JPWO2013058237A1 - 誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ - Google Patents
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Abstract
本発明の誘電膜は、エラストマーと、結晶化度が80%以上のチタン酸バリウム粒子と、を含む。該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子は、互いに反応可能な官能基を有し、該官能基同士の反応により、該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子による架橋構造が形成されている。このため、本発明の誘電膜の比誘電率および体積抵抗率は大きい。また、本発明のトランスデューサは、当該誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備える。本発明のトランスデューサは、耐絶縁破壊性に優れ、大きな力を出力することができる。
Description
本発明は、エラストマー材料を用いたトランスデューサに関し、特に、当該トランスデューサに用いられる誘電膜に関する。
トランスデューサとしては、機械エネルギーと電気エネルギーとの変換を行うアクチュエータ、センサ、発電素子等、あるいは音響エネルギーと電気エネルギーとの変換を行うスピーカ、マイクロフォン等が知られている。柔軟性が高く、小型で軽量なトランスデューサを構成するためには、誘電体エラストマー等の高分子材料が有用である。
例えば、特許文献1に記載されているように、誘電体エラストマーからなる誘電膜の厚さ方向両面に、一対の電極を配置して、アクチュエータを構成することができる。この種のアクチュエータでは、電極間への印加電圧を大きくすると、電極間の静電引力が大きくなる。このため、電極間に挟まれた誘電膜は厚さ方向から圧縮され、誘電膜の厚さは薄くなる。膜厚が薄くなると、その分、誘電膜は電極面に対して平行方向に伸長する。一方、電極間への印加電圧を小さくすると、電極間の静電引力が小さくなる。このため、誘電膜に対する厚さ方向からの圧縮力が小さくなり、誘電膜の弾性復元力により膜厚は厚くなる。膜厚が厚くなると、その分、誘電膜は電極面に対して平行方向に収縮する。このように、アクチュエータは、誘電膜を伸長、収縮させることによって、駆動対象部材を駆動させる。
アクチュエータから出力される力および変位量を大きくするためには、誘電膜の比誘電率および体積抵抗率を大きくすることが必要である。このため、誘電膜の材料としては、比誘電率が大きいアクリルゴム、ニトリルゴム、あるいは耐絶縁破壊性に優れるシリコーンゴム等が用いられる。
シリコーンゴムは、シロキサン結合を骨格とする。このため、電気抵抗が大きい。よって、シリコーンゴムからなる誘電膜は、大きな電圧を印加しても絶縁破壊しにくい。しかしながら、シリコーンゴムの極性は小さい。つまり、比誘電率が小さい。このため、シリコーンゴムからなる誘電膜を用いてアクチュエータを構成した場合には、印加電圧に対する静電引力が小さい。よって、実用的な電圧により、所望の力および変位量を得ることができない。
一方、アクリルゴムやニトリルゴムの比誘電率は、シリコーンゴムの比誘電率よりも大きい。このため、誘電膜の材料にアクリルゴム等を用いると、印加電圧に対する静電引力が、シリコーンゴムを用いた場合と比較して大きくなる。しかしながら、アクリルゴム等の電気抵抗は、シリコーンゴムと比較して小さい。このため、誘電膜が絶縁破壊しやすい。また、電圧印加時に電流が誘電膜中を流れてしまい(いわゆる漏れ電流)、誘電膜と電極との界面付近に電荷が溜まりにくい。したがって、比誘電率が大きいにも関わらず、静電引力が小さくなり、充分な力および変位量を得ることができない。このように、エラストマー単独では、静電引力と耐絶縁破壊性との両方を満足する誘電膜を実現することは、難しい。
この点、特許文献2には、ベースゴムにチタン酸バリウム等の高誘電セラミックス粉末を配合した誘電膜が開示されている。また、本発明者は、誘電膜の材料として、有機金属化合物により架橋されたエラストマー中に、チタン酸バリウム等の無機フィラーを配合したエラストマー材料を開発している(特許文献3参照)。エラストマーに無機フィラーを配合すると、それにより電子の流れが阻害されるため、電気抵抗を大きくすることができる。しかしながら、従来のエラストマー材料において、無機フィラーは、エラストマーに直接化学結合しているわけではない。このため、エラストマーと無機フィラーとの結合による絶縁ネットワークを形成することができず、電気抵抗の増加効果は充分とはいえない。また、電圧印加時に、エラストマーと無機フィラーとの間の微小な隙間で放電が生じることにより、耐絶縁破壊性の低下を招くおそれがある。また、無機フィラーとして配合されるチタン酸バリウムは、結晶性が高いほど、比誘電率および体積抵抗率が大きい。しかしながら、上記特許文献2、3において、チタン酸バリウムの結晶性についての検討はされていない。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、比誘電率および体積抵抗率が大きい誘電膜を提供することを課題とする。また、当該誘電膜を用いて、耐絶縁破壊性に優れ、大きな力を出力することができるトランスデューサを提供することを課題とする。
(1)本発明の誘電膜は、トランスデューサに用いられる誘電膜であって、エラストマーと、結晶化度が80%以上のチタン酸バリウム粒子と、を含み、該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子は、互いに反応可能な官能基を有し、該官能基同士の反応により、該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子による架橋構造が形成されていることを特徴とする。
本発明の誘電膜においては、エラストマーおよびチタン酸バリウム粒子による架橋構造が形成されている。すなわち、エラストマーおよびチタン酸バリウム粒子から形成される絶縁ネットワークにより、電子の流れが遮断される。このため、本発明の誘電膜の電気抵抗は大きい。また、エラストマーとチタン酸バリウム粒子とは、化学結合している。このため、両者の間に隙間は無い。したがって、電圧印加時に、放電による絶縁破壊が生じにくい。また、チタン酸バリウム粒子は、エラストマーの三次元網目構造に組み込まれている。このため、チタン酸バリウム粒子は凝集しにくい。つまり、チタン酸バリウム粒子は、凝集した二次粒子ではなく単独の一次粒子の状態で、均一に、エラストマー中に分散される。したがって、より効果的に電子の通過を阻害することができる。また、誘電膜の膜質は、均一である。このため、電圧印加時における誘電膜の伸びが均一になり、チタン酸バリウム粒子を基点とした絶縁破壊が生じにくい。
ここで、チタン酸バリウム粒子の結晶化度は、80%以上である。結晶性が高いため、チタン酸バリウム粒子の比誘電率および体積抵抗率は大きい。結晶性が高いチタン酸バリウム粒子を用いることにより、本発明の誘電膜の比誘電率および体積抵抗率を、より大きくすることができる。なお、結晶化度は、X線回折(XRD)装置により測定することができる。すなわち、得られたXRDパターンを、結晶質成分から生じるピーク強度と、非晶質成分から生じるハローの強度と、に分離して、それらの積分強度を用いて次式(1)により算出すればよい。
結晶化度(%)=Sc/(Sc+Sa)×100・・・(1)
[Sc:結晶ピークの積分強度、Sa:非晶質ハローの積分強度]
このように、結晶性が高いチタン酸バリウム粒子を用い、当該チタン酸バリウム粒子とエラストマーとの架橋構造を形成して、チタン酸バリウム粒子をエラストマー中に均一に分散させることにより、誘電膜の比誘電率および体積抵抗率を、大幅に向上させることができる。本発明の誘電膜によると、比誘電率が大きいため、印加電圧に対する静電引力が大きくなる。加えて、体積抵抗率が大きいため、漏れ電流が小さくなり、誘電膜と電極との界面付近に多くの電荷を溜めることができる。したがって、本発明の誘電膜を備えるトランスデューサによると、実用的な電圧により、大きな力および変位量を得ることができる。また、本発明の誘電膜は、高い耐絶縁破壊性を有する。このため、より大きな電圧を印加して、より大きな力および変位量を得ることができる。
