JPWO2013005797A1 - 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013005797A1 JPWO2013005797A1 JP2013523046A JP2013523046A JPWO2013005797A1 JP WO2013005797 A1 JPWO2013005797 A1 JP WO2013005797A1 JP 2013523046 A JP2013523046 A JP 2013523046A JP 2013523046 A JP2013523046 A JP 2013523046A JP WO2013005797 A1 JPWO2013005797 A1 JP WO2013005797A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- underlayer film
- resist
- resist underlayer
- group
- forming composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F226/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/06—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F26/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F26/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F26/12—N-Vinyl-carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/124—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one nitrogen atom in the ring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed
- C08G2261/3241—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed containing one or more nitrogen atoms as the only heteroatom, e.g. carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
- C08G2261/3325—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms derived from other polycyclic systems
Abstract
Description
上記レジスト下層膜用のポリマーとして例えば以下のものが例示されている。
カルバゾールノボラック樹脂を用いたレジスト下層膜形成組成物が例示されている(特許文献1を参照)。
適切なn値とk値を有する上記レジスト下層膜用のポリマーとして例えば以下のものが例示されている。
ナフトールとジシクロペンタジエンとの反応物を含むポリマーを用いたレジスト下層膜形成組成物が例示されている(特許文献2を参照)。
第2観点として、上記縮合ヘテロ環化合物がカルバゾール化合物、又は置換カルバゾール化合物である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、上記ビシクロ環化合物がジシクロペンタジエン、置換ジシクロペンタジエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエン、又は置換テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエンである第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第4観点として、上記ポリマーが下記式(1)で表される単位構造、式(2)で表される単位構造、式(3)で表される単位構造又はそれらの組み合わせを含むポリマーである請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物
第5観点として、上記式(3)中、Arがフェニル基又はナフチル基である第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第6観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第7観点として、更に酸及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜、
第9観点として、第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法、
第10観点として、半導体基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、該下層膜上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像により該レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜により該半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、
第11観点として、半導体基板に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、該下層膜上にハードマスクを形成する工程、更に該ハードマスク上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像により該レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該ハードマスクをエッチングする工程、該パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜により該半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び
第12観点として、上記ハードマスクが無機物溶液の塗布又は無機物の蒸着により形成される第11観点に記載の製造方法である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物から得られるレジスト下層膜は、n値が高くk値が低く、珪素含有中間層と組み合わせて用いる3層プロセスにおいて基板からの波長193nmの光の反射を効果的に低減できる。
本発明において上記のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は上記ポリマーと溶剤とを含む。そして、この組成物は架橋剤と酸とを含むことができ、必要に応じて酸発生剤、界面活性剤等の添加剤を含むことができる。この組成物の固形分は0.1乃至70質量%、または0.1乃至60質量%である。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶剤を除いた全成分の含有割合である。固形分中に上記ポリマーを1乃至100質量%、または1乃至99.9質量%、または50乃至99.9質量%、または50乃至95質量%、または50乃至90質量%の割合で含有することができる。
本発明に用いられるポリマーは、重量平均分子量が600乃至1000000、又は600乃至200000である。
特にメタンスルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸を好ましく用いることができる。
また、米国キング社製の触媒、商品名K−PURE−TAG−2689、商品名K−PURE−TAG−2690、商品名K−PURE−CXC−1614、商品名K−PURE−CXC−1615を用いることもできる。
その使用量は、原料モノマーに対して0.01乃至5モル%の範囲であり、例えばメタンスルホン酸系触媒の場合、原料モノマーに対して0.01乃至10モル%、好ましくは0.05乃至5モル%の範囲であり、トリフルオロメタンスルホン酸系触媒の場合で0.0001乃至5モル%、好ましくは0.0005乃至5モル%の範囲である。
それら他のポリマーとしてはポリアクリル酸エステル化合物、ポリメタクリル酸エステル化合物、ポリアクリルアミド化合物、ポリメタクリルアミド化合物、ポリビニル化合物、ポリスチレン化合物、ポリマレイミド化合物、ポリマレイン酸無水物、及びポリアクリロニトリル化合物が挙げられる。
式(4)中、R16及びR17はそれぞれ水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至20のアリール基であり、n16は1乃至4の整数であり、n17は1乃至(5−n16)の整数であり、(n16+n17)は2乃至6の整数を示す。
