JP6137486B2 - 複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
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Description
カルバゾールノボラックを用いたレジスト下層膜形成組成物が開示されている(例えば、特許文献8参照)。
(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、互いに独立して、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸基、ヒドロキシ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた基であり、
R3は水素原子、又は炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、若しくはそれらの組み合わせた基であり、
R4は炭素数6乃至40のアリール基又は複素環基であり、かつ、該アリール基及び該複素環基はそれぞれハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数1乃至10のアルコキシ基、炭素数6乃至40のアリール基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、又は水酸基で置換されていても良く、
R5は水素原子、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、かつ、該アルキル基、該アリール基、及び該複素環基はそれぞれハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、又は水酸基で置換されていても良く、そしてR4とR5はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良く、
XはO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、n1及びn2はそれぞれ0乃至3の整数であり、m1及びm2はそれぞれ0乃至3の整数を示す。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物、
第2観点として、下記式(2):
(式(2)中、R6及びR7はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、互いに独立して、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸基、ヒドロキシ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた基であり、
R8は水素原子、又は炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、若しくはそれらの組み合わせた基であり、
X2はO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、
Y1はシクロオレフィン環化合物由来の2価の基であり、
n3及びn4はそれぞれ0乃至3の整数であり、m3及びm4はそれぞれ0乃至3の整数を示す。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、式(1)においてR3が水素原子である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第4観点として、式(2)においてR8が水素原子である第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第5観点として、式(1)においてn1及びn2が共に0である第1観点又は第3観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第6観点として、式(2)においてn3及びn4が共に0である第2観点又は第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第7観点として、ポリマーが請求項1に記載の式(1)で表される単位構造と下記式(3)で表される単位構造:
(式(3)中、Ar1は炭素数6乃至20の芳香族環基であり、R9およびR10はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、R9は水酸基であり、R10はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた有機基である。R11は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、若しくは水酸基で置換されていても良い炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、R12は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、若しくは水酸基で置換されていても良い炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、R11とR12はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。n5は〔1乃至(Ar1環に置換し得る最大の数)〕の整数であり、n6は〔((Ar1環に置換し得る最大の数)−n5)乃至0〕の整数である。)とを含むポリマーである第1観点、第3観点又は第5観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、ポリマーが第2観点に記載の式(2)で表される単位構造と下記式(4)で表される単位構造:
(式(4)中、Ar2は炭素数6乃至20の芳香族環基であり、R13およびR14はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、R13は水酸基であり、R14はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた有機基である。Y2はシクロオレフィン環化合物由来の2価の基である。
n7は〔1乃至(Ar2環に置換し得る最大の数)〕の整数であり、n8は〔((Ar2環に置換し得る最大の数)−n7)乃至0〕の整数である。)とを含むポリマーである第2観点、第4観点又は第6観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第9観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第8観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第10観点として、更に酸及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第9観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第11観点として、第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜、
第12観点として、第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法、
第13観点として、半導体基板上に第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、
第14観点として、半導体基板に第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び
第15観点として、ハードマスクが無機物の蒸着によるものである第14観点に記載の製造方法である。
また、本発明は式(2)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物である。
そして、上記ポリマーが式(1)で表される単位構造と上記式(3)で表される単位構造とを含むことができる。
更に、上記ポリマーが式(2)で表される単位構造と上記式(4)で表される単位構造とを含むことができる。
そして、XはO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、n1及びn2はそれぞれ0乃至3の整数であり、m1及びm2はそれぞれ0乃至3、又は0乃至1の整数を示す。
R8は水素原子、又は炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、若しくはそれらの組み合わせた基であり、
X2はO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、
Y1はシクロオレフィン環化合物由来の2価の基であり、
n3及びn4はそれぞれ0乃至3の整数であり、m3及びm4はそれぞれ0乃至3の整数を示す。
n7は〔1乃至(Ar2環に置換し得る最大の数)〕の整数であり、n8は〔((Ar2環に置換し得る最大の数)−n7)乃至0〕の整数である。
炭素数1乃至10のアルキル基としてはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、シクロブチル基、1−メチル−シクロプロピル基、2−メチル−シクロプロピル基、n−ペンチル基、1−メチル−n−ブチル基、2−メチル−n−ブチル基、3−メチル−n−ブチル基、1,1−ジメチル−n−プロピル基、1,2−ジメチル−n−プロピル基、2,2−ジメチル−n−プロピル基、1−エチル−n−プロピル基、シクロペンチル基、1−メチル−シクロブチル基、2−メチル−シクロブチル基、3−メチル−シクロブチル基、1,2−ジメチル−シクロプロピル基、2,3−ジメチル−シクロプロピル基、1−エチル−シクロプロピル基、2−エチル−シクロプロピル基、n−ヘキシル基、1−メチル−n−ペンチル基、2−メチル−n−ペンチル基、3−メチル−n−ペンチル基、4−メチル−n−ペンチル基、1,1−ジメチル−n−ブチル基、1,2−ジメチル−n−ブチル基、1,3−ジメチル−n−ブチル基、2,2−ジメチル−n−ブチル基、2,3−ジメチル−n−ブチル基、3,3−ジメチル−n−ブチル基、1−エチル−n−ブチル基、2−エチル−n−ブチル基、1,1,2−トリメチル−n−プロピル基、1,2,2−トリメチル−n−プロピル基、1−エチル−1−メチル−n−プロピル基、1−エチル−2−メチル−n−プロピル基、シクロヘキシル基、1−メチル−シクロペンチル基、2−メチル−シクロペンチル基、3−メチル−シクロペンチル基、1−エチル−シクロブチル基、2−エチル−シクロブチル基、3−エチル−シクロブチル基、1,2−ジメチル−シクロブチル基、1,3−ジメチル−シクロブチル基、2,2−ジメチル−シクロブチル基、2,3−ジメチル−シクロブチル基、2,4−ジメチル−シクロブチル基、3,3−ジメチル−シクロブチル基、1−n−プロピル−シクロプロピル基、2−n−プロピル−シクロプロピル基、1−i−プロピル−シクロプロピル基、2−i−プロピル−シクロプロピル基、1,2,2−トリメチル−シクロプロピル基、1,2,3−トリメチル−シクロプロピル基、2,2,3−トリメチル−シクロプロピル基、1−エチル−2−メチル−シクロプロピル基、2−エチル−1−メチル−シクロプロピル基、2−エチル−2−メチル−シクロプロピル基及び2−エチル−3−メチル−シクロプロピル基等が挙げられる。
式(1)においてn1及びn2が共に0である場合の繰り返し単位構造を用いることができる。
式(1)のR1、R2、R3、及びR5が水素原子であり、R4がベンゼン環、ナフタレン環、又はピレン環である場合を好ましく用いることができる。また、R5とR4が互いに環を形成しフロオレン構造を形成する場合も好ましい。
式(2)においてn3及びn4が共に0である場合の繰り返し単位構造を用いることができる。
また、本発明のポリマーの製造に用いられるケトン類としてはジアリールケトン類であり、例えばジフェニルケトン、フェニルナフチルケトン、ジナフチルケトン、フェニルトリルケトン、ジトリルケトン、9−フルオレノン等が挙げられる。
縮合時の反応温度は通常40℃乃至200℃である。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常30分乃至50時間程度である。
以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Mwは、通常500乃至1000000、又は600乃至200000である。
以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Mwは、通常500乃至1000000、又は600乃至200000である。
それらポリマーとしてはポリアクリル酸エステル化合物、ポリメタクリル酸エステル化合物、ポリアクリルアミド化合物、ポリメタクリルアミド化合物、ポリビニル化合物、ポリスチレン化合物、ポリマレイミド化合物、ポリマレイン酸無水物、及びポリアクリロニトリル化合物が挙げられる。
式(6)中、R17は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基であり、R18は炭素数1乃至10のアルキル基であり、n12は1乃至4の整数であり、n13は0乃至(4−n12)であり、(n12+n13)は1乃至4の整数を示す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2乃至100、又は2乃至50の範囲で用いることができる。
これらのアルキル基及びアリール基は、上記アルキル基及びアリール基を例示することができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量%、好ましくは0.01乃至50質量%、さらに好ましくは0.05乃至40質量%である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
更なる吸光剤としては例えば、「工業用色素の技術と市場」(CMC出版)や「染料便覧」(有機合成化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.DisperseYellow1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.D isperseOrange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.DisperseRed1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.DisperseViolet43;C.I.DisperseBlue 96;C.I.Fluorescent Brightening Agent 112,135及び163;C.I.SolventOrange2及び45;C.I.SolventRed1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.Pigment Green 10;C.I.PigmentBrown 2等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して10質量%以下、好ましくは5質量%以下の割合で配合される。
また電子線レジストの電子線照射は、例えば電子線照射装置を用い照射することができる。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)8.0g、1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)6.3g、p−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)0.81g、1,4−ジオキサン(関東化学製)35.2gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、約28時間還流撹拌した。反応終了後、1,4−ジオキサン(関東化学製)10gで希釈した。希釈液をメタノール/28%アンモニア水(500g/5g)混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を5.8g得た。得られたポリマーは式(2−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、1,200であった。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)12.0g、ベンズアルデヒド(東京化成工業株式会社製)6.4g、p−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)1.2g、1,4−ジオキサン(関東化学製)112.8gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、約26時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン(関東化学製)22gで希釈した。希釈液をメタノール750g中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を2.2g得た。得られたポリマーは式(2−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、6,800であった。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)10.0g、9−フルオレノン(東京化成工業株式会社製)9.1g、p−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)1.0g、トルエン(関東化学製)46.8gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、約29時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン(関東化学製)10.4gで希釈した。希釈液をメタノール800mlへ滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を12.4g得た。得られたポリマーは式(2−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、800であった。
100mlナスフラスコにフェノキサジン(東京化成工業株式会社製)5.22g、1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)4.45g、p−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)0.67g、トルエン(関東化学製)11.93g、1,4−ジオキサン(関東化学製)11.93gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、約30時間還流撹拌した。反応終了後、1,4−ジオキサン(関東化学製)10.0gで希釈した。希釈液をメタノール500mlへ滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を4.4g得た。得られたポリマーは式(2−9)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、2,500であった。
300mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)20.0g、フロログルシノール(東京化成工業株式会社製)12.7g、1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)33.5g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)2.0g、プロピレングルコールモノメチルエーテル154.1gを入れた。その後約8時間還流撹拌した。反応終了後、反応液をメタノール中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を28.1g得た。得られたポリマーは式(2−29)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、1,100であった。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)7.0g、1,5−ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業株式会社製)5.6g、1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)10.2g、メタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)0.67g、プロピレングルコールモノメチルエーテル55.2gを入れた。その後約3時間還流撹拌した。反応終了後、反応液をメタノール中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を12.2g得た。得られたポリマーは式(2−30)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、4,300であった。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)15.0g、ジシクロペンタジエン(東京化成工業株式会社製)9.97g、トリフルオロメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)1.1g、ブチルセロソルブ46.4gを入れた。その後約8時間還流撹拌した。反応終了後、反応液をメタノール中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥し共重合樹脂を12.2g得た。得られたポリマーは式(2−31)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、2,500であった。
100mlナスフラスコにフェノチアジン(東京化成工業株式会社製)13.0g、テレフタルアルデヒド酸(東京化成工業株式会社製)9.79g、パラトルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)1.31g、ジオキサン56.2gを入れた。その後約8時間還流撹拌した。反応終了後、反応液をメタノール/水(400ml/100ml)の混合液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を13.7g得た。得られたポリマーは式(2−7)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、2,510であった。
100mlナスフラスコにカルバゾール(東京化成工業株式会社製)8.0g、1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)28.0g、p−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)3.6g、トルエン(関東化学製)143.8gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、約27時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン(関東化学製)90.5gで希釈した。希釈液をメタノール2000mlへ滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノールで洗浄後、85℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を37.9g得た。得られたポリマーは式(7)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、3,800であった。
合成例1で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル4.6g、シクロヘキサノン4.6gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例2で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル4.6g、シクロヘキサノン4.6gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例3で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル4.6g、シクロヘキサノン4.6gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例4で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル4.6g、シクロヘキサノン4.6gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例1で得た2.5gのポリマーに、架橋剤として表されるメチロール化合物(CYTEC製、商品名CYMEL303、下記式(8))0.375g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.038g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテル6.70g、シクロヘキサノン6.70gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例5で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート6.9g、シクロヘキサノン16.1gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例6で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル9.2gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例7で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート4.6g、シクロヘキサノン18.4gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例8で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート16.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテル6.9gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
クレゾールノボラック樹脂(市販品、重量平均分子量は4000)の溶液を使用した。
比較合成例1で得た2gのポリマーに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル4.6g、シクロヘキサノン4.6gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例1乃至9、比較例1乃至2で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上にそれぞれ塗布した。ホットプレート上で240℃1分間もしくは400℃2分間(比較例1は240℃1分間)焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも呼ぶ)を測定した。結果を表1に示した。
実施例1乃至9、比較例1乃至2で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上にそれぞれ塗布した。ホットプレート上で240℃1分間もしくは400℃2分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。これらのレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤、例えば乳酸エチル、ならびにプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンに対する浸漬試験を行った。
実施例1乃至実施例4、実施例6乃至実施例9、及び比較例2のレジスト下層膜形成組成物の溶液を240℃1分間焼成した膜は、それらの溶剤に溶解した。また、実施例1乃至実施例9、及び比較例2のレジスト下層膜形成組成物の溶液を400℃2分間焼成した膜は、それらの溶剤に不溶であることを確認した。実施例5、及び比較例1のレジスト下層膜形成組成物の溶液を240℃1分間焼成した膜は、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
実施例1乃至9、及び比較例2で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間もしくは400℃2分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。
また、比較例1の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に240℃1分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至9、及び比較例2のレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。速度比は(実施例1乃至9及び比較例2のそれぞれのレジスト下層膜を各温度で焼成した膜のドライエッチング速度)/(比較例1のレジスト下層膜を240℃で焼成した膜のドライエッチング速度)のドライエッチング速度比である。
実施例1乃至3、実施例6乃至8、及び比較例2で調整した各レジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてそれぞれ酸化ケイ素被膜付きシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で400℃2分間焼成しレジスト下層膜(膜厚200nm)を形成した。レジスト下層膜上にシリコンハードマスク形成組成物溶液を塗布し、240℃で1分間焼成しシリコンハードマスク層(膜厚45nm)を形成した。その上にレジスト溶液を塗布し、100℃で1分間焼成しレジスト層(膜厚120nm)を形成した。マスクを用いて波長193nmで露光し、露光後加熱PEB(105℃で1分間)を行った後、現像してレジストパターンを得た。その後、フッ素系ガス(成分はCF4)でドライエッチングを行い、レジストパターンをハードマスクに転写した。その後、酸素系ガス(成分はO2/CO2)でドライエッチングを行い、レジストパターンを本件レジスト下層膜に転写した。その後、フッ素系ガス(成分はC4F8/O2/Ar)でドライエッチングを行い、シリコンウエハー上の酸化ケイ素被膜の除去を行った。その時のそれぞれのパターン形状を電子顕微鏡で観察した。
パターンの曲がり(wiggling)が発生することで忠実なパターンに基づく基板加工ができなくなるため、パターンの曲がり(wiggling)が発生する直前のパターン幅(限界パターン幅)により基板加工をする必要がある。
パターンの曲がり(wiggling)が発生し始めるパターン幅は、その値が狭ければ狭いほど微細な基板の加工が可能となる。解像度の測定には測長走査型電子顕微鏡(日立製作所製)を用いた。測定結果を表3に示した。
実施例1乃至2、及び比較例2で得た本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物の溶液をスピンコーターにより、ホール(直径0.13μm、深さ0.7μm)を有するSiO2付きウエハー基板上に塗布した。パターンは、ホール中心から隣のホール中心までの間隔が、当該ホールの直径の1倍であるパターンである。
本発明の下層膜材料は上層に蒸着でハードマスクを形成可能な耐熱性を有することが判った。
Claims (15)
- 下記式(1):
(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、互いに独立して、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸基、ヒドロキシ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた基であり、
R3は水素原子、又は炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、若しくはそれらの組み合わせた基であり、
R4は炭素数6乃至40のアリール基又は複素環基であり、かつ、該アリール基及び該複素環基はそれぞれハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数1乃至10のアルコキシ基、炭素数6乃至40のアリール基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、又は水酸基で置換されていても良く、
R5は水素原子、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、かつ、該アルキル基、該アリール基、及び該複素環基はそれぞれハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、又は水酸基で置換されていても良く、そしてR4とR5はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良く、
XはO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、n1及びn2はそれぞれ0乃至3の整数であり、m1及びm2はそれぞれ0乃至3の整数を示す。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。 - 下記式(2):
(式(2)中、R6及びR7はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、互いに独立して、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸基、ヒドロキシ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた基であり、
R8は水素原子、又は炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、若しくはそれらの組み合わせた基であり、
X2はO原子、S原子、CH2基、C=O基、CH=CH基、又はCH2−CH2基であり、
Y1はシクロオレフィン環化合物由来の2価の基であり、
n3及びn4はそれぞれ0乃至3の整数であり、m3及びm4はそれぞれ0乃至3の整数を示す。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。 - 式(1)においてR3が水素原子である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 式(2)においてR8が水素原子である請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 式(1)においてn1及びn2が共に0である請求項1又は請求項3に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 式(2)においてn3及びn4が共に0である請求項2又は請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- ポリマーが請求項1に記載の式(1)で表される単位構造と下記式(3)で表される単位構造:
(式(3)中、Ar1は炭素数6乃至20の芳香族環基であり、R9およびR10はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、R9は水酸基であり、R10はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた有機基である。R11は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、若しくは水酸基で置換されていても良い炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、R12は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、若しくは水酸基で置換されていても良い炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基、又は複素環基であり、R11とR12はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。n5は〔1乃至(Ar1環に置換し得る最大の数)〕の整数であり、n6は〔((Ar1環に置換し得る最大の数)−n5)乃至0〕の整数である。)とを含むポリマーである請求項1、請求項3又は請求項5に記載のレジスト下層膜形成組成物。 - ポリマーが請求項2に記載の式(2)で表される単位構造と下記式(4)で表される単位構造:
(式(4)中、Ar2は炭素数6乃至20の芳香族環基であり、R13およびR14はそれぞれ芳香環上の水素原子の置換基であって、R13は水酸基であり、R14はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数2乃至10のアルケニル基、炭素数6乃至40のアリール基、エーテル結合を含む有機基、ケトン結合を含む有機基、エステル結合を含む有機基、又はそれらを組み合わせた有機基である。Y2はシクロオレフィン環化合物由来の2価の基である。
n7は〔1乃至(Ar2環に置換し得る最大の数)〕の整数であり、n8は〔((Ar2環に置換し得る最大の数)−n7)乃至0〕の整数である。)とを含むポリマーである請求項2、請求項4又は請求項6に記載のレジスト下層膜形成組成物。 - 更に架橋剤を含む請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に酸及び/又は酸発生剤を含む請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによりレジスト下層膜を製造する方法。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法。
- 半導体基板上に請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- ハードマスクが無機物の蒸着によるものである請求項14に記載の製造方法。
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