結晶化度(%)=Sc/(Sc+Sa)×100・・・(1)
[Sc:結晶ピークの積分強度、Sa:非晶質ハローの積分強度]
このように、結晶性が高いチタン酸バリウム粒子を用い、当該チタン酸バリウム粒子とエラストマーとの架橋構造を形成して、チタン酸バリウム粒子をエラストマー中に均一に分散させることにより、誘電膜の比誘電率および体積抵抗率を、大幅に向上させることができる。本発明の誘電膜によると、比誘電率が大きいため、印加電圧に対する静電引力が大きくなる。加えて、体積抵抗率が大きいため、漏れ電流が小さくなり、誘電膜と電極との界面付近に多くの電荷を溜めることができる。したがって、本発明の誘電膜を備えるトランスデューサによると、実用的な電圧により、大きな力および変位量を得ることができる。また、本発明の誘電膜は、高い耐絶縁破壊性を有する。このため、より大きな電圧を印加して、より大きな力および変位量を得ることができる。
(2)また、本発明のトランスデューサは、上記本発明の誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備えることを特徴とする。
本発明のトランスデューサは、上記本発明の誘電膜を備える。上述したように、本発明の誘電膜の比誘電率および体積抵抗率は大きい。このため、本発明の誘電膜に電圧を印加すると、大きな静電引力が発生する。したがって、本発明のトランスデューサによると、実用的な電圧により、大きな力および変位量を得ることができる。また、誘電膜の耐絶縁破壊性が高いため、より大きな電圧を印加して、より大きな力および変位量を得ることができる。
1:アクチュエータ(トランスデューサ)、10:誘電膜、11a、11b:電極、12a、12b:配線、13:電源。
4:スピーカ(トランスデューサ)、40a:第一アウタフレーム、40b:第二アウタフレーム、41a:第一インナフレーム、41b:第二インナフレーム、42a:第一誘電膜、42b:第二誘電膜、43a:第一アウタ電極、43b:第二アウタ電極、44a:第一インナ電極、44b:第二インナ電極、45a:第一振動板、45b:第二振動板、430a、430b、440a、440b:端子、460:ボルト、461:ナット、462:スペーサ。
5:アクチュエータ、50:誘電膜、51a、51b:電極、52:上側チャック、53:下側チャック。
4:スピーカ(トランスデューサ)、40a:第一アウタフレーム、40b:第二アウタフレーム、41a:第一インナフレーム、41b:第二インナフレーム、42a:第一誘電膜、42b:第二誘電膜、43a:第一アウタ電極、43b:第二アウタ電極、44a:第一インナ電極、44b:第二インナ電極、45a:第一振動板、45b:第二振動板、430a、430b、440a、440b:端子、460:ボルト、461:ナット、462:スペーサ。
5:アクチュエータ、50:誘電膜、51a、51b:電極、52:上側チャック、53:下側チャック。
以下、本発明の誘電膜およびトランスデューサの実施形態について説明する。なお、本発明の誘電膜およびトランスデューサは、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、当業者が行い得る変更、改良等を施した種々の形態にて実施することができる。
<誘電膜>
本発明の誘電膜は、エラストマーと、結晶化度が80%以上のチタン酸バリウム粒子と、を含む。
本発明の誘電膜は、エラストマーと、結晶化度が80%以上のチタン酸バリウム粒子と、を含む。
[エラストマー]
エラストマーは、チタン酸バリウム粒子の官能基と反応可能な官能基を有するものであれば、特に限定されない。後述するように、チタン酸バリウム粒子の官能基は、アルコキシ基(−OR)およびヒドロキシ基(−OH)の少なくとも一方を含む。したがって、これらの官能基と反応可能な官能基、具体的には、ヒドロキシ基(−OH)、アミノ基(−NH2、−NHR1、−NR1R2)、カルボキシ基(−COOH)、チオール基(−SH)、およびハロゲン化アルキル基(−RX)から選ばれる一種以上を有するものが望ましい(R、R1、R2はアルキル基、Xはハロゲン原子を示す)。
エラストマーは、チタン酸バリウム粒子の官能基と反応可能な官能基を有するものであれば、特に限定されない。後述するように、チタン酸バリウム粒子の官能基は、アルコキシ基(−OR)およびヒドロキシ基(−OH)の少なくとも一方を含む。したがって、これらの官能基と反応可能な官能基、具体的には、ヒドロキシ基(−OH)、アミノ基(−NH2、−NHR1、−NR1R2)、カルボキシ基(−COOH)、チオール基(−SH)、およびハロゲン化アルキル基(−RX)から選ばれる一種以上を有するものが望ましい(R、R1、R2はアルキル基、Xはハロゲン原子を示す)。
エラストマーには、架橋ゴムおよび熱可塑性エラストマーが含まれる。これらの一種を単独で、あるいは二種以上を混合して用いることができる。エラストマーは、トランスデューサに要求される性能に応じて、適宜選択すればよい。例えば、電圧印加時に発生する静電引力を大きくするという観点では、極性が大きい、つまり比誘電率が大きいエラストマーが望ましい。具体的には、比誘電率が2.8以上(測定周波数100Hz)のものが好適である。比誘電率が大きいエラストマーとしては、例えば、ニトリルゴム(NBR)、水素化ニトリルゴム(H−NBR)、アクリルゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−アクリル酸エステル共重合体、ブチルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、フッ素ゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、およびウレタンゴム等が挙げられる。エラストマーが官能基を有さない場合には、官能基を導入するなどして変性すればよい。変性エラストマーとしては、例えば、カルボキシル基変性ニトリルゴム(X−NBR)、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(XH−NBR)等が好適である。X−NBR、XH−NBRにおいては、アクリロニトリル含有量(結合AN量)が33質量%以上のものが望ましい。結合AN量は、ゴムの全体質量を100質量%とした場合のアクリロニトリルの質量割合である。
また、比誘電率が小さくても、電気抵抗が大きいエラストマーは、電圧印加時に絶縁破壊しにくいという点で望ましい。電気抵抗が大きいエラストマーとしては、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体等が挙げられる。エラストマーが官能基を有さない場合には、適宜官能基を導入すればよい。
また、熱可塑性エラストマーは、架橋剤を使用しないため、不純物が入りにくく、好適である。熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系(SBS、SEBS、SEPS)、オレフィン系(TPO)、塩ビ系(TPVC)、ウレタン系(TPU)、エステル系(TPEE)、アミド系(TPAE)、およびこれらの共重合体やブレンド体が挙げられる。
[チタン酸バリウム粒子]
チタン酸バリウム粒子としては、結晶化度が80%以上のものを用いる。また、後述する製造方法により製造されるチタン酸バリウム粒子は、その表面に、エラストマーの官能基と反応可能な官能基として、アルコキシ基(−OR)およびヒドロキシ基(−OH)の少なくとも一方を有する。チタン酸バリウム粒子の官能基とエラストマーの官能基とが反応することにより、架橋構造が形成される。つまり、チタン酸バリウム粒子が、架橋剤としての役割を果たす。
