JPH10287979A

JPH10287979A - Ｃｖｄ装置、及び選択ｃｖｄ方法

Info

Publication number: JPH10287979A
Application number: JP11526897A
Authority: JP
Inventors: Masanori Uematsu; 正紀植松; Koji Sogabe; 浩二曽我部; Shigefumi Itsudo; 成史五戸
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1997-04-17
Filing date: 1997-04-17
Publication date: 1998-10-27

Abstract

(57)【要約】【課題】選択性の破れを防止できるＣＶＤ装置、選択
ＣＶＤ方法を提供する。【解決手段】ＣＶＤ装置２の真空槽１０内にシリコン
ゴム９を配置し、配線材料の原料ガスを導入して選択Ｃ
ＶＤ反応を行う際に露出させておく。シリコンゴム９か
ら放出された吸着性の化合物ガスにより、選択性の破れ
が抑制される。シリコンゴムが劣化した場合、酸化性ガ
ス雰囲気に置くと、活性化させることができる。クリー
ニング用ガスを導入してプラズマを発生させる際に、シ
リコンゴムがクリーニング用ガスに曝されないようにし
ておいてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の絶縁性物
質薄膜に形成された微細な溝や穴内に配線材料を選択的
に析出させ、配線を形成するＣＶＤ装置、及び選択ＣＶ
Ｄ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】タングステン(Ｗ)やモリブデン(Ｍｏ)等
の高融点金属は、アルミニウム(Ａｌ)に比べるとエレク
トロマイグレーションやストレスマイグレーションに対
する耐性が高いことから、近年では、シリコンウェハー
等の基板内に形成された素子間を電気的に接続し、集積
回路を構成するための配線材料として使用されている。

【０００３】そのような配線材料の薄膜を形成する場合
には、予め、基板上の絶縁性物質薄膜に配線用の溝や穴
を形成しておき、基板表面にグルー層を全面成膜した後
ＣＶＤ装置内に搬入し、高温に加熱した状態で配線材料
の原料ガスを導入し、グルー層表面に配線材料を析出さ
せ、基板をＣＶＤ装置内から搬出した後、溝や穴以外の
部分に析出した配線材料を除去するため、ＲＩＥ装置等
を使用してエッチバックを行い、溝や穴内に配線を形成
している。

【０００４】このように、配線材料薄膜を基板表面に一
旦全面成膜するＣＶＤ方法は、ブランケットＣＶＤ方法
と呼ばれており、一般的に、グルー層には窒化チタン薄
膜が用いられ、配線材料がタングステン薄膜である場合
には、原料ガスには例えば六フッ化タングステンガスと
モノシランガス(還元性ガス)とが用いられている。

【０００５】しかしながらブランケットＣＶＤ方法は工
程数が多いという欠点があり、グルー層の全面成膜を行
う工程と、配線材料薄膜のエッチバックを行う工程とを
省略したいという要求がある。

【０００６】そこで近年では、図３(ａ)に示すように、
シリコン単結晶１０４上に絶縁性物質薄膜１０２が成膜
された基板１０１を用い、その表面に配線を形成する
際、絶縁性物質薄膜１０２の溝１０３の底部の、下層に
存する導電性物質薄膜やシリコン単結晶１０４の表面を
露出させ、ＣＶＤ装置内で基板１０１を比較的低温にし
た状態で、配線材料の原料ガスを導入し、図３(ｂ)に示
すように、溝１０３底部にだけ配線材料薄膜１０５を選
択的に析出させ、溝１０３を配線材料で埋め込む選択Ｃ
ＶＤ方法が注目されている。この選択ＣＶＤ方法によれ
ば、グルー層の形成やエッチバックが不要なことから、
低コスト、高歩留まりのプロセス技術として期待されて
いる。

【０００７】しかし、このような選択性は、溝底部に露
出する導電性物質表面における配線材料の析出速度と、
絶縁性物質表面における析出速度の相違によって得られ
ているため、絶縁性物質薄膜１０２の表面に活性点が存
在した場合には、その部分に配線材料が析出し、島状の
析出物１０６が発生してしまう。

