JPWO2010074053A1 - 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【要約書】エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、該圧延銅箔又は電解銅箔は、エッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層を備え、該ニッケル合金層は亜鉛を含有することを特徴とする電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。銅張り積層板の銅箔をエッチングにより回路形成を行うに際し、エッチングによるダレを防止し、目的とする回路幅の均一な回路を形成でき、エッチングによる回路形成の時間をなるべく短縮すると共に、ニッケル合金層の厚さを極力薄くすること、さらに熱を受けた場合に酸化を抑制し、通称「ヤケ」と言われる変色を防止すると共に、かつパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止することを課題とする。
Description
本発明は、エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法に関する。
電子・電気機器に印刷回路用銅箔が広く使用されているが、この印刷回路用銅箔は、一般に合成樹脂ボードやフイルム等の基材に接着剤を介して、あるいは接着剤を用いずに高温高圧下で接着して銅張り積層板を製造し、その後、目的とする回路を形成するためにレジスト塗布及び露光工程により回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を経、またさらに各種の素子が半田付けされてエレクトロデバイス用の印刷回路が形成されている。
このような印刷回路に使用する銅箔は、その製造方法の種類の違いにより電解銅箔及び圧延銅箔に大別されるが、いずれも印刷回路板の種類や品質要求に応じて使用されている。
これらの銅箔は、樹脂基材と接着される面と非接着面があり、それぞれ特殊な表面処理（トリート処理）が施されている。また、多層プリント配線板の内層に使用する銅箔のように両面に樹脂との接着機能をもつようにされる（ダブルトリート処理）場合もある。
これらの銅箔は、樹脂基材と接着される面と非接着面があり、それぞれ特殊な表面処理（トリート処理）が施されている。また、多層プリント配線板の内層に使用する銅箔のように両面に樹脂との接着機能をもつようにされる（ダブルトリート処理）場合もある。
電解銅箔は一般に回転ドラムに銅を電着させ、それを連続的に剥がして銅箔を製造しているが、この製造時点で回転ドラムに接触する面は光沢面で、その反対側の面は多数の凹凸を有している（粗面）。しかし、このような粗面でも樹脂基板との接着性を一層向上させるために、０．２〜３μｍ程度の銅粒子を付着させるのが一般的である。
さらに、このような凹凸を増強した上に銅粒子の脱落を防止するために薄いめっき層を形成する場合もある。これらの一連の工程を粗化処理と呼んでいる。このような粗化処理は、電解銅箔に限らず圧延銅箔でも要求されることであり、同様な粗化処理が圧延銅箔においても実施されている。
さらに、このような凹凸を増強した上に銅粒子の脱落を防止するために薄いめっき層を形成する場合もある。これらの一連の工程を粗化処理と呼んでいる。このような粗化処理は、電解銅箔に限らず圧延銅箔でも要求されることであり、同様な粗化処理が圧延銅箔においても実施されている。
以上のような銅箔を使用してホットプレス法や連続法により銅張り積層板が製造される。この積層板は、例えばホットプレス法を例にとると、エポキシ樹脂の合成、紙基材へのフェノール樹脂の含浸、乾燥を行ってプリプレグを製造し、さらにこのプリプレグと銅箔を組合せプレス機により熱圧成形を行う等の工程を経て製造されている。これ以外にも、銅箔にポリイミド前駆体溶液を乾燥及び固化させて、前記銅箔上にポリイミド樹脂層を形成する方法もある。
このようにして製造された銅張り積層板は、目的とする回路を形成するためにレジスト塗布及び露光工程により回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を経るが、エッチングして回路を形成する際に、その回路が意図した通りの幅にならないという問題がある。
それは、エッチング後の銅箔回路の銅部分が、銅箔の表面から下に向かって、すなわち樹脂層に向かって、末広がりにエッチングされる（ダレを発生する）ことである。大きな「ダレ」が発生した場合には、樹脂基板近傍で銅回路が短絡し、不良品となる場合もある。
それは、エッチング後の銅箔回路の銅部分が、銅箔の表面から下に向かって、すなわち樹脂層に向かって、末広がりにエッチングされる（ダレを発生する）ことである。大きな「ダレ」が発生した場合には、樹脂基板近傍で銅回路が短絡し、不良品となる場合もある。
このような「ダレ」は極力小さくすることが必要であるが、このような末広がりのエッチング不良を防止するために、エッチング時間を延長して、エッチングをより多くして、この「ダレ」を減少させることも考えた。
しかし、この場合は、すでに所定の幅寸法に至っている箇所があると、そこがさらにエッチングされることになるので、その銅箔部分の回路幅がそれだけ狭くなり、回路設計上目的とする均一な線幅（回路幅）が得られず、特にその部分（細線化された部分）で発熱し、場合によっては断線するという問題が発生する。
電子回路のファインパターン化がさらに進行する中で、現在もなお、このようなエッチング不良による問題がより強く現れ、回路形成上で、大きな問題となっている。
しかし、この場合は、すでに所定の幅寸法に至っている箇所があると、そこがさらにエッチングされることになるので、その銅箔部分の回路幅がそれだけ狭くなり、回路設計上目的とする均一な線幅（回路幅）が得られず、特にその部分（細線化された部分）で発熱し、場合によっては断線するという問題が発生する。
電子回路のファインパターン化がさらに進行する中で、現在もなお、このようなエッチング不良による問題がより強く現れ、回路形成上で、大きな問題となっている。
本発明者らは、これらを改善するために、エッチング面側の銅箔に銅よりもエッチング速度が遅い金属又は合金層を形成した銅箔を提案した（特許文献１参照）。この場合の金属又は合金としては、ニッケル、コバルト及びこれらの合金である。
回路設計に際しては、レジスト塗布側、すなわち銅箔の表面からエッチング液が浸透するので、レジスト直下にエッチング速度が遅い金属又は合金層があれば、その近傍の銅箔部分のエッチングが抑制され、他の銅箔部分のエッチングが進行するので、「ダレ」が減少し、より均一な幅の回路が形成できるという効果をもたらした。この結果は、従来技術から見ると、大きな進歩があった。
回路設計に際しては、レジスト塗布側、すなわち銅箔の表面からエッチング液が浸透するので、レジスト直下にエッチング速度が遅い金属又は合金層があれば、その近傍の銅箔部分のエッチングが抑制され、他の銅箔部分のエッチングが進行するので、「ダレ」が減少し、より均一な幅の回路が形成できるという効果をもたらした。この結果は、従来技術から見ると、大きな進歩があった。
ここで、さらに改良を進める段階で、問題がいくつか浮上した。それは回路を形成した後、レジンの除去、さらには「ダレ」防止用に形成したエッチング速度が遅い金属又は合金層をソフトエッチングにより除去する必要があること、さらには前記エッチング速度が遅い金属又は合金層（ニッケル又はニッケル合金層）付き銅箔を、銅張積層板とし電子回路を形成する工程で、樹脂の貼付けなどの工程で銅箔を、高温処理する必要があることである。
前者については、エッチング除去の時間をなるべく短縮し、きれいに除去するためには、ニッケル又はニッケル合金層の厚さを極力薄くすることが必要である。また、後者の場合には、熱を受けるために、ニッケル又はニッケル合金層が酸化され（変色するので、通称「ヤケ」と言われている。）、レジストの塗布性（均一性、密着性）の不良やエッチング時の界面酸化物の過剰エッチングなどにより、パターンエッチングでのエッチング性、ショート、回路幅の制御性などの不良が発生するという問題があるので、さらに改良を進めるか又は他の材料に置換することが要求されている。
ここで、銅箔が熱を受ける場合に、耐熱酸化性を抑制するために亜鉛又は亜鉛合金等を、印刷回路用銅箔の光沢面に形成するという発明がいくつか見られる。例えば、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７である。また、エッチングする側ではなく、樹脂と接着する側に、ニッケル、ニッケル合金を被覆する方法の提案もある。
しかし、これらは、エッチングによる銅箔回路設計の際に、銅箔のエッチング部分が、銅箔の表面から下に向かって、末広がりにエッチングされる（ダレを発生する）ということを防止又は抑制しようとして、提案されたものではないので、上記の問題を解決することはできなかった。
特許文献１：特開２００２−１７６２４２号公報
特許文献２：特開平５−１４０７６５号公報
特許文献３：特開平６−８５４１６号公報
特許文献４：特開平６−８５４１７号公報
特許文献５：特開平６−２８００４７号公報
特許文献６：特開平７−７４４６４号公報
特許文献７：特開平７−２７８８８３号公報
特許文献８：特開２００５−１５８６１号公報
特許文献９：特開２００６−２６１２７０号公報
特許文献２：特開平５−１４０７６５号公報
特許文献３：特開平６−８５４１６号公報
特許文献４：特開平６−８５４１７号公報
特許文献５：特開平６−２８００４７号公報
特許文献６：特開平７−７４４６４号公報
特許文献７：特開平７−２７８８８３号公報
特許文献８：特開２００５−１５８６１号公報
特許文献９：特開２００６−２６１２７０号公報
本発明は、銅張り積層板の銅箔をエッチングにより回路形成を行うに際し、エッチングによるダレを防止し、目的とする回路幅の均一な回路を形成でき、エッチングによる回路形成の時間をなるべく短縮すると共に、ニッケル合金層の厚さを極力薄くし、ソフトエッチングにより除去を容易とすることができ、さらにエッチング後の被覆層の溶け残りを防止すること、さらに熱を受けた場合に酸化を抑制し、通称「ヤケ」と言われる変色を防止すると共に、かつパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できる電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法を得ることを課題とする。
本発明者らは、圧延銅箔又は電解銅箔のエッチング面に、ニッケル合金の層を形成して、銅箔の厚み方向のエッチング速度を調節し、ダレのない回路幅の均一な回路を形成すると共に、熱を受けた場合に酸化を防止して「ヤケ」と言われる変色を防止でき、その他電子回路を設計する際の、いくつかの問題を同時に解決できるとの知見を得た。
本発明は、この知見に基づいて、
１ エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、該圧延銅箔又は電解銅箔は、エッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層を備え、該ニッケル合金層は亜鉛又は亜鉛酸化物を含有することを特徴とする電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
１ エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、該圧延銅箔又は電解銅箔は、エッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層を備え、該ニッケル合金層は亜鉛又は亜鉛酸化物を含有することを特徴とする電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
また、本発明は、
２ 前記銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層は、該ニッケル合金層中のニッケル比率が５０ｗｔ％を超えることを特徴とする上記１記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
３ 前記ニッケル合金層に含まれる亜鉛又は亜鉛酸化物として存在する亜鉛含有量が、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２であり、ニッケル量を超えないことを特徴とする上記１又は２に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
２ 前記銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層は、該ニッケル合金層中のニッケル比率が５０ｗｔ％を超えることを特徴とする上記１記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
３ 前記ニッケル合金層に含まれる亜鉛又は亜鉛酸化物として存在する亜鉛含有量が、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２であり、ニッケル量を超えないことを特徴とする上記１又は２に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
また、本発明は、
４ 前記ニッケル合金層に含まれるニッケル量が、１００μｇ／ｄｍ２〜３０００μｇ／ｄｍ２であることを特徴とする上記１〜３のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
５ 前記ニッケル合金層に、リン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルトの１種又は２種以上を含有することを特徴とする上記１〜４のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
６ 前記ニッケル合金層上に、さらにクロム層若しくはクロメート層及び又はシラン処理層を備えていることを特徴とする上記１〜５記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
４ 前記ニッケル合金層に含まれるニッケル量が、１００μｇ／ｄｍ２〜３０００μｇ／ｄｍ２であることを特徴とする上記１〜３のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
