JPWO2011013810A1 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2)真空排気、あるいは不活性ガスの供給により、上記フッ化物のうちでチャンバの内部空間に浮遊するものは同チャンバ内から除去されるものの、チャンバの内壁に付着したフッ化物は、短時間の真空排気又は不活性ガスの供給では除去されず、依然としてチャンバ内に滞在することになる。
そして、これら1)〜4)の過程を経ることにより選択性の破れが生じる。その結果、こうした成膜処理を経て製造される半導体装置の歩留まりが低下することとなる。なお、上記2)に記載の付着フッ化物を上記不活性ガスの供給によりチャンバ内からほぼ完全に除去することも可能ではあるが、完全な除去には十数時間以上を要する。そのため、そのような工程は、半導体装置の生産性の著しい低下を招き現実的でない。
まず、本実施の形態の半導体装置の製造方法及び製造装置の概要について図1を参照して説明する。
・2WF6 + 3SiH4 → 2W + 3SiF4 + 3H2
あるいは、
・WF6 + 2SiH4 → W +2SiHF3 + 3H2
なお、上記基板Sにおいて相対的に導電性の高い部位とは、この選択CVD法が利用される製造工程に応じて異なるものである。例えば上述する選択CVD法がコンタクト配線の形成工程に利用される場合、その成膜対象となる基板表面はコンタクトホールを有する絶縁膜で覆われている。能動素子として同基板の表面に形成された例えばMOSトランジスタ等の不純物拡散領域がこのコンタクトホールから露出している。こうした構成の成膜対象に対して上記選択CVD法による成膜が実行される場合、このコンタクトホール底部としての不純物拡散領域、主に、コバルトシリサイド(CoSi2)、ニッケルシリサイド(NiSi)、チタンシリサイド(TiSi2)等のシリサイドからなる領域が基板Sにおける導電性の高い部位にあたる。この部位に選択的にタングステン薄膜が形成されることとなる。この他、上述する選択CVD法がビア配線の形成工程に利用される場合、その成膜対象となる基板表面はビアホールを有する絶縁膜で覆われている。例えばタングステン(W)、アルミニウム(Al)、及び銅(Cu)等からなる下層配線の一部がこのビアホールから露出している。こうした構成の成膜対象に対して上記選択CVD法による成膜処理が実行される場合、このビアホールの底部としての配線が上記基板Sにおける導電性の高い部位にあたり、この部位にタングステン薄膜が形成されることとなる。
[実施例及び比較例]
表1に記載の5つの条件でフッ素ガスによるクリーニング処理から選択タングステンの成膜処理までを行った後、上記選択性の破れを測定した。本実施例及び比較例においては、基板上に形成された80nm以上のタングステン核を選択性の破れと定義、その測定には半導体製造ラインで一般に使用されているダストカウンターを用いた。なお、表1には、こうして選択制の破れを測定した結果も併せて記載している。また、表1に記載のフッ素ガスクリーニング処理(図3:タイミングt3〜タイミングt4)、不活性ガスパージ処理(図3:タイミングt4〜タイミングt5)、モノシランガスパージ処理(t5〜t6)、不活性ガスパージ処理(タイミングt6〜タイミングt7)、及び成膜処理はそれぞれ、以下に列挙する条件にて実施された。
・フッ素ガスクリーニング(t3−t4):F2 10sccm(16.9x10−3Pa・m3/s),Ar 195sccm(329.55x10−3Pa・m3/s),70Pa ,RF 200W
・不活性ガスパージ(t4−t5):Ar(a) 100sccm(169x10−3Pa・m3/s),Ar(d) 100sccm(169x10−3Pa・m3/s),1Pa
・モノシランガスパージ(t5−t6):SiH4 50sccm(84.5x10−3Pa・m3/s),Ar(d) 100sccm(169x10−3Pa・m3/s),30Pa
・不活性ガスパージ(t6−t7):Ar(a) 100sccm(169x10−3Pa・m3/s),Ar(d) 100sccm(169x10−3Pa・m3/s)
・成膜条件:WF6 20sccm(33.8x10−3Pa・m3/s),SiH4 10sccm(16.9x10−3Pa・m3/s),0.6Pa,基板温度300℃
同図4に示される結果によるように、モノシランガスによるパージ処理を行わない場合は、選択性の破れを50個以下とするためには、上記表1に記載の比較例3のように、120時間に及ぶアルゴンガスによるパージ処理が必要である。なお、図4において、総パージ時間とは、モノシランガスによるパージ処理に対する時間と、その後のアルゴンガスによるパージ処理に対する時間とを合わせた時間である。一方、モノシランガスによるパージ処理を行う場合、上記選択性の破れを1000個以下とするためには、上記表1に記載の実施例1のように、総パージ時間であっても15分間のみパージ処理を実施すればよいことがわかる。また、選択性の破れを50個以下とするためには、同じく表1に記載の実施例2のように、上記総パージ時間であっても25分間のみパージ処理を実施すればよいことがわかる。