【０００８】このような、絶縁性物質表面に配線材料が
析出する現象は“選択性の破れ”と呼ばれており、特
に、配線材料薄膜を厚く形成する場合に生じ易い。絶縁
性物質表面に不要な配線材料薄膜が多数析出してしまっ
た場合には、エッチバックを行うことが必要になり、選
択ＣＶＤ方法の利点が失われてしまう。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の不都合を解決するために創作されたもので、その目
的は、選択性の破れの発生を防止できるＣＶＤ装置、及
び選択ＣＶＤ方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、上
記課題を解決するため選択ＣＶＤ方法の研究を行ったと
ころ、真空槽内に配線材料の原料ガスを導入し、金属薄
膜やシリコン基板等の導電性物質表面に配線材料薄膜を
選択的に成長させる際、予め真空槽内にシリコンゴム
(本発明では「シリコーンゴム」と同義とする)等の珪素
を含む高分子物質を配置しておくと、選択性の破れを抑
制できることを見出した。

【００１１】本発明は上記知見に基づいて創作されたも
のであり、その請求項１に記載された発明は、真空槽を
有し、導電性物質と絶縁性物質とが表面に露出した基板
を前記真空槽内に配置し、前記基板を所定温度に加熱し
た状態で前記真空槽内に原料ガスを導入すると、前記導
電性物質表面に選択的に配線材料を析出させられるよう
に構成されたＣＶＤ装置であって、前記真空槽内には、
珪素を含む高分子物質が配置され、前記配線材料を析出
させる際に、前記珪素を含む高分子物質が前記真空槽内
に露出するように構成されたことを特徴とする。

【００１２】この請求項１記載のＣＶＤ装置について
は、請求項２記載の発明のように、前記珪素を含む高分
子物質は前記真空槽内から隔離できるように構成すると
よい。

【００１３】前記珪素を含む高分子物質については、請
求項３記載の発明のように、例えばシリコンゴムを用い
ることができる。

【００１４】他方、請求項４記載の発明は、ＣＶＤ装置
の真空槽内に、導電性物質と絶縁性物質とが表面に露出
した基板を配置し、前記基板を所定温度に加熱して前記
真空槽内に原料ガスを導入し、前記導電性物質表面に選
択的に配線材料を析出させる選択ＣＶＤ方法であって、
前記真空槽内に珪素を含む高分子物質を配置し、前記配
線材料を析出させる際に、前記真空槽内に前記珪素を含
む高分子物質を露出させることを特徴とする。

【００１５】この場合、請求項５記載の発明のように、
前記原料ガスを導入する前に、前記真空槽内に酸化性ガ
スを導入し、前記珪素を含む高分子物質が露出した状態
で所定時間放置するとよい。

【００１６】その酸化性ガスについては、請求項６記載
の発明のように、六フッ化タングステンガスを用いるこ
とができる。析出させたい配線材料がタングステンであ
る場合、六フッ化タングステンガスはその原料ガスなの
で、酸化性ガスのための特別な設備が不要になる。

【００１７】以上説明した請求項４から請求項６に記載
された選択ＣＶＤ方法では、請求項７記載の発明のよう
に、前記珪素を含む高分子物質について、シリコンゴム
を用いることができる。

【００１８】ところで、六フッ化タングステンガスとモ
ノシランガスとを原料ガスにしてタングステン薄膜を成
長させる場合を例にすると、選択ＣＶＤが行われる際に
は、基板上の導電性物質表面で、ＷＦ₆＋(３／２)ＳｉＨ₄ → Ｗ＋(３／２)ＳｉＦ₄↑＋
３Ｈ₂ の還元反応が生じていると考えられている。

【００１９】より詳細には、その還元反応は、先ず、モ
ノシランガスが導電性物質表面と接触し、そこで電子の
授受が行われ、モノシランガスが解離し、その際発生す
る活性な水素によって六フッ化タングステンガスが還元
され、タングステンの析出が行われる。

【００２０】従って、電子の授受が行われる活性点が多
いほどタングステンは析出し易く、また、析出したタン
グステンが“核”となり、その部分にタングステン薄膜
が成長するので、核の発生速度が速いほどタングステン
薄膜の成長速度は速いことになる。

【００２１】一般に、自由電子は導電性物質表面には多
く存在するのに対し、絶縁性物質表面には殆ど存在しな
いため、電子の授受は導電性物質表面では活発に行われ
るが、絶縁性物質表面では行われずらい。従って、導電
性物質表面では、配線材料薄膜の成長に必要な“核”の
発生速度が速いのに対し、絶縁性物質表面では遅い。こ
のような核の発生速度の相違が選択性を付与していると
考えられる。