５ 前記ニッケル合金層に、リン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルトの１種又は２種以上を含有することを特徴とする上記１〜４のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
６ 前記ニッケル合金層上に、さらにクロム層若しくはクロメート層及び又はシラン処理層を備えていることを特徴とする上記１〜５記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
また、本発明は、
７ 前記クロム層若しくはクロメート層を備える場合において、クロム量が金属クロム換算で、１００μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする上記６に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
８ 前記シラン処理層を備える場合において、シリコン単体換算で、２０μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする上記６〜７に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
７ 前記クロム層若しくはクロメート層を備える場合において、クロム量が金属クロム換算で、１００μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする上記６に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔
８ 前記シラン処理層を備える場合において、シリコン単体換算で、２０μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする上記６〜７に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔、を提供する。
また、本発明は、
９ 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、銅箔のエッチング面側に、亜鉛又は亜鉛酸化物を含有するニッケル合金層を形成した後、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。
９ 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、銅箔のエッチング面側に、亜鉛又は亜鉛酸化物を含有するニッケル合金層を形成した後、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。
さらに、本発明は、
１０ 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、上記１〜８の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。
１０ 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、上記１〜８の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。
本発明は、銅張り積層板の銅箔をエッチングにより回路形成を行うに際し、目的とする回路幅のより均一な回路を形成できるという効果を有する。また、エッチングによるダレの発生を防止し、エッチングによる回路形成の時間を短縮することが可能であり、またニッケル又はニッケル合金層の厚さを極力薄くすること、さらに熱を受けた場合に酸化を抑制し、通称「ヤケ」と言われる変色を防止することができるという効果を有する。
これによってパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できる電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を提供することができ、優れた電子回路の形成方法を提供することができるという効果を有する。
これによってパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できる電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を提供することができ、優れた電子回路の形成方法を提供することができるという効果を有する。
本発明のエッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔は、圧延銅箔又は電解銅箔のエッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの遅い金属又は合金であるニッケル合金層を形成するものであり、このニッケル合金層により、エッチングによるダレの発生を抑制するものである。また、このニッケル合金層は、亜鉛若しくは亜鉛酸化物を含有し、ニッケル合金層に耐熱層としての機能を、同時に持たせたものである。
この圧延銅箔又は電解銅箔を樹脂と接合して銅張り積層板とする。この銅箔は、電解銅箔及び圧延銅箔のいずれにも適用できる。また、粗化面（Ｍ面）又は光沢面（Ｓ面）にも同様に適用できる。通常は、光沢面側を使用する。圧延銅箔の中には高純度銅箔又は強度を向上させた合金銅箔も存在するが、本件発明はこれらの銅箔の全てを包含する。
この圧延銅箔又は電解銅箔を樹脂と接合して銅張り積層板とする。この銅箔は、電解銅箔及び圧延銅箔のいずれにも適用できる。また、粗化面（Ｍ面）又は光沢面（Ｓ面）にも同様に適用できる。通常は、光沢面側を使用する。圧延銅箔の中には高純度銅箔又は強度を向上させた合金銅箔も存在するが、本件発明はこれらの銅箔の全てを包含する。
エッチングを抑制するニッケル又はニッケル合金は、銅箔上のレジスト部分に近い位置にあり、レジスト側の銅箔のエッチング速度は、このニッケル合金の層により抑制され、逆にニッケル合金の層から遠ざかるに従い、銅のエッチングは通常の速度で進行する。これによって、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かってほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成される。
このように、回路のエッチングに際して、レジスト塗布側、すなわち銅箔の表面からエッチング液が浸透するので、本願発明においては、ニッケル合金層に合金成分として亜鉛及び亜鉛の酸化物が含有されているが、この亜鉛又は亜鉛の酸化物は、ニッケルと同等の機能を持つものではない。むしろ、亜鉛又は亜鉛酸化物は、回路を設計する場合に、エッチングされ易いので、従来の技術常識から見ると、上記のような「ダレ」を増加させるように思われる。
しかし、予想外に、銅箔の上に形成したエッチングレートの遅い金属であるニッケル層の中に、亜鉛又は亜鉛酸化物を含有させ、ニッケル合金層とすることにより、ヤケを防止することができる上に、目的とする回路幅の均一な回路を形成できるという確証を得た。これは、極めて大きな効果を有するものである。
しかし、予想外に、銅箔の上に形成したエッチングレートの遅い金属であるニッケル層の中に、亜鉛又は亜鉛酸化物を含有させ、ニッケル合金層とすることにより、ヤケを防止することができる上に、目的とする回路幅の均一な回路を形成できるという確証を得た。これは、極めて大きな効果を有するものである。
銅張り積層板は、電子回路を形成する樹脂の貼り付けなどの工程で、高温処理することが必要となるが、この場合に、ニッケル金属単独層の場合は、これが酸化され、レジストの塗布性（均一性、密着性）の不良を発生し易い。また、エッチング時に、加熱時に形成される界面酸化物は、エッチングのばらつきを生じ易く、ショート又は回路幅の不均一性をもたらす原因となる。
特許文献９には、酸素濃度を制御する銅張り積層板の製造工程が提案されており、今後ますます高温処理に対する耐酸化性が求められると考えられる。
ここで、本願発明のニッケル合金層に含有される亜鉛若しくは亜鉛酸化物は、耐熱酸化性を有する材料なので、これを付加的に合金元素として含有させただけで、耐熱酸化、変色防止を著しく高めるという効果を与えるものである。
ここで、本願発明のニッケル合金層に含有される亜鉛若しくは亜鉛酸化物は、耐熱酸化性を有する材料なので、これを付加的に合金元素として含有させただけで、耐熱酸化、変色防止を著しく高めるという効果を与えるものである。
ニッケル金属の単独層を厚く形成することにより、熱酸化による影響を抑制することが可能であるが、ニッケルを厚く形成すること自体が問題である。これはエッチング後にニッケルを除去する必要があるので、ニッケルを厚く形成した場合には、この除去工程に時間がかかることを意味する。
ところが、ニッケルに亜鉛若しくは亜鉛酸化物を含有させることにより、耐熱性を著しく高めることができるので、ニッケル合金層の厚さを軽減することができるという、さらに大きな効果を得ることができる。
これによって、ソフトエッチングによるニッケル合金層の除去が、はるかに容易になるという効果が得られた。
ところが、ニッケルに亜鉛若しくは亜鉛酸化物を含有させることにより、耐熱性を著しく高めることができるので、ニッケル合金層の厚さを軽減することができるという、さらに大きな効果を得ることができる。
これによって、ソフトエッチングによるニッケル合金層の除去が、はるかに容易になるという効果が得られた。
このように、ニッケル又はニッケル合金は、銅よりもエッチングレートが低い金属層として特に効果があるが、一般に銅張積層板に電子回路パターンを形成するために用いるエッチング液（塩化第二銅水溶液、塩化第二鉄水溶液など）に対しては、ニッケルを主成分とする合金であればエッチング速度はニッケルと同程度であるか、あるいは大きくても銅よりも小さいため、エッチングファクターを改善する効果を有する。
上記の通り、亜鉛はエッチングされ易い金属なので、量的には少なくすることが必要である。本願発明においては、あくまでも回路のエッチング幅を均一にし、「ダレ」を発生させないようにすることが、主要な目的なので、亜鉛等の、腐食され易い金属の量が多いことは避けなければならない。この意味から、ニッケル合金層中では、ニッケルが主成分であることが必要である。
このように、電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔よりもエッチングレートの遅い合金としてのニッケル合金に含まれる合金成分は通常知られている合金であれば何れも使用できる。例えば、リン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルトから選ばれた少なくとも一種以上との合金は、エッチング速度が銅より遅く、エッチングファクターを改善する効果がある。本発明の合金層は、ニッケルを主成分とするニッケル亜鉛合金であるが、上記の通り、リン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルト金属は、ニッケルと類似の効果を有するので、ニッケルの一部をこれらの金属に替えることが可能である。
その量は、リンとホウ素については、これらの１成分又は２成分の合計量をニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の５％以下を、必要に応じて含有させることができる。
また、モリブデン、タングステン又はコバルトの１成分又はこれらの２成分又は３成分の合計量をニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下を、必要に応じて含有させることができる。
しかし、本発明の合金層は、あくまでもニッケルを中心成分とするニッケル亜鉛合金であり、代替可能なリン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルト金属を必要以上（多量）に添加するのは、合金層の調整と上記エッチングファクターの改善効果を得る点からみて適当ではない。したがって、上記の範囲とする。
その量は、リンとホウ素については、これらの１成分又は２成分の合計量をニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の５％以下を、必要に応じて含有させることができる。
また、モリブデン、タングステン又はコバルトの１成分又はこれらの２成分又は３成分の合計量をニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下を、必要に応じて含有させることができる。
しかし、本発明の合金層は、あくまでもニッケルを中心成分とするニッケル亜鉛合金であり、代替可能なリン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルト金属を必要以上（多量）に添加するのは、合金層の調整と上記エッチングファクターの改善効果を得る点からみて適当ではない。したがって、上記の範囲とする。
この場合、ニッケル合金に含まれる亜鉛は、金属亜鉛だけでなく、水酸化亜鉛又は酸化亜鉛状態のもの含まれる。前記ニッケル合金層上には、さらにクロム層若しくはクロメート層及び又はシラン処理層を形成することができる。この場合は、パターンエッチング液に対するエッチング速度の相異が生ずる可能性はあるが、この量を適宜選択することにより、同様にニッケル合金の表面の酸化を押さえることができるので、安定した回路幅のパターンの形成が可能となる。
本発明の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔における、前記ニッケル合金層に含まれる合計の亜鉛含有量は、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２であり、ニッケルの合計量を超えないようにすることが望ましい。
３０μｇ／ｄｍ２未満では、耐酸化性（焼け性改善）に効果がない。また、１０００μｇ／ｄｍ２を超えると、効果が飽和すると共に、ニッケルの効果を減殺させてしまうので、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２とすることが好ましい。
３０μｇ／ｄｍ２未満では、耐酸化性（焼け性改善）に効果がない。また、１０００μｇ／ｄｍ２を超えると、効果が飽和すると共に、ニッケルの効果を減殺させてしまうので、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２とすることが好ましい。
