、２６０℃で２時間加熱処理を行ったこと以外は実施例２と同様にして、導電性微粒子４を得た。
導電性微粒子４の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子４を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子４の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
３−５．比較例３
実施例１で用いたニッケルめっき液の代わりに、乳酸５２．２ｇ／Ｌ、リンゴ酸１０．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１１０．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２３０ｇ／Ｌを含有し、ｐＨ４．６に調整されたニッケルめっき液を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性微粒子５を得た。
導電性微粒子５の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子５を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子５の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
実施例１で用いたニッケルめっき液の代わりに、乳酸５２．２ｇ／Ｌ、リンゴ酸１０．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１１０．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２３０ｇ／Ｌを含有し、ｐＨ４．６に調整されたニッケルめっき液を用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電性微粒子５を得た。
導電性微粒子５の個数平均粒子径、ＣＶ値、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子５を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線は観測されなかった。また、導電性微粒子５の１０００時間経過後の耐湿熱性評価の結果は「Ｂ」であった。
３−６．実施例３
ビニル重合体粒子１に代えて、ビニル重合体粒子２を基材粒子として用いたこと以外は、実施例２と同様にして、導電性微粒子６を得た。得られた導電性微粒子６の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子６を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えて、ビニル重合体粒子２を基材粒子として用いたこと以外は、実施例２と同様にして、導電性微粒子６を得た。得られた導電性微粒子６の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子６を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−７．実施例４
加熱処理における条件等を変更する以外は、実施例３と同様にして、導電性微粒子７を得た。得られた導電性微粒子７の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子７を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
加熱処理における条件等を変更する以外は、実施例３と同様にして、導電性微粒子７を得た。得られた導電性微粒子７の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子７を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−８．実施例５
加熱処理における条件等を変更する以外は、実施例３と同様にして、導電性微粒子８を得た。得られた導電性微粒子８の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子８を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
加熱処理における条件等を変更する以外は、実施例３と同様にして、導電性微粒子８を得た。得られた導電性微粒子８の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子８を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−９．実施例６
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子３を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子９を得た。得られた導電性微粒子９の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子９を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子３を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子９を得た。得られた導電性微粒子９の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子９を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−１０．実施例７
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子４を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１０を得た。得られた導電性微粒子１０の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１０を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子４を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１０を得た。得られた導電性微粒子１０の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１０を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−１１．実施例８
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子５を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１１を得た。得られた導電性微粒子１１の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１１を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子５を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１１を得た。得られた導電性微粒子１１の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１１を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−１２．実施例９
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子６を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１２を得た。得られた導電性微粒子１２の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１２を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子６を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１２を得た。得られた導電性微粒子１２の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１２を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
３−１３．実施例１０
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子７を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１３を得た。得られた導電性微粒子１３の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１３を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
ビニル重合体粒子１に代えてビニル重合体粒子７を基材粒子として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性微粒子１３を得た。得られた導電性微粒子１３の個数平均粒子径、ニッケル層の膜厚、リン濃度を測定した。結果を表２に示す。導電性微粒子１３を粉末Ｘ線回折測定した結果、ニッケル格子面（２００）に帰属される回折線が観測され、ニッケル格子面（１１１）の回折線も観測された。ｄ（２００）の値、ｄ（１１１）の値、ｄ（２００）／ｄ（１１１）比、耐湿熱性評価の結果を後述する表３に示す。
比較例１〜３で得られた導電性微粒子３〜５はニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観察されない為、１０００時間で測定した時の耐湿熱性が劣る。これに対して実施例１〜１０の導電性微粒子１、２、６〜１３はニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観察される為、１０００時間で測定した時の耐湿熱性がいずれも優れる。
さらに実施例３〜５の対比より、基材の平均粒子径が３．０μｍの導電性微粒子６〜８では、ｄ（２００）／ｄ（１１１）が大きい程、湿熱性条件下においても長時間にわたって抵抗値上昇を効果的に抑制できることがわかる。ニッケル層の結晶の［２００］方向の成長が進行しているほど、耐湿熱性がより顕著に向上するためであると考えられる。
さらに実施例３〜５の対比より、基材の平均粒子径が３．０μｍの導電性微粒子６〜８では、ｄ（２００）／ｄ（１１１）が大きい程、湿熱性条件下においても長時間にわたって抵抗値上昇を効果的に抑制できることがわかる。ニッケル層の結晶の［２００］方向の成長が進行しているほど、耐湿熱性がより顕著に向上するためであると考えられる。
実施例１で得られた導電性微粒子１と実施例６で得られた導電性微粒子９を比較すると、基材の平均粒子径が６μｍ（導電性微粒子１）よりも２．３μｍ（導電性微粒子９）の方が、長時間経過後も耐湿熱性に優れることがわかる。ニッケル層のｄ（２００）とｄ（１１１）が同等であっても、基材の平均粒子径を３．０μｍ以下とすることで、湿熱性条件下における抵抗値上昇をより効果的に抑制することができる。同様の効果は、実施例２で得られた導電性微粒子２と実施例３で得られた導電性微粒子６との比較からも明らかである。導電性微粒子２と導電性微粒子６もニッケル層のｄ（２００）とｄ（１１１）はそれぞれ同等であるが、粒子径が３．０μｍ以下である導電性微粒子６では湿熱性条件下における抵抗値上昇をより効果的に抑制できることがわかる。