【００２２】上述したように、本発明では、珪素を含む
高分子物質として、例えばシリコンゴム［主鎖がオルガ
ノシロキサン結合 −(ＳｉＲ₂Ｏ)_n− から成る合成ゴ
ム］が真空槽内に配置されており、配線材料を析出させ
る際に、そのシリコンゴムが真空槽内に露出するように
している。

【００２３】高分子物質が真空雰囲気に置かれた場合、
有機化合物ガスや無機化合物ガスが放出されることが知
られており、そのため、真空槽内では高分子物質は露出
しないようにするのが普通である。

【００２４】本発明はそのような常識を覆すものであ
り、選択ＣＶＤ反応を行ったときの選択性の破れが少な
くなるのは、シリコンゴム等の珪素を含む高分子物質か
ら放出される吸着性の化合物ガスが、基板上の絶縁性物
質表面に少数存在する活性点と結びつき、その活性点が
不活性化されて絶縁性物質表面での核発生速度が遅くな
り、その結果、配線材料薄膜の成長が抑制されるためと
考えられる。

【００２５】他方、導電性物質表面では活性点は非常に
多数存在するため、吸着性の化合物ガスが導電性物質表
面の活性点と結びついても、不活性化されない活性点は
多数残存する。従って、導電性物質表面では核発生速度
はそれ程低下せず、配線材料薄膜の成長速度の低下も微
小である。

【００２６】ところで、ＣＶＤ装置は一般に、基板の処
理枚数が多くなると配線材料が真空槽の壁面に付着し、
剥離するとダストとなり、歩留まりを低下させてしまう
という問題がある。従って、所定枚数を処理する毎に、
真空槽内にクリーニング用ガスを導入し、プラズマを発
生させ、壁面に付着した配線材料をガス化させて除去す
る必要がある。

【００２７】この場合、シリコンゴム等の珪素を含む高
分子物質が露出したままクリーニング用ガスを導入する
と、シリコンゴムの表面が劣化するため、選択性の破れ
を防止する効果が低下してしまうことが分かった。

【００２８】そこで、真空槽内にクリーニング用ガスを
導入し、そのプラズマを発生させる際には、珪素を含む
高分子物質を真空槽内から隔離し、表面がプラズマに曝
されないようにするとよい。

【００２９】また、表面がプラズマに曝されたり、多数
の基板を処理した場合等、珪素を含む高分子物質が劣化
した場合には、真空槽内に酸化性ガスを導入すると、そ
の表面状態が回復し、長期間に亘って選択性の破れ防止
の効果を発揮させることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態のＣＶＤ装置
を、選択ＣＶＤ方法の発明と共に図面を用いて説明す
る。

【００３１】図１を参照し、符号２は、本発明の一実施
形態のＣＶＤ装置であり、真空槽１０を有している。

【００３２】その真空槽１０は、それぞれ金属材料で構
成された容器部１１、蓋部１２と、絶縁性物質で構成さ
れた絶縁物１３を有しており、容器部１１と蓋部１２と
は、絶縁物１３を介して、電気的に絶縁された状態で気
密に固定されている。容器部１１の底壁には排気口１４
が設けられており、図示しない真空ポンプを起動する
と、真空槽１０内を真空排気できるように構成されてい
る。

【００３３】容器部１１の底壁上には、内部に冷却水循
環経路４４を有するリング状のアルミブロック４が設け
られ、そのアルミブロック４上には、ヒータ５とその表
面の石英薄板６とで構成された基板ステージ３が配置さ
れ、ヒータ５と容器部１１の底壁との間には、空間１７
が形成されている(アルミブロック４の中央部分)。

【００３４】空間１７内には、上下移動可能に構成され
た基板昇降機構１６が配置されており、ヒータ５と石英
薄板６とに設けられた貫通孔の中に、基板昇降機構１６
のピン１８が挿入されている。

