JPWO2010061662A1 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010061662A1 JPWO2010061662A1 JP2010540407A JP2010540407A JPWO2010061662A1 JP WO2010061662 A1 JPWO2010061662 A1 JP WO2010061662A1 JP 2010540407 A JP2010540407 A JP 2010540407A JP 2010540407 A JP2010540407 A JP 2010540407A JP WO2010061662 A1 JPWO2010061662 A1 JP WO2010061662A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- wiring
- external connection
- connection terminal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 232
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 230
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 207
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 40
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 94
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施形態1の液晶表示装置の額縁部(表示領域外の外周部)の構成を示す平面模式図である。図2は、実施形態1の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、(a)は、図1中のA−B線に沿った断面図であり、(b)は、図1中のC−D線に沿った断面図である。
TFT基板111は、図2(a)及び図2(b)に示すように、額縁部において、絶縁基板121上に、ベースコート膜122と、半導体層123と、ゲート絶縁膜124と、第一配線層161と、層間絶縁膜151と、第二配線層162と、層間絶縁膜152と、第三配線層163と、透明導電層164とが絶縁基板121側からこの順に積層された構造を有する。TFT129は、半導体層123と、ゲート絶縁膜124と、第一配線層161からなるゲート電極125とを含み、半導体層123のソース・ドレイン領域には、層間絶縁膜151及びゲート絶縁膜124を貫通するコンタクトホールを通して、第二配線層162からなるソース・ドレイン配線128が接続されている。
まず、絶縁基板121に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板121としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板等が好適である。次に、以下(1)〜(15)の工程を行う。
絶縁基板121上に、プラズマ化学気相成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)法により膜厚50nmのSiON膜と、膜厚100nmのSiOx膜とをこの順に成膜し、ベースコート膜122を形成する。SiON膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン(SiH4)、亜酸化窒素ガス(N2O)及びアンモニア(NH3)の混合ガス等が挙げられる。なお、SiOx膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル(Tetra Ethyl Ortho Silicate:TEOS)ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜122は、原料ガスとしてモノシラン(SiH4)及びアンモニア(NH3)の混合ガス等を用いて形成された窒化シリコン(SiNx)膜を含んでもよい。
PECVD法により、膜厚50nmのアモルファスシリコン(a−Si)膜を形成する。a−Si膜形成のための原料ガスとしては、例えば、SiH4、ジシラン(Si2H6)等が挙げられる。PECVD法により形成したa−Si膜には水素が含まれているため、約500℃でa−Si膜中の水素濃度を低減する処理(脱水素処理)を行う。続いて、レーザアニールを行い、a−Si膜を溶融、冷却及び結晶化させることにより、多結晶シリコン(ポリシリコン、p−Si)膜を形成する。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。p−Si膜の形成には、レーザアニールの前処理として、(連続粒界結晶シリコン(CG−シリコン)化するため)、脱水素処理せずニッケル等の金属触媒を塗布して、熱処理による固相成長を行ってもよい。また、a−Si膜の結晶化としては、熱処理による固相成長のみを行ってもよい。次に、四フッ化炭素(CF4)及び酸素(O2)の混合ガスによるドライエッチングを行い、p−Si膜をパターニングし、半導体層123を形成する。
次に、原料ガスとしてTEOSガスを用いて、膜厚45nmの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜124を形成する。ゲート絶縁膜124の材質としては特に限定されず、SiNx膜、SiON膜等を用いてもよい。SiNx膜及びSiON膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、ゲート絶縁膜124は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。
TFT129の閾値を制御するために、イオンドーピング法、イオン注入法等により、半導体層123に対してボロン等の不純物をドーピングする。より具体的には、Nチャネル型TFT及びPチャネル型TFTとなる半導体層に対してボロン等の不純物をドーピングした後(第一のドーピング工程)、Pチャネル型TFTとなる半導体層をレジストによりマスクした状態で、Nチャネル型となる半導体層に対して更にボロン等の不純物をドーピングする(第二のドーピング工程)。なお、Pチャネル型TFTの閾値制御が必要でない場合は、第一のドーピング工程は行わなくてもよい。
次に、スパッタリング法を用いて、膜厚30nmの窒化タンタル(TaN)膜と膜厚370nmのタングステン(W)膜とをこの順に成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、アルゴン(Ar)、六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)、酸素(O2)、塩素(Cl2)等の分量を調整して作製された混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングを行い第一配線層161を形成する。第一配線層161の材料としては、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、モリブデンタングステン(MoW)等の表面が平坦で特性の安定した高融点金属や、アルミニウム(Al)等の低抵抗金属が挙げられる。また、第一配線層161は、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。
次に、TFT129のソース・ドレイン領域を形成するため、ゲート電極125をマスクとして、半導体層123に対して、Nチャネル型TFTではリン等の不純物を、Pチャネル型TFTではボロン等の不純物をイオンドーピング法、イオン注入法等により高濃度にドーピングする。このとき、必要に応じて、LDD(Lightly Doped Drain)領域を形成してもよい。続いて、半導体層123中に存在している不純物イオンを活性化させるために、約700℃、6時間の熱活性化処理を行う。これにより、ソース・ドレイン領域の電気伝導性を向上させることができる。なお、活性化の方法としては、エキシマレーザを照射する方法等も挙げられる。