実施例７〜１０で得られた導電性微粒子１０〜１３の比較より、１０％Ｋ値が小さく軟質な基材粒子を用いるほど、湿熱性条件下における抵抗値上昇をより長時間にわたって抑制できることがわかる。圧縮時、基材粒子に負荷が分散され、ニッケル層にかかる負荷が分散されたためと考えられる。
Claims (9)
- 基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、
前記導電性金属層がニッケル層を含み、
前記導電性微粒子を粉末Ｘ線回折測定したとき、ニッケルの格子面（２００）に帰属される回折線が観測されることを特徴とする導電性微粒子。 - 導電性微粒子の粉末Ｘ線回折測定により測定されるニッケルの［２００］方向の結晶子径をｄ（２００）とし、ニッケルの［１１１］方向の結晶子径をｄ（１１１）としたとき、これらの比（ｄ（２００）／ｄ（１１１））が、０．０５以上である請求項１に記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子がビニル重合体粒子である請求項１又は２に記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子の個数平均粒子径が１μｍ以上、５０μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子の１０％Ｋ値が１００Ｎ／ｍｍ2以上、４００００Ｎ／ｍｍ2以下である請求項１〜４のいずれかに記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子の個数平均粒子径が３μｍ以下であり、かつ、１０％Ｋ値が４０００Ｎ／ｍｍ2超である請求項１〜５のいずれかに記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子の個数平均粒子径が３μｍ以下であり、かつ、導電性微粒子の粉末Ｘ線回折測定により測定されるニッケルの［２００］方向の結晶子径ｄ（２００）と、ニッケルの［１１１］方向の結晶子径ｄ（１１１）の比（ｄ（２００）／ｄ（１１１））が０．２以上である請求項１〜５のいずれかに記載の導電性微粒子。
- 前記基材粒子の１０％Ｋ値が１００Ｎ／ｍｍ2以上、４０００Ｎ／ｍｍ2以下である請求項１〜５のいずれかに記載の導電性微粒子。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の導電性微粒子を含む異方性導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013548315A JP5902717B2 (ja) | 2011-12-08 | 2012-12-07 | 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011268677 | 2011-12-08 | ||
| JP2011268677 | 2011-12-08 | ||
| PCT/JP2012/081809 WO2013085039A1 (ja) | 2011-12-08 | 2012-12-07 | 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 |
| JP2013548315A JP5902717B2 (ja) | 2011-12-08 | 2012-12-07 | 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013085039A1 true JPWO2013085039A1 (ja) | 2015-04-27 |
| JP5902717B2 JP5902717B2 (ja) | 2016-04-13 |
Family
ID=48574390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013548315A Active JP5902717B2 (ja) | 2011-12-08 | 2012-12-07 | 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5902717B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140106510A (ja) |
| CN (1) | CN103946929A (ja) |
| WO (1) | WO2013085039A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6646366B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2020-02-14 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
| JP6641118B2 (ja) * | 2014-08-18 | 2020-02-05 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
| CN106576424B (zh) * | 2014-08-29 | 2020-08-25 | 拓自达电线株式会社 | 柔性印刷配线板用增强部件和具备柔性印刷配线板用增强部件的柔性印刷配线板 |
| WO2016068165A1 (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | デクセリアルズ株式会社 | 導電材料 |
| JP6719859B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2020-07-08 | 株式会社日本触媒 | 重合体微粒子、導電性微粒子および異方性導電材料 |
| KR102164893B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-10-13 | 덕산하이메탈(주) | 합금도전입자, 그 제조방법 및 이를 포함하는 도전성 재료 |
| US11020825B2 (en) | 2015-11-20 | 2021-06-01 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Connecting material and connection structure |
| JP6959006B2 (ja) | 2015-11-20 | 2021-11-02 | 積水化学工業株式会社 | 接続材料及び接続構造体 |
| US11024439B2 (en) | 2015-11-20 | 2021-06-01 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Particles, connecting material and connection structure |
| JP2017147163A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性ペースト及びこれを用いて形成された導電性膜 |
| CN110894589A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件形成方法 |
| JP2021031659A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | 架橋型メタクリレート樹脂粒子および造孔剤 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005327509A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
| WO2006025485A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
| JP2006117850A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 重合体微粒子およびその製造方法、導電性微粒子 |
| JP2007035574A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体 |
| JP2007173075A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
| JP2011094146A (ja) * | 2008-03-27 | 2011-05-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 重合体粒子、導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4413267B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2010-02-10 | 積水化学工業株式会社 | 導電性微粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
-
2012
- 2012-12-07 KR KR1020147012851A patent/KR20140106510A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-12-07 JP JP2013548315A patent/JP5902717B2/ja active Active
- 2012-12-07 CN CN201280057309.3A patent/CN103946929A/zh active Pending
- 2012-12-07 WO PCT/JP2012/081809 patent/WO2013085039A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005327509A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
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| JP2006117850A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 重合体微粒子およびその製造方法、導電性微粒子 |
| JP2007035574A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体 |
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| JP2011094146A (ja) * | 2008-03-27 | 2011-05-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 重合体粒子、導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5902717B2 (ja) | 2016-04-13 |
| WO2013085039A1 (ja) | 2013-06-13 |
| CN103946929A (zh) | 2014-07-23 |
| KR20140106510A (ko) | 2014-09-03 |
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| JP5583611B2 (ja) | 導電性微粒子 |
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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