【００３５】基板昇降機構１６によって基板７の受け渡
しを行う場合、ピン１８を下方に移動させて貫通孔中に
収納しておき、その状態で、図示しない基板搬送機構に
よって基板７を真空槽１０内に搬入し、基板ステージ３
の上方に位置させる。次いで、基板昇降機構１６を動作
させ、ピン１８を上方に移動させ、貫通孔から突き出さ
せ、ピン１８の先端に基板７を乗せる。その後、基板搬
送機構をピン１８の間から退避させ、基板昇降機構１６
を下方に移動させると、ピン１８先端に乗せられた基板
７は石英薄板６上に受け渡され、基板７は基板ステージ
３上に載置される。

【００３６】基板ステージ３の周囲には幅広の防着板１
９が配置され、その上部に体積１０ｃｍ³のシリコンゴ
ム９が固定されている。

【００３７】蓋部１２にはガス管２１の一端が接続され
ており、その他端は３本のガス管２１₁、２１₂、２１₃
に分岐され、各ガス管２１₁〜２１₃には、バルブ２２₁
〜２２₃がそれぞれ設けられている。一般的に、配線材
料の原料ガスは、配線材料を含む酸化性ガスと、その酸
化性ガスから配線材料を析出させる還元性ガスとで構成
されており、ここでは、その酸化性ガスとして六フッ化
タングステンガスが用いられ、還元性ガスとしてモノシ
ランガスが用いられている。

【００３８】分岐した１本目のガス管２１₁の先端部分
には、マスフローコントローラ２３₁を介して、六フッ
化タングステンガスが充填されたガスボンベに接続され
ており、２本目のガス管２１₂の先端部分は、マスフロ
ーコントローラ２３₂を介して、モノシランガスが充填
されたガスボンベに接続されている。また、３本面のガ
ス管２１₃の先端は、マスフローコントローラ２３₃を介
して、クリーニング用ガス(Ｆ₂ガス５％、Ａｒガス９５
％)が充填されたガスボンベに接続されている。

【００３９】このＣＶＤ装置２では、真空槽１０内に配
線材料の原料ガスを導入し、選択ＣＶＤ反応を行うと、
真空槽１０の壁面上にも配線材料が析出してしまい、基
板の処理量が増加すると、その配線材料薄膜が厚く形成
され、剥離するとダストになってしまう。従って、ダス
トが発生する前に、例えば基板を所定枚数処理する毎に
真空槽１０内のクリーニングを行う必要がある。

【００４０】その場合のクリーニング方法は、先ず、各
バルブ２１₁〜２１₃を閉状態にしておき、排気口１４か
ら真空槽１０内を真空排気する。真空槽１０内が所定真
空度に達した後、バルブ２２₃を開状態にし、マスフロ
ーコントローラ２３₃で流量制御しながら真空槽１０に
向けてクリーニング用ガスを流す。

【００４１】真空槽１０の蓋部１２内にはシャワー機構
４１が設けられており、クリーニング用ガスはそのシャ
ワー機構４１内に一旦導入され、シャワー機構４１に多
数設けられた孔から真空槽１０内に均一に散布される。

【００４２】真空槽１０の容器部１１は接地電位に接続
され、蓋部１２はＲＦ電源に接続されており、真空排気
しながら容器部１１と蓋部１２との間にＲＦ電圧を印加
すると真空槽１０内にクリーニング用ガスのプラズマが
発生する。

【００４３】そのプラズマによって、クリーニング用ガ
スと真空槽１０の壁面に付着した配線材料とが化学反応
し、配線材料がガス化し、排気口１４から真空槽１０外
に排出される。

【００４４】所定時間のクリーニング後、ＲＦ電圧の印
加を終了させ、プラズマの発生を停止させると共に、バ
ルブ２２₃を閉じ、真空槽１０内へのクリーニング用ガ
スの導入を停止させる。

【００４５】このようなクリーニングを行うとシリコン
ゴム９の表面が劣化するため、真空排気した状態でバル
ブ２２₁を開け、マスフローコントローラ２３₁によって
流量制御しながら真空槽１０内に六フッ化タングステン
ガス(酸化性ガス)を導入し、所定時間(１０分〜２０分
間程度)その状態を維持する。

【００４６】その後、バルブ２２₁を閉じ、六フッ化タ
ングステンガスの導入を停止し、真空槽１０が所定圧力
まで真空排気された後、上述のように基板７を真空槽１
０内に搬入し、基板ステージ３上に載置する。