式(5)中、R18は水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基であり、R19は炭素原子数1乃至10のアルキル基であり、n18は1乃至4の整数であり、n19は0乃至(4−n18)であり、(n18+n19)は1乃至4の整数を示す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2乃至100、又は2乃至50の範囲で用いることができる。
これらのアルキル基及びアリール基は、上記アルキル基及びアリール基を例示することができる。
即ち、半導体基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にケイ素成分等を含有する塗膜材料によるハードマスク又は蒸着によるハードマスク(例えば、窒化酸化ケイ素)を形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像により該レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをハロゲン系ガスでエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜を酸素系ガス又は水素系ガスでエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜によりハロゲン系ガスで半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、熱安定性が高く、焼成時の分解物による上層膜への汚染を防ぐことができるものであり、また、焼成工程の温度マージンに余裕を持たせることができるものである。
さらに、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、プロセス条件によっては、光の反射を防止する機能と、更には基板とフォトレジストとの相互作用の防止或いはフォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する膜を形成するための組成物としての使用が可能である。
窒素下、フラスコにカルバゾール(13.0g、0.078モル、東京化成工業(株)製)、ジシクロペンタジエン(10.3g、0.078モル、東京化成工業(株)製)、トルエンを仕込み、トリフルオロメタンスルホン酸(0.12g、0.00078モル、東京化成工業(株)製)を加えて撹拌し、120℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。21時間後室温まで放冷後、クロロホルム(30g、関東化学(株)製)を加え希釈し、不溶物をろ過で取り除いた後にメタノール(1500g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で60℃、20時間乾燥し、目的とする高分子化合物[1]11.6gを得た。この高分子化合物は上記式(3−1)の単位構造を含むポリマーであった。
高分子化合物[1]のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2000、多分散度Mw/Mnは2.90であった。
窒素下、フラスコにカルバゾール(15.0g、0.090モル、東京化成工業(株)製)、ジシクロペンタジエン(11.3g、0.085モル、東京化成工業(株)製)、ヒドロキシジシクロペンタジエン(0.81g、0.005モル、東京化成工業(株)製)、ブチルセロソルブを仕込み、トリフルオロメタンスルホン酸(0.14g、0.0009モル、東京化成工業(株)製)を加えて撹拌し、140℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。9時間後室温まで放冷後、クロロホルム(30g、関東化学(株)製)を加え希釈し、不溶物をろ過で取り除いた後にメタノール(1500g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で60℃、20時間乾燥し、目的とする高分子化合物[2]18.0gを得た。この高分子化合物は上記式(3−3)の単位構造を含むポリマーであった。
高分子化合物[2]のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは3200、多分散度Mw/Mnは2.80であった。
窒素下、フラスコにカルバゾール(4.0g、0.024モル、東京化成工業(株)製)、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエン(TCDE)(3.8g、0.024モル)、ブチルセロソルブを仕込み、トリフルオロメタンスルホン酸(0.04g、0.0002モル、東京化成工業(株)製)を加えて撹拌し、140℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。10時間後室温まで放冷後、クロロホルム(30g、関東化学(株)製)を加え希釈し、不溶物をろ過で取り除いた後にメタノール(1500g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で60℃、20時間乾燥し、目的とする高分子化合物[3]2.6gを得た。この高分子化合物は上記式(3−2)の単位構造を含むポリマーであった。
高分子化合物[3]のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは720、多分散度Mw/Mnは1.24であった。
窒素下、フラスコにカルバゾール(10.0g、0.060モル、東京化成工業(株)製)、ジシクロペンタジエン(7.12g、0.054モル、東京化成工業(株)製)、4−ヒドロキシベンズアルデヒド(0.73g、0.006モル、東京化成工業(株)製)、ブチルセロソルブを仕込み、トリフルオロメタンスルホン酸(0.09g、0.0006モル、東京化成工業(株)製)を加えて撹拌し、150℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。21時間後室温まで放冷後、テトラヒドロフラン(6g、関東化学(株)製)を加え希釈し、不溶物をろ過で取り除いた後にメタノール(400g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で60℃、20時間乾燥し、目的とする高分子化合物[5]9.1gを得た。この高分子化合物は下記式(6−2)の単位構造を含むポリマーであった。
高分子化合物[5]のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2070、多分散度Mw/Mnは2.57であった。
窒素下、100mL四口フラスコにカルバゾール(10g、0.060mol、東京化成工業(株)製)、ベンズアルデヒド(6.41g、0.060mol、純正化学(株)製)、パラトルエンスルホン酸一水和物(1.19g、0.060mol、関東化学(株)製)を加え、1,4−ジオキサン(15g、関東化学(株)製)を仕込み撹拌し、100℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。2時間後60℃まで放冷後、クロロホルム(50g、関東化学(株)製)を加え希釈し、メタノール(250g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で60℃、10時間さらに120℃、24時間乾燥し、目的とする高分子化合物[4]8.64gを得た。これは下記式(6−1)の単位構造を含むポリマーであった。
高分子化合物[4]のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは4000、多分散度Mw/Mnは1.69であった。
上記合成例1で得た高分子化合物[1]の1.0gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.2g、ピリジニウムパラトルエンスルホネート0.02g、メガファックR−30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン16.3gを混合して溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
上記合成例2で得た高分子化合物[2]の1.0gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.2g、ピリジニウムパラトルエンスルホネート0.02g、メガファックR−30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン16.3gを混合して溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
上記合成例3で得た高分子化合物[3]の1.0gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.2g、ピリジニウムパラトルエンスルホネート0.02g、メガファックR−30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン16.3gを混合して溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例4)