また、電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔における、前記ニッケル合金層に含まれるニッケル量は、１００μｇ／ｄｍ２〜３０００μｇ／ｄｍ２とすることが望ましい。これは回路エッチングの際にダレを生ずるのを抑制し、均一な回路のエッチングに必要な量である。１００μｇ／ｄｍ２未満では、その効果がない。好ましくは２００μｇ／ｄｍ２以上である。また、上限は３０００μｇ／ｄｍ２とする。多すぎる場合には、ソフトエッチングの際に、ニッケル又はニッケル合金層除去の工程の負荷が大きくなり、場合によっては処理残りが発生し、銅回路の設計上支障となる。したがって、上記の範囲とすることが必要である。
また、本発明の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、前記クロム層若しくはクロメート層を設ける場合には、クロム量を金属クロム換算で、１００μｇ／ｄｍ２以下とする。また、前記シラン処理層を形成する場合には、シリコン単体換算で、２０μｇ／ｄｍ２以下であることが望ましい。これは、パターンエッチング液に対するエッチング速度の相異が生ずるのを抑制するためである。
しかしながら、適度な量は、ニッケル又はニッケル合金層の、熱酸化を防止するのに有効である。
しかしながら、適度な量は、ニッケル又はニッケル合金層の、熱酸化を防止するのに有効である。
また、本発明は、圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、銅箔のエッチング面側に銅よりもエッチングレートの遅い金属又は合金であるニッケル合金層を形成した後、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供することができる。
エッチング液は、いずれも使用可能であるが、特に塩化第二鉄水溶液が有効である。これは、微細回路はエッチングに時間が掛かるが、塩化第二鉄水溶液の方が塩化第二銅水溶液よりもエッチング速度が速いという理由による。
エッチング液は、いずれも使用可能であるが、特に塩化第二鉄水溶液が有効である。これは、微細回路はエッチングに時間が掛かるが、塩化第二鉄水溶液の方が塩化第二銅水溶液よりもエッチング速度が速いという理由による。
さらに、本発明は、圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、上記１〜９の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅の不必要部分を除去して、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法、を提供するものである。この方法は、上記の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔をいずれも使用することができる。
また、圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、上記１〜９の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅の不必要部分を除去した後、レジスト除去を行い、さらにソフトエッチングにより、残部のニッケル層を除去することも可能である。
下記に好適なめっき条件の例を示す。
（ニッケル−亜鉛合金めっき、その１）
この場合は、基本的に金属、合金状態のめっき膜が得られる。
Ｎｉ：５〜４０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５〜２５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜３．７
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：２〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
（ニッケル−亜鉛合金めっき、その１）
この場合は、基本的に金属、合金状態のめっき膜が得られる。
Ｎｉ：５〜４０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５〜２５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜３．７
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：２〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
（ニッケル−亜鉛合金めっき、その２）
この場合は、Ｚｎは０価の金属状態と２価の酸化状態（酸化物又は水酸化物）からなり、このニッケル−亜鉛めっきにおける、総亜鉛中の０価の金属状態の亜鉛の比率は５０％以下である。また、めっき後１〜２０秒程度、浴中に保持することで、Ｚｎの化学状態（金属亜鉛／酸化亜鉛比）を制御できる。
Ｎｉ：１０〜４０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５〜７ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４：２〜２０ｇ／Ｌ
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１０〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
この場合は、Ｚｎは０価の金属状態と２価の酸化状態（酸化物又は水酸化物）からなり、このニッケル−亜鉛めっきにおける、総亜鉛中の０価の金属状態の亜鉛の比率は５０％以下である。また、めっき後１〜２０秒程度、浴中に保持することで、Ｚｎの化学状態（金属亜鉛／酸化亜鉛比）を制御できる。
Ｎｉ：１０〜４０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５〜７ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４：２〜２０ｇ／Ｌ
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１０〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
（ニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき）
Ｎｉ：１〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜２０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜３．５
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
Ｎｉ：１〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜２０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜３．５
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（ニッケル・燐・亜鉛合金めっき）
Ｎｉ：５０〜１００ｇ／Ｌ
Ｐ：１〜２５ｇ／Ｌ
ＨＢＯ３：０〜３０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：３〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：０．５〜２．５
温度：常温〜９５°Ｃ
電流密度Ｄｋ：５〜４０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
Ｎｉ：５０〜１００ｇ／Ｌ
Ｐ：１〜２５ｇ／Ｌ
ＨＢＯ３：０〜３０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：３〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：０．５〜２．５
温度：常温〜９５°Ｃ
電流密度Ｄｋ：５〜４０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（ニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき）
Ｎｉ：５〜２５ｇ／Ｌ
Ｍｏ：０．０１〜５ｇ／Ｌ
Ｎａ２Ｐ２Ｏ７：１６０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：８〜９
温度：常温〜４０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
Ｎｉ：５〜２５ｇ／Ｌ
Ｍｏ：０．０１〜５ｇ／Ｌ
Ｎａ２Ｐ２Ｏ７：１６０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：８〜９
温度：常温〜４０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（ニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき）
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｗ：２０〜５０ｇ／Ｌ
クエン酸：６０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：８〜９
温度：常温〜５０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：０．１〜５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｗ：２０〜５０ｇ／Ｌ
クエン酸：６０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：８〜９
温度：常温〜５０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：０．１〜５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（ニッケル・ホウ素・亜鉛合金めっき）
硫酸ニッケル：２５〜３５ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５ｇ／Ｌ
ジメチルアミンボラン：２〜３ｇ／Ｌ
グリコール酸：２５〜３５ｇ／Ｌ
酢酸：１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：６〜７
温度：５０℃〜７０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
硫酸ニッケル：２５〜３５ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０．５ｇ／Ｌ
ジメチルアミンボラン：２〜３ｇ／Ｌ
グリコール酸：２５〜３５ｇ／Ｌ
酢酸：１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：６〜７
温度：５０℃〜７０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（ニッケルめっき）
Ｎｉ：１０〜４０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜３．５
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：２〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
Ｎｉ：１０〜４０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜３．５
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：２〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜４秒
（亜鉛めっき）
Ｚｎ：１〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜３．７
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
Ｚｎ：１〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜３．７
温度：常温〜６０°Ｃ
電流密度Ｄｋ：１〜１５Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
（クロムめっきの条件）
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）
Ｃｒ：４０〜３００ｇ／リットル
Ｈ２ＳＯ４ ：０．５〜１０．０ｇ／リットル
浴温：４０〜６０°Ｃ
電流密度Ｄk ：０．０１〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１００秒
アノード：Pt-Ti 板、ステンレス鋼板、鉛板等
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）
Ｃｒ：４０〜３００ｇ／リットル
Ｈ２ＳＯ４ ：０．５〜１０．０ｇ／リットル
浴温：４０〜６０°Ｃ
電流密度Ｄk ：０．０１〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１００秒
アノード：Pt-Ti 板、ステンレス鋼板、鉛板等
（クロメート処理の条件）
（ａ）浸漬クロメート処理の例
ＣｒＯ３又はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：１〜１２ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＯＨ）２又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：０（０．０５）〜１０ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＳＯ４：０（０．０５）〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜１２．５