(1)処理対象である基板S上に選択CVD法によりタングステン薄膜を形成する成膜処理と、各成膜チャンバ13a、13bの内部を清浄化するクリーニング処理とが交互に繰り返し実行される。その繰り返し実行される処理の間であって、且つクリーニング処理の後には、モノシランガスとアルゴンガスとを真空槽21内に供給するパージ処理が実行される。これにより、パージ処理時に供給されたモノシランによる還元反応が各成膜チャンバ13a、13b内で進行する。クリーニング処理によって生じたフッ化物、例えば、六フッ化タングステン、トリフルオロシラン、テトラフルオロシラン、あるいはフッ化水素を、パージ処理時に供給されたモノシランと反応させることによって、より微細な粒子であるタングステンシリサイドの各種生成物を生成することができる。
・複数回の成膜処理を実行した後に、すなわち、複数枚の基板Sに対して同成膜処理を実行した後に、成膜チャンバ13a,13b内を清浄化するクリーニング処理が実行される。これに限らず、成膜処理を実行する毎に、すなわち、1枚の基板Sに対して成膜処理を実行する毎に上記クリーニング処理が実行されてもよい。
・さらに、上述のように2つの不活性ガス用の第2及び第4配管32,34から不活性ガスを供給するようにすることで、以下の効果を得ることもできる。
Claims (8)
- 導電性の高い部位とそれよりも導電性の低い部位とを表面に有する基板を用いた、半導体装置の製造方法であって、
六フッ化タングステンガス及びモノシランガスを真空チャンバ内に供給して該真空チャンバ内に収容された前記基板における導電性の高い部位上にタングステンからなる薄膜を選択的に成膜する成膜処理を実行する工程と、
該成膜処理を実行した後にフッ素を含有するクリーニングガスを用いたプラズマにより前記真空チャンバの内部を清浄化するクリーニング処理を実行する工程と、
前記成膜処理及び前記クリーニング処理を交互に繰り返して実行する工程とを備える半導体装置の製造方法において、
前記クリーニング処理とそれに続く前記成膜処理との間に、前記モノシランガスと不活性ガスとを一定期間供給することにより、前記クリーニング処理により生じたフッ化物を前記真空チャンバからパージするパージ処理を実行する工程を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記パージ処理において供給される前記不活性ガスが、前記六フッ化タングステンガスの供給経路から供給される
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記六フッ化タングステンガス、前記モノシランガス、及び前記クリーニングガスを供給する配管の温度と、前記真空チャンバの内壁の温度とが、60℃以上、且つ150℃以下に維持される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記クリーニングガスとして、フッ素、六フッ化ケイ素、三フッ化窒素、及び三フッ化塩素のいずれか又はこれらガスのいずれか1つと不活性ガスとの混合ガスが用いられる
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 導電性の高い部位とそれよりも導電性の低い部位とを表面に有する基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバに六フッ化タングステンガスを供給する第1のガス供給部と、
前記真空チャンバにモノシランガスを供給する第2のガス供給部と、
前記真空チャンバにフッ素を含有するクリーニングガスを供給する第3のガス供給部と、
高周波アンテナに高周波電力を供給することにより前記真空チャンバ内のガスをプラズマ化させる高周波電場を前記真空チャンバに印加する高周波電源とを備え、
前記六フッ化タングステンガスと前記モノシランガスとを用いて前記基板における導電性の高い部位上にタングステンからなる薄膜を選択的に成膜する成膜処理と、該成膜処理を実行した後に、前記クリーニングガスを用いたプラズマにより前記真空チャンバの内部を清浄化するクリーニング処理とを交互に繰り返して実行する半導体装置の製造装置において、
前記クリーニング処理とそれに続く成膜処理との間に、前記モノシランガスと不活性ガスとを一定期間供給することにより、前記クリーニング処理により生じたフッ化物を前記真空チャンバからパージするパージ処理を実行する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記第1のガス供給部は、六フッ化タングステンガス供給部と不活性ガス供給部とを備え、
前記第2のガス供給部は、モノシランガス供給部と不活性ガス供給部とを備え、
前記パージ処理時には、前記第1のガス供給部の前記不活性ガス供給部から不活性ガスが供給され、前記第2のガス供給部の前記モノシランガス供給部からモノシランガスが供給される
請求項5に記載の半導体装置の製造装置。 - 請求項5又は6に記載の半導体装置の製造装置において、
前記第1のガス供給部、前記第2のガス供給部、及び前記第3のガス供給部の各々が配管を有し、前記配管の各々の温度と、前記真空チャンバの内壁の温度とを、60℃以上、且つ150℃以下に維持する温調機構を更に備える
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記クリーニングガスが、フッ素、六フッ化ケイ素、三フッ化窒素、及び三フッ化塩素のいずれか又はこれらガスのいずれか1つと不活性ガスとの混合ガスである
請求項5〜7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
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