JPWO2012144316A1 - 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ - Google Patents

Abstract

誘電体皮膜における欠陥発生を低減でき、かつ、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和された、新規な固体電解コンデンサの製造方法を提供する。多孔質の表面部分（１ａ）と非多孔質の本体部分（１ｂ）とを有する弁作用金属基体（１）に溝（２）を設けて溝の底部を非多孔質として、弁作用金属基体（１）を溝（２）により複数の単位領域に仕切り、単位領域毎に多孔質の表面部分に陰極層形成部（Ａ）を規定し、弁作用金属基体（１）の陰極層形成部およびそれらの間の溝の表面上に誘電体皮膜（３）を形成して、誘電体皮膜（３）の表面上に固体電解質層（５）および陰極引出層（７）を順次形成し、複数の固体電解コンデンサ素子（１０）が溝（２）を介して一体的に作製されたシート（１１）を得、シート（１１）を溝（２）にて切断し、弁作用金属基体（１）の陰極層形成部の周囲に位置する切断面に誘電体皮膜を形成する。

Description

本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関する。また、本発明は、かかる固体電解コンデンサの製造方法により製造可能な固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサにも関する。

固体電解コンデンサは、電気電子機器の小型薄型化に伴って、小型大容量化が求められており、更に、製品安全性の点から、漏れ電流を小さくすることが求められている。

小型大容量化の要請に応える１つのものとして、積層型固体電解コンデンサが知られている。従来、かかる固体電解コンデンサの製造方法として、複数の固体電解コンデンサ素子をシート状に一体的に作製し、これにより得られるシートを複数積層した後に切断して、固体電解コンデンサ素子の積層体チップを得る方法が知られている（特許文献１を参照のこと）。より詳細には、まず、固体電解コンデンサ素子に相当する矩形の領域を複数備えた弁作用金属基体（表面が粗面化処理に付されていないもの）を準備し、この複数の矩形の領域の少なくとも３つの辺の近傍を覆うようにレジスト層を形成し、弁作用金属基体のレジスト層から露出した領域を粗面化処理に付すことにより多孔質化し、多孔質化された領域の表面上に誘電体皮膜を形成し、次いで陰極材料層として固体電解質層を形成し、これにより、複数の固体電解コンデンサ素子が一体的に作製されたシートを得る。このシートを複数作製し、これら複数のシートを積層固着して積層体を形成し、この積層体を固体電解コンデンサ素子に相当する矩形の領域に沿って切断して、固体電解コンデンサ素子の積層体チップを得ている。

特開２００７−３１８０５６号公報

上述のような従来の固体電解コンデンサの製造方法では、弁作用金属基体のレジスト層から露出した領域においては、表面が多孔質化された弁作用金属基体と、その表面上に形成された誘電体皮膜と、更に固体電解質層とが積み重なった状態となる。このような状態のシートが複数積層固着された積層体を切断するには、比較的大きな負荷を加える必要がある。大きな負荷が誘電体皮膜に加わることにより、誘電体皮膜に欠陥が生じ易く、この結果、漏れ電流が増大する可能性がある。漏れ電流が増大すると、場合によってはショートに至るおそれがあるため、漏れ電流はできるだけ小さいことが好ましい。また、上述のような従来の固体電解コンデンサの製造方法では、表面が多孔質化されていない弁作用金属基体を準備し、この弁作用金属基体の所定の領域にレジスト層を形成した後、レジスト層から露出した領域を粗面化処理に付すことにより多孔質化している。このため、弁作用金属基体として、表面が多孔質化されていないものを準備する必要があり、既に表面が多孔質化されている市販の弁作用金属基体を使用することはできない。

本発明の目的は、漏れ電流の増大をもたらし得る誘電体皮膜における欠陥発生を低減することができ、かつ、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和された、新規な固体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。本発明の更なる目的は、かかる固体電解コンデンサの製造方法によって製造可能な固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサを提供することにある。

本発明の１つの要旨においては、
（ａ）多孔質の表面部分（porous surface part）と非多孔質の本体部分（non-porous body part）とを有する弁作用金属基体の両主面に溝を設けて溝の底部を非多孔質とし、弁作用金属基体の両主面を溝により複数の単位領域に仕切り、単位領域毎に多孔質の表面部分に陰極層形成部を規定する工程、
（ｂ）弁作用金属基体の陰極層形成部および陰極層形成部間の溝の表面上に誘電体皮膜を形成する工程、
（ｃ）弁作用金属基体の陰極層形成部に形成された誘電体皮膜の表面上に固体電解質層および陰極引出層を順次形成し、これにより、複数の単位領域に対応する複数の固体電解コンデンサ素子が溝を介して一体的に作製されたシートを得る工程、
（ｄ）前記シートを弁作用金属基体の溝にて切断する工程、および
（ｅ）弁作用金属基体の陰極層形成部の周囲に位置する切断面に誘電体皮膜を形成する工程
を含む、固体電解コンデンサの製造方法（以下、第１の製造方法と言う）が提供される。

従来の固体電解コンデンサの製造方法では、複数の固体電解コンデンサ素子が一体的に作製されたシートは、表面が多孔質化された弁作用金属基体と、その表面上に形成された誘電体皮膜と、更に固体電解質層とが積み重なった状態で切断されている。これに対して、本発明の固体電解コンデンサの第１の製造方法によれば、複数の固体電解コンデンサ素子が一体的に作製されたシートを弁作用金属基体の溝にて切断しており、溝の切断部に相当する領域には固体電解質層は実質的に形成されていない。このため、切断部の厚さは、固体電解質層の厚さに相当するぶん薄くなっているので、従来の製造方法よりも小さい負荷でシートを切断することができる。そして、このように切断の際に誘電体皮膜に加わる負荷を小さくすることにより、誘電体皮膜における欠陥発生を低減することができ、ひいては、漏れ電流を低減することが可能となる。更に、本発明の固体電解コンデンサの第１の製造方法によれば、多孔質の表面部分と非多孔質の本体部分とを有する弁作用金属基体を用い、弁作用金属基体の両主面に溝を設けることにより複数の単位領域に仕切っているので、かかる弁作用金属基体として、既に表面が多孔質化されている市販の弁作用金属基体を使用することができ、従来の製造方法に比べて、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和され、製造方法の自由度が上がる。

本発明の１つの態様において、固体電解コンデンサの第１の製造方法は、複数の弁作用金属基体のそれぞれに対して工程（ａ）〜（ｃ）を実施し、これにより得られる複数の前記シートを積層し、工程（ｄ）にて、積層された前記シートを弁作用金属基体の溝にて切断するものであってよい。

従来の固体電解コンデンサの製造方法では、複数の固体電解コンデンサ素子が一体的に作製されたシートを複数積層固着しており、積層固着されたシートは、シート間に隙間のない状態で（各シートに着目すれば、上述の通り、表面が多孔質化された弁作用金属基体と、その表面上に形成された誘電体皮膜と、更に固体電解質層とが積み重なった状態で）切断されており、このため、一枚のシートを切断する場合に比べて、シートを積層すればするほど、積層固着されたシートを切断するためにより大きな負荷を要することとなる。これに対して、本発明の固体電解コンデンサの上記態様によれば、複数のシートは溝の部分に隙間を有しつつ積層されることとなり、積層されたシートをこの溝にて切断しているので（更に、各シートに着目すれば、上述の通り、この切断部の厚さは、固体電解質層の厚さに相当するぶん薄くなっているので）、従来の製造方法よりも小さい負荷で積層されたシートを切断することができる。また、この態様によれば、固体電解コンデンサ素子が積層されて成る積層体チップを一度に複数得ることができ、これにより、積層体チップを含んで成る積層型固体電解コンデンサを効率的に製造することができる。

しかしながら、本発明の固体電解コンデンサの第１の製造方法は、上記態様に限定されず、例えば、１枚の弁作用金属基体に対して工程（ａ）〜（ｃ）を実施し、これにより得られる前記シートを単独で、工程（ｄ）にて、弁作用金属基体の溝にて切断するものであってもよい。かかる態様によっても、上述の通り、溝の切断部に相当する領域には固体電解質層は実質的に形成されていないので、より小さい負荷でシートを切断することができる。また、この態様によれば、個々に分割された固体電解コンデンサ素子を一度に複数得ることができ、これにより、固体電解コンデンサ素子を含んで成る固体電解コンデンサを効率的に製造することができる。なお、この態様において、本発明の固体電解コンデンサの第１の製造方法は、固体電解コンデンサ素子の製造方法としても理解され得る。

本発明のもう１つの要旨においては、
（ａ）多孔質の表面部分と非多孔質の本体部分とを有する弁作用金属基体の両主面に溝を設けて溝の底部を非多孔質とし、弁作用金属基体の両主面を溝により複数の単位領域に仕切り、単位領域毎に多孔質の表面部分に陰極層形成部を規定する工程、
（ｂ）弁作用金属基体の陰極層形成部および陰極層形成部間の溝の表面上に誘電体皮膜を形成する工程、
（ｐ）複数の弁作用金属基体のそれぞれに対して工程（ａ）〜（ｂ）を実施し、これにより得られる誘電体皮膜が形成された複数の弁作用金属基体を積層して積層体を得る工程、
（ｑ）積層体において隣接する弁作用金属基体を互いに接合して接合積層体を得る工程、
（ｒ）固体電解質層を、接合積層体において隣接する弁作用金属基体の陰極層形成部の表面上に形成されている誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を陰極層形成部において被覆するように、連続層として形成する工程、
（ｓ）固体電解質層が形成された接合積層体を弁作用金属基体の溝にて切断する工程、および
（ｔ）弁作用金属基体の陰極層形成部の周囲に位置する切断面に誘電体皮膜を形成する工程
を含む、固体電解コンデンサの製造方法（以下、第２の製造方法と言う）が提供される。