温度：２０〜６０°Ｃ
時間：０．５〜２０秒
（ｂ）電解クロメート処理の例
ＣｒＯ３又はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：１〜１２ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＯＨ）２又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：０（０．０５）〜１０ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＳＯ４：０（０．０５）〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜１２．５
温度：２０〜６０°Ｃ
電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２
時間：０．５〜２０秒
（ａ）浸漬クロメート処理の例
ＣｒＯ３又はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：１〜１２ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＯＨ）２又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：０（０．０５）〜１０ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＳＯ４：０（０．０５）〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜１２．５
温度：２０〜６０°Ｃ
時間：０．５〜２０秒
（ｂ）電解クロメート処理の例
ＣｒＯ３又はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：１〜１２ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＯＨ）２又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：０（０．０５）〜１０ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＳＯ４：０（０．０５）〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．５〜１２．５
温度：２０〜６０°Ｃ
電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２
時間：０．５〜２０秒
（シラン処理の条件）
下記のような色々な系列のシランから選択。
濃度は０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％
種類：オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シラン
アルコールに溶解したシランを所定の濃度まで水で希釈し、銅箔表面へ塗布
するもの。
下記のような色々な系列のシランから選択。
濃度は０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％
種類：オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シラン
アルコールに溶解したシランを所定の濃度まで水で希釈し、銅箔表面へ塗布
するもの。
（ニッケル、亜鉛の付着量分析方法）
ニッケル、亜鉛の処理面を分析するため、反対面をＦＲ−４樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度３０％の硝酸にて表面処理被膜が溶けるまで溶解させ、ビーカー中の溶解液を１０倍に稀釈し、原子吸光分析によりニッケルの定量分析を行う。
ニッケル、亜鉛の処理面を分析するため、反対面をＦＲ−４樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度３０％の硝酸にて表面処理被膜が溶けるまで溶解させ、ビーカー中の溶解液を１０倍に稀釈し、原子吸光分析によりニッケルの定量分析を行う。
（クロムの付着量分析方法）
処理面を分析するため、反対面をＦＲ−４樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度１０％の塩酸にて３分間煮沸して処理層を溶解させ、その溶液を原子吸光分析により亜鉛、クロムの定量分析を行う。
処理面を分析するため、反対面をＦＲ−４樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度１０％の塩酸にて３分間煮沸して処理層を溶解させ、その溶液を原子吸光分析により亜鉛、クロムの定量分析を行う。
（熱影響の考慮）
銅張り積層板（ＣＣＬ）の製造の段階で、銅箔に熱がかかる。この熱によって、銅箔表層に設けられたエッチング改善処理層は銅層へ拡散する。そのため、当初期待したエッチング改善効果が減退し、エッチングファクターは減少する傾向がある。このことから、拡散していない状態と同等の効果を出すには、ＣＣＬ作製時の銅箔にかかる熱量を考慮して、改善処理層の付着量を１．１〜２倍程度増やすことが必要である。
銅張り積層板（ＣＣＬ）の製造の段階で、銅箔に熱がかかる。この熱によって、銅箔表層に設けられたエッチング改善処理層は銅層へ拡散する。そのため、当初期待したエッチング改善効果が減退し、エッチングファクターは減少する傾向がある。このことから、拡散していない状態と同等の効果を出すには、ＣＣＬ作製時の銅箔にかかる熱量を考慮して、改善処理層の付着量を１．１〜２倍程度増やすことが必要である。
銅張り積層板の銅箔のエッチングに際しては、本発明の銅箔のエッチング面側に銅よりエッチングレートの遅い合金層を形成した後、塩化第二銅水溶液又は塩化第二鉄水溶液を用いて該銅箔をエッチングする。
上記の条件でエッチングすることにより、エッチングファクターを２以上、すなわち銅箔回路のエッチング側面と樹脂基板との間の傾斜角度を６３度以上とすることができる。望ましくは７０度以上とすることができる。特に望ましい傾斜角度は８５〜９０度の範囲である。これによって、ダレのない矩形のエッチング回路が形成できる。
上記の条件でエッチングすることにより、エッチングファクターを２以上、すなわち銅箔回路のエッチング側面と樹脂基板との間の傾斜角度を６３度以上とすることができる。望ましくは７０度以上とすることができる。特に望ましい傾斜角度は８５〜９０度の範囲である。これによって、ダレのない矩形のエッチング回路が形成できる。
（ソフトエッチング性）
一般に、ソフトエッチング性は、硫酸−過酸化水素混合系に２分間浸漬し、めっき物が除去されているか外観で検査する。ソフトエッチング液の例として、例えば硫酸１６５ｇ／Ｌ、過酸化水素２１ｇ／Ｌを用いる。そして通常３５°Ｃで処理する。外観観察としては、完全除去の場合は良好とし、除去残が見られた場合には不良と評価する。
ソフトエッチングで特に、注意すべき点はＮｉ合金層が残るケースである。このようなＮｉ合金層が残存すると、めっき性が変化する虞がある。このような観点から、ソフトエッチング性にも注意を払う必要である。
一般に、ソフトエッチング性は、硫酸−過酸化水素混合系に２分間浸漬し、めっき物が除去されているか外観で検査する。ソフトエッチング液の例として、例えば硫酸１６５ｇ／Ｌ、過酸化水素２１ｇ／Ｌを用いる。そして通常３５°Ｃで処理する。外観観察としては、完全除去の場合は良好とし、除去残が見られた場合には不良と評価する。
ソフトエッチングで特に、注意すべき点はＮｉ合金層が残るケースである。このようなＮｉ合金層が残存すると、めっき性が変化する虞がある。このような観点から、ソフトエッチング性にも注意を払う必要である。
次に、本発明の実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例はあくまで１例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
（実施例１）
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、上記ニッケル−亜鉛合金めっき条件（その１）で、３９０μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金めっき層を形成した。
この場合、表１に示すように、ニッケル・亜鉛合金めっき層のニッケル含有量を３５０μｇ／ｄｍ２、亜鉛含有量を４０μｇ／ｄｍ２とした。ニッケル比は９０ｗｔ％であった。このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、上記ニッケル−亜鉛合金めっき条件（その１）で、３９０μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金めっき層を形成した。
この場合、表１に示すように、ニッケル・亜鉛合金めっき層のニッケル含有量を３５０μｇ／ｄｍ２、亜鉛含有量を４０μｇ／ｄｍ２とした。ニッケル比は９０ｗｔ％であった。このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。エッチング条件、回路形成条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、次の通りである。
（エッチング条件）
塩化第二鉄水溶液：（３７ｗｔ％、ボーメ度：４０°）
液温：５０°Ｃ
スプレー圧：０．１５ＭＰａ
（エッチング条件）
塩化第二鉄水溶液：（３７ｗｔ％、ボーメ度：４０°）
液温：５０°Ｃ
スプレー圧：０．１５ＭＰａ
（回路形成条件）
回路ピッチ：３０μｍピッチ、５０μｍピッチの２種であるが、銅箔の厚みによって変更する。本実施例１の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
（３０μｍピッチ回路形成）
本実施例２の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
回路ピッチ：３０μｍピッチ、５０μｍピッチの２種であるが、銅箔の厚みによって変更する。本実施例１の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
（３０μｍピッチ回路形成）
本実施例２の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
（エッチングファクターの測定条件）
エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点をＰ点とし、このＰ点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。
エッチングファクター（ＥＦ）の計算方法の概略を図１に示す。この図１に示すように、ＥＦ＝ｂ／ａとして計算する。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。
エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点をＰ点とし、このＰ点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。
エッチングファクター（ＥＦ）の計算方法の概略を図１に示す。この図１に示すように、ＥＦ＝ｂ／ａとして計算する。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。
（ヤケ試験）
大気雰囲気下で、２４０°Ｃに１０分間保持して、変色の有無で確認する。このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた銅箔をエッチング側として樹脂基板に接着し、銅張り積層板とする条件を想定した条件である。
大気雰囲気下で、２４０°Ｃに１０分間保持して、変色の有無で確認する。このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた銅箔をエッチング側として樹脂基板に接着し、銅張り積層板とする条件を想定した条件である。
（ソフトエッチング除去性）
硫酸−過酸化水素混合溶液（硫酸１６５ｇ／Ｌ、過酸化水素水２１ｇ／Ｌ）、３５°Ｃ、２分間浸漬・攪拌し、Ｎｉ層が除去されているかどうか、外観観察を実施した。外観観察としては、完全除去の場合は良好とし、除去残が見られた場合には不良と評価した。
硫酸−過酸化水素混合溶液（硫酸１６５ｇ／Ｌ、過酸化水素水２１ｇ／Ｌ）、３５°Ｃ、２分間浸漬・攪拌し、Ｎｉ層が除去されているかどうか、外観観察を実施した。外観観察としては、完全除去の場合は良好とし、除去残が見られた場合には不良と評価した。
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７２度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで３．０となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱によるニッケル−亜鉛合金めっき層側の酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、エッチングファクターが悪くなることはなかったが、このことは特筆すべきことである。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱によるニッケル−亜鉛合金めっき層側の酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、エッチングファクターが悪くなることはなかったが、このことは特筆すべきことである。
（実施例２）
箔厚１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、上記ニッケル−亜鉛合金（その２）のめっき条件で、２１５０μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金めっき層を形成した。
表１に示すように、このニッケル−亜鉛合金めっき層中のニッケル量は１５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛量は６５０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ニッケル比は７０ｗｔ％であった。