次に、絶縁基板121全面にPECVD法により、膜厚100〜400nm(好適には、200〜300nm)のSiNx膜と、膜厚500〜1000nm(好適には、600〜800nm)のTEOS膜とを成膜することによって、層間絶縁膜151を形成する。層間絶縁膜151としては、SiON膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等によりTFT特性が低下するのを抑制するとともに、TFT129の電気特性を安定化するため、層間絶縁膜151の下層には50nm程度の薄いキャップ膜(例えば、TEOS膜等)を形成してもよい。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いてゲート絶縁膜124及び層間絶縁膜151のウェットエッチングを行い、ゲート絶縁膜124及び層間絶縁膜151にコンタクトホールを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。
次に、層間絶縁膜151のSiNx膜から供給される水素によって半導体層123のSi結晶の欠陥補正を行うため、約400℃で1時間、熱処理を行う。
次に、スパッタ法等で、膜厚100nmのチタン(Ti)膜と、膜厚500nmのアルミニウム(Al)膜と、膜厚100nmのTi膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりTi/Al/Tiの金属積層膜をパターニングし、第二配線層162を形成する。なお、第二配線層162を構成する金属としては、Alに代えてAl−Si合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにAlを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合(例えば、短い配線構造にする場合)は、第二配線層162を構成する金属として、上述した第一配線層161の材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)を用いてもよい。
次に、絶縁基板121全面にスピンコート法等の塗布法により、膜厚1〜5μm(好適には、2〜3μm)の感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂膜を成膜することによって、層間絶縁膜152を形成する。層間絶縁膜152の材料としては、非感光性アクリル樹脂等の非感光性樹脂や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系、ポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、層間絶縁膜152の材料としては、メチル含有ポリシロキサン(MSQ)系材料や多孔質MSQ系材料も挙げられる。層間絶縁膜152の材料として、感光性樹脂を用いた場合には、まず、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して感光性樹脂膜を感光(露光)した後、エッチング(現像処理)を行うことによってコンタクトホール131、132、133となる領域の感光性樹脂膜を除去する。続いて、感光性樹脂膜のベーク工程(例えば、200℃、30分間)を行う。これにより、層間絶縁膜152の開口部(孔部)の形状がなだらかとなり、コンタクトホール131、132、133のアスペクト比を低減することができる。また、層間絶縁膜152のコンタクト部(コンタクトホール131、132、133となる部分)を最初に除去する際、アッシング(剥離)工程が不要になる。なお、層間絶縁膜152は、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。
次に、スパッタ法等により、膜厚100nmのチタン(Ti)膜と、膜厚500nmのアルミニウム(Al)膜と、膜厚100nmのTi膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりTi/Al/Tiの金属積層膜をパターニングし、第三配線層163を形成する。なお、第三配線層163を構成する金属としては、Alに代えてAl−Si合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにAlを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合(例えば、短い配線構造にする場合)は、第三配線層163を構成する金属として、上述した第一配線層161の材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)を用いてもよい。
次に、スピンコート法等により、膜厚1〜3μm(好適には、2〜3μm)の感光性アクリル樹脂膜を成膜することによって、TFT基板111の表示領域に有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、非感光性アクリル樹脂膜等の非感光性樹脂膜や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系、ポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜の材料としては、メチル含有ポリシロキサン(MSQ)系材料や多孔質MSQ系材料も挙げられる。ここでは、基板121全面にスピンコート法等により、膜厚1〜5μm(好適には、2〜3μm)の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、有機絶縁膜を形成する。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して有機絶縁膜を感光(露光)した後、エッチング(現像処理)を行うことによってコンタクトホールとなる領域の有機絶縁膜を除去する。続いて、有機絶縁膜のベーク工程(例えば、200℃、30分間)を行う。これにより、有機絶縁膜51の開口部(孔部)の形状がなだらかとなり、コンタクトホールのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜のコンタクト部(コンタクトホールとなる部分)を最初に除去する際、アッシング(剥離)工程が不要になる。
次に、スパッタリング法等によって、膜厚50〜200nm(好適には、100〜150nm)のITO(酸化インジウム錫)膜やIZO(酸化インジウム亜鉛)膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、透明導電層164を形成する。このとき、TFT基板111の表示領域には、各画素に対応してマトリクス状に画素電極が形成される。その後、表示領域に配向膜を塗布するとともに、配向膜の配向処理を行うことにより、TFT基板111が完成する。
次に、TFT基板111及びCF基板の貼り合わせ工程と、液晶材料の注入工程と、偏光板の貼り付け工程とを行うことによって液晶表示パネルを作製する。液晶材料を注入する方法としては、滴下注入法、真空注入法等が挙げられる。真空注入法では、TFT基板111及びCF基板の貼り合わせに用いられる封止材の一部に液晶注入口を設けておき、そこから液晶材料を注入し、その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止する。
次に、接着成分182(例えば、熱硬化性エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂)中に導電性ビーズ181が分散されたACF(異方性導電膜)180を介して、TFT基板111及びリジッドFPC170を熱圧着するとともに、TFT基板111及びICチップ175を熱圧着する。
図3−1は、実施形態2の液晶表示装置の額縁部(表示領域外の外周部)の構成を示す平面模式図である。図3−2は、実施形態2の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、図3−1中のE−F線に沿った断面図である。
TFT基板211は、図3−2に示すように、額縁部において、絶縁基板221上に、第二配線層262と、層間絶縁膜252と、第三配線層263と、透明導電層264とが絶縁基板221側からこの順に積層された構造を有する。なお、第二配線層262よりも下層側には、実施形態1と同様に、ベースコート膜、半導体層、ゲート絶縁膜、第一配線層及び層間絶縁膜がこの順に積層されている。
図4は、実施形態2の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図4に示すように、コンタクトホール231は、外部接続端子241の外側(TFT基板211の外周側)に配置されてもよい。
図12は、実施形態3の液晶表示装置の額縁部(表示領域外の外周部)の構成を示す平面模式図である。図13は、実施形態3の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、図13(a)は、図12中のP−Q線に沿った断面図であり、図13(b)は、図12中のR−S線に沿った断面図である。
図14−1は、比較形態1の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図である。図14−2は、比較形態1の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図であり、図14−1中のT−U線に沿った断面図である。
本比較形態の液晶表示装置1100は、図14−1、図14−2に示すように、表示装置用基板であるTFT基板1111と、外部接続部品であるFPC基板1170とが額縁部においてACF1180により接続された構造を有する。
111、211、311:TFT基板
112:配線(下層配線)
115、215、315、316、317、318、319、327:共通配線
121、221、321:絶縁基板
122、322:ベースコート膜
123、323:半導体層
124、324:ゲート絶縁膜
125、325:ゲート電極
128、328:ソース・ドレイン電極
129、329:TFT
130、330:引き回し配線
131、132、133、231、331、332、333、334:コンタクトホール
141、142、143、241、341:外部接続端子
146、346、347、348:回路ブロック
151、152、252、351、352:層間絶縁膜
161、361:第一配線層
162、262、362:第二配線層
163、263、363:第三配線層
164、264、364:透明導電層
170、270、370:(リジッド)FPC170
171、271、371:配線(FPCの配線)
172、272、372:基材
175、275:ICチップ
176、276:信号入力用バンプ
177、277:信号出力用バンプ
180、280、380:ACF
181、281、381:導電性ビーズ(導電性微粒子)
182、282、382:接着成分
255:封止材
256:フォトスペーサ
257:絶縁膜
258:ガラス繊維
265:画素電極
266:下層導電膜
267:上層導電膜
313:上層配線
326:ソースライン
339:高抵抗領域
345:ESD(静電放電)保護回路
Claims (19)
- 外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、外部接続部品と、前記表示装置用基板及び前記外部接続部品を電気的に導通する導電部材とを備える表示装置であって、
前記外部接続部品は、前記導電部材を介して前記外部接続端子に接続された接続部を有し、
前記表示装置用基板は、前記外部接続端子の下層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下層に形成されるとともに前記層間絶縁膜の第一接続孔を通して前記外部接続端子に接続された配線接続部とを更に有し、
前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置される
ことを特徴とする表示装置。 - 前記表示装置用基板は、前記配線接続部を介して前記外部接続端子に電気的に導通されるとともに前記表示装置用基板を平面視したときに前記外部接続部品に重なり、かつ前記外部接続端子を構成する導電層と同一の導電層を含む上層配線を更に有し、
前記上層配線は、前記層間絶縁膜の第二接続孔を通して前記下層配線に接続され、
前記第二接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置されることを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記表示装置用基板は、前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路に接続された静電放電保護回路を更に有することを特徴とする請求項2記載の表示装置。
- 前記表示装置用基板は、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された薄膜トランジスタを更に有し、
前記下層配線は、前記ゲート電極に電気的に導通されることを特徴とする請求項3記載の表示装置。 - 前記表示装置用基板は、前記下層配線を含む複数の共通配線を有することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の表示装置。
- 前記上層配線は、前記複数の共通配線と交差することを特徴とする請求項5記載の表示装置。
- 前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路には、前記複数の共通配線の内の少なくとも2つの配線が接続されることを特徴とする請求項5又は6記載の表示装置。
- 前記外部接続端子及び前記上層配線は、2層以上の配線層を介して接続されることを特徴とする請求項2〜7のいずれかに記載の表示装置。
- 前記表示装置は、表示素子を封止する封止材を更に有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の表示装置。
- 前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域と前記封止材との間に配置されることを特徴とする請求項9記載の表示装置。
- 前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材よりも前記表示装置用基板の内側に配置されることを特徴とする請求項9記載の表示装置。
- 前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材に重なることを特徴とする請求項9記載の表示装置。
- 前記表示装置用基板は、前記封止材内に形成されたフォトスペーサを更に有することを特徴とする請求項12記載の表示装置。
- 前記表示装置用基板は、前記封止材の下に形成された絶縁膜を更に有することを特徴とする請求項12記載の表示装置。
- 前記絶縁膜は、前記封止材の略全ての領域の下に配置されることを特徴とする請求項14記載の表示装置。
- 前記導電部材は、導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載の表示装置。
- 前記表示装置用基板は、前記第一接続孔、前記外部接続端子、前記配線接続部及び前記下層配線を複数有し、
前記複数の下層配線は、前記表示装置用基板を平面視したとき、前記複数の外部接続端子を横切って並走するとともに外側の下層配線から順に延伸方向に対して同一方向側に屈曲し、
前記複数の配線接続部の各々は、前記複数の下層配線のいずれかの屈曲したその先の部分であることを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の表示装置。 - 前記複数の第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに同一直線上に設けられることを特徴とする請求項17記載の表示装置。
- 外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、第一外部接続部品及び第二外部接続部品とを備える表示装置であって、
前記第一外部接続部品及び前記第二外部接続部品は、前記下層配線を介して接続されるとともに、前記表示装置用基板の外周に沿って並置されることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010540407A JP5192052B2 (ja) | 2008-11-26 | 2009-07-01 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008301159 | 2008-11-26 | ||
JP2008301159 | 2008-11-26 | ||
PCT/JP2009/062061 WO2010061662A1 (ja) | 2008-11-26 | 2009-07-01 | 表示装置 |
JP2010540407A JP5192052B2 (ja) | 2008-11-26 | 2009-07-01 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010061662A1 true JPWO2010061662A1 (ja) | 2012-04-26 |
JP5192052B2 JP5192052B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=42225543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010540407A Expired - Fee Related JP5192052B2 (ja) | 2008-11-26 | 2009-07-01 | 表示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8780310B2 (ja) |
EP (1) | EP2352138A4 (ja) |
JP (1) | JP5192052B2 (ja) |
CN (1) | CN102203841B (ja) |
BR (1) | BRPI0920935A2 (ja) |
RU (1) | RU2464647C1 (ja) |
WO (1) | WO2010061662A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI438527B (zh) * | 2010-11-05 | 2014-05-21 | Innolux Corp | 顯示面板 |
JP5530987B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2014-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
US8994677B2 (en) * | 2012-07-03 | 2015-03-31 | Innocom Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | Touch sensing structure |
CN104769657B (zh) * | 2012-11-08 | 2017-03-22 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示装置 |
JP6173705B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6186757B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN105518770B (zh) * | 2013-09-09 | 2018-05-15 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示装置 |
KR20150029429A (ko) * | 2013-09-10 | 2015-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
CN104505050B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-02-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路 |
CN104777654B (zh) * | 2015-05-08 | 2018-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
US10978489B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
WO2017204789A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Intel Corporation | Package substrates with integral devices |
US20180040638A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Innolux Corporation | Display device |
CN107039377B (zh) * | 2017-06-16 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN109273483B (zh) * | 2017-07-17 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法和显示装置 |
WO2019064342A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
CN111133496B (zh) * | 2017-09-29 | 2022-02-22 | 夏普株式会社 | 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置 |
JP7293190B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN109031805A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-18 | 惠科股份有限公司 | 显示面板 |
JP7127510B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波素子、及び超音波装置 |
JP7237665B2 (ja) | 2019-03-11 | 2023-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2020188807A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP7027470B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2022-03-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN111463220B (zh) * | 2020-04-09 | 2022-11-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3010800B2 (ja) | 1991-07-16 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示パネル |
RU2008713C1 (ru) * | 1992-03-04 | 1994-02-28 | Малое научно-производственное объединение "ЭЛО" | Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей |
JP3726117B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2005-12-14 | ナノ・プラプライアテリ、インク | 平坦パネル・ディスプレイ・システムと構成部品とを製造する方法 |
US5835177A (en) | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
US6275278B1 (en) | 1996-07-19 | 2001-08-14 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making same |
JPH10161149A (ja) | 1996-12-05 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板の製造方法 |
JP3883641B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2007-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP3850510B2 (ja) | 1997-04-09 | 2006-11-29 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 表示装置 |
JPH1124094A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3956572B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置用基板の製造方法 |
KR100390456B1 (ko) | 2000-12-13 | 2003-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
KR100685946B1 (ko) | 2001-03-02 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
JP2002258768A (ja) | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
KR100685948B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP4417027B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2006178426A (ja) | 2004-11-24 | 2006-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2006146040A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP4752279B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2011-08-17 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイパネル |
JP2006309161A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5101161B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2012-12-19 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP2008058864A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
KR101304412B1 (ko) | 2007-01-24 | 2013-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
JP2008301159A (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Omron Corp | ネットワーク間仲介装置 |
JP5125632B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 実装構造体および電気光学装置 |
US20110205716A1 (en) | 2008-11-19 | 2011-08-25 | Hiroyuki Moriwaki | Circuit substrate, display panel and display device |
EP2355074A4 (en) | 2008-12-05 | 2012-05-30 | Sharp Kk | DISPLAY DEVICE SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE |
-
2009
- 2009-07-01 BR BRPI0920935A patent/BRPI0920935A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-07-01 EP EP09828912A patent/EP2352138A4/en not_active Withdrawn
- 2009-07-01 WO PCT/JP2009/062061 patent/WO2010061662A1/ja active Application Filing
- 2009-07-01 JP JP2010540407A patent/JP5192052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-01 CN CN200980143922.5A patent/CN102203841B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-01 RU RU2011126206/08A patent/RU2464647C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-07-01 US US13/131,385 patent/US8780310B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8780310B2 (en) | 2014-07-15 |
JP5192052B2 (ja) | 2013-05-08 |
US20110234964A1 (en) | 2011-09-29 |
CN102203841A (zh) | 2011-09-28 |
CN102203841B (zh) | 2014-01-22 |
BRPI0920935A2 (pt) | 2019-09-24 |
EP2352138A1 (en) | 2011-08-03 |
EP2352138A4 (en) | 2012-07-11 |
RU2464647C1 (ru) | 2012-10-20 |
WO2010061662A1 (ja) | 2010-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5192052B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5102878B2 (ja) | 表示装置用基板及び表示装置 | |
US9568795B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP5311531B2 (ja) | 半導体チップの実装された表示パネル | |
JP5043202B2 (ja) | 回路基板、表示パネル及び表示装置 | |
WO2010035543A1 (ja) | 回路基板及び表示装置 | |
US8436372B2 (en) | Display device | |
US8436358B2 (en) | Image display device and manufacturing method thereof | |
KR20040086926A (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2006128665A (ja) | 液晶表示装置の作製方法 | |
US20110242476A1 (en) | Liquid crystal display panel and liquid crystal display | |
KR101119184B1 (ko) | 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법 | |
US8970799B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP5201298B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP5560227B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 | |
US20130016298A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
KR20070120324A (ko) | 저저항 배선의 콘택 구조 형성 방법, 저저항 배선의 콘택구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판 및 액정 표시 장치의제조 방법 | |
JP2008122504A (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
JP2004184740A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 | |
JP2008083328A (ja) | 液晶装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5192052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |