JPWO2009116626A1 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009116626A1 JPWO2009116626A1 JP2010503927A JP2010503927A JPWO2009116626A1 JP WO2009116626 A1 JPWO2009116626 A1 JP WO2009116626A1 JP 2010503927 A JP2010503927 A JP 2010503927A JP 2010503927 A JP2010503927 A JP 2010503927A JP WO2009116626 A1 JPWO2009116626 A1 JP WO2009116626A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- substrate
- electrode layer
- cis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 68
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 29
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 22
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 33
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 17
- -1 aromatic tetracarboxylic acid Chemical class 0.000 description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 15
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 15
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical class CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 6
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical class CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 5
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 4
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFBALUPVVFCEPA-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 LFBALUPVVFCEPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBAUUNCGSMAPFM-UHFFFAOYSA-N 3-(3,4-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O NBAUUNCGSMAPFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- OLAPPGSPBNVTRF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O OLAPPGSPBNVTRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKBVMLGZPNDWJK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=C(N)C2=C1 OKBVMLGZPNDWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)N=C1C(O)=O JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- LUEGQDUCMILDOJ-UHFFFAOYSA-N thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1SC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(O)=O LUEGQDUCMILDOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- RILDMGJCBFBPGH-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(Cl)=C2C(Cl)=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(Cl)C2=C1Cl RILDMGJCBFBPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound ClC1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dichlorobenzidine Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(Cl)=C1 HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(OC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)aniline Chemical group NC1=CC=CC(C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMPZWXKBGSQATE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC(N)=C1 ZMPZWXKBGSQATE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 3-[(2,3-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWQOXRDNGHWDBS-UHFFFAOYSA-N 4-(2-phenylphenoxy)aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZWQOXRDNGHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNHQPIBXQALMMN-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)-dimethylsilyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1[Si](C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 HNHQPIBXQALMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(3,4-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYGUOZYRZNPDTN-UHFFFAOYSA-N 4-[6-(3,4-dicarboxyphenoxy)pyridin-2-yl]oxyphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=C(C(C(O)=O)=CC=2)C(O)=O)=N1 OYGUOZYRZNPDTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BALIDSJNGIOVDT-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC3=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C3C=C21 BALIDSJNGIOVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C=C(C(C(=O)O)=C3)C(O)=O)C3=CC2=C1 MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEZYWGNEACOIW-UHFFFAOYSA-N bis(2-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1N GSEZYWGNEACOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C21 KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBYQSYQIKWRMOE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 BBYQSYQIKWRMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBJPJUGOYJOSLR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC2=CC(N)=CC=C21 HBJPJUGOYJOSLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYPCCLLEICQOCV-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1 CYPCCLLEICQOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C3=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C3C2=C1 RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,5-diamine Chemical compound NC1=CC=C(N)N=C1 MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,6-diamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=N1 VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABYXFACYSGVHCW-UHFFFAOYSA-N pyridine-3,5-diamine Chemical compound NC1=CN=CC(N)=C1 ABYXFACYSGVHCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
V.プロブス他、「アドバンスト スタックト エレメンタル レイヤー プロセス フォー Cu(In,Ga)Se2 スィン フィルム フォトボルタイック デバイシズ」、エムアールエス シンポジウム プロシーディング、米国材料学会、1996年、426巻 p.165 (V.Probst, et al., Advanced stacked elemental layer process for Cu(In,Ga)Se2 thin film photovoltaic devices, MRS Symp. Proc., Material Research Society, vol.426(1996) p.165) D.ルドマン他、「エフィシェンシー エンハンスメント オブ Cu(In,Ga)Se2 ソーラー セルズ デュー トウ ポストーデポジション Na インコーポレーション」、アプライド フィジックス レターズ、米国物理学会、2004年、第84巻、p.1129 (D.Rudmann,et al., Efficiency enhancement of Cu(In,Ga)Se2 solar cells due to post-deposition Na incorporation, APL, American Institute of Physical, vol.84, 1129(2004)) D.ルドマン他、「Na インコーポレーション イントウ Cu(In,Ga)Se2 フォー ハイーエフィッシェンシー フレキシブル ソーラー セルズオン ポリマー フォイルス」、ジャーナル オブ アプライド フィジックス、米国物理学会、2005年、第97巻、p.084903−1−5(D.Rudmann,et al., Na incorporation into Cu(In,Ga)Se2 for high-efficiency flexible solar cells on polymer foils, JAP, American Institute of Physics, vol.97, 084903-1-5(2004))
また、光電変換層上に蒸着した後に加熱処理する方法では、蒸着工程後に加熱処理工程が必要となるために、工程数が増加し、製造コストも上昇することとなり、産業的にデメリットが大きいという問題点があった。
特に、近年、薄膜系太陽電池の中でも最も高性能のCIS系太陽電池の特徴を生かしたフレキシブル型太陽電池等への関心が高まっており、金属箔やプラスチックを初めとする各種フレキシブル基板等、無アルカリあるいは低アルカリの基板を用いた高性能のCIS系太陽電池を実用化するために、光電変換層にナトリウム(Na)等のアルカリ金属を添加するための簡便かつ機能的な方法の開発が望まれていた。