従来の固体電解コンデンサの製造方法では、弁作用金属基体の多孔質化された領域の表面上に誘電体皮膜および固体電解質層を順次形成したシートを作製し、このシートを複数積層し、その後、切断している。これに対して、本発明の上記第２の製造方法では、弁作用金属基体の接合積層体を作製した後に、この接合積層体に対して固体電解質層を連続層として形成し、その後、弁作用金属基体の溝にて切断している。よって、本発明の固体電解コンデンサの第２の製造方法によれば、固体電解質層を連続層として一度に形成することができ、個々のシートに固体電解質層を形成している従来の製造方法に比べて、固体電解コンデンサをより効率的に製造することができる。更に、本発明の固体電解コンデンサの第２の製造方法では、第１の製造方法と同様に、溝の切断部に相当する領域には固体電解質層は実質的に形成されていない。よって、本発明の固体電解コンデンサの第２の製造方法によれば、固体電解質層が形成された接合積層体は溝の部分に隙間を有することとなり、固体電解質層が形成された接合積層体をこの溝にて切断しているので、従来の製造方法よりも小さい負荷でシートを切断することができる。そして、このように切断の際に誘電体皮膜に加わる負荷を小さくすることにより、誘電体皮膜における欠陥発生を低減することができ、ひいては、漏れ電流を低減することが可能となる。更に、本発明の固体電解コンデンサの第２の製造方法によれば、多孔質の表面部分と非多孔質の本体部分とを有する弁作用金属基体を用い、弁作用金属基体の両主面に溝を設けることにより複数の単位領域に仕切っているので、かかる弁作用金属基体として、既に表面が多孔質化されている市販の弁作用金属基体を使用することができ、従来の製造方法に比べて、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和され、製造方法の自由度が上がる。

固体電解コンデンサの第１および第２の製造方法のいずれについても、工程（ａ）を実施する方法は、溝の底部が非多孔質の弁作用金属基体で構成される限り、特に限定されない。本発明の１つの態様においては、工程（ａ）にて、弁作用金属基体の溝は、弁作用金属基体を厚さ方向に押圧することによって設けられるものであってよい。あるいは、本発明の別の態様においては、工程（ａ）にて、弁作用金属基体の溝は、弁作用金属基体から多孔質の表面部分を除去することによって設けられるものであってよい。

また、固体電解コンデンサの第１および第２の製造方法のいずれについても、工程（ｂ）を変更することが可能である。本発明の１つの態様においては、工程（ｂ）に代えて、
（ｂ’）溝の底部にレジスト層を形成し、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面上に誘電体皮膜を形成する工程
を実施してよい。かかる態様によれば、弁作用金属基体の溝の底部は、レジスト層で被覆されている。レジスト層は一般的に絶縁性であり、これにより、レジスト層が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍での漏れ電流の低減効果を高めることができる。

本発明のもう１つの要旨においては、
多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に陰極層形成部を有する弁作用金属基体と、
弁作用金属基体の陰極層形成部の表面および陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の表面を被覆する誘電体皮膜と、
弁作用金属基体の陰極層形成部において、誘電体皮膜の表面上に順次形成された固体電解質層および陰極引出層と
を含む、固体電解コンデンサ素子が提供される。かかる固体電解コンデンサ素子は、本発明の固体電解コンデンサの上記第１の製造方法により製造可能であり、これと同様の効果を奏する。固体電解コンデンサ素子をこのようにして製造する場合、弁作用金属基体の本体部分の拡張部は、弁作用金属基体の両主面に設けた溝に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝を切断することによって生じた切断面に対応する。よって、かかる固体電解コンデンサ素子によれば、弁作用金属基体の本体部分の拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体の切断面が、固体電解質層から離間しているので、漏れ電流を効果的に抑制することができる。

本発明のもう１つの要旨においては、
多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に陰極層形成部を有する弁作用金属基体と、
弁作用金属基体の本体部分の拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層と、
弁作用金属基体の陰極層形成部の表面および陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の端面を被覆する誘電体皮膜と、
弁作用金属基体の陰極層形成部において、誘電体皮膜の表面上に順次形成された固体電解質層および陰極引出層と
を含む、固体電解コンデンサ素子が提供される。かかる固体電解コンデンサ素子は、本発明の固体電解コンデンサの上記第１の製造方法を工程（ｂ’）により改変した上述の態様により製造可能であり、これと同様の効果を奏する。固体電解コンデンサ素子をこのようにして製造する場合、弁作用金属基体の本体部分の拡張部は、弁作用金属基体の両主面に設けた溝に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝を切断することによって生じた切断面に対応し、この拡張部の主面に略平行な表面が、溝の底部に対応する。よって、かかる固体電解コンデンサ素子によれば、弁作用金属基体の本体部分の拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体の切断面が、固体電解質層から離間している上、拡張部の主面に略平行な表面、換言すれば、溝の底部がレジスト層で被覆されている。レジスト層は一般的に絶縁性であり、これにより、レジスト層が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍における漏れ電流を一層効果的に抑制することができる。

本発明の上記固体電解コンデンサ素子は、単独または複数で、固体電解コンデンサに含まれ得る。よって、本発明のもう１つの要旨においては、上記固体電解コンデンサ素子を１つまたは２つ以上含んで成る、固体電解コンデンサが提供される。

本発明のもう１つの要旨においては、
陰極層形成部を有する弁作用金属基体が複数積層され、隣接する弁作用金属基体が互いに接合されて成る接合積層体であって、少なくとも陰極層形成部において弁作用金属基体の表面が誘電体皮膜で被覆されている接合積層体と、
弁作用金属基体の陰極層形成部において、弁作用金属基体を被覆する誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を被覆する固体電解質層の連続層と
を含む固体電解コンデンサであって、
前記弁作用金属基体の各々は、多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に前記陰極層形成部を有し、
前記誘電体皮膜は、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面に加えて、陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の表面を被覆する、固体電解コンデンサが提供される。かかる固体電解コンデンサは、本発明の固体電解コンデンサの上記第２の製造方法により製造可能であり、これと同様の効果を奏する。加えて、かかる固体電解コンデンサによれば、接合積層体を構成する弁作用金属基体間の隙間に陰極引出層が存在しないため、コンデンサの低背化が可能となる。

本発明のもう１つの要旨においては、
陰極層形成部を有する弁作用金属基体が複数積層され、隣接する弁作用金属基体が互いに接合されて成る接合積層体であって、少なくとも陰極層形成部において弁作用金属基体の表面が誘電体皮膜で被覆されている接合積層体と、
弁作用金属基体の陰極層形成部において、弁作用金属基体を被覆する誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を被覆する固体電解質層の連続層と
を含む固体電解コンデンサであって、
前記弁作用金属基体の各々は、多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に前記陰極層形成部を有し、
前記弁作用金属基体の本体部分の拡張部の主面に略平行な表面がレジスト層で被覆され、
前記誘電体皮膜は、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面に加えて、陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の端面を被覆する、固体電解コンデンサが提供される。かかる固体電解コンデンサは、本発明の固体電解コンデンサの上記第２の製造方法を工程（ｂ’）により改変した上述の態様により製造可能であり、これと同様の効果を奏する。固体電解コンデンサをこのようにして製造する場合、弁作用金属基体の本体部分の拡張部は、弁作用金属基体の両主面に設けた溝に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝を切断することによって生じた切断面に対応し、この拡張部の主面に略平行な表面が、溝の底部に対応する。よって、かかる固体電解コンデンサによれば、弁作用金属基体の本体部分の拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体の切断面が、固体電解質層から離間している上、拡張部の主面に略平行な表面、換言すれば、溝の底部がレジスト層で被覆されている。レジスト層は一般的に絶縁性であり、これにより、レジスト層が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍における漏れ電流を一層効果的に抑制することができる。加えて、かかる固体電解コンデンサによれば、接合積層体を構成する弁作用金属基体間の隙間に陰極引出層が存在しないため、コンデンサの低背化が可能となる。

本発明によれば、漏れ電流の増大をもたらし得る誘電体皮膜における欠陥発生を低減することができ、かつ、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和された、新規な固体電解コンデンサの製造方法が提供される。また、本発明によれば、かかる固体電解コンデンサの製造方法により製造可能な固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサも提供される。

本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法の前半部分を説明する概略断面工程図である。なお、図１Ａ（ｂ）は、図２Ａ（ａ）および図２Ｂ（ａ）のＸ_１−Ｘ_１線にて弁作用金属基体を仮想的に切断して見た概略断面工程図である。 本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法の後半部分を説明する概略断面工程図である。なお、図１Ｂ（ｂ）は、図３Ａ（ａ）および図３Ｂ（ａ）のＸ_２−Ｘ_２線にて弁作用金属基体を仮想的に切断して見た概略断面工程図である。 本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）は、図１Ａ（ｂ）の１つの例における概略上面図であり、（ｂ）は、（ａ）にレジスト層を形成した概略上面図である。 本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）は、図１Ａ（ｂ）のもう１つの例における概略上面図であり、（ｂ）は、（ａ）にレジスト層を形成した概略上面図である。 本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）および（ｂ）は、図２Ａに示した例の場合において、それぞれ切断後および誘電体皮膜形成後に得られる固体電解コンデンサ素子の概略斜視図である。 本発明の実施形態１における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）および（ｂ）は、図２Ｂに示した例の場合において、それぞれ切断後および誘電体皮膜形成後に得られる固体電解コンデンサ素子の概略斜視図である。 本発明の実施形態１およびその改変例である実施形態２における固体電解コンデンサの第１の製造方法によって製造される固体電解コンデンサを示す概略断面図である。 本発明の実施形態２における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、図１Ｂに対応する概略断面工程図である。 本発明の実施形態１のもう１つの改変例である実施形態３における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）は、図２Ａ（ａ）に対応する概略上面図であり、（ｂ）は、（ａ）にレジスト層を形成した概略上面図である。 本発明の実施形態３における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、（ａ）および（ｂ）は、それぞれ切断後および誘電体皮膜形成後に得られる固体電解コンデンサ素子の概略斜視図である。 本発明の実施形態３における固体電解コンデンサの第１の製造方法によって製造される固体電解コンデンサを示す概略断面図である。 本発明の実施形態１のもう１つの改変例である実施形態４における固体電解コンデンサの第１の製造方法の前半部分を説明する概略断面工程図である。 本発明の実施形態４における固体電解コンデンサの第１の製造方法の後半部分を説明する概略断面工程図である。 本発明の実施形態４およびその改変例である実施形態５における固体電解コンデンサの第１の製造方法によって製造される固体電解コンデンサを示す概略断面図である。 本発明の実施形態５における固体電解コンデンサの第１の製造方法を説明する図であって、図９Ｂに対応する概略断面工程図である。 本発明の実施形態６における固体電解コンデンサの第２の製造方法の前半部分を説明する概略断面工程図である。なお、図１２Ａ（ｂ）は、図１３（ａ）のＸ_３−Ｘ_３線にて弁作用金属基体を仮想的に切断して見た概略断面工程図である。 本発明の実施形態６における固体電解コンデンサの第２の製造方法の後半部分を説明する概略断面工程図である。 本発明の実施形態６における固体電解コンデンサの第２の製造方法を説明する図であって、（ａ）は、接合部Ｐ、Ｑの形成位置を示す概略上面図であり、（ｂ）は、接合部Ｐ_１、Ｐ_２、Ｑの形成位置を示す概略上面図である。 本発明の実施形態６における固体電解コンデンサの第２の製造方法によって製造される固体電解コンデンサを示す概略断面図である。 本発明の実施形態７における固体電解コンデンサの第２の製造方法の前半部分を説明する概略断面工程図である。 本発明の実施形態７における固体電解コンデンサの第２の製造方法の後半部分を説明する概略断面工程図である。 本発明の実施形態７における固体電解コンデンサの第２の製造方法によって製造される固体電解コンデンサを示す概略断面図である。