さらに、このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
箔厚１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、上記ニッケル−亜鉛合金（その２）のめっき条件で、２１５０μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金めっき層を形成した。
表１に示すように、このニッケル−亜鉛合金めっき層中のニッケル量は１５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛量は６５０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ニッケル比は７０ｗｔ％であった。
さらに、このニッケル−亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７４度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで３．４となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
（実施例３）
箔厚１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、上記ニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき条件でニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、コバルト代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の８％とした。
表１に示すように、このニッケル・コバルト・亜鉛合金層中のニッケル量は２５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛量は３００μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ニッケル比率は８９ｗｔ％となった。なお、このニッケル比率は、コバルトとニッケルの合計量のニッケル換算量である。
さらに、このニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
箔厚１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、上記ニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき条件でニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、コバルト代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の８％とした。
表１に示すように、このニッケル・コバルト・亜鉛合金層中のニッケル量は２５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛量は３００μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ニッケル比率は８９ｗｔ％となった。なお、このニッケル比率は、コバルトとニッケルの合計量のニッケル換算量である。
さらに、このニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７４度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで３．５となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在によっても、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、コバルト添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・コバルト・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在によっても、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、コバルト添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
（実施例４）
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、上記ニッケル・リン・亜鉛合金めっき条件でニッケル・リン・亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、表１に示すように、ニッケル・リン・亜鉛合金めっき層のニッケル含有量を１１０μｇ／ｄｍ２、亜鉛含有量を４０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、リン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の３％とした。ニッケル比率は７４ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、リンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・リン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、上記ニッケル・リン・亜鉛合金めっき条件でニッケル・リン・亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、表１に示すように、ニッケル・リン・亜鉛合金めっき層のニッケル含有量を１１０μｇ／ｄｍ２、亜鉛含有量を４０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、リン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の３％とした。ニッケル比率は７４ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、リンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・リン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
本実施例２の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
本実施例２の場合は、５μｍ厚の銅箔を用いたので、次の条件である。
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７０度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで２．８となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・リン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・リン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在によっても、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、リン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の５％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・リン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・リン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在によっても、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、リン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の５％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
（実施例５）
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚは０．５μｍであった。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき条件で、ニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層を形成した。
表１及び表２に示すように、このニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層中のニッケルは２５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は５０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、モリブデン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の９％とした。ニッケル比率は８４ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、モリブデンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚは０．５μｍであった。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき条件で、ニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層を形成した。
表１及び表２に示すように、このニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層中のニッケルは２５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は５０μｇ／ｄｍ２とした。この場合、モリブデン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の９％とした。ニッケル比率は８４ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、モリブデンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：４８秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は６３度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで２．０となった。
この結果、使用可能なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・モリブデン−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、モリブデン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
この結果、使用可能なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・モリブデン−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・モリブデン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。なお、モリブデン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
（実施例６）
本実施例６では、９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき条件でニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層を形成した。
表１に示すように、このニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層中のニッケルは９２０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は５５０μｇ／ｄｍ２とした。
この場合、タングステン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の６％とした。ニッケル比率は６５ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、タングステンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。
このニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
本実施例６では、９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき条件でニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層を形成した。
表１に示すように、このニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層中のニッケルは９２０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は５５０μｇ／ｄｍ２とした。
この場合、タングステン代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の６％とした。ニッケル比率は６５ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、タングステンとニッケルの合計量のニッケル換算量である。
このニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７２度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで３．０となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