チタン酸バリウム粒子としては、結晶化度が80%以上のものを用いる。また、後述する製造方法により製造されるチタン酸バリウム粒子は、その表面に、エラストマーの官能基と反応可能な官能基として、アルコキシ基(−OR)およびヒドロキシ基(−OH)の少なくとも一方を有する。チタン酸バリウム粒子の官能基とエラストマーの官能基とが反応することにより、架橋構造が形成される。つまり、チタン酸バリウム粒子が、架橋剤としての役割を果たす。
誘電膜の均一性等を考慮すると、チタン酸バリウム粒子の粒子径は、小さい方が望ましい。粒子径の小さなチタン酸バリウム粒子が、エラストマー中に均一に分散することにより、緻密な絶縁ネットワークが形成される。また、誘電膜の膜質が均一になる。このため、電圧印加時における漏れ電流が抑制されると共に、誘電膜の伸びが均一になり、チタン酸バリウム粒子を基点とした絶縁破壊が生じにくい。一方、チタン酸バリウムの比誘電率は、粒子径が大きくなるほど大きくなる。このため、誘電膜の比誘電率を考慮すると、チタン酸バリウム粒子の粒子径は、大きい方が望ましい。したがって、チタン酸バリウム粒子の粒子径については、これらの相反する利点を考慮して、誘電膜が所望の比誘電率、体積抵抗率、および柔軟性等を有するように、適宜決定すればよい。
例えば、チタン酸バリウム粒子の粒子径は、8nm以上120nm以下であることが望ましい。粒子径が8nm未満の場合には、比誘電率を大きくする効果が小さくなる。10nm以上が好適である。また、粒子径が120nmを超えると、体積抵抗率を大きくする効果が小さくなる。60nm以下が好適である。
本明細書においては、特に断りのない限り、チタン酸バリウム粒子の粒子径として、メジアン径を採用する。誘電膜中のチタン酸バリウム粒子の粒子径については、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いた観察により測定することができる。また、走査型プローブ顕微鏡(SPM)、小角X線散乱法、X線回折(XRD)により測定してもよい。
後述するように、チタン酸バリウム粒子は、高濃度の前駆体を用いたゾルゲル法により製造することができる。この場合、得られたゲル中のチタン酸バリウム粒子の粒子径と、誘電膜中のチタン酸バリウム粒子の粒子径と、は等しくなると推定される。したがって、ゲル中のチタン酸バリウム粒子の粒子径を、誘電膜中のチタン酸バリウム粒子の粒子径として採用してもよい。ゲル中のチタン酸バリウム粒子の粒子径は、例えば、日機装(株)製のレーザー回折・散乱式粒子径・粒度分布測定装置を用いて測定することができる。また、ゲルを乾固して、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた観察により測定することができる。
チタン酸バリウム粒子の含有量は、誘電膜の比誘電率、体積抵抗率、および柔軟性等を考慮して、適宜決定すればよい。例えば、チタン酸バリウム粒子の含有量を、エラストマーの100質量部に対して10質量部以上500質量部以下とするとよい。チタン酸バリウム粒子の含有量が10質量部未満の場合には、比誘電率および体積抵抗率を大きくする効果が小さい。一方、500質量部を超えると、弾性率が増加して、柔軟性が損なわれる。
上述したように、チタン酸バリウムは、結晶性が高いほど、比誘電率および体積抵抗率が大きい。チタン酸バリウムの製造方法としては、固相反応法、水熱合成法、ゾルゲル法が知られている。このうち、固相反応法によると、結晶性の高いものが得られるが、高温での焼成により、粒子が凝集しやすい。このため、焼成後の粒子を粉砕したとしても、粒子径の大きなものしか得られない。チタン酸バリウムの粒子径が大きいと、エラストマー全体に均一に分散させることが難しい。また、粒子径の大きな粒子が存在すると、電圧印加時における誘電膜の伸びが不均一になりやすい。この場合、当該粒子を基点として欠陥が生じやすく、耐絶縁破壊性が低下するおそれがある。また、焼成することにより、粒子表面の官能基が減少してしまう。粒子表面の官能基が少ないと、エラストマーと結合しにくい。このため、エラストマーとチタン酸バリウム粒子とによる架橋構造を形成することができない。
一方、通常の水熱合成法や通常のゾルゲル法によると、粒子内部にヒドロキシ基等が残存するため、結晶性が低い粒子しか得られない。得られた粒子を焼成して、結晶性を向上させることはできるが、固相反応法の場合と同様に、粒子径が大きくなると共に、粒子表面の官能基が減少するという問題がある。
そこで、本発明の誘電膜に配合するチタン酸バリウム粒子は、特許第3925932号に開示されている超臨界水による水熱合成法、あるいは、特許文献4に開示されている高濃度の前駆体を用いたゾルゲル法により製造されることが望ましい。
例えば、超臨界水による水熱合成法によると、チタン酸バリウム粒子は、バリウムおよびチタンを含む金属錯体を、超臨界水状態の反応環境中に供給して、所定時間滞在させることにより製造される。当該方法によると、結晶化度が80%以上で、粒子径が120nm以下のチタン酸バリウム粒子を、容易に製造することができる。
原料の金属錯体としては、バリウムまたはチタンを含む単一金属のアルコキシドや水酸化物を、ペロブスカイト化合物の組成となるように複数種類組み合わせて使用してもよく、バリウムおよびチタンの両方を含む複合アルコキシドを使用してもよい。例えば、バリウムアルコキシドとしては、バリウムメトキシド、バリウムエトキシド、バリウムプロポキシド、バリウムブトキシド等が挙げられる。また、チタンアルコキシドとしては、チタンメトキシド、チタンエトキシド、チタンプロポキシド、チタンブトキシド等が挙げられる。また、複合アルコキシドとしては、バリウムチタンメトキシド、バリウムチタンエトキシド、バリウムチタンプロポキシド、バリウムチタンブトキシド等が挙げられる。
また、高濃度の前駆体を用いたゾルゲル法によると、チタン酸バリウム粒子は、バリウムおよびチタンを含むアルコキシドの濃度が0.5mol/l以上の前駆体溶液に、極性有機溶媒の濃度が15mol%以上の水と極性有機溶媒との混合溶液を、該混合溶液中の該水のモル比が該前駆体溶液中の該チタンのモル比の4倍以上になるように滴下して、該アルコキシドを加水分解した後、10℃以上の温度下で保持することにより製造される。当該方法によると、結晶化度が80%以上で、粒子径が120nm以下のチタン酸バリウム粒子を、容易に製造することができる。
原料のアルコキシドとしては、バリウムまたはチタンを含む単一金属のアルコキシドを、ペロブスカイト化合物の組成となるように複数種類組み合わせて使用してもよく、バリウムおよびチタンの両方を含む複合アルコキシドを使用してもよい。例えば、バリウムアルコキシドとしては、バリウムメトキシド、バリウムエトキシド、バリウムプロポキシド、バリウムブトキシド等が挙げられる。また、チタンアルコキシドとしては、チタンメトキシド、チタンエトキシド、チタンプロポキシド、チタンブトキシド等が挙げられる。また、複合アルコキシドとしては、バリウムチタンメトキシド、バリウムチタンエトキシド、バリウムチタンプロポキシド、バリウムチタンブトキシド等が挙げられる。
バリウムおよびチタンを含むアルコキシドを、例えば、メタノールおよび2−メトキシエタノールの混合溶媒(体積比で3:2)等に溶解して、アルコキシド濃度が0.5mol/l以上の前駆体溶液を調製する。溶媒は、アルコキシドを0.5mol/l以上の濃度で溶解できるものであればよく、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒や、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン系溶媒を、単独であるいは混合して用いればよい。
前駆体溶液に滴下する混用溶液の極性有機溶媒としては、アルコール系、ケトン系、エーテル系の溶媒を用いればよい。また、急激な加水分解および重縮合反応を抑制するため、前駆体溶液を−30℃程度に冷却した状態で、混合溶液の滴下を行うとよい。それから、加水分解後の溶液を、10℃以上にまで昇温し、当該温度下で所定時間保持する(エージング処理)。保持温度は、30℃以上が好適である。エージング処理を行うことにより、粒子内部に残存するヒドロキシ基等を減少させて、結晶性を高めることができる。なお、エージング処理中、加水分解後の溶液に超音波を照射すると、チタン酸バリウム粒子の結晶化反応が促進される。これにより、エージング処理の時間を短縮することができる。