本発明の種々の実施形態について、図面を参照しながら以下に詳述する。図中、同様の部材には同じ符号を付し、特に断りのない限り、同様の説明が当て嵌まる。なお、添付の図面は、本発明を理解し易いように模式的に示したものであり、必ずしも一定の縮尺で示されていないことに留意されたい。

（実施形態１）
本実施形態は、本発明の１つの実施形態における固体電解コンデンサの第１の製造方法に関する。以下、かかる製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサについて説明する。

まず、図１Ａ（ａ）に示すように、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１を準備する。より詳細には、弁作用金属基体１は、その厚さ方向において、多孔質の表面部分１ａにより非多孔質の本体部分１ｂが挟まれた構造を有する。

弁作用金属基体１は、いわゆる弁作用を示す金属材料から実質的に構成される。かかる金属材料は、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム、およびこれらの２種以上の合金からなる群より選択され、好ましくは、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金である。

弁作用金属基体１は、シート状（または平板状、例えば箔など）の形態を有し得る。弁作用金属基体１の厚さは、特に限定されないが、例えば５０〜２００μｍ、好ましくは９０〜１３０μｍである。弁作用金属基体１の幅および長さは、製造する固体電解コンデンサ（または固体電解コンデンサ素子）のサイズに応じて適宜選択され得る。

具体的には、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１は、上記弁作用を示す金属材料から成る金属母材（非多孔質のもの）を予め粗面化処理に付すことにより得ることができる。粗面化処理は、一般的に、エッチング処理により実施される。エッチング液と接触してエッチング作用を受けた金属母材の表面部分が多孔質の表面部分１ａとなり、エッチング液と接触せずにエッチング作用を受けなかった金属母材の本体部分（または内部）は非多孔質の本体部分１ｂとなる。エッチング処理の条件、例えばエッチング液、エッチングの温度および時間などは、使用する弁作用金属基体の金属材料や、所望される電気特性（実効面積を含む）などに応じて適宜選択され得る。例えば、エッチング液には、塩酸などが用いられ得る。

多孔質の表面部分１ａの片側厚さ（片側表面からの深さ）は、特に限定されるものではないが、例えば１０〜１００μｍ、好ましくは２０〜６０μｍである。非多孔質の本体部分（芯部分）１ｂの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば１０〜６０μｍ、好ましくは２０〜４０μｍである。しかし、これらは単なる例示であり、多孔質の表面部分１ａおよび非多孔質の本体部分１ｂの厚さは、使用する金属母材の厚さおよびエッチング処理の条件などにより様々であり得る。

弁作用金属基体１が多孔質の表面部分１ａを有することにより、弁作用金属基体１の表面積が大きくなる。弁作用金属基体１は、固体電解コンデンサにおいて陽極として機能するため、同じ占有面積であっても、弁作用金属基体１の表面積、すなわち実効面積が大きいほど、コンデンサの静電容量を大きくすることができる。

なお、かかる弁作用金属基体１に関し、弁作用金属母材をエッチング処理により粗面化したものが、固体電解コンデンサ向けに市販されている。弁作用金属基体１として、このような市販のものを切断して使用してもよい。

次に、図１Ａ（ｂ）に示すように、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１の両主面（弁作用金属基体１の上面および下面であって、図１Ａの紙面に対して垂直な面である）に溝２を設ける。このとき、溝２の底部が非多孔質となるように、弁作用金属基体１に溝２を形成する。

具体的には、弁作用金属基体１の溝２は、弁作用金属基体１を厚さ方向に押圧することによって設けることができる。かかる押圧は、例えば、弁作用金属基体１を中空で保持したまま、その上下から、溝２を形成すべき領域にて押圧（プレス）することによって実施できる。押圧力は、特に限定されないが、例えば１００〜５００ＭＰａに設定し得る。押圧後、弁作用金属基体１の両主面に溝２が形成され、溝２の底部は、元々存在していた非多孔質の本体部分１ｂに、その表面に存在していた多孔質の表面部分１ａが押し付けられる（圧壊する）ことにより、非多孔質となる（図示せず）。なお、この場合、対向する溝２の間に存在する弁作用金属基体１の部分は、もとの本体部分（非多孔質）に、表面部分の圧壊分（非多孔質）が付加されたものとなるが、本明細書では説明を簡素化するため、圧壊分を含めて、単に、非多孔質の本体部分１と言うものとする。

あるいは、弁作用金属基体１の溝２は、弁作用金属基体から多孔質の表面部分を除去することによって設けることもできる。かかる除去は、例えば、レーザ照射などによって行うことができる。除去後、弁作用金属１の両主面に溝２が形成され、溝２の底部は、元々存在していた非多孔質の本体部分１ｂが露出することにより、非多孔質となる（図１Ａ（ｂ）参照）。なお、この場合、対向する溝２の間に存在する弁作用金属基体１の部分は、もとの表面部分（多孔質）に加えて、もとの本体部分が部分的に除去されていてよいが、本明細書では説明を簡素化するため、単に、非多孔質の本体部分１と言うものとする。

溝２は、弁作用金属基体１の両主面を複数の単位領域Ｕに仕切るように形成される。例えば、図２Ａ（ａ）に示すように、一列に並んだ複数の単位領域Ｕが、単位領域Ｕの周囲を取り囲む溝２で互いに仕切られて配置されていてよい。また、例えば、図２Ｂ（ａ）に示すように、行列状に並んだ複数の単位領域Ｕが、格子状の溝２で互いに仕切られて配置されていてよい。溝２の幅および単位領域Ｕの寸法は適宜設定され得る。

弁作用金属基体１について、複数の単位領域Ｕ毎に、多孔質の表面部分１ａに陰極層形成部Ａが規定される。また、本実施形態において、複数の単位領域Ｕ毎に、多孔質の表面部分１ａに、陽極リード部Ｂ、および陰極層形成部Ａと陽極リード部Ｂとを離間する離間部Ｃが更に規定される。

なお、本実施形態において、単位領域Ｕは両主面において矩形を有するものとして図示し、溝２は矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に形成しているが、本発明はこれに限定されない。単位領域Ｕは、任意の適切な形状を有し得る。また、溝２は、後述する工程において溝２にて切断することにより、複数の単位領域Ｕを個々に分割し得る限り、任意の適切な位置に設けられ得る。

次に、図１Ａ（ｃ）に示すように、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａと、互いに隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する溝２の部分との表面上に誘電体皮膜３を形成する。誘電体皮膜３は、例えば図２Ａ（ｂ）および図２Ｂ（ｂ）に示すように、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂおよび離間部Ｃを、これらに隣接する溝２の部分と共に、レジスト層４で被覆して、弁作用金属基体１を電解液に浸漬して陽極酸化処理（化成処理とも言われ、以下も同様である）に付すことによって形成された酸化皮膜であってよい。この場合、誘電体皮膜（酸化皮膜）３は、レジスト層４で被覆されていない弁作用金属基体１の表面部分に形成される。陽極酸化処理の条件、例えば電解液、陽極酸化の温度、時間、電流密度および電圧などは、使用する弁作用金属基体の金属材料や、所望される電気特性などに応じて適宜選択され得る。例えば、電解液には、ホウ酸、リン酸、アジピン酸、それらのナトリウム塩およびアンモニウム塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む水溶液などが用いられ得る。レジスト層４は、陽極酸化処理後に除去する。

次に、図１Ａ（ｄ）および（ｅ）に示すように、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａに形成された誘電体皮膜３の表面上に、固体電解質層５および陰極引出層７を順次形成する。

具体的には、まず、上記のようにして得られた誘電体皮膜３が形成された弁作用金属基体１に対し、絶縁部９を、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける離間部Ｃを被覆するように形成する（図３Ａ（ａ）および図３Ｂ（ａ）に示す絶縁部９を参照のこと）。

絶縁部９は、絶縁性樹脂を塗布して硬化させることにより形成できる。具体例としては、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、低分子量ポリイミド、ならびにそれらの誘導体および前駆体などが挙げられ、特に低分子量ポリイミド、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂およびそれらの前駆体が挙げられる。

その後、固体電解質層５を形成する。図２Ａに示した例の場合には、固体電解質層５は、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂ側を保持して吊り下げた状態で、陰極層形成部Ａ側を導電性高分子の前駆体溶液（原料溶液）に、絶縁部９の手前まで浸漬し、陰極層形成部Ａの表面上に形成された誘電体皮膜３の表面に導電性高分子の前駆体溶液を塗布し、乾燥させることによって形成できる。また、図２Ｂに示した例の場合には、固体電解質層５は、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａが位置する部分および陰極層形成部Ａ間の溝にて、それらの表面上に形成された誘電体皮膜３の表面に導電性高分子の前駆体溶液を塗布し、乾燥させることによって形成できる。

このとき、固体電解質層５は、図１Ａ（ｄ）に示すように、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａに形成された誘電体皮膜３の表面に形成され、溝２の底部、より詳細には、後述する切断部に相当する領域には実質的に形成されない。陰極層形成部Ａは、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａを構成しており、陰極層形成部Ａの表面上に誘電体皮膜３を形成した後も多孔質を保持している。これに対して、溝２の底部は非多孔質であり、陰極層形成部Ａ間の溝２の表面上に誘電体皮膜３を形成した後も非多孔質を保持している。このような状況下、導電性高分子の前駆体溶液は、毛細管現象により、多孔質である陰極層形成部Ａに選択的に浸透する。このため、非多孔質である溝２の底部において、陰極層形成部Ａから離間した領域（少なくとも、後述する切断部に相当する領域）の表面に固体電解質層５は実質的に形成されない。