なお、上記実施例において、ソフトエッチングを実施し、めっき残渣を観察したが、Ｎｉの合計量が適正な範囲であったため、いずれも残渣が見られず、良好な結果が得られた。なお、タングステン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル・タングステン・亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
なお、上記実施例において、ソフトエッチングを実施し、めっき残渣を観察したが、Ｎｉの合計量が適正な範囲であったため、いずれも残渣が見られず、良好な結果が得られた。なお、タングステン添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の１０％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
（実施例７）
本実施例７では、１８μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき条件で、ニッケル・ホウ素・亜鉛合金層を形成した。
表１に示すように、このニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき層中のニッケルは８００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は２００μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ホウ素代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の４％とした。ニッケル比率は８１ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、ホウ素とニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・ホウ素・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
本実施例７では、１８μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の面に、上記ニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき条件で、ニッケル・ホウ素・亜鉛合金層を形成した。
表１に示すように、このニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき層中のニッケルは８００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛は２００μｇ／ｄｍ２とした。この場合、ホウ素代替量は、ニッケル換算でニッケル量（ｗｔ％）の４％とした。ニッケル比率は８１ｗｔ％であった。なお、このニッケル比率は、ホウ素とニッケルの合計量のニッケル換算量である。このニッケル・ホウ素・亜鉛合金めっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７２度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで３．１となった。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
なお、上記実施例において、ソフトエッチングを実施し、めっき残渣を観察したが、Ｎｉの合計量が適正な範囲であったため、いずれも残渣が見られず、良好な結果が得られた。なお、ホウ素の添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の５％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
この結果、良好なエッチング回路が得られた。また、ニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき面の酸化変色（ヤケ）は、全く認められなかった。これは、銅箔上のニッケル−ホウ素−亜鉛合金めっき層により、樹脂との接着工程時の加熱による酸化変色が防止できたと考えられる。
さらに、この合金中の亜鉛の存在により、実施例１と同様に、エッチングファクターが悪くなることはなかった。
なお、上記実施例において、ソフトエッチングを実施し、めっき残渣を観察したが、Ｎｉの合計量が適正な範囲であったため、いずれも残渣が見られず、良好な結果が得られた。なお、ホウ素の添加は、ニッケル換算で、ニッケル量（ｗｔ％）の５％以下であれば、同様の効果を得ることができた。
（比較例１）
９μｍ圧延銅箔を用いた。上記の条件でニッケルめっきを施した。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、亜鉛めっきを実施することなく、上記ニッケルめっき条件で、５５０μｇ／ｄｍ２のニッケルめっき層を形成した。さらに、このニッケルめっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
９μｍ圧延銅箔を用いた。上記の条件でニッケルめっきを施した。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、亜鉛めっきを実施することなく、上記ニッケルめっき条件で、５５０μｇ／ｄｍ２のニッケルめっき層を形成した。さらに、このニッケルめっき層を設けた面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、ほぼ垂直にエッチングが進行したが、やや末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。
表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は６８度となり、ほぼ矩形の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで２．５となった。
この結果、やや良好なエッチング回路が得られた。しかしながら、ニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）が大きく現われた。これは、その後の処置である、パターンエッチングでのエッチング性の不良、ショートや回路幅の不良を発生させる原因となる可能性があった。
この結果、やや良好なエッチング回路が得られた。しかしながら、ニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）が大きく現われた。これは、その後の処置である、パターンエッチングでのエッチング性の不良、ショートや回路幅の不良を発生させる原因となる可能性があった。
（比較例２）
１８μｍ圧延銅箔を使用した。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２７０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。ニッケルめっき層は形成せずに、この亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
１８μｍ圧延銅箔を使用した。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２７０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。ニッケルめっき層は形成せずに、この亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行したが、末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は４８度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．１となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は４８度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．１となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
（比較例３）
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、表１に示すように、２４０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。この上にニッケルめっき層は形成せずに、亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この電解銅箔の光沢（Ｓ）面に、表１に示すように、２４０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。この上にニッケルめっき層は形成せずに、亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：４８秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：４８秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行したが、末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５４度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．４となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５４度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．４となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
（比較例４）
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２７０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。この上にニッケルめっき層は形成せずに、亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：３μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２７０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。この上にニッケルめっき層は形成せずに、亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行したが、末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．３となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．３となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
（比較例５）
１８μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、表１及び表２に示すように、１５００μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金（但し、ニッケル量は１０００μｇ／ｄｍ２、亜鉛量は５００μｇ／ｄｍ２）の層を形成し、さらにこの上に、１２５０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。ニッケル比は３６ｗｔ％であった。このニッケル−亜鉛合金と亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
１８μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．７μｍであった。この圧延銅箔に、表１及び表２に示すように、１５００μｇ／ｄｍ２のニッケル−亜鉛合金（但し、ニッケル量は１０００μｇ／ｄｍ２、亜鉛量は５００μｇ／ｄｍ２）の層を形成し、さらにこの上に、１２５０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層を形成した。ニッケル比は３６ｗｔ％であった。このニッケル−亜鉛合金と亜鉛めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１５μｍ、エッチング時間：１０５秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行したが、末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．９となり、不良となった。
これは、亜鉛の合計量が、Ｎｉ量よりも多く、これが原因となって、エッチング不良を発生したと考えられる。したがって、亜鉛量は、適度に制限する必要がある。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．９となり、不良となった。
これは、亜鉛の合計量が、Ｎｉ量よりも多く、これが原因となって、エッチング不良を発生したと考えられる。したがって、亜鉛量は、適度に制限する必要がある。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
表１から明らかなように、銅箔上に形成された銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層とその上に形成された亜鉛若しくは亜鉛合金又はこれらの酸化物からなる耐熱層を備えている場合には、圧延銅箔又は電解銅箔のいずれも、ほぼ矩形の銅箔回路が形成され、極めて良好なエッチング回路が得られた。
これに対して、本願発明の条件に合わないものは、ダレが大きく台形状の銅箔回路が形成され、エッチング不良であった。また、亜鉛又は亜鉛合金層を設けないものは、ヤケの発生が見られた。
これに対して、本願発明の条件に合わないものは、ダレが大きく台形状の銅箔回路が形成され、エッチング不良であった。また、亜鉛又は亜鉛合金層を設けないものは、ヤケの発生が見られた。