[他の成分]
本発明の誘電膜は、上記エラストマーおよびチタン酸バリウム粒子に加えて、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、架橋剤、補強剤、可塑剤、老化防止剤、着色剤等が挙げられる。本発明の誘電膜においては、架橋剤を配合しなくても、チタン酸バリウム粒子の官能基とエラストマーの官能基との反応により、架橋構造が形成される。しかし、架橋剤を添加することにより、さらに架橋反応を促進することができる。
本発明の誘電膜は、上記エラストマーおよびチタン酸バリウム粒子に加えて、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、架橋剤、補強剤、可塑剤、老化防止剤、着色剤等が挙げられる。本発明の誘電膜においては、架橋剤を配合しなくても、チタン酸バリウム粒子の官能基とエラストマーの官能基との反応により、架橋構造が形成される。しかし、架橋剤を添加することにより、さらに架橋反応を促進することができる。
<誘電膜の製造方法>
本発明の誘電膜の製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、エラストマーの架橋前ポリマー、チタン酸バリウム粉末、および必要に応じて添加剤を、ロールや混練機により混練りして、所定の条件下で薄膜状に成形すればよい。あるいは、エラストマーの架橋前ポリマー、チタン酸バリウム粉末、および必要に応じて添加剤を含む溶液を、基材上に塗布して、所定の条件下で硬化させればよい。また、チタン酸バリウム粉末ではなく、高濃度の前駆体を用いた上記ゾルゲル法により製造されたゲルを溶媒に分散した、チタン酸バリウム粒子の分散液を用いてもよい。
本発明の誘電膜の製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、エラストマーの架橋前ポリマー、チタン酸バリウム粉末、および必要に応じて添加剤を、ロールや混練機により混練りして、所定の条件下で薄膜状に成形すればよい。あるいは、エラストマーの架橋前ポリマー、チタン酸バリウム粉末、および必要に応じて添加剤を含む溶液を、基材上に塗布して、所定の条件下で硬化させればよい。また、チタン酸バリウム粉末ではなく、高濃度の前駆体を用いた上記ゾルゲル法により製造されたゲルを溶媒に分散した、チタン酸バリウム粒子の分散液を用いてもよい。
<トランスデューサ>
本発明のトランスデューサは、本発明の誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備える。本発明の誘電膜の構成、および製造方法については、上述した通りである。よって、ここでは説明を割愛する。なお、本発明のトランスデューサにおいても、本発明の誘電膜における好適な態様を採用することが望ましい。
本発明のトランスデューサは、本発明の誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備える。本発明の誘電膜の構成、および製造方法については、上述した通りである。よって、ここでは説明を割愛する。なお、本発明のトランスデューサにおいても、本発明の誘電膜における好適な態様を採用することが望ましい。
誘電膜の厚さは、用途等に応じて適宜決定すればよい。例えば、本発明のトランスデューサをアクチュエータとして用いる場合には、アクチュエータの小型化、低電位駆動化、および変位量を大きくする等の観点から、誘電膜の厚さは薄い方が望ましい。この場合、耐絶縁破壊性等をも考慮して、誘電膜の厚さを、1μm以上1000μm(1mm)以下とすることが望ましい。より好適な範囲は、5μm以上200μm以下である。
本発明のトランスデューサにおいて、電極の材質は、特に限定されるものではない。電極は、誘電膜の変形に追従して、伸縮可能であることが望ましい。この場合、誘電膜の変形が、電極により規制されにくい。したがって、本発明のトランスデューサにおいて、所望の出力を得やすくなる。例えば、オイル、エラストマー等のバインダーに導電材を混合した導電ペースト、あるいは導電塗料から、電極を形成することができる。導電材としては、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素材料、銀等の金属粉末を使用すればよい。また、炭素繊維や金属繊維をメッシュ状に編んで、電極を形成してもよい。
また、本発明のトランスデューサを、複数の誘電膜と電極とを交互に積層させた積層構造とすると、より大きな力を発生させることができる。したがって、積層構造を採用した場合には、例えば、アクチュエータの出力を大きくすることができる。これにより、駆動対象部材をより大きな力で駆動させることができる。
以下、本発明のトランスデューサをアクチュエータ、スピーカに具現化した実施形態を説明する。
[第一実施形態]
本発明のトランスデューサの第一実施形態として、アクチュエータの実施形態を説明する。図1に、本実施形態のアクチュエータの断面模式図を示す。(a)は電圧オフ状態、(b)は電圧オン状態を各々示す。
本発明のトランスデューサの第一実施形態として、アクチュエータの実施形態を説明する。図1に、本実施形態のアクチュエータの断面模式図を示す。(a)は電圧オフ状態、(b)は電圧オン状態を各々示す。
図1に示すように、アクチュエータ1は、誘電膜10と、電極11a、11bと、配線12a、12bと、を備えている。誘電膜10は、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(HX−NBR)と、チタン酸バリウム粒子と、を有している。チタン酸バリウム粒子の結晶化度は95%であり、メジアン径は20nmである。HX−NBRとチタン酸バリウム粒子とにより、架橋構造が形成されている。チタン酸バリウム粒子は、HX−NBR中に均一に分散されている。電極11aは、誘電膜10の上面の略全体を覆うように、配置されている。同様に、電極11bは、誘電膜10の下面の略全体を覆うように、配置されている。電極11a、11bは、各々、配線12a、12bを介して電源13に接続されている。
オフ状態からオン状態に切り替える際は、一対の電極11a、11b間に電圧を印加する。電圧の印加により、誘電膜10の厚さは薄くなり、その分だけ、図1(b)中白抜き矢印で示すように、電極11a、11b面に対して平行方向に伸長する。これにより、アクチュエータ1は、図中上下方向および左右方向の駆動力を出力する。
本実施形態の誘電膜10においては、HX−NBRとチタン酸バリウム粒子とから形成される絶縁ネットワークにより、電子の流れが遮断される。また、チタン酸バリウム粒子の結晶性も高い。このため、誘電膜10の比誘電率および体積抵抗率は大きい。よって、誘電膜10に電圧を印加すると、大きな静電引力が発生する。したがって、アクチュエータ1によると、実用的な電圧により、大きな力および変位量を得ることができる。また、誘電膜10の耐絶縁破壊性が高いため、より大きな電圧を印加して、より大きな力および変位量を得ることができる。
[第二実施形態]
本発明のトランスデューサの第二実施形態として、スピーカの実施形態を説明する。まず、本実施形態のスピーカの構成について説明する。図4に、本実施形態のスピーカの斜視図を示す。図5に、図4のV−V断面図を示す。図4、図5に示すように、スピーカ4は、第一アウタフレーム40aと、第一インナフレーム41aと、第一誘電膜42aと、第一アウタ電極43aと、第一インナ電極44aと、第一振動板45aと、第二アウタフレーム40bと、第二インナフレーム41bと、第二誘電膜42bと、第二アウタ電極43bと、第二インナ電極44bと、第二振動板45bと、八つのボルト460と、八つのナット461と、八つのスペーサ462と、を備えている。
本発明のトランスデューサの第二実施形態として、スピーカの実施形態を説明する。まず、本実施形態のスピーカの構成について説明する。図4に、本実施形態のスピーカの斜視図を示す。図5に、図4のV−V断面図を示す。図4、図5に示すように、スピーカ4は、第一アウタフレーム40aと、第一インナフレーム41aと、第一誘電膜42aと、第一アウタ電極43aと、第一インナ電極44aと、第一振動板45aと、第二アウタフレーム40bと、第二インナフレーム41bと、第二誘電膜42bと、第二アウタ電極43bと、第二インナ電極44bと、第二振動板45bと、八つのボルト460と、八つのナット461と、八つのスペーサ462と、を備えている。
第一アウタフレーム40a、第一インナフレーム41aは、各々、樹脂製であって、リング状を呈している。第一誘電膜42aは、円形の薄膜状を呈している。第一誘電膜42aは、第一アウタフレーム40aと第一インナフレーム41aとの間に張設されている。すなわち、第一誘電膜42aは、表側の第一アウタフレーム40aと裏側の第一インナフレーム41aとにより、所定の張力を確保した状態で、挟持、固定されている。第一誘電膜42aは、HX−NBRと、チタン酸バリウム粒子と、を有している。チタン酸バリウム粒子の結晶化度は95%であり、メジアン径は20nmである。HX−NBRとチタン酸バリウム粒子とにより、架橋構造が形成されている。チタン酸バリウム粒子は、HX−NBR中に均一に分散されている。第一振動板45aは、樹脂製であって、円板状を呈している。第一振動板45aは、第一誘電膜42aよりも小径である。第一振動板45aは、第一誘電膜42aの表面の略中央に配置されている。
第一アウタ電極43aは、リング状を呈している。第一アウタ電極43aは、第一誘電膜42aの表面に貼着されている。第一インナ電極44aも、リング状を呈している。第一インナ電極44aは、第一誘電膜42aの裏面に貼着されている。第一アウタ電極43aと第一インナ電極44aとは、第一誘電膜42aを挟んで、表裏方向に背向している。第一アウタ電極43aと第一インナ電極44aとは、いずれも、アクリルゴムポリマー溶液にカーボンブラックを混合、分散して調製された導電塗料から、形成されている。また、図5に示すように、第一アウタ電極43aは、端子430aを備えている。第一インナ電極44aは、端子440aを備えている。端子430a、440aには、外部から電圧が印加される。
第二アウタフレーム40b、第二インナフレーム41b、第二誘電膜42b、第二アウタ電極43b、第二インナ電極44b、第二振動板45b(以下、「第二部材」と総称する。)の構成、材質、形状は、上記第一アウタフレーム40a、第一インナフレーム41a、第一誘電膜42a、第一アウタ電極43a、第一インナ電極44a、第一振動板45a(以下、「第一部材」と総称する。)の構成、材質、形状と、同様である。また、第二部材の配置は、上記第一部材の配置と、表裏方向に対称である。簡単に説明すると、第二誘電膜42bは、円形の薄膜状を呈しており、第二アウタフレーム40bと第二インナフレーム41bとの間に張設されている。第二誘電膜42bは、HX−NBRと、チタン酸バリウム粒子と、を有している。第二振動板45bは、第二誘電膜42bの表面の略中央に配置されている。第二アウタ電極43bは、第二誘電膜42bの表面に貼着されている。第二インナ電極44bは、第二誘電膜42bの裏面に貼着されている。第二アウタ電極43bの端子430b、第二インナ電極44bの端子440bには、外部から電圧が印加される。
第一部材と第二部材とは、八つのボルト460、八つのナット461により、八つのスペーサ462を介して、固定されている。「ボルト460−ナット461−スペーサ462」のセットは、スピーカ4の周方向に所定間隔ずつ離間して配置されている。ボルト460は、第一アウタフレーム40a表面から第二アウタフレーム40b表面までを貫通している。ナット461は、ボルト460の貫通端に螺着されている。スペーサ462は、樹脂製であって、ボルト460の軸部に環装されている。スペーサ462は、第一インナフレーム41aと第二インナフレーム41bとの間に、所定の間隔を確保している。第一誘電膜42aの中央部裏面(第一振動板45aが配置されている部分の裏側)と、第二誘電膜42bの中央部裏面(第二振動板45bが配置されている部分の裏側)と、は接合されている。このため、第一誘電膜42aには、図5に白抜き矢印Y1aで示す方向に、付勢力が蓄積されている。また、第二誘電膜42bには、図5に白抜き矢印Y1bで示す方向に、付勢力が蓄積されている。
次に、本実施形態のスピーカの動きについて説明する。端子430a、440aと端子430b、440bとを介して、第一アウタ電極43aおよび第一インナ電極44aと、第二アウタ電極43bおよび第二インナ電極44bと、には、初期状態(オフセット状態)において、所定の電圧(オフセット電圧)が印加されている。スピーカ4の動作時には、端子430a、440aと端子430b、440bとに、逆位相の電圧が印加される。 例えば、端子430a、440aに、オフセット電圧+1Vが印加されると、第一誘電膜42aのうち、第一アウタ電極43aと第一インナ電極44aとの間に配置されている部分の膜厚が薄くなる。並びに、当該部分が径方向に伸長する。これと同時に、端子430b、440bに逆位相の電圧(オフセット電圧−1V)が印加される。すると、第二誘電膜42bのうち、第二アウタ電極43bと第二インナ電極44bとの間に配置されている部分の膜厚が厚くなる。並びに当該部分が径方向に収縮する。これにより、第二誘電膜42bは、第一誘電膜42aを引っ張りながら、図5に白抜き矢印Y1bで示す方向に、自身の付勢力により弾性変形する。反対に、端子430b、440bにオフセット電圧+1Vが印加され、端子430a、440aに逆位相の電圧(オフセット電圧−1V)が印加されると、第一誘電膜42aは、第二誘電膜42bを引っ張りながら、図5に白抜き矢印Y1aで示す方向に、自身の付勢力により弾性変形する。このようにして、第一振動板45a、第二振動板45bを振動させることにより空気を振動させ、音声を発生させる。
次に、本実施形態のスピーカ4の作用効果について説明する。本実施形態によると、第一誘電膜42a、第二誘電膜42bの比誘電率は大きい。このため、印加電圧に対する静電引力が大きくなる。また、第一誘電膜42a、第二誘電膜42bの体積抵抗率は大きい。このため、第一誘電膜42aと第一アウタ電極43aおよび第一インナ電極44aとの界面付近に、多くの電荷を溜めることができる。同様に、第二誘電膜42bと第二アウタ電極43bおよび第二インナ電極44bとの界面付近に、多くの電荷を溜めることができる。これにより、第一誘電膜42a、第二誘電膜42bの変位量が大きくなり、第一振動板45a、第二振動板45bを大きな振幅で振動させることができる。したがって、スピーカ4の音圧が大きくなる。
次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
<誘電膜の製造>
[実施例1]
まず、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(ランクセス社製「テルバン(登録商標)XT8889」)を、アセチルアセトンに溶解して、固形分濃度が12質量%のポリマー溶液を調製した。次に、調製したポリマー溶液100質量部に、チタン酸バリウム粒子の分散液(日揮触媒化成(株)製「塗布液特殊品チタバリ20nm」、チタン酸バリウム粒子のメジアン径20nm、結晶化度95%)120質量部を混合して、混合液を調製した。そして、調製した混合液を基材上に塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して、誘電膜を得た。誘電膜の膜厚は約20μm、チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して120質量部であった。製造した誘電膜を、実施例1の誘電膜とした。
[実施例1]