上記合成例4で得た高分子化合物[5]の1.0gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.25g、ピリジニウムパラトルエンスルホネート0.02g、メガファックR−30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン16.3gを混合して溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
上記比較合成例1で得た高分子化合物[4]の1.0gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル0.2g、ピリジニウムパラトルエンスルホネート0.02g、メガファックR−30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン16.3gを混合して溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例1乃至実施例4及び比較例1で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で250℃の温度で1分間加熱し、レジスト下層膜(膜厚0.2μm)を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を、フォトレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬し、その溶剤に不溶であることを確認した。
実施例1乃至実施例4及び比較例1で調製した各レジスト下層膜形成組成物を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で250℃の温度で1分間加熱し、レジスト下層膜(膜厚0.2μm)を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーター(J.A. Woollam社製、VUV−VASE VU−302)を用い、波長193nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも称する)を測定した。その結果を下記表1に示す。
―――――――――――――――――――――
193nm
n値 k値
―――――――――――――――――――――
実施例1 1.65 0.27
実施例2 1.64 0.26
実施例3 1.66 0.19
実施例4 1.61 0.28
比較例1 1.38 0.38
―――――――――――――――――――――
ドライエッチング速度の測定には、下記のエッチング装置及びエッチングガスを用いた。
エッチング装置:RIE−10NR(サムコ株式会社製)
エッチングガス:CF4
実施例1乃至実施例4及び比較例1で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で250℃の温度で1分間加熱し、レジスト下層膜(膜厚0.2μm)を形成した。そのレジスト下層膜に対し、エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。さらに、フェノールノボラック樹脂0.7gをプロピレングリコールモノメチルエーテル10gに溶解させた溶液を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布し、240℃の温度で1分間加熱してフェノールノボラック樹脂膜を形成した。その樹脂膜に対し、エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至実施例3及び比較例1のレジスト下層膜形成組成物から形成された各レジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。その結果を下記表2に示す。表2のドライエッチング速度比(選択比)は、上記フェノールノボラック樹脂膜のドライエッチング速度に対する各レジスト下層膜のドライエッチング速度(レジスト下層膜)/(フェノールノボラック樹脂膜)である。
――――――――――――――――――
ドライエッチング速度比
――――――――――――――――――
実施例1 0.82
実施例2 0.84
実施例3 0.88
実施例4 0.85
比較例1 0.78
――――――――――――――――――
Claims (12)
- 縮合ヘテロ環化合物とビシクロ環化合物との反応物からなる単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。
- 上記縮合ヘテロ環化合物がカルバゾール化合物、又は置換カルバゾール化合物である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 上記ビシクロ環化合物がジシクロペンタジエン、置換ジシクロペンタジエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエン、又は置換テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3,8−ジエンである請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 上記ポリマーが下記式(1)で表される単位構造、式(2)で表される単位構造、式(3)で表される単位構造又はそれらの組み合わせを含むポリマーである請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 上記式(3)中、Arがフェニル基又はナフチル基である請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に架橋剤を含む請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に酸及び/又は酸発生剤を含む請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法。
- 半導体基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、該下層膜上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像により該レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜により該半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、該下層膜上にハードマスクを形成する工程、更に該ハードマスク上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像により該レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該ハードマスクをエッチングする工程、該パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 上記ハードマスクが無機物溶液の塗布又は無機物の蒸着により形成される、請求項11に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011150766 | 2011-07-07 | ||
JP2011150766 | 2011-07-07 | ||
PCT/JP2012/067201 WO2013005797A1 (ja) | 2011-07-07 | 2012-07-05 | 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013005797A1 true JPWO2013005797A1 (ja) | 2015-02-23 |
JP6041104B2 JP6041104B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=47437143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523046A Active JP6041104B2 (ja) | 2011-07-07 | 2012-07-05 | 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343324B2 (ja) |
JP (1) | JP6041104B2 (ja) |
KR (1) | KR101913101B1 (ja) |
CN (1) | CN103635858B (ja) |
TW (1) | TWI553035B (ja) |
WO (1) | WO2013005797A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10364221B2 (en) | 2015-07-06 | 2019-07-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Monomer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns |
US11674053B2 (en) * | 2013-09-19 | 2023-06-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer film of self-assembled film including aliphatic polycyclic structure |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160147151A1 (en) | 2013-06-25 | 2016-05-26 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition contaning pyrrole novolac resin |
KR101788090B1 (ko) | 2014-11-28 | 2017-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 |
KR101821734B1 (ko) | 2015-02-17 | 2018-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 |
US9971243B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-05-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polymer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns |
US20170059992A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Jsr Corporation | Resist pattern-forming method and chemically amplified radiation-sensitive resin composition |
KR101829750B1 (ko) | 2015-10-19 | 2018-02-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법 |
KR102634064B1 (ko) | 2015-12-01 | 2024-02-07 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 인돌로카바졸노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
KR101770749B1 (ko) | 2016-01-11 | 2017-08-23 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
WO2017188263A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日産化学工業株式会社 | 膜密度が向上したレジスト下層膜を形成するための組成物 |
TWI738761B (zh) * | 2016-06-16 | 2021-09-11 | 南韓商東友精細化工有限公司 | 硬遮罩用組合物 |
JP6726142B2 (ja) | 2017-08-28 | 2020-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び重合体 |
JP6940335B2 (ja) | 2017-08-30 | 2021-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び重合体 |
JP6981945B2 (ja) | 2018-09-13 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP7161451B2 (ja) | 2019-07-05 | 2022-10-26 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、及びパターン形成方法 |
US11567408B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-01-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Coating composition for use with an overcoated photoresist |
KR102427439B1 (ko) * | 2020-11-02 | 2022-07-29 | 최상준 | 반사방지용 고분자 및 하드마스크 조성물 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008096684A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
US20080292995A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Francis Houlihan | Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings |
JP2009534710A (ja) * | 2006-04-18 | 2009-09-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 湿式現像可能な底面反射防止膜組成物及びその使用方法 |
WO2010147155A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 日産化学工業株式会社 | カルバゾールノボラック樹脂 |
WO2012077640A1 (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 日産化学工業株式会社 | 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924601A (en) * | 1989-07-27 | 1990-05-15 | Bercaw Willis M | System for conditioning grain |
JP2679010B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1997-11-19 | 工業技術院長 | 有機強磁性体及びその製造方法 |
US6235856B1 (en) * | 1994-12-23 | 2001-05-22 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Polymerization of dicyclopentadiene |
JP3952664B2 (ja) * | 2000-06-14 | 2007-08-01 | 入江 正浩 | 感放射線組成物および線量計 |
KR100828313B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2008-05-08 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 반사방지 조성물 |
JP3981825B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-09-26 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP4105036B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-06-18 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
US7303855B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
KR100971842B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2010-07-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법 |
JP4575220B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
JP5112733B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2013-01-09 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | フォトリソグラフィ用コーティング組成物 |
CN101541880B (zh) * | 2006-11-28 | 2011-05-04 | 日产化学工业株式会社 | 含有含芳香族稠环的树脂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物 |