（比較例６）
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２２５０μｇ／ｄｍ２のニッケル合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は６５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は１６００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、２９ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
９μｍ圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、２２５０μｇ／ｄｍ２のニッケル合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は６５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は１６００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、２９ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行したが、末広がりに銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．３となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５２度となり、エッチング性が悪い台形状の銅箔回路が形成された。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．３となり、不良となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
（比較例７）
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この電解銅箔に、表１に示すように、４１００μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は３５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は６００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、８５ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
５μｍ電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この電解銅箔に、表１に示すように、４１００μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は３５００μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は６００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、８５ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行し銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７６度となり、エッチング性は良好であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで３．９となった。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかったが、ソフトエッチング性が悪かった。これはニッケルが過剰に存在することが原因と考えられた。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は７６度となり、エッチング性は良好であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで３．９となった。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかったが、ソフトエッチング性が悪かった。これはニッケルが過剰に存在することが原因と考えられた。
（比較例８）
本比較例では、１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、１３０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は８０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は５０μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、６２ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
本比較例では、１８μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、１３０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は８０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は５０μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、６２ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（５０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行し銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５６度となり末広がりにエッチングされ、エッチング性は不良であった。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．６となった。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５６度となり末広がりにエッチングされ、エッチング性は不良であった。エッチングファクターは５０μｍピッチで１．６となった。銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかった。
（比較例９）
本比較例では、９μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、５７０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は５５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は２０μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、９６ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
本比較例では、９μｍの圧延銅箔を用いた。この圧延銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この圧延銅箔に、表１に示すように、５７０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は５５０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は２０μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、９６ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行し銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は６８度となり、エッチング性は良好であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで２．５となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）が発生した。これは亜鉛量が少ないのが原因と考えられた。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は６８度となり、エッチング性は良好であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで２．５となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）が発生した。これは亜鉛量が少ないのが原因と考えられた。
（比較例１０）
本比較例では、５μｍの電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この電解銅箔に、表１に示すように、７３０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は３３０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は４００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、４５ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
本比較例では、５μｍの電解銅箔を用いた。この電解銅箔の表面粗さＲｚ：０．５μｍであった。この電解銅箔に、表１に示すように、７３０μｇ／ｄｍ２のニッケル亜鉛合金めっき層を形成した。この場合、ニッケル合金層中のニッケル含有量は３３０μｇ／ｄｍ２であり、亜鉛含有量は４００μｇ／ｄｍ２であった。ニッケル比は、４５ｗｔ％であった。このニッケル合金めっき層を形成した面の逆側を接着面として銅箔を樹脂基板に接着した。
次に、実施例１と同様に、レジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
回路形成条件を除き、エッチング条件、エッチングファクターの測定条件、ヤケ試験は、実施例１と同様にして実施した。実施例１と同様の条件については、記載を省略する。
（３０μｍピッチ回路形成）
レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ、仕上がり回路トップ（上部）幅：１０μｍ、エッチング時間：７６秒前後
上記の条件でエッチングを行った。この結果、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かって、エッチングが進行し銅箔回路が形成された。次に、エッチングした銅箔の傾斜角度を測定した（なお、回路長１００μｍにおける傾斜角の最小値である）。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５６度となり末広がりにエッチングされ、エッチング性は不良であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．５となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかったが、エッチング性が悪いのはニッケル比が低いことが原因と考えられた。
また、エッチングファクター及びニッケルめっき面の酸化変色（ヤケ）を調べた。以上の結果を、同様に表１に示す。表１に示すように、左右の傾斜角の平均値は５６度となり末広がりにエッチングされ、エッチング性は不良であった。エッチングファクターは３０μｍピッチで１．５となった。しかしながら、銅箔面の酸化変色（ヤケ）はなかったが、エッチング性が悪いのはニッケル比が低いことが原因と考えられた。
本発明は、銅箔のエッチングにより回路形成を行うに際し、目的とする回路幅のより均一な回路を形成できるという効果を有し、エッチングによるダレの発生を防止し、エッチングによる回路形成の時間を短縮することが可能であり、またニッケル合金層の厚さを極力薄くすること、さらに熱を受けた場合に酸化を抑制し、通称「ヤケ」と言われる変色を防止することができるという効果を有する。これによってパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できるので、銅張り積層板（リジッド及びフレキ用）としての利用、プリント基板の電子回路の形成への利用が可能である。
Claims (10)
- エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、該圧延銅箔又は電解銅箔は、エッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層を備え、該ニッケル合金層は亜鉛又は亜鉛酸化物を含有することを特徴とする電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記銅よりもエッチングレートの低いニッケル合金層は、該ニッケル合金層中のニッケル比率が５０ｗｔ％を超えることを特徴とする請求項１記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記ニッケル合金層に含まれる亜鉛又は亜鉛酸化物として存在する亜鉛含有量が、金属亜鉛換算で、３０μｇ／ｄｍ２〜１０００μｇ／ｄｍ２であり、ニッケル量を超えないことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記ニッケル合金層に含まれるニッケル量が、１００μｇ／ｄｍ２〜３０００μｇ／ｄｍ２であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記ニッケル合金層に、リン、ホウ素、モリブデン、タングステン又はコバルトの１種又は２種以上を含有することを特徴とする上記１〜４のいずれか一項に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記ニッケル合金層上に、さらにクロム層若しくはクロメート層及び又はシラン処理層を備えていることを特徴とする請求項１〜５記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記クロム層若しくはクロメート層を備える場合において、クロム量が金属クロム換算で、１００μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする請求項６に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 前記シラン処理層を備える場合において、シリコン単体換算で、２０μｇ／ｄｍ２以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。