まず、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(ランクセス社製「テルバン(登録商標)XT8889」)を、アセチルアセトンに溶解して、固形分濃度が12質量%のポリマー溶液を調製した。次に、調製したポリマー溶液100質量部に、チタン酸バリウム粒子の分散液(日揮触媒化成(株)製「塗布液特殊品チタバリ20nm」、チタン酸バリウム粒子のメジアン径20nm、結晶化度95%)120質量部を混合して、混合液を調製した。そして、調製した混合液を基材上に塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して、誘電膜を得た。誘電膜の膜厚は約20μm、チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して120質量部であった。製造した誘電膜を、実施例1の誘電膜とした。
[比較例1]
チタン酸バリウム粒子の分散液を配合しない点以外は、実施例1と同様にして、HX−NBRからなる誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、比較例1の誘電膜とした。
チタン酸バリウム粒子の分散液を配合しない点以外は、実施例1と同様にして、HX−NBRからなる誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、比較例1の誘電膜とした。
[実施例2]
架橋剤を配合し、チタン酸バリウム粒子の分散液の配合量を減らした点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。すなわち、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(同上)をアセチルアセトンに溶解したポリマー溶液100質量部に、チタン酸バリウム粒子の分散液(同上)53質量部を混合し、さらに架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加して、混合液を調製した。そして、調製した混合液を基材上に塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して、誘電膜を得た。誘電膜の膜厚は約20μm、チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例2の誘電膜とした。
架橋剤を配合し、チタン酸バリウム粒子の分散液の配合量を減らした点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。すなわち、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(同上)をアセチルアセトンに溶解したポリマー溶液100質量部に、チタン酸バリウム粒子の分散液(同上)53質量部を混合し、さらに架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加して、混合液を調製した。そして、調製した混合液を基材上に塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して、誘電膜を得た。誘電膜の膜厚は約20μm、チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例2の誘電膜とした。
[比較例2]
チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、通常の水熱合成法で製造されたチタン酸バリウム粉末A(共立マテリアル(株)製「BT−150」、結晶化度95%、平均粒子径150nm)を配合した点以外は、実施例2と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、比較例2の誘電膜とした。
チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、通常の水熱合成法で製造されたチタン酸バリウム粉末A(共立マテリアル(株)製「BT−150」、結晶化度95%、平均粒子径150nm)を配合した点以外は、実施例2と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、比較例2の誘電膜とした。
[実施例3]
チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、以下の超臨界水による水熱合成法により製造したチタン酸バリウム粉末Bを53質量部配合した点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例3の誘電膜とした。
チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、以下の超臨界水による水熱合成法により製造したチタン酸バリウム粉末Bを53質量部配合した点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例3の誘電膜とした。
流通式超臨界水熱合成装置((株)アイテック製)を使用して、水酸化バリウム溶液0.12mol/lと酸化チタン溶液(石原産業(株)製「STS−01」)0.1mol/lとを、超臨界状態の水と混合し、0.5秒間反応させた。このようにして、メジアン径12nm、結晶化度98%のチタン酸バリウム粉末Bを、製造した。
[実施例4]
実施例3の超臨界水による水熱合成法において、超臨界状態の水との反応時間を2秒間にして、チタン酸バリウム粉末Cを製造した。チタン酸バリウム粉末Cのメジアン径は、60nm、結晶化度は98%であった。そして、チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、チタン酸バリウム粉末Cを53質量部配合した点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例4の誘電膜とした。
実施例3の超臨界水による水熱合成法において、超臨界状態の水との反応時間を2秒間にして、チタン酸バリウム粉末Cを製造した。チタン酸バリウム粉末Cのメジアン径は、60nm、結晶化度は98%であった。そして、チタン酸バリウム粒子の分散液に代えて、チタン酸バリウム粉末Cを53質量部配合した点以外は、実施例1と同様にして、誘電膜を製造した。チタン酸バリウム粒子の含有量は、エラストマー(HX−NBR)100質量部に対して53質量部であった。製造した誘電膜を、実施例4の誘電膜とした。
[実施例5]
さらに、架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加した点以外は、実施例3と同様にして、誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、実施例5の誘電膜とした。
さらに、架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加した点以外は、実施例3と同様にして、誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、実施例5の誘電膜とした。
[実施例6]
さらに、架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加した点以外は、実施例4と同様にして、誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、実施例6の誘電膜とした。
さらに、架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を5質量部添加した点以外は、実施例4と同様にして、誘電膜を製造した。製造した誘電膜を、実施例6の誘電膜とした。
<誘電膜の物性>
[体積抵抗率]
製造した誘電膜の体積抵抗率を、JIS K6271(2008)に準じて測定した。測定は、直流電圧100Vを印加して行った。
[体積抵抗率]
製造した誘電膜の体積抵抗率を、JIS K6271(2008)に準じて測定した。測定は、直流電圧100Vを印加して行った。
[比誘電率]
製造した誘電膜の比誘電率を測定した。比誘電率の測定は、誘電膜を、サンプルホルダー(ソーラトロン社製、12962A型)に設置して、誘電率測定インターフェイス(同社製、1296型)、および周波数応答アナライザー(同社製、1255B型)を併用して行った(周波数100Hz)。
製造した誘電膜の比誘電率を測定した。比誘電率の測定は、誘電膜を、サンプルホルダー(ソーラトロン社製、12962A型)に設置して、誘電率測定インターフェイス(同社製、1296型)、および周波数応答アナライザー(同社製、1255B型)を併用して行った(周波数100Hz)。
[弾性率]
製造した誘電膜の静的せん断弾性率を、JIS K 6254(2003)に準じて測定した。低変形引張試験における伸び率は25%とした。
製造した誘電膜の静的せん断弾性率を、JIS K 6254(2003)に準じて測定した。低変形引張試験における伸び率は25%とした。
[切断時伸び]
製造した誘電膜の切断時伸びを、JIS K 6251(2010)に準じて測定した。試験片の形状は、ダンベル状5号形とした。
製造した誘電膜の切断時伸びを、JIS K 6251(2010)に準じて測定した。試験片の形状は、ダンベル状5号形とした。
[架橋性]
まず、製造した誘電膜から、評価用の試験片を切り出し、当該試験片の質量を測定した。次に、試験片を、メチルエチルケトン(MEK)に、室温下で4時間浸漬した。その後、試験片を取り出して乾燥し、質量を測定した。そして、試験片の浸漬前の質量に対する浸漬後の質量割合(MEK不溶分)を算出し、60%以上であれば架橋性良好(下記表1において○印で示す)、60%未満であれば架橋性不良(同表において×印で示す)と、評価した。
まず、製造した誘電膜から、評価用の試験片を切り出し、当該試験片の質量を測定した。次に、試験片を、メチルエチルケトン(MEK)に、室温下で4時間浸漬した。その後、試験片を取り出して乾燥し、質量を測定した。そして、試験片の浸漬前の質量に対する浸漬後の質量割合(MEK不溶分)を算出し、60%以上であれば架橋性良好(下記表1において○印で示す)、60%未満であれば架橋性不良(同表において×印で示す)と、評価した。
表1において、まず、架橋剤を配合しなかった実施例1、3、4と比較例1とを比較する。実施例1、3、4の誘電膜においては、比較例1の誘電膜と比較して、比誘電率、弾性率が大きくなり、体積抵抗率も二桁程度大きくなった。また、比較例1の誘電膜においては、架橋が進行しなかったのに対し、実施例1、3、4の誘電膜の架橋性は良好であった。実施例1、3、4の誘電膜においては、切断時伸びも大幅に向上した。すなわち、実施例1、3、4の誘電膜においては、チタン酸バリウム粒子とエラストマーとにより、架橋構造が形成されていることがわかる。
次に、架橋剤を配合した実施例2、5、6と比較例2とを比較する。両者ともチタン酸バリウム粒子を有するが、実施例2、6においては、比較例2の誘電膜と比較して、体積抵抗率、比誘電率、弾性率、切断時伸びの全てが大きくなった。実施例5の誘電膜においては、比較例2の誘電膜と比較して、比誘電率を除く、体積抵抗率、弾性率、切断時伸びが大きくなった。ちなみに、実施例5の誘電膜の比誘電率は、チタン酸バリウム粒子を含まない比較例1の誘電膜の比誘電率よりは大きくなった。実施例5の誘電膜においては、配合したチタン酸バリウム粒子の粒子径が小さいため、比誘電率を大きくする効果は小さかった。しかし、粒子径が小さいと、密な絶縁ネットワークが形成されるため、体積抵抗率の増加効果は大きくなる。したがって、チタン酸バリウム粒子の粒子径は、所望の特性が得られるように適宜決定すればよい。
比較例2の誘電膜に配合したチタン酸バリウム粒子は、合成後に焼成されている。このため、結晶化度は高いが、粒子表面の官能基は少ないと考えられる。また、粒子径も大きい。したがって、このようなチタンバリウム粒子を配合しても、体積抵抗率および比誘電率を大きくする効果は小さかった。なお、比較例2の誘電膜の架橋性は、良好であった。これは、配合した架橋剤により、架橋構造が形成されたためである。
<アクチュエータの製造>
製造した誘電膜を用いて、アクチュエータを製造した。まず、アクリルゴムポリマー溶液にカーボンブラックを混合、分散させて導電塗料を調製した。次に、導電塗料を、製造した誘電膜の表裏両面にスクリーン印刷して、電極を形成した。このようにして製造されたアクチュエータを、誘電膜の種類に対応させて、「実施例1のアクチュエータ」等と称す。また、実施例6の誘電膜の表面に陽イオン固定誘電層を、裏面に陰イオン固定誘電層を、各々貼着して、三層構造の誘電層を作製した。作製した三層構造の誘電層を用いて、上記同様にアクチュエータを製造した。製造されたアクチュエータを、実施例7のアクチュエータと称す。実施例1〜7のアクチュエータは、本発明のトランスデューサに含まれる。陽イオン固定誘電層および陰イオン固定誘電層は、次のようにして作製した。
製造した誘電膜を用いて、アクチュエータを製造した。まず、アクリルゴムポリマー溶液にカーボンブラックを混合、分散させて導電塗料を調製した。次に、導電塗料を、製造した誘電膜の表裏両面にスクリーン印刷して、電極を形成した。このようにして製造されたアクチュエータを、誘電膜の種類に対応させて、「実施例1のアクチュエータ」等と称す。また、実施例6の誘電膜の表面に陽イオン固定誘電層を、裏面に陰イオン固定誘電層を、各々貼着して、三層構造の誘電層を作製した。作製した三層構造の誘電層を用いて、上記同様にアクチュエータを製造した。製造されたアクチュエータを、実施例7のアクチュエータと称す。実施例1〜7のアクチュエータは、本発明のトランスデューサに含まれる。陽イオン固定誘電層および陰イオン固定誘電層は、次のようにして作製した。
[陽イオン固定誘電層]
次のようにして、陽イオン固定誘電層を作製した。まず、有機金属化合物のテトラi−プロポキシチタン0.01molに、アセチルアセトン0.02molを加えてキレート化した。次に、得られたキレート化物に、次式(2)に示す反応性イオン性液体0.002mol、イソプロピルアルコール(IPA)5ml(0.083mol)、メチルエチルケトン(MEK)10ml(0.139mol)、および水0.04molを添加して、陽イオンが固定されたTiO2粒子(陽イオン固定粒子)、および陰イオンを含むゾルを得た。そして、得られたゾルを、40℃下で2時間静置して、エージング処理した。
次のようにして、陽イオン固定誘電層を作製した。まず、有機金属化合物のテトラi−プロポキシチタン0.01molに、アセチルアセトン0.02molを加えてキレート化した。次に、得られたキレート化物に、次式(2)に示す反応性イオン性液体0.002mol、イソプロピルアルコール(IPA)5ml(0.083mol)、メチルエチルケトン(MEK)10ml(0.139mol)、および水0.04molを添加して、陽イオンが固定されたTiO2粒子(陽イオン固定粒子)、および陰イオンを含むゾルを得た。そして、得られたゾルを、40℃下で2時間静置して、エージング処理した。
次に、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(ランクセス社製「テルバン(登録商標)XT8889」)100質量部と、シリカ(日本アエロジル(株)製「Aerosil(登録商標)380」)10質量部と、をロール練り機にて混練りした。そして、混練りした材料を、アセチルアセトンに溶解した。この溶液100質量部と、エージング後のゾル20質量部と、を混合し、さらに架橋剤として、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタンのアセチルアセトン溶液(濃度20質量%)を3質量部添加して、混合液を調製した。そして、調製した混合液を基材上に塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して、陽イオン固定誘電層を得た。陽イオン固定誘電層の厚さは約10μm、陽イオン固定粒子の含有量は、6.6質量部であった。
[陰イオン固定誘電層]
反応性イオン性液体の種類を次式(3)に示したものに変更した以外は、上記陽イオン固定誘電層と同様にして、厚さ約10μmの陰イオン固定誘電層を作製した。作製過程で得られたゾルは、陰イオンが固定されたTiO2粒子(陰イオン固定粒子)、および陽イオンを含む。