JP2008137978A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Canon Inc | カルバゾール誘導体及びこれを用いた有機発光素子 |
JP5090746B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2012-12-05 | 株式会社ツジデン | カルバゾール系ランダム共重合体 |
JP5555977B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2014-07-23 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス用材料、並びにこれを用いた有機エレクトロニクス素子及び有機エレクトロルミネセンス素子 |
US8178281B2 (en) * | 2008-08-20 | 2012-05-15 | Showa Denko K.K. | Method for improving sensitivity of resist |
WO2011010527A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 住友ベークライト株式会社 | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 |
EP2469338B1 (en) * | 2009-08-19 | 2014-11-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition for lithography containing resin having aliphatic ring and aromatic ring |
-
2012
- 2012-07-05 WO PCT/JP2012/067201 patent/WO2013005797A1/ja active Application Filing
- 2012-07-05 CN CN201280033067.4A patent/CN103635858B/zh active Active
- 2012-07-05 KR KR1020147002852A patent/KR101913101B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-05 US US14/131,011 patent/US9343324B2/en active Active
- 2012-07-05 JP JP2013523046A patent/JP6041104B2/ja active Active
- 2012-07-06 TW TW101124441A patent/TWI553035B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009534710A (ja) * | 2006-04-18 | 2009-09-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 湿式現像可能な底面反射防止膜組成物及びその使用方法 |
JP2008096684A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
US20080292995A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Francis Houlihan | Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings |
JP2010528334A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 縮合芳香族環を含む反射防止膜組成物 |
WO2010147155A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 日産化学工業株式会社 | カルバゾールノボラック樹脂 |
WO2012077640A1 (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 日産化学工業株式会社 | 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11674053B2 (en) * | 2013-09-19 | 2023-06-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer film of self-assembled film including aliphatic polycyclic structure |
US10364221B2 (en) | 2015-07-06 | 2019-07-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Monomer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6041104B2 (ja) | 2016-12-07 |
KR20140051931A (ko) | 2014-05-02 |
TWI553035B (zh) | 2016-10-11 |
KR101913101B1 (ko) | 2018-10-31 |
TW201305238A (zh) | 2013-02-01 |
CN103635858A (zh) | 2014-03-12 |
WO2013005797A1 (ja) | 2013-01-10 |
CN103635858B (zh) | 2017-09-29 |
US20140235060A1 (en) | 2014-08-21 |
US9343324B2 (en) | 2016-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6041104B2 (ja) | 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
JP5867732B2 (ja) | 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
JP6137486B2 (ja) | 複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
JP6206677B2 (ja) | カルボニル基含有ポリヒドロキシ芳香環ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
JP6124025B2 (ja) | 多核フェノール類を有するノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
WO2010147155A1 (ja) | カルバゾールノボラック樹脂 | |
JPWO2010041626A1 (ja) | フルオレンを含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 | |
JP2014157169A (ja) | ポリヒドロキシベンゼンノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
WO2011132641A1 (ja) | ポリイミド構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 | |
JP5660330B2 (ja) | 脂肪族環と芳香族環を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 | |
WO2017188263A1 (ja) | 膜密度が向上したレジスト下層膜を形成するための組成物 | |
JP5988050B2 (ja) | アクリルアミド構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用有機ハードマスク層形成用組成物 | |
US20230393479A1 (en) | Resist underlayer film-forming composition having benzylidenecyanoacetate group | |
JP6338048B2 (ja) | イミノスチルベンポリマー及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物 | |
WO2014203757A1 (ja) | トリヒドロキシナフタレンノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161025 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6041104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |