JPH01304149A - 高分子組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は新規な高分子組成物に関する。さらに詳しくは
、本発明は特に、加工性に優れ、かつ電子受容体をドー
プすることにより極めて優れた導電特性を示す新規な高
分子組成物に関する。
、本発明は特に、加工性に優れ、かつ電子受容体をドー
プすることにより極めて優れた導電特性を示す新規な高
分子組成物に関する。
〈従来技術および発明が解決しようとする課題〉導電性
高分子を形成するのに用いられる重合体として、ポリア
セチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリ
ピロール等が知られている。これらの重合体はある欅の
化合物をドープすることにより導電性高分子として使用
可能となるが、空気中で変質しやすく、電気的特性が変
化するという欠点がある。また、これらの導電性高分子
は融解性、溶解性に乏しいために加工性が極めて悪い等
の問題点が有り、実用上の大きな障害となっている。た
とえば、導電性高分子の応用分野として、導電性高分子
の可逆的酸化還元特性を利用した二次電池用電極への応
用が提案されているが、はとんどの場合二次電池の電解
液中で物理的もしくは化学的に不安定であり、したがっ
て二次電池に要求される基本的性能である充放電の安定
した繰り返し特性(サイクラビリティ−)が期待できな
い。また、導電性高分子のポリマー骨格は剛直なπ電子
共役系よりなるため不溶不融であって実用化の大きな障
害となっている。これらの問題点を解決する方法として
米国特許第4505844号において、310−:1フ
エノキサジンジイル構造を繰り返し単位として有する重
合体に電子受容体をドープして得られる電気活性ポリマ
ーが提案されている。
高分子を形成するのに用いられる重合体として、ポリア
セチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリ
ピロール等が知られている。これらの重合体はある欅の
化合物をドープすることにより導電性高分子として使用
可能となるが、空気中で変質しやすく、電気的特性が変
化するという欠点がある。また、これらの導電性高分子
は融解性、溶解性に乏しいために加工性が極めて悪い等
の問題点が有り、実用上の大きな障害となっている。た
とえば、導電性高分子の応用分野として、導電性高分子
の可逆的酸化還元特性を利用した二次電池用電極への応
用が提案されているが、はとんどの場合二次電池の電解
液中で物理的もしくは化学的に不安定であり、したがっ
て二次電池に要求される基本的性能である充放電の安定
した繰り返し特性(サイクラビリティ−)が期待できな
い。また、導電性高分子のポリマー骨格は剛直なπ電子
共役系よりなるため不溶不融であって実用化の大きな障
害となっている。これらの問題点を解決する方法として
米国特許第4505844号において、310−:1フ
エノキサジンジイル構造を繰り返し単位として有する重
合体に電子受容体をドープして得られる電気活性ポリマ
ーが提案されている。
しかし、上記のフェノキサジン系重合体は低重合度のオ
リゴマーであり、本来高分子化合物として具備すべき機
械的強度と成形性がなく、たとえば、該重合体を二次電
池の電極材料として用いた場合は繰り返し充放電を行う
につれて可溶成分が溶出し、サイクラビリティ−が期待
できないという問題点がある。また上記フェノキサジン
系重合体に良好な電気化学的特性と同時に機械的強度と
成形性を持たせるためには、より重合度の高いポリマー
(高重合体)を得ることが必要となるが、ポリアロマテ
ィック化合物やポリヘテロアロマティックの合成法とし
て一般に用いられているグリニヤールカップリング、酸
化カップリング、フリーデルクラフッ反応および電解酸
化重合などによっても高分子量ポリマーを得ることは困
難であり、また、反応条件をよシ過酷にしても異種結合
や架橋反応を誘発して高分子量化が望めないばかりか高
分子化合物の利点の一つである加工性を失って不溶不融
となり、さらには電気的に不活性なポリマーとなってし
まうという欠点があった。
リゴマーであり、本来高分子化合物として具備すべき機
械的強度と成形性がなく、たとえば、該重合体を二次電
池の電極材料として用いた場合は繰り返し充放電を行う
につれて可溶成分が溶出し、サイクラビリティ−が期待
できないという問題点がある。また上記フェノキサジン
系重合体に良好な電気化学的特性と同時に機械的強度と
成形性を持たせるためには、より重合度の高いポリマー
(高重合体)を得ることが必要となるが、ポリアロマテ
ィック化合物やポリヘテロアロマティックの合成法とし
て一般に用いられているグリニヤールカップリング、酸
化カップリング、フリーデルクラフッ反応および電解酸
化重合などによっても高分子量ポリマーを得ることは困
難であり、また、反応条件をよシ過酷にしても異種結合
や架橋反応を誘発して高分子量化が望めないばかりか高
分子化合物の利点の一つである加工性を失って不溶不融
となり、さらには電気的に不活性なポリマーとなってし
まうという欠点があった。
これらの従来技術の欠点を解消するため、既に本発明者
らは、N−メチルピロリドン、ニトロベンゼン、硫酸等
の溶媒に可溶で、また、熱可塑性樹脂であるため、成形
加工性に優れ、しかも電子受容性化合物をドープするこ
とにより、電気活性が改良され、酸化還元反応を繰り返
し性良く行え、各種のエレクトロニックデバイスやバッ
テリーなどへの応用が期待される一般式(I) (式中 R1はH1炭素数1〜20の炭化水素残基、フ
リル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロロフェニ
ル基マたはメトキシフェニル基、nは1〜50の整数、
Xは2〜1000の整数を示す。)で表わされる共重合
を見出し、既に特許出願を行った(特願昭62−153
429)。
らは、N−メチルピロリドン、ニトロベンゼン、硫酸等
の溶媒に可溶で、また、熱可塑性樹脂であるため、成形
加工性に優れ、しかも電子受容性化合物をドープするこ
とにより、電気活性が改良され、酸化還元反応を繰り返
し性良く行え、各種のエレクトロニックデバイスやバッ
テリーなどへの応用が期待される一般式(I) (式中 R1はH1炭素数1〜20の炭化水素残基、フ
リル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロロフェニ
ル基マたはメトキシフェニル基、nは1〜50の整数、
Xは2〜1000の整数を示す。)で表わされる共重合
を見出し、既に特許出願を行った(特願昭62−153
429)。
しかしながら、上記共重合体は、電子受容性化合物をド
ープしても、各種の電子機能材料として用いるには充分