固体電解質層５を成す導電性高分子としては、例えば、チオフェン骨格を有する化合物、多環状スルフィド骨格を有する化合物、ピロール骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物、アニリン骨格を有する化合物等で示される構造を繰り返し単位として含むものなどが挙げられるが、これらに限定されない。

導電性高分子の前駆体溶液（原料溶液）には、任意の適切な溶液が用いられ得る。例えば、モノマーを含む溶液と、重合酸化剤および必要に応じて別途用いられるドーパントを含む溶液との２種を用いてよく、誘電体皮膜３で被覆された陰極層形成部Ａを、これら溶液に順次浸漬したり、これら溶液を順次塗布してよく、一連の浸漬または塗布の操作は、必要に応じて繰り返して実施してよい。しかし、本発明はこれに限定されず、例えば、モノマー、重合酸化剤および使用する場合にはドーパントを含む１種の溶液を用いてもよい。

その後、図１Ａ（ｅ）に示すように、固体電解質層５の表面上に陰極引出層７を形成する。陰極引出層７は、一般的に、固体電解質層５の外表面を被覆するようにカーボンペーストを塗布および乾燥させてカーボン含有層７ａを形成し、そして、カーボン含有層７ａの外表面を被覆するように銀ペーストを塗布および乾燥させて銀含有層７ｂを形成することによって形成され得る。

この結果、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂが、絶縁部９によって固体電解質層５および陰極引出層７から電気的に絶縁された状態で、固体電解質層５および陰極引出層７の外部に露出する。

以上により、複数の単位領域Ｕに対応する複数の固体電解コンデンサ素子１０が溝２を介して一体的に作製されたシート１１が得られる（図１Ａ（ｅ）参照）。

次に、上記のようにして得られたシート１１を、図１Ｂ（ａ）に示すように、弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、弁作用金属基体１および誘電体皮膜３が存在し、他方、固体電解質層５は存在しない。かかる切断は、例えばダイシング、ディスクカッター、押し切りなどによって行うことができる。

切断後、図１Ｂ（ｂ）に示すように、固体電解コンデンサ素子１０が個々に分割された状態となる（図中、分割された１つの固体電解コンデンサ素子１０を示す）。

分割された固体電解コンデンサ素子１０に含まれる弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、本実施形態においては図３Ａ（ａ）および図３Ｂ（ａ）に示すように矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に位置する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図１Ｂ（ｂ）参照）。図２Ａに示した例の場合（一列に並んだ複数の単位領域Ｕが、単位領域Ｕの周囲を取り囲む溝２で互いに仕切られて配置される場合）には、図３Ａ（ａ）に示すように、直線Ｙ_１およびＹ_２を含む面ならびに直線Ｙ_３およびＹ_４を含む面が切断面となり、これら２つの切断面において弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する。また、図２Ｂに示した例の場合（行列状に並んだ複数の単位領域Ｕが、格子状の溝２で互いに仕切られて配置される場合）には、図３Ｂ（ａ）に示すように、直線Ｙ_１およびＹ_２を含む面、直線Ｙ_３およびＹ_４を含む面、直線Ｙ_１およびＹ_３を含む面、ならびに直線Ｙ_２およびＹ_４を含む面が切断面となり、これら４つの切断面において弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する。

次に、図１Ｂ（ｃ）に示すように、上記切断面に誘電体皮膜１３を形成する。この誘電体皮膜１３は、図３Ａ（ｂ）および図３Ｂ（ｂ）に示すように、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に形成されればよい。かかる誘電体皮膜１３は、分割された固体電解コンデンサ素子１０の少なくとも陰極層形成部Ａの部分を電解液に浸漬して陽極酸化処理に付すことによって形成された酸化皮膜であってよい。かかる追加の陽極酸化処理の条件は、誘電体皮膜３について上述した陽極酸化処理の条件と同様とし得る。

上記誘電体皮膜３および１３によって、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の表面が被覆される。

以上より、本実施形態の第１の製造方法に従って、図１Ｂ（ｃ）、図３Ａ（ｂ）および図３Ｂ（ｂ）に示すような、固体電解コンデンサ素子１０が作製される。かかる固体電解コンデンサ素子１０は、
多孔質の表面部分１ａと、非多孔質の本体部分１ｂと、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分１ｂの拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分１ａに陰極層形成部Ａを有する弁作用金属基体１と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の表面を被覆する誘電体皮膜３および１３と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、誘電体皮膜３の表面上に順次形成された固体電解質層５および陰極引出層７と
を含む。

固体電解コンデンサ素子１０において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部は、弁作用金属基体１の両主面に設けた溝２に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝２を切断することによって生じた切断面に対応する。本体部分１ｂの拡張部は、最初に準備した図１Ａ（ａ）に示す弁作用金属基体１の非多孔質の本体部分１ｂと同じであっても、溝２の形成方法に応じて異なっていてもよい。かかる固体電解コンデンサ素子１０によれば、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体１の切断面が、固体電解質層５から離間しているので、漏れ電流を効果的に抑制することができる。

かかる固体電解コンデンサ素子１０は、単独または複数で、固体電解コンデンサに含まれ得る。

上記固体電解コンデンサ素子１０を単独で用いる場合には、例えば、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子に接続して、これら陽極端子および陰極端子（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、固体電解コンデンサ素子をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂にて封止することにより、固体電解コンデンサを得ることができる。

上記固体電解コンデンサ素子１０を複数で用いる場合には、例えば図４に示すように、固体電解コンデンサ素子１０を複数積層して積層体チップ１２（図中、例示的に３つの固体電解コンデンサ素子１０から成る固体電解コンデンサ素子の積層体チップ１２を示す）とし、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３０を得ることができる。

以上より、本実施形態の第１の製造方法に従って、上記固体電解コンデンサ素子を１つまたは２つ以上含んで成る固体電解コンデンサが製造される。

本実施形態によれば、溝２の切断部に相当する領域には固体電解質層５は実質的に形成されないので、従来の製造方法よりも小さい負荷でシート１１を切断することができ、これにより、誘電体皮膜３における欠陥発生を低減することができ、ひいては、漏れ電流を低減することが可能となる。更に、本実施形態によれば、弁作用金属基体１として、既に表面が多孔質化されている市販の弁作用金属基体を使用することができ、従来の製造方法に比べて、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和される。

（実施形態２）
本実施形態は、実施形態１にて上述した固体電解コンデンサの第１の製造方法の１つの改変例に関する。以下、かかる改変例の製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサについて説明する。

まず、実施形態１にて図１Ａ（ａ）〜（ｅ）を参照して説明したのと同様にして、複数の単位領域Ｕに対応する複数の固体電解コンデンサ素子１０が溝２を介して一体的に作製されたシート１１を複数作製する。

次に、上記のようにして得られた複数のシート１１を、図５（ａ）に示すように、各シート１１の単位領域Ｕが厚さ方向に整列するように積層し（図中、例示的に３枚のシート１１を積層した状態を示すが、これに限定されない）、積層された複数のシート１１を弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、弁作用金属基体１および誘電体皮膜３が存在し、他方、固体電解質層５は存在しない。かかる切断は、実施形態１と同様にして実施できる。

切断後、図５（ｂ）に示すように、積層された固体電解コンデンサ素子１０が単位領域Ｕ毎に分割された状態となる（図中、例示的に３つの固体電解コンデンサ素子１０から成る固体電解コンデンサ素子の積層体チップ１２であって、分割された１つの積層体チップ１２を示す）。

分割された積層体チップ１２において、各固体電解コンデンサ素子１０に含まれる弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、本実施形態においては、実施形態１と同様に、矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に位置する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

本実施形態においても、実施形態１と同様に、切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図５（ｂ）参照）。

次に、図５（ｃ）に示すように、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に、誘電体皮膜１３を形成する。誘電体皮膜１３は、分割された積層体チップ１２における固体電解コンデンサ素子１０の少なくとも陰極層形成部Ａの部分を電解液に浸漬して陽極酸化処理に付すことによって形成された酸化皮膜であってよい。

次に、図４に示すように、各弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３０を得ることができる。

以上より、本実施形態の第１の製造方法の１つの改変例に従って、図４に示すような固体電解コンデンサ３０が製造される。

本実施形態によれば、溝２の底部には固体電解質層５は実質的に形成されず、複数のシート１１が溝２の部分に隙間を有しつつ積層されることとなり（図５（ａ）参照）、従来の製造方法よりも小さい負荷で積層されたシート１１を切断することができる。また、本実施形態によれば、固体電解コンデンサ素子１０が積層されて成る積層体チップ１２を一度に複数得ることができ、これにより、積層体チップ１２を含んで成る積層型固体電解コンデンサ３０を効率的に製造することができる。

（実施形態３）
本実施形態は、実施形態１にて上述した固体電解コンデンサの第１の製造方法のもう１つの改変例に関する。以下、かかる改変例の製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサについて説明する。

まず、実施形態１にて図１Ａ（ａ）および（ｂ）を参照して説明したのと同様にして、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１の両主面に溝２を設ける。溝２は、実施形態１と同様に、弁作用金属基体１の両主面を複数の単位領域Ｕに仕切るように形成されるが、本実施形態においては、図６（ａ）に示すように、一列に並んだ複数の単位領域Ｕが、帯状の溝２で互いに仕切られて配置される。

次に、実施形態１にて図１Ａ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａと、隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する溝２の部分との表面上に誘電体皮膜３を形成する。誘電体皮膜３は、実施形態１と同様に形成され得るが、本実施形態においては、図６（ｂ）に示すように、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂおよび離間部Ｃを、これらに隣接する溝２の部分と共に、レジスト層４で被覆して、弁作用金属基体１を電解液に浸漬して陽極酸化処理に付すことによって形成された酸化皮膜とする。

次に、実施形態１にて図１Ａ（ｄ）および（ｅ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａの表面上に形成された誘電体皮膜３の表面上に、固体電解質層５および陰極引出層７を順次形成する。これにより、複数の単位領域Ｕに対応する複数の固体電解コンデンサ素子１０が溝２を介して一体的に作製されたシート１１が得られる（図１Ａ（ｅ）参照）。

次に、上記のようにして得られたシート１１を、実施形態１にて図１Ｂ（ａ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の溝２にて切断する。

切断後、実施形態１にて図１Ｂ（ｂ）を参照して説明したように、固体電解コンデンサ素子１０が個々に分割された状態となるが、分割された固体電解コンデンサ素子１０に含まれる弁作用金属基体１は、本実施形態においては図７（ａ）に示すように矩形の単位領域Ｕの一対の対向する側部のみに、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有することとなる。

そして、本実施形態においては、図７（ａ）に示すように、直線Ｙ_１およびＹ_２を含む面ならびに直線Ｙ_３およびＹ_４を含む面が切断面となり、これら２つの切断面において弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する。

その後、実施形態１にて図１Ｂ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、上記切断面に誘電体皮膜１３を形成する。この誘電体皮膜１３は、本実施形態においても、図７（ｂ）に示すように、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に形成されればよい。

以上より、本実施形態の第１の製造方法のもう１つの改変例に従って、図７（ｂ）に示すような、固体電解コンデンサ素子１０が作製される。

かかる固体電解コンデンサ素子１０も、単独または複数で、固体電解コンデンサに含まれ得る。

上記固体電解コンデンサ素子１０を複数で用いる場合には、例えば図８に示すように、固体電解コンデンサ素子１０を複数積層して積層体チップ１２（図中、例示的に３つの固体電解コンデンサ素子１０から成る固体電解コンデンサ素子の積層体チップ１２を示す）とし、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３１を得ることができる。

本実施形態の固体電解コンデンサ素子１０は、陰極側の端部（図７（ａ）に示す直線Ｙ_１およびＹ_３を含む面と略平行な端部）において、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部を有しておらず、陰極側の端部の全体が陰極引出層７で被覆されているので、図８に示すように、各固体電解コンデンサ素子１０の陰極引出層７と陰極端子１７との接続が容易に行える。

（実施形態４）
本実施形態は、実施形態１にて上述した固体電解コンデンサの第１の製造方法のもう１つの改変例に関する。以下、かかる改変例の製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサ素子および固体電解コンデンサについて説明する。

まず、図９Ａ（ａ）および（ｂ）に示すように、実施形態１にて図１Ａ（ａ）および（ｂ）を参照して説明したのと同様にして、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１の両主面に溝２を設ける。

次に、図９Ａ（ｃ）に示すように、溝２の底部にレジスト層１４を形成する。かかるレジスト層１４は、一般的に絶縁性樹脂から成り、例えばスクリーン印刷により形成できる。レジスト層１４は、溝２の底部のうち、少なくとも互いに隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する部分に形成されればよく、好ましくは、溝２の底部の全部に形成される。レジスト層１４の高さは、溝２の深さ以下である（すなわち、溝２から突出しない）限り、適宜設定され得る。

次に、図９Ａ（ｄ）に示すように、実施形態１にて図１Ａ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａの表面上に誘電体皮膜３を形成する。本実施形態においては、溝２の底部（より詳細には、少なくとも互いに隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する溝２の部分、以下も同様である）にレジスト層１４が存在しているため、このレジスト層１４の表面上には誘電体皮膜は形成されない。

次に、図９Ａ（ｅ）および（ｆ）に示すように、実施形態１にて図１Ａ（ｄ）および（ｅ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａの表面上に形成された誘電体皮膜３の表面上に、固体電解質層５および陰極引出層７を順次形成する。

本実施形態において、固体電解質層５は、図９Ａ（ｅ）に示すように、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａに形成された誘電体皮膜３の表面に形成され、溝２の底部には実質的に形成されない。これは、本実施形態においては、溝２の底部がレジスト層１４で被覆されているため、導電性高分子の前駆体溶液はレジスト層１４により溝２の底部に浸透して行くことができないためである。このような状況下、導電性高分子の前駆体溶液は、毛細管現象により、多孔質である陰極層形成部Ａに選択的に浸透する。このため、レジスト層１４の表面において、陰極層形成部Ａから離間した領域（少なくとも、後述する切断部に相当する領域）の表面に固体電解質層５は実質的に形成されない。

以上により、複数の単位領域Ｕに対応する複数の固体電解コンデンサ素子１０が溝２を介して一体的に作製されたシート１１が得られる（図９Ａ（ｆ）参照）。

次に、上記のようにして得られたシート１１を、図９Ｂ（ａ）に示すように、実施形態１にて図１Ｂ（ａ）を参照して説明したのと同様にして、弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、弁作用金属基体１およびレジスト層１４が存在し、他方、固体電解質層５および誘電体皮膜３は存在しない。

切断後、図９Ｂ（ｂ）に示すように、固体電解コンデンサ素子１０が個々に分割された状態となる（図中、分割された１つの固体電解コンデンサ素子１０を示す）。

分割された固体電解コンデンサ素子１０に含まれる弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

更に、本実施形態の固体電解コンデンサ素子１０は、非多孔質の本体部分１ｂの上記拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層１４（図９Ｂ（ｂ）を参照のこと）を有している。このレジスト層１４は、溝２に存在していたレジスト層１４の切断後の残部である。

本実施形態においても、切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図９Ｂ（ｂ）参照）。

次に、図９Ｂ（ｃ）に示すように、実施形態１にて図１Ｂ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、上記切断面に誘電体皮膜１３を形成する。この誘電体皮膜１３は、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に形成されればよい。

上記誘電体皮膜３および１３によって、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の端面（図示する例では、主面に略垂直な表面として示すが、これに限定されない）が被覆される。

以上より、本実施形態の第１の製造方法のもう１つの改変例に従って、図９Ｂ（ｃ）に示すような、固体電解コンデンサ素子１０が作製される。かかる固体電解コンデンサ素子１０は、
多孔質の表面部分１ａと、非多孔質の本体部分１ｂと、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分１ｂの拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分１ａに陰極層形成部Ａを有する弁作用金属基体１と、
弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層１４と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の端面を被覆する誘電体皮膜３および１３と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、誘電体皮膜３の表面上に順次形成された固体電解質層５および陰極引出層７と
を含む。

固体電解コンデンサ素子１０において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部は、弁作用金属基体１の両主面に設けた溝２に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝２を切断することによって生じた切断面に対応し、この拡張部の主面に略平行な表面が、溝２の底部に対応する。本体部分１ｂの拡張部は、最初に準備した図９Ａ（ａ）に示す弁作用金属基体１の非多孔質の本体部分１ｂと同じであっても、溝２の形成方法に応じて異なっていてもよい。かかる固体電解コンデンサ素子１０によれば、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体１の切断面が、固体電解質層５から離間している上、拡張部の主面に略平行な表面、換言すれば、溝２の底部がレジスト層１４で被覆されている。レジスト層１４が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍での漏れ電流の発生を一層効果的に抑制することができる。

かかる固体電解コンデンサ素子１０は、単独または複数で、固体電解コンデンサに含まれ得る。固体電解コンデンサ素子１０の固体電解コンデンサへの用い方は、実施形態１と同様である。上記固体電解コンデンサ素子１０を複数で用いる場合には、例えば図１０に示すような積層型の固体電解コンデンサ３２（図中、例示的に３つの固体電解コンデンサ素子１０から成る固体電解コンデンサ素子の積層体チップ１２を示す）を得ることができる。

以上より、本実施形態の第１の製造方法のもう１つの改変例に従って、上記固体電解コンデンサ素子を１つまたは２つ以上含んで成る固体電解コンデンサが製造される。

本実施形態によれば、溝２の底部には固体電解質層５のみならず誘電体皮膜３も形成されないので、従来の製造方法よりも小さい負荷でシート１１を切断することができるうえ、溝２にて切断する際の負荷が誘電体皮膜３に加わらないので、これにより、誘電体皮膜３における欠陥発生を防止することができ、ひいては、漏れ電流を効果的に低減することが可能となる。更に、本実施形態によれば、弁作用金属基体１として、既に表面が多孔質化されている市販の弁作用金属基体を使用することができ、従来の製造方法に比べて、使用する弁作用金属基体に対する制約が緩和される。

（実施形態５）
本実施形態は実施形態４にて上述した固体電解コンデンサの第１の製造方法の１つの改変例に関する。以下、かかる改変例の製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサについて説明する。

まず、実施形態４にて図９Ａ（ａ）〜（ｆ）を参照して説明したのと同様にして、複数の単位領域Ｕに対応する複数の固体電解コンデンサ素子１０が溝２を介して一体的に作製されたシート１１を複数作製する。

次に、上記のようにして得られた複数のシート１１を、図１１（ａ）に示すように、各シート１１の単位領域Ｕが厚さ方向に整列するように積層し（図中、例示的に３枚のシート１１を積層した状態を示すが、これに限定されない）、積層された複数のシート１１を弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、弁作用金属基体１およびレジスト層１４が存在し、他方、固体電解質層５は存在しない。

切断後、図１１（ｂ）に示すように、積層された固体電解コンデンサ素子１０が単位領域Ｕ毎に分割された状態となる（図中、例示的に３つの固体電解コンデンサ素子１０から成る固体電解コンデンサ素子の積層体チップ１２であって、分割された１つの積層体チップ１２を示す）。

分割された積層体チップ１２において、各固体電解コンデンサ素子１０に含まれる弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、本実施形態においては、実施形態１と同様に、矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に位置する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

本実施形態においても、実施形態１と同様に、切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図１１（ｂ）参照）。

次に、図１１（ｃ）に示すように、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に、誘電体皮膜１３を形成する。誘電体皮膜１３は、分割された積層体チップ１２における固体電解コンデンサ素子１０の少なくとも陰極層形成部Ａの部分を電解液に浸漬して陽極酸化処理に付すことによって形成された酸化皮膜であってよい。

次に、図１０に示すように、各弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３２を得ることができる。

以上より、本実施形態の第１の製造方法に従って、図１０に示すような固体電解コンデンサ３２が製造される。

本実施形態によれば、溝２の底部には固体電解質層５のみならず誘電体皮膜３も形成されず、複数のシート１１が溝２の部分に隙間を有しつつ積層されることとなり（図１１（ａ）参照）、従来の製造方法よりも小さい負荷で積層されたシート１１を切断することができる。また、本実施形態によれば、固体電解コンデンサ素子１０が積層されて成る積層体チップ１２を一度に複数得ることができ、これにより、積層体チップ１２を含んで成る積層型固体電解コンデンサ３２を効率的に製造することができる。

（実施形態６）
本実施形態は、本発明の１つの実施形態における固体電解コンデンサの第２の製造方法に関する。以下、かかる製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサについて説明する。

まず、実施形態１にて図１Ａ（ａ）〜（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１の両主面に溝２を設けて溝２の底部を非多孔質とし、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａと、互いに隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する溝２の部分との表面上に誘電体皮膜３を形成する。かかる誘電体皮膜３が形成された弁作用金属基体１を複数作製する。

本実施形態においても、溝２は、弁作用金属基体１の両主面を複数の単位領域Ｕに仕切るように形成され、弁作用金属基体１について、複数の単位領域Ｕ毎に、多孔質の表面部分１ｂに陰極層形成部Ａが規定され、陽極リード部Ｂおよび離間部Ｃが更に規定され得る。

次に、上記のようにして得られた誘電体皮膜３が形成された複数の弁作用金属基体１を、図１２Ａ（ａ）に示すように、各弁作用金属基体１の単位領域Ｕが厚さ方向に整列するように積層して積層体２１を得る（図中、例示的に、誘電体皮膜３が各々形成された３枚の弁作用金属基体１を積層した状態を示すが、これに限定されない）。

図１２Ａ（ａ）に示すように、隣接する弁作用金属基体１の誘電体皮膜３間には隙間が生じる。かかる隙間は、後述の工程において固体電解質層５を成す導電性高分子の前駆体溶液（原料溶液）が浸入し得る大きさであればよい。弁作用金属基体１の表面部分１ａは多孔質であり、その表面上に誘電体皮膜３を形成した後も多孔質を保持しているので、誘電体皮膜３が形成された弁作用金属基体１を複数積み重ねるだけで、誘電体皮膜３間に隙間が自然に形成される。

また、誘電体皮膜３が形成された弁作用金属基体１を複数積み重ねる前に、絶縁部９を、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける離間部Ｃを被覆するように形成することが好ましい。かかる絶縁部９が弁作用金属基体１間に位置することによっても、誘電体皮膜３間に隙間が自然に形成される。更にこの場合、絶縁部９を利用して、複数の弁作用金属基体１を相互に固定（後の工程において接合部を形成する前に仮固定）することができる。より詳細には、弁作用金属基体１のそれぞれに絶縁性樹脂を別個に塗布し、これらを積み重ね、絶縁性樹脂を加熱などによって固化または硬化させて絶縁部９を形成し、この絶縁部９により複数の弁作用金属基体１を相互に固定することができる。

次に、図１２Ａ（ｂ）および図１３（ａ）に示すように、積層体２１において厚さ方向に隣接する弁作用金属基体１を接合部Ｐ、Ｑにて互いに接合して接合積層体２３を得る。なお、図１３は、上記実施形態１にて図２Ａに示した例（一列に並んだ複数の単位領域Ｕが、単位領域Ｕの周囲を取り囲む溝２で互いに仕切られて配置される場合）に対応するものであるが、図２Ｂに示した例（行列状に並んだ複数の単位領域Ｕが、格子状の溝２で互いに仕切られて配置される場合）についても同様の説明が当て嵌まる。

接合積層体２３において、弁作用金属基体１同士が接合部Ｐ、Ｑを介して電気的に接合されている。図示する例においては、１つの接合部Ｐが、弁作用金属基体の陰極層形成部Ａの領域に形成され、別の１つの接合部Ｑが、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂの領域に形成される。接合部Ｐ、Ｑの位置および数は特に限定されず、製造する固体電解コンデンサに求められる要件に応じて適宜設定してよいが、少なくとも１つの接合部が弁作用金属基体の陰極層形成部Ａに存在することが好ましい。接合部Ｐ、Ｑは、円形、楕円形、矩形、正方形など、任意の適切な断面形状を有し得る。

より詳細には、上記積層体２１を任意の適切な処理に付して、所定領域の弁作用金属基体１（多孔質の表面部分１ａおよび非多孔質の本体部分１ｂ）を溶融させ、これにより、隣接する弁作用金属基体１に由来する溶融金属同士が直接接触し、表面張力などにより一体化し、その後、溶融金属が一体化した状態で固化することによって、接合部Ｐ、Ｑが形成される。この所定領域において、誘電体皮膜３は予め開口していて（すなわち、弁作用金属基体１が露出していて）よいが、これに限定されない。

上記接合部を形成するための処理は、弁作用金属基体１を溶融させ得る限り特に限定されず、例えば加熱などであってもよいが、隣接する弁作用金属基体１同士を電気的かつ機械的に接合できる溶接によって行うことが好ましい。溶接は、例えば、抵抗溶接、レーザー溶接、超音波溶接などのいずれか１種を単独で、またはそれらの２種以上を併用して、実施することができる。

本実施形態においては、２つの接合部Ｐ、Ｑが形成される。２つ以上の接合部を形成する場合、その形成箇所は適宜配置され得るが、弁作用金属基体１が、それらの箇所においてほぼ均等な力で接合されるように配置されることが好ましい。

接合部Ｑは、弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂに形成される。陽極リード部Ｂに接合部を形成する場合、接合部Ｑは、図１３（ａ）に示すように、陽極リード部Ｂの幅を二等分する線（図中に二点鎖線にて示す）上またはその近傍に形成することが、誘電体被覆弁作用金属シート全体への応力を均等化でき、より電気的かつ機械的に安定した固体電解コンデンサを作製できるので好ましい。具体的には、この接合部Ｑの面積は、陽極リード部Ｂと陰極層形成部Ａとの面積比にもよるが、陽極リード部Ｂの面積の好ましくは０．１％以上、より好ましくは１％以上である。接合部Ｑの面積が、陽極リード部Ｂの面積の０．１％以上であれば、必要かつ十分な機械的接合強度と電気伝導性（導通）を得ることができる。陽極リード部Ｂに２つ以上の接合部を形成する場合、これら接合部の各々の面積が、陽極リード部Ｂの面積の好ましくは０．１％以上、より好ましくは１％以上である。

他方、接合部Ｐは、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａに形成される。陰極層形成部Ａに接合部Ｐを形成する場合、接合部Ｐは、例えば図１３（ａ）に示すように、陰極層形成部Ａの幅を二等分する線（図中に二点鎖線にて示す）上またはその近傍に形成してよく、かかる接合部の配置は、接合部を抵抗溶接により形成する場合に適する。本実施形態では、弁作用金属基体１が、複数の接合部Ｐ、Ｑにおいてほぼ均等な力で接合されるように、接合部Ｐは、図１３（ａ）に示すように、陰極層形成部Ａの長さ方向中央部から陽極リード部Ｂに対して遠位側にずれて配置されている。あるいは、本実施形態の改変例として、一対の接合部Ｐ_１およびＰ_２を、例えば図１３（ｂ）に示すように、陰極層形成部Ａの中心（図中に×印にて示す）から略点対称の位置に形成してもよく、かかる接合部の配置は、接合部をレーザー溶接により形成する場合に適する。これらの配置は、いずれも、誘電体被覆弁作用金属シート全体への応力を均等化でき、より電気的かつ機械的に安定した固体電解コンデンサを作製でき、かつ、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大を防止できるので好ましい。陰極層形成部Ａに接合部を形成する場合、かかる部分に接合部を形成しない場合に比べて、接合部に相当する分の静電容量が失われる。特に、接合部もエッチングにより粗面化されて実効面積が増大している場合と比較すると、接合部を形成することによって凹凸がなくなる（多孔質の表面部分１ａが潰れる）ので、同じ接合面積であってもより多くの静電容量が失われることになる。よって、接合部の面積は、電気的な接続を確保しつつも、極力小さくすることがより好ましい。具体的には、この接合部Ｐの面積は、陰極層形成部Ａの面積の好ましくは１％以上、より好ましくは５％以上であり、および好ましくは３０％以下、より好ましくは２０％以下である。接合部Ｐの面積が、陰極層形成部Ａの面積の１％以上であれば、隣接する弁作用金属基体１同士を電気的かつ機械的に安定して接合することができ、よって、電気的接続を確保しつつ、後の工程において陰極層である固体電解質層を形成する際に接合部が離れることを回避できる。他方、接合部Ｐの面積が、陰極層形成部Ａの面積の３０％以下であれば、固体電解コンデンサの静電容量を過度に失うことがなく、よって、静電容量の損失分を補償するために弁作用金属基体１の積層枚数を増やさなくてよい。陰極層形成部Ａに２つ以上の接合部（例えば図１３（ｂ）に示す接合部Ｐ_１およびＰ_２）を形成する場合、これら接合部の各々の面積が、陰極層形成部Ａの面積の好ましくは１％以上、より好ましくは５％以上であり、および、これら接合部の合計の面積が、陰極層形成部Ａの面積の好ましくは３０％以下、より好ましくは２０％以下である。

接合後、弁作用金属基体１の接合部の表面が誘電体皮膜３で被覆されている場合には、これにより弁作用金属基体１の接合部は、固体電解質層５（これは後の工程で形成される）から電気的に絶縁されるが、接合部の表面において弁作用金属基体１が露出している場合には、別途、この接合部を固体電解質層５から電気的に絶縁するための操作を実施する。例えば、接合後、接合積層体２３の両主面（すなわち上面および下面）および弁作用金属基体１間の隙間において弁作用金属基体１が露出していることがある。特に弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、露出した弁作用金属基体１と固体電解質層５が接触すると固体電解コンデンサがショートする可能性があるため、露出した弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａを誘電体皮膜で被覆し、固体電解質層５から絶縁されるように、接合積層体２３の形成後に少なくとも陰極層形成部Ａを陽極酸化処理に付すことが好ましい。かかる追加の陽極酸化処理の条件は、上述した陽極酸化処理の条件と同様とし得る。

以上のようにして、積層体２１から、該積層体２１において隣接する弁作用金属基体１同士が接合された接合積層体２３が得られる。

次に、図１２Ａ（ｃ）に示すように、固体電解質層５を、接合積層体２３において隣接する弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面上に形成されている誘電体皮膜３間の隙間を充填し、かつ接合積層体２３の外表面を陰極層形成部Ａにおいて被覆するように、連続層として形成する。弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂは固体電解質層５により充填および被覆されずに露出したまま残される。かかる固体電解質層５は、単位領域Ｕと溝２の配置に応じて、実施形態１とほぼ同様にして形成できる。

このとき、固体電解質層５は、実施形態１と同様に、図１２Ａ（ｃ）に示すように、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａに形成された誘電体皮膜３の表面に形成され、溝２の切断部に相当する領域には実質的に形成されない。

なお、微視的に見た場合、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面上に形成されている誘電体被覆３間の隙間が固体電解質層５で完全に充填されていない部分や、接合積層体２３の外表面が被覆されていない部分が不可避的に存在することがあるが、固体電解コンデンサの電気的および機械的な特性が許容可能なレベルにある限り、固体電解質層５にこのような部分が存在していても問題ない。

次に、図１２Ａ（ｃ）に示すように、固体電解質層５が形成された接合積層体２３を弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、実施形態１と同様に、弁作用金属基体１および誘電体皮膜３が存在し、他方、固体電解質層５は存在しない。かかる切断は、実施形態１と同様にして実施できる。

切断後、図１２Ｂ（ａ）に示すように、固体電解質層５が形成された接合積層体２３が個々に分割された状態となる（図中、固体電解質層５が形成され、その後、分割された１つの接合積層体２３を示す）。

固体電解質層５が形成され、その後、分割された接合積層体２３において、各弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、本実施形態においては、実施形態１と同様に、矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に位置する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

本実施形態においても、実施形態１と同様に、切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図１２Ｂ（ａ）参照）。

次に、図１２Ｂ（ｂ）に示すように、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に、誘電体皮膜１３を形成する。誘電体皮膜１３は、分割された接合積層体２３における少なくとも陰極層形成部Ａの部分を電解液に浸漬して陽極酸化処理に付すことによって形成された酸化皮膜であってよい。

次に、図１２Ｂ（ｃ）に示すように、固体電解質５の表面上に陰極引出層７を形成する。陰極引出層７は、実施形態１と同様に、カーボン含有層７ａおよび銀含有層７ｂを形成することによって形成され得る。

次に、図１４に示すように、少なくとも１つの弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３３を得ることができる。

以上より、本実施形態の第２の製造方法に従って、図１４に示すような固体電解コンデンサ３３が製造される。かかる固体電解コンデンサ３３は、
陰極層形成部Ａを有する弁作用金属基体１が複数積層され、隣接する弁作用金属基体１が互いに接合されて成る接合積層体２３であって、少なくとも陰極層形成部Ａにおいて弁作用金属基体Ａの表面が誘電体皮膜３および１３で被覆されている接合積層体２３と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、弁作用金属基体１を被覆する誘電体皮膜３間の隙間を充填し、かつ接合積層体２３の外表面を被覆する固体電解質層５の連続層と
を含む固体電解コンデンサであって、
上記弁作用金属基体１の各々は、多孔質の表面部分１ａと、非多孔質の本体部分１ｂと、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分１ｂの拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分１ｂに上記陰極層形成部Ａを有し、
上記誘電体皮膜３および１３は、弁作用金属基体の陰極層形成部Ａの表面に加えて、陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の表面を被覆する。

本実施形態によれば、接合積層体２３に対して固体電解質層５を連続層として一度に充填および被覆することができる。かかる固体電解コンデンサ３３によれば、接合積層体２３を構成する弁作用金属基体１間の隙間に陰極引出層７が存在しないため、コンデンサの低背化が可能となる。

（実施形態７）
本実施形態は、本発明のもう１つの実施形態における固体電解コンデンサの第２の製造方法に関する。以下、かかる製造方法、それによって製造される固体電解コンデンサについて説明する。

まず、実施形態４にて図９Ａ（ａ）〜（ｄ）を参照して説明したのと同様にして、多孔質の表面部分１ａと非多孔質の本体部分１ｂとを有する弁作用金属基体１の両主面に溝２を設けて溝２の底部を非多孔質とし、溝２の底部（より詳細には、少なくとも互いに隣接する陰極層形成部Ａの間に位置する溝２の部分、以下も同様である）にレジスト層１４を形成し、弁作用金属基体１の多孔質の表面部分１ａにおける陰極層形成部Ａの表面上に誘電体皮膜３を形成する。かかるレジスト層１４および誘電体皮膜３が形成された弁作用金属基体１を複数作製する。

本実施形態においても、溝２は、弁作用金属基体１の両主面を複数の単位領域Ｕに仕切るように形成され、弁作用金属基体１について、複数の単位領域Ｕ毎に、多孔質の表面部分１ｂに陰極層形成部Ａが規定され、陽極リード部Ｂおよび離間部Ｃが更に規定され得る。

次に、上記のようにして得られたレジスト層１４および誘電体皮膜３が形成された複数の弁作用金属基体１を、図１５Ａ（ａ）に示すように、実施形態６にて図１２Ａ（ａ）を参照して説明したのと同様にして、各弁作用金属基体１の単位領域Ｕが厚さ方向に整列するように積層して積層体２１を得る（図中、例示的に、誘電体皮膜３が各々形成された３枚の弁作用金属基体１を積層した状態を示すが、これに限定されない）。

次に、図１５Ａ（ｂ）に示すように、実施形態６にて図１２Ａ（ａ）および図１３（ａ）を参照して説明したのと同様にして、積層体２１において厚さ方向に隣接する弁作用金属基体１を接合部Ｐ、Ｑにて互いに接合して接合積層体２３を得る。

次に、図１５Ａ（ｃ）に示すように、実施形態６にて図１２Ａ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、固体電解質層５を、接合積層体２３において隣接する弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面上に形成されている誘電体皮膜３間の隙間を充填し、かつ接合積層体２３の外表面を陰極層形成部Ａにおいて被覆するように、連続層として形成する。

このとき、本実施形態においても、固体電解質層５は、実施形態４と同様に、図１５Ａ（ｃ）に示すように、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａに形成された誘電体皮膜３の表面に形成され、溝２の底部には実質的に形成されない。本実施形態においては、溝２の底部はレジスト層１４で被覆されているので、導電性高分子の前駆体溶液は溝２の底部には浸透して行くことができない。このような状況下、導電性高分子の前駆体溶液は、毛細管現象により、多孔質である陰極層形成部Ａに選択的に浸透する。このため、レジスト層１４の表面において、陰極層形成部Ａから離間した領域（少なくとも、後述する切断部に相当する領域）の表面に固体電解質層５は実質的に形成されない。

次に、図１５Ａ（ｃ）に示すように、固体電解質層５が形成された接合積層体２３を弁作用金属基体１の溝２にて切断する（図中、切断を一点鎖線矢印にて模式的に示す）。溝２の切断部には、実施形態４と同様に、弁作用金属基体１および誘電体皮膜３が存在し、他方、固体電解質層５は存在しない。かかる切断は、実施形態４と同様にして実施できる。

切断後、図１５Ｂ（ａ）に示すように、固体電解質層５が形成された接合積層体２３が個々に分割された状態となる（図中、固体電解質層５が形成され、その後、分割された１つの接合積層体２３を示す）。

固体電解質層５が形成され、その後、分割された接合積層体２３において、各弁作用金属基体１は、少なくとも一対の対向する側部に、本実施形態においては、実施形態６と同様に、矩形の単位領域Ｕの周囲の四辺に位置する側部に、非多孔質の本体部分１ｂの拡張部（または凸部）を有する。この本体部分１ｂの拡張部は、溝２に存在していた非多孔質の本体部分１ｂの切断後の残部であり、多孔質の表面部分１ａの端部よりも突出した部分である。

更に、本実施形態に従って分割された接合積層体２３は、非多孔質の本体部分１ｂの上記拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層１４（図１５Ｂ（ａ）を参照のこと）を有している。このレジスト層１４は、溝２に存在していたレジスト層１４の切断後の残部である。

本実施形態においても、切断によって生じる切断面において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂが誘電体皮膜３から露出する（図１５Ｂ（ａ）参照）。

次に、図１５Ｂ（ｂ）に示すように、実施形態６にて図１２Ｂ（ｂ）を参照して説明したのと同様にして、上記切断面に誘電体皮膜１３を形成する。この誘電体皮膜１３は、上記切断面のうち、少なくとも弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの周囲に位置する切断面に形成されればよい。

上記誘電体皮膜３および１３によって、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の端面（図示する例では、主面に略垂直な表面として示すが、これに限定されない）が被覆される。

次に、図１５Ｂ（ｃ）に示すように、実施形態６にて図１２Ｂ（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、固体電解質５の表面上に陰極引出層７を形成する。陰極引出層７は、実施形態１と同様に、カーボン含有層７ａおよび銀含有層７ｂを形成することによって形成され得る。

次に、図１６に示すように、少なくとも１つの弁作用金属基体１の陽極リード部Ｂを陽極端子１５に接続し、他方、陰極引出層７を陰極端子１７に接続して、これら陽極端子１５および陰極端子１７（例えばリードフレームなど）の少なくとも一部を露出した状態で、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂１９にて封止することにより、積層型の固体電解コンデンサ３４を得ることができる。

以上より、本実施形態の第２の製造方法に従って、図１６に示すような固体電解コンデンサ３４が製造される。かかる固体電解コンデンサ３４は、
陰極層形成部Ａを有する弁作用金属基体１が複数積層され、隣接する弁作用金属基体１が互いに接合されて成る接合積層体２３であって、少なくとも陰極層形成部Ａにおいて弁作用金属基体１の表面が誘電体皮膜３および１３で被覆されている接合積層体と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、弁作用金属基体１を被覆する誘電体皮膜３間の隙間を充填し、かつ接合積層体２３の外表面を被覆する固体電解質層５の連続層と
を含む固体電解コンデンサであって、
上記弁作用金属基体１の各々は、多孔質の表面部分１ａと、非多孔質の本体部分１ｂと、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分１ｂの拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分１ａに上記陰極層形成部Ａを有し、
上記弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の主面に略平行な表面がレジスト層１４で被覆され、
上記誘電体皮膜３および１３は、弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面に加えて、陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の端面を被覆する。

固体電解コンデンサ３４において、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部は、弁作用金属基体１の両主面に設けた溝２に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝２を切断することによって生じた切断面に対応し、この拡張部の主面に略平行な表面が、溝２の底部に対応する。本体部分１ｂの拡張部は、最初に準備した図９Ａ（ａ）に示す弁作用金属基体１の非多孔質の本体部分１ｂと同じであっても、溝２の形成方法に応じて異なっていてもよい。かかる固体電解コンデンサ３４によれば、弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体１の切断面が、固体電解質層５から離間している上、拡張部の主面に略平行な表面、換言すれば、溝２の底部がレジスト層１４で被覆されている。これにより、レジスト層１４が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍での漏れ電流の発生を一層効果的に抑制することができる。加えて、本実施形態によれば、接合積層体２３に対して固体電解質層５を連続層として一度に充填および被覆することができる。かかる固体電解コンデンサ３４によれば、接合積層体２３を構成する弁作用金属基体１間の隙間に陰極引出層７が存在しないため、コンデンサの低背化が可能となる。

以上、本発明の実施形態１〜７について説明したが、これら実施形態は種々の改変が可能である。例えば、実施形態３に対しても、実施形態１に対する実施形態２と同様の改変を行い得る。また例えば、実施形態４〜７に対しても、実施形態１に対する実施形態３と同様の改変を行い得る。

本発明は、積層型固体電解コンデンサを製造するために利用され得るが、これに限定されるものではない。

１ 弁作用金属基体
１ａ 多孔質の表面部分
１ｂ 非多孔質の本体部分
２ 溝
３ 誘電体皮膜
４ レジスト層
５ 固体電解質層
７ 陰極引出層
７ａ カーボン含有層
７ｂ 銀含有層
９ 絶縁部
１０ 固体電解コンデンサ素子
１１ シート
１２ （固体電解コンデンサ素子の）積層体チップ
１３ 誘電体皮膜
１４ レジスト層
１５ 陽極端子
１７ 陰極端子
１９ 絶縁性樹脂
２１ （誘電体皮膜が形成された弁作用金属基体の）積層体
２３ （誘電体皮膜が形成された弁作用金属基体の）接合積層体
３０、３１、３２、３３、３４ 固体電解コンデンサ
Ａ 陰極層形成部
Ｂ 陽極リード部
Ｃ 離間部
Ｕ 単位領域
Ｐ、Ｐ_１、Ｐ_２、Ｑ 接合部

本発明のもう１つの要旨においては、
多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に陰極層形成部を有し、更に、陽極リード部を有する弁作用金属基体と、
弁作用金属基体の本体部分の拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層と、
弁作用金属基体の陰極層形成部の表面および陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の端面を被覆する誘電体皮膜と、
弁作用金属基体の陰極層形成部において、誘電体皮膜の表面上に順次形成された固体電解質層および陰極引出層と
を含む、固体電解コンデンサ素子が提供される。かかる固体電解コンデンサ素子は、本発明の固体電解コンデンサの上記第１の製造方法を工程（ｂ’）により改変した上述の態様により製造可能であり、これと同様の効果を奏する。固体電解コンデンサ素子をこのようにして製造する場合、弁作用金属基体の本体部分の拡張部は、弁作用金属基体の両主面に設けた溝に由来するものであり、この拡張部の端面が、溝を切断することによって生じた切断面に対応し、この拡張部の主面に略平行な表面が、溝の底部に対応する。よって、かかる固体電解コンデンサ素子によれば、弁作用金属基体の本体部分の拡張部の端面、換言すれば、欠陥が生じやすい弁作用金属基体の切断面が、固体電解質層から離間している上、拡張部の主面に略平行な表面、換言すれば、溝の底部がレジスト層で被覆されている。レジスト層は一般的に絶縁性であり、これにより、レジスト層が形成された切断部およびその近傍では電荷が蓄積されないので、切断部およびその近傍における漏れ電流を一層効果的に抑制することができる。

以上より、本実施形態の第１の製造方法のもう１つの改変例に従って、図９Ｂ（ｃ）に示すような、固体電解コンデンサ素子１０が作製される。かかる固体電解コンデンサ素子１０は、
多孔質の表面部分１ａと、非多孔質の本体部分１ｂと、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分１ｂの拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分１ａに陰極層形成部Ａを有し、更に、陽極リード部Ｂを有する弁作用金属基体１と、
弁作用金属基体１の本体部分１ｂの拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層１４と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａの表面および陰極層形成部Ａに接する本体部分１ｂの拡張部の端面を被覆する誘電体皮膜３および１３と、
弁作用金属基体１の陰極層形成部Ａにおいて、誘電体皮膜３の表面上に順次形成された固体電解質層５および陰極引出層７と
を含む。

Claims (11)

1. （ａ）多孔質の表面部分と非多孔質の本体部分とを有する弁作用金属基体の両主面に溝を設けて溝の底部を非多孔質とし、弁作用金属基体の両主面を溝により複数の単位領域に仕切り、単位領域毎に多孔質の表面部分に陰極層形成部を規定する工程、
   （ｂ）弁作用金属基体の陰極層形成部および陰極層形成部間の溝の表面上に誘電体皮膜を形成する工程、
   （ｃ）弁作用金属基体の陰極層形成部に形成された誘電体皮膜の表面上に固体電解質層および陰極引出層を順次形成し、これにより、複数の単位領域に対応する複数の固体電解コンデンサ素子が溝を介して一体的に作製されたシートを得る工程、
   （ｄ）前記シートを弁作用金属基体の溝にて切断する工程、および
   （ｅ）弁作用金属基体の陰極層形成部の周囲に位置する切断面に誘電体皮膜を形成する工程
   を含む、固体電解コンデンサの製造方法。
2. 複数の弁作用金属基体のそれぞれに対して工程（ａ）〜（ｃ）を実施し、これにより得られる複数の前記シートを積層し、工程（ｄ）にて、積層された前記シートを弁作用金属基体の溝にて切断する、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
3. （ａ）多孔質の表面部分と非多孔質の本体部分とを有する弁作用金属基体の両主面に溝を設けて溝の底部を非多孔質とし、弁作用金属基体の両主面を溝により複数の単位領域に仕切り、単位領域毎に多孔質の表面部分に陰極層形成部を規定する工程、
   （ｂ）弁作用金属基体の陰極層形成部および陰極層形成部間の溝の表面上に誘電体皮膜を形成する工程、
   （ｐ）複数の弁作用金属基体のそれぞれに対して工程（ａ）〜（ｂ）を実施し、これにより得られる誘電体皮膜が形成された複数の弁作用金属基体を積層して積層体を得る工程、
   （ｑ）積層体において隣接する弁作用金属基体を互いに接合して接合積層体を得る工程、
   （ｒ）固体電解質層を、接合積層体において隣接する弁作用金属基体の陰極層形成部の表面上に形成されている誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を陰極層形成部において被覆するように、連続層として形成する工程、
   （ｓ）固体電解質層が形成された接合積層体を弁作用金属基体の溝にて切断する工程、および
   （ｔ）弁作用金属基体の陰極層形成部の周囲に位置する切断面に誘電体皮膜を形成する工程
   を含む、固体電解コンデンサの製造方法。
4. 工程（ａ）にて、弁作用金属基体の溝は、弁作用金属基体を厚さ方向に押圧することによって設けられる、請求項１〜３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
5. 工程（ａ）にて、弁作用金属基体の溝は、弁作用金属基体から多孔質の表面部分を除去することによって設けられる、請求項１〜３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
6. 工程（ｂ）に代えて、
   （ｂ’）溝の底部にレジスト層を形成し、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面上に誘電体皮膜を形成する工程
   を実施する、請求項１〜５のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
7. 多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に陰極層形成部を有する弁作用金属基体と、
   弁作用金属基体の陰極層形成部の表面および陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の表面を被覆する誘電体皮膜と、
   弁作用金属基体の陰極層形成部において、誘電体皮膜の表面上に順次形成された固体電解質層および陰極引出層と
   を含む、固体電解コンデンサ素子。
8. 多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に陰極層形成部を有する弁作用金属基体と、
   弁作用金属基体の本体部分の拡張部の主面に略平行な表面を被覆するレジスト層と、
   弁作用金属基体の陰極層形成部の表面および陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の端面を被覆する誘電体皮膜と、
   弁作用金属基体の陰極層形成部において、誘電体皮膜の表面上に順次形成された固体電解質層および陰極引出層と
   を含む、固体電解コンデンサ素子。
9. 請求項７または８に記載の固体電解コンデンサ素子を１つまたは２つ以上含んで成る、固体電解コンデンサ。
10. 陰極層形成部を有する弁作用金属基体が複数積層され、隣接する弁作用金属基体が互いに接合されて成る接合積層体であって、少なくとも陰極層形成部において弁作用金属基体の表面が誘電体皮膜で被覆されている接合積層体と、
    弁作用金属基体の陰極層形成部において、弁作用金属基体を被覆する誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を被覆する固体電解質層の連続層と
    を含む固体電解コンデンサであって、
    前記弁作用金属基体の各々は、多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に前記陰極層形成部を有し、
    前記誘電体皮膜は、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面に加えて、陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の表面を被覆する、固体電解コンデンサ。
11. 陰極層形成部を有する弁作用金属基体が複数積層され、隣接する弁作用金属基体が互いに接合されて成る接合積層体であって、少なくとも陰極層形成部において弁作用金属基体の表面が誘電体皮膜で被覆されている接合積層体と、
    弁作用金属基体の陰極層形成部において、弁作用金属基体を被覆する誘電体皮膜間の隙間を充填し、かつ接合積層体の外表面を被覆する固体電解質層の連続層と
    を含む固体電解コンデンサであって、
    前記弁作用金属基体の各々は、多孔質の表面部分と、非多孔質の本体部分と、少なくとも一対の対向する側部において非多孔質の本体部分の拡張部とを有し、かつ、多孔質の表面部分に前記陰極層形成部を有し、
    前記弁作用金属基体の本体部分の拡張部の主面に略平行な表面がレジスト層で被覆され、
    前記誘電体皮膜は、弁作用金属基体の陰極層形成部の表面に加えて、陰極層形成部に接する本体部分の拡張部の端面を被覆する、固体電解コンデンサ。

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