【００４７】このとき、予めヒータ５に通電し、基板ス
テージ３を予備加熱しておく。基板７が２２０℃に加熱
されたところで、バルブ２２₁、２２₂を開け、減圧雰囲
気下で基板７表面に六フッ化タングステンガスとモノシ
ランガスとを、それぞれ３０sccm、２１sccmの流量で散
布する。

【００４８】この基板７は８インチのシリコンウェハー
であり、その表面には絶縁性物質であるＳｉＯ₂薄膜が
形成されている。ＳｉＯ₂薄膜には、底面に導電性物質
であるシリコン単結晶が露出した溝や孔が形成されてお
り、シリコンゴム９から化合物ガスが放出された状態で
ＣＶＤ反応が行われると、シリコン単結晶の表面に、タ
ングステンから成る配線材料が選択的に析出する。

【００４９】なお、基板７表面で選択ＣＶＤ反応が行わ
れている間、容器部１１の底壁に設けられたパージガス
導入口４５から基板７裏面に向けてパージガスが噴出さ
れており、基板ステージ３の周囲に配置された防着板１
９によって、基板７と基板ステージ３の周囲では、その
バージガス濃度が高くなるように構成されている。従っ
て、基板７表面では配線材料が選択的に析出するが、基
板７裏面や基板ステージ３の表面や周囲では配線材料は
析出しない。

【００５０】選択ＣＶＤ反応を所定時間行った後、基板
７を真空槽１０外に搬出し、ダストカウンターを用いて
ＳｉＯ₂薄膜表面に発生した析出物の数をカウントし
た。シリコンゴム９を用いない場合には、析出物の個数
は数万個程度になるのに対し、シリコンゴム９を用いた
場合には、放出された吸着性の化合物ガスにより選択性
の破れは抑制されており、析出物の個数は数十個であっ
た。なお、このときのタングステン薄膜の成長速度は３
００nm／minであった。

【００５１】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図２を参照し、符号２'は、本発明の一例のＣＶＤ装置
であり、上述のＣＶＤ装置２と同じ部材には同じ符号を
付して説明を省略する。

【００５２】このＣＶＤ装置２'では、前述した上部に
シリコンゴム９を有する防着板１９に替え、基板ホルダ
ー３の周囲には薄型の防着板４６が配置されており、更
に、真空槽１０の容器部１１には、金属材料で構成され
たゴム用容器８が設けられている。

【００５３】ゴム用容器８の内部と真空槽１０の内部と
の間には、ゲートバルブ１５が設けられており、そのゲ
ートバルブ１５を閉じた場合には、ゴム用容器８に設け
られた大気側の扉(図示せず)を開け、ゴム用容器８内に
シリコンゴム９を配置する場合でも、真空槽１０内の真
空雰囲気は維持されるように構成されている。

【００５４】このシリコンゴム９は、体積２０ｃｍ³の
ブロック状のものであり、前述の扉を閉じた後、ゲート
バルブ１５を開けると、シリコンゴム９が真空槽１０内
に露出されるので、配線材料の原料ガスを導入して選択
ＣＶＤ反応を行う際には、シリコンゴムから化合物ガス
を放出させることができる。

【００５５】このような構成のＣＶＤ装置２'では、ク
リーニング用ガスを導入して真空槽１０の壁面をクリー
ニングする際、ゲートバルブ１５を閉じるとシリコンゴ
ム９がクリーニング用ガスに曝されないようにできる。

【００５６】他方、クリーニングが終了した場合にはゲ
ートバルブ１５を開け、真空槽１０内を所定圧力まで真
空排気し後、酸化性ガスを導入するとシリコンゴムを活
性化させることができる。

【００５７】このＣＶＤ装置２'では、ゴム用容器８は
１個設けられているが、２個設け、シリコンゴム８の交
換作業が効率よく行われるようにしてもよい。また、前
述したＣＶＤ装置２、２'のシリコンゴム９の体積は一
例であるが、少なすぎると効果が少なく、多すぎると導
電性物質表面へのタングステンの析出が阻害されてしま
う。他方、選択性の破れを防止しながら配線材料を析出
させるために必要な量は、シリコンゴムの配置場所や温
度、原料ガスとの接触状態等によって変わってくるが、
ＣＶＤ装置２、２'では、適切な量は１００ｃｍ³を超え
ないことが確認されている。

【００５８】なお、上述のシリコンゴム９は珪素を含む
高分子物質の一例であり、珪素を含み、選択ＣＶＤ反応
が行われる際に吸着性の化合物ガスを放出し、選択性の
破れが防止できる珪素を含む高分子物質であれば本発明
に含まれる。そのような高分子物質は普通は固体であ
り、本発明も典型的な例として固体のゴム(シリコンゴ
ム)が用いられているが、液状であっても本発明に含ま
れる。

【００５９】また、シリコンゴム８を活性化させる際に
用いた六フッ化タングステンガスは酸化性ガスの一例で
あり、本発明はそれに限定されるものではない。

【００６０】以上説明した実施形態は、タングステン薄
膜を配線材料に用いる場合であったが、本発明はタング
ステン薄膜を選択的に成長させる場合に限定されるもの
ではない。例えばモリブデン薄膜等、導電性物質表面に
選択的に配線材料を析出させる選択ＣＶＤ方法について
広く適用することができる。

【００６１】タングステン薄膜を成長させる際の原料ガ
スに用いたモノシランガスは還元性ガスの一例であり、
それに限定されるものではない。例えば水素ガス、その
他のガスを用いることができる。必ずしも還元性ガスを
用いる必要はなく、溝や穴の底部に露出するシリコンを
還元剤に用いることもできる。

【００６２】また、溝や穴を形成する絶縁性物質の薄膜
はＳｉＯ₂薄膜に限定されるものではなく、ＳＯＧ膜、
窒化膜等、種々の絶縁性物質の薄膜が含まれる。

【００６３】

【発明の効果】選択性の破れが少なくなるので、エッチ
バック工程が不要になる。珪素を含む高分子物質がクリ
ーニング用ガスに曝されないようにできるので、劣化せ
ず、長期間使用できる。

【００６４】劣化した場合でも、真空槽内に酸化性ガス
を導入することにより、真空槽内の真空雰囲気を維持し
たまま活性化させられる。従って、ＣＶＤ装置の稼働率
が低下することはない。

【００６５】酸化性ガスとして原料ガスを用れば、特別
な配管設備は不要となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＣＶＤ装置の一例

【図２】本発明のＣＶＤ装置の他の例

【図３】 (ａ)、(ｂ)：選択性の破れを説明するための
図

【符号の説明】

２、２'……ＣＶＤ装置７……基板９……シリ
コンゴム(珪素を含む高分子物質) １０……真空槽

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空槽を有し、導電性物質と絶縁性物質
とが表面に露出した基板を前記真空槽内に配置し、前記
基板を所定温度に加熱した状態で前記真空槽内に原料ガ
スを導入すると、前記導電性物質表面に選択的に配線材
料を析出させられるように構成されたＣＶＤ装置であっ
て、前記真空槽内には、珪素を含む高分子物質が配置され、
前記配線材料を析出させる際に、前記珪素を含む高分子
物質が前記真空槽内に露出するように構成されたことを
特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】前記珪素を含む高分子物質は前記真空槽
内から隔離できるように構成されたことを特徴とする請
求項１記載のＣＶＤ装置。
【請求項３】前記珪素を含む高分子物質はシリコンゴ
ムであることを特徴とする請求項１又は請求項２のいず
れか１項記載のＣＶＤ装置。
【請求項４】ＣＶＤ装置の真空槽内に、導電性物質と
絶縁性物質とが表面に露出した基板を配置し、前記基板
を所定温度に加熱して前記真空槽内に原料ガスを導入
し、前記導電性物質表面に選択的に配線材料を析出させ
る選択ＣＶＤ方法であって、前記真空槽内に珪素を含む高分子物質を配置し、前記配
線材料を析出させる際に、前記真空槽内に前記珪素を含
む高分子物質を露出させることを特徴とする選択ＣＶＤ
方法。
【請求項５】前記原料ガスを導入する前に、前記真空
槽内に酸化性ガスを導入し、前記珪素を含む高分子物質
が露出した状態で所定時間放置することを特徴とする請
求項４記載の選択ＣＶＤ方法。
【請求項６】前記酸化性ガスは六フッ化タングステン
ガスであることを特徴とする請求項５記載の選択ＣＶＤ
方法。
【請求項７】前記珪素を含む高分子物質にシリコンゴ
ムを用いることを特徴とする請求項４乃至請求項６のい
ずれか１項記載の選択ＣＶＤ方法。