な導電性が得られない等の問題点がある。特に、上記共
重合体をバッテリー電極へと応用する場合、l)導電性
が低いために、電極自体の抵抗が大きく、大電流がとれ
ない(充放電電流が小さい)。
ープしても、各種の電子機能材料として用いるには充分
な導電性が得られない等の問題点がある。特に、上記共
重合体をバッテリー電極へと応用する場合、l)導電性
が低いために、電極自体の抵抗が大きく、大電流がとれ
ない(充放電電流が小さい)。
2)内部抵抗が大きくなり、電圧平坦性がない。
3)充放電容量が小さい(活物質の利用効率が悪い)。
等の問題点があった。
バッテリー電極の導電性を改良するには、電極にカーボ
ンブラックやグラファイトを混入する方法が広く知られ
ているが、この方法においては高導電を得るには、多量
のカーボンブラック等を混入させる必要があり、その結
果、電極活物質の量が減少するため、バッテリー容量を
著しく低下させる問題点を新たに生ずる。
ンブラックやグラファイトを混入する方法が広く知られ
ているが、この方法においては高導電を得るには、多量
のカーボンブラック等を混入させる必要があり、その結
果、電極活物質の量が減少するため、バッテリー容量を
著しく低下させる問題点を新たに生ずる。
〈課題を解決するための手段〉
本発明者らは、これらの欠点を改良すべくさらに鋭意研
究した結果、上記−数式(I)の共重合体に、ポリピロ
ール系化合物、ポリチオフェン系化合物あるいはポリア
ニリン系化合物より選ばれる少なくとも一種以上の化合
物を混合して成る高分子組成物を用いることによシ、従
来技術の欠点が解決されることを見出し、本発明に到達
したものであすなわち、本発明は 一般式(I) (式中 R1はH1炭素数1〜20の炭化水素残基、フ
リル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロロフェニ
ル基またはメトキシフェニル基を示し、nは1〜50の
整数、Xは2〜1000の整数を示す。)で表わされる
共重合体に一般式(II) (式中、R2,R3およびR4はそれぞれ水素原子また
は炭素数1〜20の炭化水素残基、pは2以上の整数を
示す)で表わされるポリピロール系化合物、 一般式(I(I) (式中 R5およびR6はそれぞれ水素原子または炭素
数1〜10の炭化水素残基、qは2以上の整数を示す)
で表わされるポリチオフェン系化合物、 および、一般式(IV) (式中、R7、11t8 、 R1およびRIOはそ
れぞれ水素原子または炭素数1〜10の炭化水素残基、
rは2以上の整数を示す)で表わされるポリアニリン系
化合物よシ選ばれる化金物を混合してなる高分子組成物
に関する。
究した結果、上記−数式(I)の共重合体に、ポリピロ
ール系化合物、ポリチオフェン系化合物あるいはポリア
ニリン系化合物より選ばれる少なくとも一種以上の化合
物を混合して成る高分子組成物を用いることによシ、従
来技術の欠点が解決されることを見出し、本発明に到達
したものであすなわち、本発明は 一般式(I) (式中 R1はH1炭素数1〜20の炭化水素残基、フ
リル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロロフェニ
ル基またはメトキシフェニル基を示し、nは1〜50の
整数、Xは2〜1000の整数を示す。)で表わされる
共重合体に一般式(II) (式中、R2,R3およびR4はそれぞれ水素原子また
は炭素数1〜20の炭化水素残基、pは2以上の整数を
示す)で表わされるポリピロール系化合物、 一般式(I(I) (式中 R5およびR6はそれぞれ水素原子または炭素
数1〜10の炭化水素残基、qは2以上の整数を示す)
で表わされるポリチオフェン系化合物、 および、一般式(IV) (式中、R7、11t8 、 R1およびRIOはそ
れぞれ水素原子または炭素数1〜10の炭化水素残基、
rは2以上の整数を示す)で表わされるポリアニリン系
化合物よシ選ばれる化金物を混合してなる高分子組成物
に関する。
また、本発明は、上記高分子組成物に電子受容体をドー
プして得られる導電性高分子組成物に関する。
プして得られる導電性高分子組成物に関する。
以下、本発明を詳述する。
(I)一般式(I)で表わされる共重合体本発明の一般
式(I)で表わされる共重合体は、一般弐閏で表わされ
る3、10−フェノキサジンジイル構造を繰シ返し単位
として有する化合物と、一般式(ロ)で表わされるアル
デヒドまたはその重合体とを重縮合させることによって
得ることができる。
式(I)で表わされる共重合体は、一般弐閏で表わされ
る3、10−フェノキサジンジイル構造を繰シ返し単位
として有する化合物と、一般式(ロ)で表わされるアル
デヒドまたはその重合体とを重縮合させることによって
得ることができる。
R’cpto (VD一般式
(ト)で表わされる化合物としては、フェノキサジ/ま
たF′1310−フェノキサジンジイル構造を繰シ返し
単位として有する重合体が用いられる。
(ト)で表わされる化合物としては、フェノキサジ/ま
たF′1310−フェノキサジンジイル構造を繰シ返し
単位として有する重合体が用いられる。
一般式(7)で表わされる3、10−フェノキサジンジ
イル構造を繰シ返し単位として有する重合体はたとえば
、アセトン、ピリジン、ベンゼン、水またはそれらの混
合溶媒中で過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤を
用いて合成することができる。また、これらの酸化剤と
共に硫酸水素テトラアルキルアンモニウム塩、クラウン
エーテル等の相聞移動触媒を使用してもよい。
イル構造を繰シ返し単位として有する重合体はたとえば
、アセトン、ピリジン、ベンゼン、水またはそれらの混
合溶媒中で過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤を
用いて合成することができる。また、これらの酸化剤と
共に硫酸水素テトラアルキルアンモニウム塩、クラウン
エーテル等の相聞移動触媒を使用してもよい。
一般式(ロ)で表わされるアルデヒドとしては、式中R
1が水素または炭素数1〜20、好ましくは1〜8の炭
化水素残基、またはフリル基、ピリジル基、ニトロフェ
ニル基、クロロフェニル基あるいはメトキシフェニル基
の化合物が用いられ、炭化水素残基としては、メチル基
、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブ
チル基、i−ブチル基、n−ヘキシル基等のアルキル基
またはアリル基を、またフェニル基、トリル基、エチル
フェニル基などの各種アリール基、アラルキル基および
その誘導体などを用いることができる。これらのアルデ
ヒドのうち代表的なものとしては、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アクリルアルデヒド、シン
ナムアルデヒド、アニスアルデヒド、ニコチンアルデヒ
ド、ニトロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド
、フルフラールなどを挙げることができる。
1が水素または炭素数1〜20、好ましくは1〜8の炭
化水素残基、またはフリル基、ピリジル基、ニトロフェ
ニル基、クロロフェニル基あるいはメトキシフェニル基
の化合物が用いられ、炭化水素残基としては、メチル基
、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブ
チル基、i−ブチル基、n−ヘキシル基等のアルキル基
またはアリル基を、またフェニル基、トリル基、エチル
フェニル基などの各種アリール基、アラルキル基および
その誘導体などを用いることができる。これらのアルデ
ヒドのうち代表的なものとしては、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アクリルアルデヒド、シン
ナムアルデヒド、アニスアルデヒド、ニコチンアルデヒ
ド、ニトロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド
、フルフラールなどを挙げることができる。
また、アルデヒドの重合体とは、−数式(ロ)で表され
るアルデヒドを濃厚溶液にして自己縮合させたり、酸触
媒の存在下で縮合させて得られる重合体を表し、該重合
体は本発明の共重合体を合成する際の反応条件下で容易
に加水分解してアルデヒド単量体を生成するものを表す
。代表的なものとしては、ホルムアルデヒドの重合体で
あるパラホルムアルデヒド、アセトアルデヒドの三量体
であるパラアルデヒドなどが挙げられる。
るアルデヒドを濃厚溶液にして自己縮合させたり、酸触
媒の存在下で縮合させて得られる重合体を表し、該重合
体は本発明の共重合体を合成する際の反応条件下で容易
に加水分解してアルデヒド単量体を生成するものを表す
。代表的なものとしては、ホルムアルデヒドの重合体で
あるパラホルムアルデヒド、アセトアルデヒドの三量体
であるパラアルデヒドなどが挙げられる。
一般式(ロ)で表わされる化合物と一般式(ロ)で表わ
されるアルデヒドまたはその重合体との重縮合は両者が
可溶な有機溶媒中でO℃〜200℃の温度で酸またはア
ルカリ触媒を用いて行うことができる。酸触媒の例とし
ては硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸等の無機酸、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、メタンスルホン酸、p−)ルエン
スルホン酸等の有機酸上挙げることができる。また、好
ましい有機溶剤の例としてはエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、クロロホルム
、ジクロロメタン、クロロペンセフ等(7:)ハロゲン
化炭化水素類、ニトロベンゼン等ノニトロ化合物、アセ
トニトリル、プロピレンカーボネート、ジメチルホルム
アミド、N−メチルピロリドンなどが挙げらhる。反応
時間は1分ないし500時間、好ましくは5分ないし2
00時間の範囲で適宜選ぶことができる。
されるアルデヒドまたはその重合体との重縮合は両者が
可溶な有機溶媒中でO℃〜200℃の温度で酸またはア
ルカリ触媒を用いて行うことができる。酸触媒の例とし
ては硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸等の無機酸、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、メタンスルホン酸、p−)ルエン
スルホン酸等の有機酸上挙げることができる。また、好
ましい有機溶剤の例としてはエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、クロロホルム
、ジクロロメタン、クロロペンセフ等(7:)ハロゲン
化炭化水素類、ニトロベンゼン等ノニトロ化合物、アセ
トニトリル、プロピレンカーボネート、ジメチルホルム
アミド、N−メチルピロリドンなどが挙げらhる。反応
時間は1分ないし500時間、好ましくは5分ないし2
00時間の範囲で適宜選ぶことができる。
以上の反応により、実質的に線状で重合度の高い本発明
の共重合体が得られる。本発明の共重合体はN−メチル
ピロリドン、ニトロベンゼン、クロロホルム、硫M等O
fJ媒に可溶であるがアルコール、脂肪族炭化水素、有
機電解液型電池に用いられるアセトニトリルやプロピレ
ンカーボネート等に不溶であり、また加熱により溶融さ
せることが可能な熱可塑性樹脂であって加工性に優れて
おり任意の形状の各種の成形体とすることができる。
の共重合体が得られる。本発明の共重合体はN−メチル
ピロリドン、ニトロベンゼン、クロロホルム、硫M等O
fJ媒に可溶であるがアルコール、脂肪族炭化水素、有
機電解液型電池に用いられるアセトニトリルやプロピレ
ンカーボネート等に不溶であり、また加熱により溶融さ
せることが可能な熱可塑性樹脂であって加工性に優れて
おり任意の形状の各種の成形体とすることができる。
本発明の高分子組成物は前述した様に該共重合体にポリ
ピロール系化合物、ポリチオフェン系化合物およびポリ
アニリン系化合物よシ選ばれる化合物(以下、配合化合
物と称する)を混合することにより得られる。これらの
配合化合物は単独で用いてもまた二種以上を併用しても
よい。
ピロール系化合物、ポリチオフェン系化合物およびポリ
アニリン系化合物よシ選ばれる化合物(以下、配合化合
物と称する)を混合することにより得られる。これらの
配合化合物は単独で用いてもまた二種以上を併用しても
よい。
(2)配合化合物
本発明におけるピロール系化合物は、−数式(II)で
表わされる化合物であシ、それらの化合物を二種以上併
用してもよい。−数式01)においてR2,R3および
R4はそれぞれ水素原子または炭素数1〜20、好まし
くは1〜1oの炭化水素残基金示し、炭化水素残基とし
ては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5ec−ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基などの
アルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチル基な
どのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、
ナフトキシ基などのアリロキシ基、メチルチオエーテル
基、エチルチオエーテル基などのチオエーテル基および
その誘導体が例示される。
表わされる化合物であシ、それらの化合物を二種以上併
用してもよい。−数式01)においてR2,R3および
R4はそれぞれ水素原子または炭素数1〜20、好まし
くは1〜1oの炭化水素残基金示し、炭化水素残基とし
ては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5ec−ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基などの
アルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチル基な
どのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、
ナフトキシ基などのアリロキシ基、メチルチオエーテル
基、エチルチオエーテル基などのチオエーテル基および
その誘導体が例示される。
pは2以上であるが通常2〜10000である。分子の
両末端は通常核置換水素である。
両末端は通常核置換水素である。
これらの具体例としては、ポリピロール、ポリ(N−メ
チルピロール)、ポリ(N−エチルピロール)、ポリ(
N−n−プロピルピロール)、ポリ(3−メチルピロー
ル)、ポリ(3−エチルピロール)、ポリ(3−メチル
−Nメチルピロール)、ボIJ (3−エチル−N−メ
チルピロール)、ポリ(3−メトキシピロール)、ポリ
(3−エトキシピロール)、ポリ(3−メトキシ−N−
メチルピロール)、ポIJ (3−エトキシ−N−エチ
ルピロール)、ポリ(3−フェニルピロール)、ポリ(
3−フェニル−N−メチルピロール)、ポリ(3−フェ
ノキシピロール)、ポリ(3−ナフトキシピロール)、
ポリ(3−メチルチオピロール)、ポリ(3−エチルチ
オピロール)、ポリ(34−ジメチルアニリン)、ホ’
) (34−ジエチル−N−メチルピロール)等が挙げ
られる。
チルピロール)、ポリ(N−エチルピロール)、ポリ(
N−n−プロピルピロール)、ポリ(3−メチルピロー
ル)、ポリ(3−エチルピロール)、ポリ(3−メチル
−Nメチルピロール)、ボIJ (3−エチル−N−メ
チルピロール)、ポリ(3−メトキシピロール)、ポリ
(3−エトキシピロール)、ポリ(3−メトキシ−N−
メチルピロール)、ポIJ (3−エトキシ−N−エチ
ルピロール)、ポリ(3−フェニルピロール)、ポリ(
3−フェニル−N−メチルピロール)、ポリ(3−フェ
ノキシピロール)、ポリ(3−ナフトキシピロール)、
ポリ(3−メチルチオピロール)、ポリ(3−エチルチ
オピロール)、ポリ(34−ジメチルアニリン)、ホ’
) (34−ジエチル−N−メチルピロール)等が挙げ
られる。
本発明におけるポリチオフェニル系化合物は、一般式(
2)で表わされる化合物であり、それらの化合物を二種
以上併用してもよい。一般式@)において R5および
R6はそれぞれ水素原子または、炭素数1〜20、好ま
しくは1〜10の炭化水素残基を示し、炭化水素残基と
しては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プ
ロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5eC−ブチ
ル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−
プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基など
のアルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチル基
などのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基
、ナフトキシ基などのアリロキシ基、およびその誘導体
が例示される。
2)で表わされる化合物であり、それらの化合物を二種
以上併用してもよい。一般式@)において R5および
R6はそれぞれ水素原子または、炭素数1〜20、好ま
しくは1〜10の炭化水素残基を示し、炭化水素残基と
しては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プ
ロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5eC−ブチ
ル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−
プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基など
のアルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチル基
などのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基
、ナフトキシ基などのアリロキシ基、およびその誘導体
が例示される。
qは2以上であるが、通常2〜10000である。分子
の両末端は通常核置換水素である。
の両末端は通常核置換水素である。
これらの具体例としては、ポリチオフェン、ポリ(3−
メチルチオフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、
ポリ(3−n−プロピルチオフェン)、ポリ(3−i−
7’ロピルチオフエン)、ポリ(3−n−ブチルチオフ
ェン)、ポリ(3−1−ブチルチオフェン)、ポリ(3
−secブチルチオフェン)、ポリ(3−メトキシチオ
フェン)、ポリ(3−エトキシチオフェン)、ポリ(3
−n−プロポキシチオフェン)、ポリ(3−i−プロポ
キシチオフェン)、ポリ(3−n−ブトキシチオフェン
)、ポリ(3−フェニルチオフェン)、ポリ(34ルイ
ルチオフエン)、ポリ(3−ナフチルチオフェン)、ポ
リ(3−フェノキシチオフェン)、ポリ(3−メチルフ
ェノキシチオフェン)、ポリ(3−ナフトキシチオフェ
ン)、ポリ(a4ジメチルチオフェン)、ポIJ (a
4ジエチルチオフエン)などが挙ケられる。
メチルチオフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、
ポリ(3−n−プロピルチオフェン)、ポリ(3−i−
7’ロピルチオフエン)、ポリ(3−n−ブチルチオフ
ェン)、ポリ(3−1−ブチルチオフェン)、ポリ(3
−secブチルチオフェン)、ポリ(3−メトキシチオ
フェン)、ポリ(3−エトキシチオフェン)、ポリ(3
−n−プロポキシチオフェン)、ポリ(3−i−プロポ
キシチオフェン)、ポリ(3−n−ブトキシチオフェン
)、ポリ(3−フェニルチオフェン)、ポリ(34ルイ
ルチオフエン)、ポリ(3−ナフチルチオフェン)、ポ
リ(3−フェノキシチオフェン)、ポリ(3−メチルフ
ェノキシチオフェン)、ポリ(3−ナフトキシチオフェ
ン)、ポリ(a4ジメチルチオフェン)、ポIJ (a
4ジエチルチオフエン)などが挙ケられる。
また、ポリアニリン系化合物としては、一般式(財)で
表わされる化合物であり、それらの化合物を二種以上併
用してもよい。一般式(財)において、R? 、 R
8,R9およびR10は水素原子または炭素数1〜20
好ましくは1〜10の炭化水素残基金示し、炭化水素残
基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5ec−
ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基
などのアルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチ
ル基などのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキ
シ基、ナフトキシ基などのアリロキシ基およびその誘導
体などが例示される。
表わされる化合物であり、それらの化合物を二種以上併
用してもよい。一般式(財)において、R? 、 R
8,R9およびR10は水素原子または炭素数1〜20
好ましくは1〜10の炭化水素残基金示し、炭化水素残
基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、5ec−
ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基
などのアルコキシ基、フェニル基、トルイル基、ナフチ
ル基などのアリール基、フェノキシ基、メチルフェノキ
シ基、ナフトキシ基などのアリロキシ基およびその誘導
体などが例示される。
rは2以上であるが、通常2〜10000である。分子
の両末端は通常核置換水素である。
の両末端は通常核置換水素である。
具体的には、ポリアニリン、ポリ(3−メチルアニリン
)、ポリ(45−ジメチルアニリン)、ポリ(3−エチ
ルアニリン)、ポリ(3−n−プロピルアニリン)、ポ
リ(3−メトキシアニリン)、ポリ(45ジメトキシア
ニリン)、ポリ(3−エトキシアニリン)、ポリ(45
−ジェトキシアニリン)、ポリ(3−フェニルアニリン
)、ポリ(45−ジフェニルアニリン)、ポリ(3−ナ
フチルアニリン)、ポリ(3−トルイルアニリン)、ポ
リ(25−ジメチルアニリン)、ポリ(3−フェノキシ
アニリン)、ポリ(3−ナフトキシアニリン)、ポリ(
N−メチルアニリン)、ポリ(N−エチルアニリン)、
ポリ(3−メチル−N−メチルアニリン)、ポリ(45
−ジメチルN−エチルアニリン)、ポリ(3−エチルN
−メチルアニリン)、ポリ(3−メトキシ−Nメチルア
ニリン)、ポリ(3,5−メトキシ−N−メチルアニリ
ン)、ポリ(3−フェノキシ−N−メチルアニリン)h
Jが挙げられる。
)、ポリ(45−ジメチルアニリン)、ポリ(3−エチ
ルアニリン)、ポリ(3−n−プロピルアニリン)、ポ
リ(3−メトキシアニリン)、ポリ(45ジメトキシア
ニリン)、ポリ(3−エトキシアニリン)、ポリ(45
−ジェトキシアニリン)、ポリ(3−フェニルアニリン
)、ポリ(45−ジフェニルアニリン)、ポリ(3−ナ
フチルアニリン)、ポリ(3−トルイルアニリン)、ポ
リ(25−ジメチルアニリン)、ポリ(3−フェノキシ
アニリン)、ポリ(3−ナフトキシアニリン)、ポリ(
N−メチルアニリン)、ポリ(N−エチルアニリン)、
ポリ(3−メチル−N−メチルアニリン)、ポリ(45
−ジメチルN−エチルアニリン)、ポリ(3−エチルN
−メチルアニリン)、ポリ(3−メトキシ−Nメチルア
ニリン)、ポリ(3,5−メトキシ−N−メチルアニリ
ン)、ポリ(3−フェノキシ−N−メチルアニリン)h
Jが挙げられる。
(3)共重合体と配合化合物との混合
本発明の高分子組成物は、配合化合物を一般式(I)で
表わされる共重合体に均一分散し混合することにより得
られる。
表わされる共重合体に均一分散し混合することにより得
られる。
その際、一般式(I)で表わされる共重合体に配合化合
物単独を混合してもよく、または配合化合物を二穐以上
併用した、さらにカーボンブラックやグラファイト等の
通常の導電助剤を追加混合しても伺ら差し支えない。
物単独を混合してもよく、または配合化合物を二穐以上
併用した、さらにカーボンブラックやグラファイト等の
通常の導電助剤を追加混合しても伺ら差し支えない。
一般式(I)で表わされる共重合体と配合化合物との混
合割合は、一般式(I)で表わされる共重合体1oox
量部に対し、配合化合物1〜400重量部好ましくは5
〜100重量部、である。
合割合は、一般式(I)で表わされる共重合体1oox
量部に対し、配合化合物1〜400重量部好ましくは5
〜100重量部、である。
混合方法は特に制限されるものではなく、公知の方法が
用いられる。例えば、一般式(I)で表わされる共重合
体が前述したように、N−メチルピロリドン、ニトロベ
ンゼン、クロロホルム、硫酸等の溶媒に可溶である特長
を利用し、まず該共重合体を溶媒に溶解したのち、配合
化合物を加え、均一に分散させ、両者を混合し、その後
乾燥することによシ、高分子組成物を得る方法や、ある
いは、一般式(I)で表わされる共重合体を加熱溶融し
たのち配合化合物を加え、均一に分散混合したのち冷却
し高分子組成物を得る方法や、一般式(I)で表わされ
る共重合体と配合化合物とを固相でボールミリング等に
より直接混合する方法などが挙げられる。
用いられる。例えば、一般式(I)で表わされる共重合
体が前述したように、N−メチルピロリドン、ニトロベ
ンゼン、クロロホルム、硫酸等の溶媒に可溶である特長
を利用し、まず該共重合体を溶媒に溶解したのち、配合
化合物を加え、均一に分散させ、両者を混合し、その後
乾燥することによシ、高分子組成物を得る方法や、ある
いは、一般式(I)で表わされる共重合体を加熱溶融し
たのち配合化合物を加え、均一に分散混合したのち冷却
し高分子組成物を得る方法や、一般式(I)で表わされ
る共重合体と配合化合物とを固相でボールミリング等に
より直接混合する方法などが挙げられる。
もちろん、上記のような混合方法の他、例えば、一般式
(T)で表わされる共重合体の存在下、配合化合物をポ
リマーの形ではなく、ピロール系化合物、チオフェン系
化合物あるいはアニリン系化合物のモノマーとして加え
、固相、液相、気相、好ましくは一般式(I)で表わさ
れる共重合体の溶解した液相中、強酸残基やハロゲン、
シアンを有する金属塩、過酸化物や窒素酸化物の共存下
重合させ、高分子組成物を製造しても何ら差し支えない
。
(T)で表わされる共重合体の存在下、配合化合物をポ
リマーの形ではなく、ピロール系化合物、チオフェン系
化合物あるいはアニリン系化合物のモノマーとして加え
、固相、液相、気相、好ましくは一般式(I)で表わさ
れる共重合体の溶解した液相中、強酸残基やハロゲン、
シアンを有する金属塩、過酸化物や窒素酸化物の共存下
重合させ、高分子組成物を製造しても何ら差し支えない
。
(4) ドーピング
本発明の高分子組成物は、電子受容体をドーパントとし
てドープすることによシ高い電気活性を示し、酸化還元
反応を繰り返し性良く行うことができるのはもちろん、
高導電性を有するため、各種のエレクトロニックデバイ
スに用いることができる。例えば、二次電池の電極材料
として用いた場合には、可逆的な充放電が可能であり、
特に充放電の繰り返し数(サイクル数)を著しく多くし
てもフェノキサジン系重合体の場合に見られるように溶
出現象を起こしてサイクラビリティ−が低下することも
なく、極めて安定した特性を得ることができるばかりか
、大きな充放tt流がとれ、充放電時の電圧平坦性が良
く、シかも、配合化合物が導電助剤としての役割を果た
すとともにそれ自体が可逆的な酸化還元反応を行うため
、1!極活物質当たりの容量を低下させない等のすぐれ
た効果を発揮する。
てドープすることによシ高い電気活性を示し、酸化還元
反応を繰り返し性良く行うことができるのはもちろん、
高導電性を有するため、各種のエレクトロニックデバイ
スに用いることができる。例えば、二次電池の電極材料
として用いた場合には、可逆的な充放電が可能であり、
特に充放電の繰り返し数(サイクル数)を著しく多くし
てもフェノキサジン系重合体の場合に見られるように溶
出現象を起こしてサイクラビリティ−が低下することも
なく、極めて安定した特性を得ることができるばかりか
、大きな充放tt流がとれ、充放電時の電圧平坦性が良
く、シかも、配合化合物が導電助剤としての役割を果た
すとともにそれ自体が可逆的な酸化還元反応を行うため
、1!極活物質当たりの容量を低下させない等のすぐれ
た効果を発揮する。
電子受容性ドーパントとしては、ヨウ素、臭素、ヨウ化
水素のようなハロゲン化合物、五フフ化ヒ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ
素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、フッ化アル
ミニウム、塩化第二鉄のような金属ハロゲン化物、硫酸
、硝酸、クロロスルホン酸のようなプロトン酸、三酸化
イオウ、ジフルオロスルホニルパーオキシドのような酸
化剤、テトラシアノキノジメタンのような有機物などを
挙げることができる。
水素のようなハロゲン化合物、五フフ化ヒ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ
素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、フッ化アル
ミニウム、塩化第二鉄のような金属ハロゲン化物、硫酸
、硝酸、クロロスルホン酸のようなプロトン酸、三酸化
イオウ、ジフルオロスルホニルパーオキシドのような酸
化剤、テトラシアノキノジメタンのような有機物などを
挙げることができる。
また、電気化学的にドープできるドーパントとしては、
PFs ”−、S bF’6− t AS Fa−のよ
うなVa属の元素のハロゲン化物アニオン、BF4−の
ようなl1la属の元素の7−ロゲン化物アニオン、I
−(l5−) 、 Br−、CI−のようなハロゲンア
ニオン、ClO4−のような過塩素酸アニオンなどの陰
イオンが挙げられる。
PFs ”−、S bF’6− t AS Fa−のよ
うなVa属の元素のハロゲン化物アニオン、BF4−の
ようなl1la属の元素の7−ロゲン化物アニオン、I
−(l5−) 、 Br−、CI−のようなハロゲンア
ニオン、ClO4−のような過塩素酸アニオンなどの陰
イオンが挙げられる。
これらのドーピングは公知の方法によシ行なわれる。代
表的なものとしては電子受容性ドーパントが気体であっ
たり、蒸気圧を有する場合には、その蒸気雰囲気中に高
分子組成物をさらす気相ドーピング法、電子受容性ドー
パントを不活性溶媒中に溶解した溶液中に、高分子組成
物を浸漬する湿式ドーピング法、電子受容性化合物を不
活性溶媒中に溶解した溶液中に、高分子組成物が溶解す
る場合には、該溶液から乾式製膜をすることにより、フ
ィルム或いは塗膜に成形すると同時にドーピングする方
法や、あるいはドーパントの存在する溶液中に、高分子
組成物を浸漬したのち電場をかけ電気化学的にドーピン
グする方法などが例示される。
表的なものとしては電子受容性ドーパントが気体であっ
たり、蒸気圧を有する場合には、その蒸気雰囲気中に高
分子組成物をさらす気相ドーピング法、電子受容性ドー
パントを不活性溶媒中に溶解した溶液中に、高分子組成
物を浸漬する湿式ドーピング法、電子受容性化合物を不
活性溶媒中に溶解した溶液中に、高分子組成物が溶解す
る場合には、該溶液から乾式製膜をすることにより、フ
ィルム或いは塗膜に成形すると同時にドーピングする方
法や、あるいはドーパントの存在する溶液中に、高分子
組成物を浸漬したのち電場をかけ電気化学的にドーピン
グする方法などが例示される。
本発明におけるドーピングは、最終的に得られる高分子
組成物に対し行ってもよく、また、−数式(I)で表わ
される化合物と配合化合物とを混合する前に各々別に行
ってもよい。
組成物に対し行ってもよく、また、−数式(I)で表わ
される化合物と配合化合物とを混合する前に各々別に行
ってもよい。
さらに、本発明の高分子組成物は陰イオンをドープした
際に、組成物を構成する1成分である一般式(I)で示
される共重合体中の窒素原子が正電荷を帯び安定な状態
となる性質を有するので、酸化還元の繰り返しに対して
安定で、かつ、高い導電性を有し、さらに前述したよう
にすぐれた加工性をも有する特性を利用して、電池等の
各種機能性電極を構成するのに用いられる。
際に、組成物を構成する1成分である一般式(I)で示
される共重合体中の窒素原子が正電荷を帯び安定な状態
となる性質を有するので、酸化還元の繰り返しに対して
安定で、かつ、高い導電性を有し、さらに前述したよう
にすぐれた加工性をも有する特性を利用して、電池等の
各種機能性電極を構成するのに用いられる。
すなわち、本発明の一般式(I)で表わされる共重合体
を溶媒に溶解し配合化合物を加えたのち成形するか、本
発明の高分子組成物を加熱溶融して成形するか、もしく
は該高分子組成物を主成分として加圧成形したり、結着
剤を用いて任意の形に成形したものを電極とすることが
できる。結着剤としてはポリ四フッ化エチレン、ポリ7
ツ化ビニリゾ/、ポリ塩化ビモル、ポリエチレンなどを
挙げることができるが、必ずしもこれらに限定されるも
のではない。
を溶媒に溶解し配合化合物を加えたのち成形するか、本
発明の高分子組成物を加熱溶融して成形するか、もしく
は該高分子組成物を主成分として加圧成形したり、結着
剤を用いて任意の形に成形したものを電極とすることが
できる。結着剤としてはポリ四フッ化エチレン、ポリ7
ツ化ビニリゾ/、ポリ塩化ビモル、ポリエチレンなどを
挙げることができるが、必ずしもこれらに限定されるも
のではない。
また、本発明の高分子組成物は、光導電材料として有望
なカルバゾール単位を有しているため光導電材料として
も用いることができる。
なカルバゾール単位を有しているため光導電材料として
も用いることができる。
〈発明の効果〉
本発明の高分子組成物は、線状の共重合体を必須成分と
して含有するため、加工性に優れておシ、容易に各種成
形体を制造することができる。また、本発明の高分子組
成物を電子受容体でドープすることにより、極めて高い
導電性を発現することができ、しかもドーピングが可逆
的であってかつ極めて高いサイクラビリティ−を有して
おり、導電性高分子として極めて優れている。
して含有するため、加工性に優れておシ、容易に各種成
形体を制造することができる。また、本発明の高分子組
成物を電子受容体でドープすることにより、極めて高い
導電性を発現することができ、しかもドーピングが可逆
的であってかつ極めて高いサイクラビリティ−を有して
おり、導電性高分子として極めて優れている。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例によシ具体的に説明するが、本発
明をこれらに限定されるものではない。
明をこれらに限定されるものではない。
実施例
(フェノキサジンオリゴマーの合成)
攪拌器、滴下ロートおよび還流コンデンサーを備えた3
00−三ツロフラスコにアセトン150+7!およびフ
ェノキサジン5.11’に入れ、′C攪拌しフェノキサ
ジンヲ溶解させた後、氷冷した。ついで、過マンガン酸
カリウムの飽和アセトン溶液を滴下した。過マンガン酸
カリウムとして10.52を添加した後反応を終了し、
沈澱をろ過し、アセトンで洗浄した。風乾した後、熱ト
ルエンに入れて攪拌し、不溶の二酸化マンガンをろ過に
より分離した。ろ液からトルエンを減圧除去することに
より灰色の粗フェノキサジンオリゴマー粉末を得た。粗
フェノキサジンオリゴマー粉末を再びトルエンに沼解し
、メタノールで再沈することによシ精製を行ぺ 3.3
2の精製フェノキサジンオリゴマーを得た。
00−三ツロフラスコにアセトン150+7!およびフ
ェノキサジン5.11’に入れ、′C攪拌しフェノキサ
ジンヲ溶解させた後、氷冷した。ついで、過マンガン酸
カリウムの飽和アセトン溶液を滴下した。過マンガン酸
カリウムとして10.52を添加した後反応を終了し、
沈澱をろ過し、アセトンで洗浄した。風乾した後、熱ト
ルエンに入れて攪拌し、不溶の二酸化マンガンをろ過に
より分離した。ろ液からトルエンを減圧除去することに
より灰色の粗フェノキサジンオリゴマー粉末を得た。粗
フェノキサジンオリゴマー粉末を再びトルエンに沼解し
、メタノールで再沈することによシ精製を行ぺ 3.3
2の精製フェノキサジンオリゴマーを得た。
収率は65%であった。
(フェノキサジンオリゴマーとホルムアルデヒドとの重
縮合) 50−三ロフラスコに上記フェノキサジンオリゴマー0
.3(l金入れ、L4−ジオキサン5ゴに溶解させた。
縮合) 50−三ロフラスコに上記フェノキサジンオリゴマー0
.3(l金入れ、L4−ジオキサン5ゴに溶解させた。
これに濃硫酸数滴加え、37%ホルムアルデヒド水溶液
40■滴下した後、80℃で1時間加熱攪拌して反応さ
せた。
40■滴下した後、80℃で1時間加熱攪拌して反応さ
せた。
反応後、反応沈澱物をろ過し、メタノールで洗浄した後
乾燥して緑色の重合物0.31Pを得た。得られた共重
合体はN−メチルピロリドンおよびニトロベンゼンに可
溶であり、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、
脂肪族炭化水素類には不溶であった。
乾燥して緑色の重合物0.31Pを得た。得られた共重
合体はN−メチルピロリドンおよびニトロベンゼンに可
溶であり、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、
脂肪族炭化水素類には不溶であった。
(ピロール重合体の合成)
300d三ツロフラスコに無水FeCts 50.0
?を入れ、100 tnlのエタノールを加えて溶解さ
せた後、0℃に冷却した。これにピロールを2mlを加
えて、0℃で攪拌しながら1時間反応させた。反応後、
黒青色の沈澱をろ過しエタノールおよびイオン交換水で
洗浄した後、乾燥して1.52の微粒子状のピロール重
合体を得た。このピロール重合体を錠剤成形器でディス
ク状にプレス成形して4探針法の導電率を測定したとこ
ろ室温で548/mであった。
?を入れ、100 tnlのエタノールを加えて溶解さ
せた後、0℃に冷却した。これにピロールを2mlを加
えて、0℃で攪拌しながら1時間反応させた。反応後、
黒青色の沈澱をろ過しエタノールおよびイオン交換水で
洗浄した後、乾燥して1.52の微粒子状のピロール重
合体を得た。このピロール重合体を錠剤成形器でディス
ク状にプレス成形して4探針法の導電率を測定したとこ
ろ室温で548/mであった。
(共重合体とピロール重合体との混合による高分子組成
物の調製) フェノキサジン重合体とホルムアルデヒドとの重縮合に
より得られた共重合体0.5Orを10mのクロロホル
ムに溶解した後ピロール重合体0.205’を加えて攪
拌し、ピロール重合体が均一に分散した共重合体溶液を
調製した。このピロール重合体を含有した共重合体溶液
をテフロン板上にキャストして乾燥することにより、厚
さ20μmの均一なフィルムを得た。得られたフィルム
は可とう性があり、4探針法の導電率は187mを示し
た。
物の調製) フェノキサジン重合体とホルムアルデヒドとの重縮合に
より得られた共重合体0.5Orを10mのクロロホル
ムに溶解した後ピロール重合体0.205’を加えて攪
拌し、ピロール重合体が均一に分散した共重合体溶液を
調製した。このピロール重合体を含有した共重合体溶液
をテフロン板上にキャストして乾燥することにより、厚
さ20μmの均一なフィルムを得た。得られたフィルム
は可とう性があり、4探針法の導電率は187mを示し
た。
また、このフィルムを正極とし、対極に白金シート、参
照極にAg/AgNOsを用い、0.7 M −E t
aNPFaのアセトニトリル溶液を電解液として用いた
ハーフセルの充放電試験を行った。充電量110 C/
?。
照極にAg/AgNOsを用い、0.7 M −E t
aNPFaのアセトニトリル溶液を電解液として用いた
ハーフセルの充放電試験を行った。充電量110 C/
?。
充放電電流5mA、/;−での充放電繰り返し特性を調
べたところクーロン効率95チ以上で100回以上の安
定したサイクラビリティ−が得られた。
べたところクーロン効率95チ以上で100回以上の安
定したサイクラビリティ−が得られた。
第1図に放電曲線を示す。図中、横軸は放電電荷量を示
し縦軸はAg/AgNO3を基準とした放1!電位を示
す。5m A7’r−という高い電流密度においても極
めて良好な電位の安定性を示すことがわかった。
し縦軸はAg/AgNO3を基準とした放1!電位を示
す。5m A7’r−という高い電流密度においても極
めて良好な電位の安定性を示すことがわかった。
第1図は本発明高分子組成物の放電曲線の一例を示す線
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は水素原子、炭素数1〜20の炭化水素
残基、フリル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロ
ロフェニル基またはメトキシフェニル基を示し、nは1
〜50の整数、xは2〜1000の整数を示す。)で表
わされる共重合体に 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^2、R^3およびR^4はそれぞれ水素原
子または炭素数1〜20の炭化水素残基、pは2以上の
整数を示す)で表わされるポリピロール系化合物、 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^5およびR^6はそれぞれ水素原子または
炭素数1〜10の炭化水素残基、qは2以上の整数を示
す)で表わされるポリチオフェン系化合物、 および、一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^7、R^8、R^9およびR^1^0はそ
れぞれ水素原子または炭素数1〜10の炭化水素残基、
rは2以上の整数を示す)で表わされるポリアニリン系
化合物より選ばれる化合物を混合してなる高分子組成物
。 2、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水素原子、炭素数1〜20の炭化水素
残基、フリル基、ピリジル基、ニトロフェニル基、クロ
ロフェニル基またはメトキシフェニル基を示し、nは1
〜50の整数、xは2〜1000の整数を示す。)で表
わされる共重合体に 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^2、R^3およびR^4はそれぞれ水素原
子または炭素数1〜20の炭化水素残基、pは2以上の
整数を示す)で表わされるポリピロール系化合物、 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^5およびR^6はそれぞれ水素原子または
炭素数1〜10の炭化水素残基、qは2以上の整数を示
す)で表わされるポリチオフェン系化合物、 および、一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^7、R^8、R^9およびR^1^0はそ
れぞれ水素原子または炭素数1〜10の炭化水素残基、
rは2以上の整数を示す)で表わされるポリアニリン系
化合物より選ばれる化合物を混合してなる高分子組成物
に電子受容体をドープして得られる導電性高分子組成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13435188A JPH01304149A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 高分子組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13435188A JPH01304149A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 高分子組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01304149A true JPH01304149A (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15126332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13435188A Pending JPH01304149A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 高分子組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01304149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013115097A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | 日産化学工業株式会社 | 複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP13435188A patent/JPH01304149A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013115097A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | 日産化学工業株式会社 | 複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
CN104067175A (zh) * | 2012-02-01 | 2014-09-24 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
US9261790B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-02-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition containing copolymer resin having heterocyclic ring |
CN104067175B (zh) * | 2012-02-01 | 2018-01-02 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
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