反応性イオン性液体の種類を次式(3)に示したものに変更した以外は、上記陽イオン固定誘電層と同様にして、厚さ約10μmの陰イオン固定誘電層を作製した。作製過程で得られたゾルは、陰イオンが固定されたTiO2粒子(陰イオン固定粒子)、および陽イオンを含む。
<アクチュエータの評価>
製造したアクチュエータについて、絶縁破壊強度および最大発生応力を測定した。まず、測定装置および測定方法について説明する。図2に、測定装置に取り付けられたアクチュエータの表側正面図を示す。図3に、図2のIII−III断面図を示す。
製造したアクチュエータについて、絶縁破壊強度および最大発生応力を測定した。まず、測定装置および測定方法について説明する。図2に、測定装置に取り付けられたアクチュエータの表側正面図を示す。図3に、図2のIII−III断面図を示す。
図2、図3に示すように、アクチュエータ5の上端は、測定装置における上側チャック52により把持されている。アクチュエータ5の下端は、下側チャック53により把持されている。アクチュエータ5は、予め上下方向に延伸された状態で、上側チャック52と下側チャック53との間に、取り付けられている(延伸率25%)。上側チャック52の上方には、ロードセル(図略)が配置されている。
アクチュエータ5は、誘電膜50と一対の電極51a、51bとからなる。誘電膜50は、自然状態で、縦50mm、横25mm、厚さ約20μmの長方形の薄膜状を呈している。なお、実施例7のアクチュエータにおいては、誘電膜50は、陽イオン固定誘電層/誘電膜/陰イオン固定誘電層の三層構造を有している(合計厚さ40μm)。電極51a、51bは、誘電膜50を挟んで表裏方向に対向するよう配置されている。電極51a、51bは、自然状態で、各々、縦40mm、横25mm、厚さ10μmの長方形の薄膜状を呈している。電極51a、51bは、上下方向に10mmずれた状態で配置されている。つまり、電極51a、51bは、誘電膜50を介して、縦30mm、横25mmの範囲で重なっている。電極51aの下端には、配線(図略)が接続されている。同様に、電極51bの上端には、配線(図略)が接続されている。電極51a、51bは、各々の配線を介して、電源(図略)に接続されている。
電極51a、51b間に電圧を印加すると、電極51a、51b間に静電引力が生じて、誘電膜50を圧縮する。これにより、誘電膜50の厚さは薄くなり、延伸方向(上下方向)に伸長する。誘電膜50の伸長により、上下方向の延伸力は減少する。電圧印加前後において減少した延伸力を、ロードセルにより測定して、発生応力とした。発生応力の測定は、印加する電圧を段階的に増加させて、誘電膜50が破壊されるまで行った。そして、誘電膜50が破壊される寸前における発生応力を、最大発生応力とした。また、その時の電圧値を誘電膜50の膜厚(実施例7のアクチュエータにおいては、陽イオン固定誘電層/誘電膜/陰イオン固定誘電層の合計厚さ)で除した値を、絶縁破壊強度とした。上記表1に、実施例1〜6および比較例1、2のアクチュエータにおける絶縁破壊強度および最大発生応力の測定結果を、まとめて示す。
表1において、まず、実施例1、3、4と比較例1とを比較する。実施例1、3、4のアクチュエータにおいては、比較例1のアクチュエータと比較して、絶縁破壊強度、最大発生応力が大幅に大きくなった。次に、実施例2、5、6と比較例2とを比較する。この場合も、実施例2、5、6のアクチュエータの方が、比較例2のアクチュエータよりも、絶縁破壊強度、最大発生応力が大幅に大きくなった。実施例1、2のアクチュエータを構成する誘電膜は、高濃度の前駆体を用いたゾルゲル法により製造され、結晶化度が95%のチタン酸バリウム粒子を含む。実施例3〜6のアクチュエータを構成する誘電膜は、超臨界水による水熱合成法により製造され、結晶化度が98%のチタン酸バリウム粒子を含む。これらのチタンバリウム粒子は、HX−NBRの官能基(−COOH)と反応可能な官能基(−OH、−OR)を有する。したがって、架橋剤の有無に関わらず、エラストマーおよびチタン酸バリウム粒子による架橋構造が形成されて、誘電膜の耐絶縁破壊強度が大幅に向上した。一方、比較例2の誘電膜に配合したチタン酸バリウム粒子の表面には、HX−NBRの官能基と反応可能な官能基が少ないと考えられる。したがって、配合した架橋剤により架橋は進行したが、チタン酸バリウム粒子とエラストマーとの結合による絶縁ネットワークが形成されず、誘電膜の耐絶縁破壊強度が向上しなかった。
また、実施例6の誘電膜を挟んで陽イオン固定誘電層および陰イオン固定誘電層を積層した実施例7のアクチュエータの絶縁破壊強度は100V/μm、最大発生応力は2.01MPaであった。このように、電極と誘電膜との間にイオン固定誘電層を介在させると、誘電膜が有する耐絶縁破壊性を充分に発揮させることができ、アクチュエータの耐絶縁破壊性が向上することが確認された。また、発生応力も、より大きくなることが確認された。
以上より、本発明の誘電膜を用いることにより、耐絶縁破壊性が高く、大きな力を出力可能なアクチュエータを実現できることが確認された。
本発明の誘電膜を用いたトランスデューサは、機械エネルギーと電気エネルギーとの変換を行うアクチュエータ、センサ等、あるいは音響エネルギーと電気エネルギーとの変換を行うスピーカ、マイクロフォン、ノイズキャンセラ等として、広く用いることができる。なかでも、産業、医療、福祉ロボットやアシストスーツ等に用いられる人工筋肉、電子部品冷却用や医療用等の小型ポンプ、および医療用器具等に用いられる柔軟なアクチュエータ、として好適である。
Claims (7)
- トランスデューサに用いられる誘電膜であって、
エラストマーと、結晶化度が80%以上のチタン酸バリウム粒子と、を含み、
該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子は、互いに反応可能な官能基を有し、該官能基同士の反応により、該エラストマーおよび該チタン酸バリウム粒子による架橋構造が形成されていることを特徴とする誘電膜。 - 前記チタン酸バリウム粒子の粒子径は、8nm以上120nm以下である請求項1に記載の誘電膜。
- 前記チタン酸バリウム粒子の前記官能基は、アルコキシ基およびヒドロキシ基の少なくとも一方を含む請求項1または請求項2に記載の誘電膜。
- 前記チタン酸バリウム粒子は、バリウムおよびチタンを含むアルコキシドの濃度が0.5mol/l以上の前駆体溶液に、極性有機溶媒の濃度が15mol%以上の水と極性有機溶媒との混合溶液を、該混合溶液中の該水のモル比が該前駆体溶液中の該チタンのモル比の4倍以上になるように滴下して、該アルコキシドを加水分解した後、10℃以上の温度下で保持することにより製造される請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の誘電膜。
- 前記エラストマーの前記官能基は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、チオール基、およびハロゲン化アルキル基から選ばれる一種以上である請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の誘電膜。
- 前記エラストマーは、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、アクリルゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−アクリル酸エステル共重合体、ブチルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、およびウレタンゴムから選ばれる一種以上である請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の誘電膜。
- 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の誘電膜と、
該誘電膜を介して配置される複数の電極と、
を備えることを特徴とするトランスデューサ。
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