- 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、銅箔のエッチング面側に、亜鉛又は亜鉛酸化物を含有するニッケル合金層を形成した後、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法。
- 圧延銅箔又は電解銅箔からなる銅張り積層板の、該銅箔をエッチングし電子回路を形成する方法において、請求項１〜８の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いて該銅箔をエッチングし、銅箔の不必要部分を取り除いて、銅の回路を形成することを特徴とする電子回路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010544066A JP5358586B2 (ja) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008334443 | 2008-12-26 | ||
| JP2008334443 | 2008-12-26 | ||
| JP2010544066A JP5358586B2 (ja) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| PCT/JP2009/071282 WO2010074053A1 (ja) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2010074053A1 true JPWO2010074053A1 (ja) | 2012-06-21 |
| JP5358586B2 JP5358586B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=42287662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010544066A Active JP5358586B2 (ja) | 2008-12-26 | 2009-12-22 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110259848A1 (ja) |
| EP (1) | EP2371995A1 (ja) |
| JP (1) | JP5358586B2 (ja) |
| KR (1) | KR101295472B1 (ja) |
| CN (2) | CN102264951A (ja) |
| MY (1) | MY152533A (ja) |
| TW (1) | TWI482177B (ja) |
| WO (1) | WO2010074053A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4955105B2 (ja) | 2008-12-26 | 2012-06-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| EP2439311A4 (en) * | 2009-06-05 | 2014-04-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | COPPER FOIL FOR A SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE AND SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR PACK |
| WO2012124424A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子回路形成方法、電子回路及び電子回路形成用銅張積層板 |
| JP6111017B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2017-04-05 | Ｊｘ金属株式会社 | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体、プリント配線板及び電子部品 |
| JP2016084533A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法 |
| JP7074127B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2022-05-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 圧延銅箔の表面処理液及び表面処理方法並びに圧延銅箔の製造方法 |
| JP7017369B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2022-02-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP6975845B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-12-01 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 |
| EP3786317A4 (en) * | 2018-04-27 | 2022-04-20 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | SURFACE TREATED COPPER FOIL, COPPER COATED LAMINATE AND CIRCUIT BOARD |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2517503B2 (ja) * | 1991-11-15 | 1996-07-24 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔の表面処理方法 |
| TW230290B (ja) * | 1991-11-15 | 1994-09-11 | Nikko Guruder Foreer Kk | |
| JPH0685416A (ja) | 1992-08-28 | 1994-03-25 | Nikko Guurudo Foil Kk | 印刷回路用銅箔の表面処理方法 |
| JPH0685417A (ja) | 1992-08-28 | 1994-03-25 | Nikko Guurudo Foil Kk | 印刷回路用銅箔の表面処理方法 |
| JPH0681172A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JPH0774464A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Japan Energy Corp | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| JP3113445B2 (ja) | 1993-03-29 | 2000-11-27 | 株式会社ジャパンエナジー | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| JP3329572B2 (ja) | 1994-04-15 | 2002-09-30 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 印刷回路用銅箔およびその表面処理方法 |
| JP2975275B2 (ja) * | 1994-10-20 | 1999-11-10 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 液中集電法によるプリント回路用銅箔表面処理方法 |
| JP3142259B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2001-03-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 耐薬品性および耐熱性に優れたプリント配線板用銅箔およびその製造方法 |
| TW511408B (en) * | 2000-09-18 | 2002-11-21 | Nippon Denkai Kk | Method of producing copper foil for fine wiring |
| JP4592936B2 (ja) | 2000-12-05 | 2010-12-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子回路用銅箔及び電子回路の形成方法 |
| JP2003051673A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線板用銅箔及びそのプリント配線板用銅箔を用いた銅張積層板 |
| JP4090467B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2008-05-28 | 三井金属鉱業株式会社 | チップオンフィルム用フレキシブルプリント配線板 |
| JP4202840B2 (ja) | 2003-06-26 | 2008-12-24 | 日鉱金属株式会社 | 銅箔及びその製造方法 |
| JP2005039097A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銅箔の配線形成方法と配線転写基材及び配線基板 |
| JP4570070B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-10-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板、多層銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2005344174A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて製造したフレキシブル銅張積層板並びにフィルムキャリアテープ |
| TWI395668B (zh) * | 2004-11-10 | 2013-05-11 | A metal foil with an adhesion aid and a printed circuit board using the same | |
| JP2006261270A (ja) | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用積層体およびその製造方法 |
| CN101074484A (zh) * | 2007-03-29 | 2007-11-21 | 上海大学 | 印制电路板用压延铜箔表面处理的方法 |
-
2009
- 2009-12-22 WO PCT/JP2009/071282 patent/WO2010074053A1/ja active Application Filing
- 2009-12-22 EP EP20090834854 patent/EP2371995A1/en not_active Withdrawn
- 2009-12-22 MY MYPI2011002933A patent/MY152533A/en unknown
- 2009-12-22 CN CN200980152806XA patent/CN102264951A/zh active Pending
- 2009-12-22 JP JP2010544066A patent/JP5358586B2/ja active Active
- 2009-12-22 KR KR1020117014578A patent/KR101295472B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-22 CN CN201610048388.1A patent/CN105578776A/zh active Pending
- 2009-12-22 US US13/142,024 patent/US20110259848A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-25 TW TW098144891A patent/TWI482177B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5358586B2 (ja) | 2013-12-04 |
| MY152533A (en) | 2014-10-15 |
| CN102264951A (zh) | 2011-11-30 |
| TW201034032A (en) | 2010-09-16 |
| CN105578776A (zh) | 2016-05-11 |
| KR101295472B1 (ko) | 2013-08-09 |
| KR20110096134A (ko) | 2011-08-29 |
| US20110259848A1 (en) | 2011-10-27 |
| TWI482177B (zh) | 2015-04-21 |
| WO2010074053A1 (ja) | 2010-07-01 |
| EP2371995A1 (en) | 2011-10-05 |
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Legal Events
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|
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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