前記ケイ酸塩層は、aX2O・bYO・cSiO2(a、b、cは正の整数、XはIa族アルカリ金属元素、YはIIa族アルカリ土類金属元素)を主成分としたことが好ましい。
前記基板は、耐熱性ポリイミドからなることが好ましい。
(ただし、Ar1は炭素数6〜20の4価の芳香族基であり、Ar2は炭素数6〜20の非反応性の置換基を含んでもよい2価の芳香族基である)
からなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドであることが好ましい。
また、基板上に、マグネトロンスパッタリングによりケイ酸塩層を成膜するので、基板材料として無アルカリガラスや低アルカリガラス、金属箔、ポリイミド等のプラスチック等を広く用いることができ、したがって、多種多様の形状や特性を有するCIS系太陽電池を作製することができる。
2 ケイ酸塩層
3 裏面電極層
4 CIS系光電変換層
5 バッファ層
6 高抵抗酸化亜鉛層
7 透明導電層
8 グリッド電極
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
(ただし、Ar1は炭素数6〜20の4価の芳香族基であり、Ar2は炭素数6〜20の非反応性の置換基を含んでもよい2価の芳香族基である)
からなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドが好適に用いられる。
ポリイミドを構成する芳香族テトラカルボン酸成分としては、ピロメリット酸を挙げることができるが、使用する芳香族テトラカルボン酸成分として、25モル%を超えない範囲で他の芳香族テトラカルボン酸を使用しても良い。
(B)
(C)
(D)
繰り返し単位(C)と繰り返し単位(D)とのモル比は、好ましくは95:5〜50:50である。
このケイ酸塩層2としては、aX2O・bYO・cSiO2(a、b、cは正の整数、XはIa族アルカリ金属元素、YはIIa族アルカリ土類金属元素)を主成分としたものが好ましい。aX2O・bYO・cSiO2で表される主成分の具体例としては、Na2O・CaO・5SiO2、Na2O・2MgO・6SiO2等が挙げられる。これらの中でも、Na2O・CaO・5SiO2を主成分とするソーダ石灰ガラスが好適である。このケイ酸塩層2の膜厚は20nm〜500nm程度である。
この構造では、CIS系太陽電池の特性発現の上で極めて重要な部分である裏面電極層3とCIS系光電変換層4との間、あるいはCIS系光電変換層4とバッファ層5との間に、アルカリプリカーサという異物を挟み込む必要がないので、この異物に起因する特性劣化が無く、高性能のCIS系太陽電池を得ることができる。
ケイ酸塩層2の出発原料となるケイ酸塩からなるスパッタリングターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング、好ましくは高周波(RF)マグネトロンスパッタリングにより、基板1上にケイ酸塩層2を、膜厚が20nm〜500nm程度となるように成膜する。
次いで、モリブデン(Mo)からなるスパッタリングターゲットを用いて、ケイ酸塩層2上にスパッタリングにより裏面電極層3を、膜厚が100nm〜2000nm、好ましくは800nm程度となるように成膜する。
次いで、化学析出法(CBD法)により、CIS系光電変換層4上にバッファ層5を、膜厚が20nm〜150nm、好ましくは50nm程度となるように成膜する。
次いで、透明導電層7の出発原料となる酸化亜鉛(ZnO)にアルミナ(Al2O3)を1〜3質量%固溶したアルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)からなるスパッタリングターゲットを用いて、高抵抗酸化亜鉛層6上に透明導電層7を、膜厚が100nm〜1000nm、好ましくは500nm程度となるように成膜する。
次いで、アルミニウムを蒸着源とし、真空蒸着法により、透明導電層7上にグリッド電極8を成膜する。
以上により、本実施形態のCIS系太陽電池を得ることができる。
温度計、撹拌装置及び原料投入口を備えた反応容器に、窒素雰囲気下、脱水NMP(N−メチル−2−ピロリドン)21kgを入れ、さらに1,4−フェニレンジアミン340.0g、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル629.3gを加え完全に溶解させた。その後、ジアミン溶液の温度を20℃とした。このジアミン溶液に無水ピロメリット酸1371gを複数回に分けて、段階的に添加し1時間反応させた。この時反応溶液の温度は20〜40℃であった。さらに、この反応液を60℃とし、2時間反応させ、粘調溶液としてポリアミック酸NMP溶液を得た。
次いで、このゲルフィルムをNMPに室温下にて20分浸漬させ洗浄を行った後、このゲルフィルムの両端をチャックを用いて固定し、室温下、直交する2軸方向にそれぞれ2.0倍に10mm/secの速度で同時二軸延伸した。
延伸後のゲルフィルムを枠固定し、乾燥空気を用いた熱風乾燥機にて160℃、20分、乾燥処理を実施した。次いで、熱風循環式オーブンを用いて300℃〜450℃まで多段的に昇温していき全芳香族ポリイミドフィルムからなる基材(A)を得た。
で表される繰り返し単位50モル%,および下記式(I−b)
で表される繰り返し単位50モル%とからなる全芳香族ポリイミドフィルムよりなる基材(A)であった。得られた基材(A)の厚みは14μmであり、縦方向横方向のヤング率は9GPaであった。
次いで、モリブデン(Mo)のターゲットを用いて、ケイ酸塩層上に、スパッタリングにより膜厚が800nmの裏面電極層を成膜した。
次いで、Cu、In、Ga及びSeをそれぞれ独立した蒸着源とし、これらの蒸着源を用いた三段階法による多元蒸着法により、裏面電極層3上に膜厚が2μmのCIS系光電変換層を成膜した。
次いで、酸化亜鉛のターゲットを用いて、バッファ層上に膜厚が70nmの高抵抗酸化亜鉛層を成膜した。
次いで、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)のターゲットを用いて、高抵抗酸化亜鉛層上に膜厚が500nmの透明導電層を成膜した。
次いで、アルミニウムを蒸着源とし、真空蒸着法により、透明導電層上にグリッド電極を成膜し、実施例1のCIS系太陽電池を得た。
本実施形態のCIS系太陽電池の変換効率は12.8%、開放電圧は0.585V、短絡電流密度は34.6mA/cm2、曲線因子は0.632、実効面積は0.460cm2である。
温度計、攪拌装置及び原料投入口を備えた反応容器に、窒素雰囲気下、脱水N,N−ジメチルアセトアミド(以下DMAcと略す)1410gを入れ、更にパラ−フェニレンジアミン(PPDA)52.099g(0.4818モル)及び3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)10.721g(0.0535モル)を加え完全に溶解した。その後、氷浴にて冷却し、芳香族ジアミン化合物DMAc溶液の温度を3℃とした。この冷却した芳香族ジアミン化合物DMAc溶液にピロメリット酸二無水物(PMDA)58.381g(0.2675モル)、および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)78.750g(0.2675モル)を3回に分けて添加し1時間反応させた。この時、反応溶液の温度は30〜40℃であった。更に該反応液を60℃にて3間反応させ、粘稠溶液として12wt%ポリアミック酸DMAc溶液を得た。得られたポリアミック酸の還元粘度は5.82dl/gであった。
得られた12wt%ポリアミック酸DMAc溶液をガラス板(厚さ1.1mm)上にリップ開度400μmのアプリケーターを用いて流延し、乾燥空気を用いた熱風乾燥機にて260℃から300℃まで多段的に昇温していき、乾燥及び熱処理を実施した。次いで、熱風循環式オーブンを用いて300℃〜450℃まで多段的に昇温していき、ポリイミドフィルムを得た。次いで実施例1と同様にCIS系太陽電池を得た。実施例2のCIS系太陽電池の変換効率は14.7%、開放電圧は0.619V、短絡電流密度は36.0mA/cm2、曲線因子は0.658、実効面積は0.496cm2であった。
一方、従来のCIS系太陽電池の変換効率は7.6%、開放電圧は0.541V、短絡電流密度は33.1mA/cm2、曲線因子は0.426、実効面積は0.506cm2である。
したがって、基板1と裏面電極層3との間にケイ酸塩層2を設けることにより、無アルカリガラスや低アルカリガラス、金属箔、耐熱性ポリイミド等のプラスチック、カーボンファイバ等を基板材料としても、高効率のCIS系太陽電池を作製することができることが分かった。
また、基板1と裏面電極層3との間にケイ酸塩層2を設けたので、無アルカリガラスや低アルカリガラス、金属箔、耐熱性ポリイミド等のプラスチック、カーボンファイバ等の材料を基板に用いることができ、したがって、軽量フレキシブル等、多種多様の形状や特性を有するCIS系太陽電池を実現することができる。
技術分野
[0001]
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関し、更に詳しくは、無アルカリガラス基板、耐熱性のプラスチック基板等を用いたCu(In1−xGax)(SeyS1−y)2(0≦x≦1、0≦y≦1)を主成分とするCIS系太陽電池のさらなる高効率化が可能な技術に関するものである。
背景技術
[0002]
近年、次世代の太陽電池として、従来の結晶シリコン系と異なり銅(Cu)、インジウム(In)、セレン(Se)等の金属化合物(CIS系薄膜)からなる光電変換層に下部電極層及び上部電極層を設けた構造のCIS系太陽電池が注目されている。このCIS系太陽電池は、構造が簡単で大面積も容易、製造工程がシンプルで省エネルギー化が可能等の利点を備えていることから、様々な研究がなされ、提案もなされている。
[0003]
CIS系太陽電池を高性能化するためには、光電変換層にナトリウム(Na)等のアルカリ金属を添加する必要がある。一般にソーダ石灰(Na2O・CaO・5SiO2)を主成分とするソーダ石灰ガラス等を基板に用いる場合には、基板に含まれるアルカリ金属が光電変換層のCIS系金属中に拡散するために、意図的にアルカリ金属を添加する必要は無い。一方、耐熱性に優れた無アルカリガラスや低アルカリガラスを基板に用いようとする場合、あるいは、フレキシブル太陽電池を作製する目的でポリイミド等のプラスチック基板を用いようとする場合には、基板からのアルカリ金属の拡散が期待できないために、アルカリプリカーサを用いることによって、アルカリ金属をCIS系薄膜中に拡散する必要がある。
[0004]
この場合、フッ化ナトリウム(NaF)等をアルカリプリカーサとして用いるのが一般的であり、例えば、下部電極層上に蒸着する方法(非特許文献1)、あるいは、CIS系光電変換層を形成した後、この光電変換層上に蒸着し、加熱処理することにより拡散させる方法(非特許文献2、3)等が用いられている。
非特許文献1:V.プロブス他、「アドバンスト スタックト エレメンタル レイヤー プロセス
フォー Cu(In,Ga)Se2 スィン フィルム フォトボルタイック デバイシズ」、エムアールエス シンポジウム プロシーディング、米国材料学会、1996年、426巻 p.165(V.Probst,et al.,Advanced stacked elemental layer process for Cu(In,Ga)Se2 thin film photovoltaic devices,MRS Symp.Proc.,Material Research Society,vol.426(1996)p.165)
非特許文献2:D.ルドマン他、「エフィシェンシー エンハンスメント オブ Cu(In,Ga)Se2 ソーラー セルズ デュー トウ ポストーデポジション Na インコーポレーション」、アプライド フィジックス レターズ、米国物理学会、2004年、第84巻、p.1129(D.Rudmann,et al.,Efficiency enhancement of Cu(In,Ga)Se2 solar cells due to post−deposition Na incorporation,APL,American Institute of Physics,vol.84,1129(2004))
非特許文献3:D.ルドマン他、「Na インコーポレーション イントウ Cu(In,Ga)Se2 フォー ハイーエフィッシェンシー フレキシブル ソーラー セルズオン ポリマー フォイルス」、ジャーナル オブ アプライド フィジックス、米国物理学会、2005年、第97巻、p.084903−1−5(D.Rudmann,et al.,Na incorporation into Cu(In,Ga)Se2 for high−efficiency flexible solar cells on polymer foils,JAP,American Institute of Physics,vol.97,084903−1−5(2004))
発明の開示
発明が解決しようとする課題
[0005]
ところで、従来からよく用いられているフッ化ナトリウム(NaF)等のアルカリプリカーサの多くは、吸湿性、潮解性等を有しているために、下部電極層上に蒸着する方法では、下部電極層上に蒸着した後に大気中に長時間放置することにより、光電変換層を形成する前に変質してしまう等の問題点があった。
また、光電変換層上に蒸着した後に加熱処理する方法では、蒸着工程後に加熱処理工程が必要となるために、工程数が増加し、製造コストも上昇することとなり、産業的にデメリットが大きいという問題点があった。
[0006]
また、いずれの方法においても、下部電極層と光電変換層との界面、あるいは、光電変換層とバッファ層との界面、というデバイス機能上極めて重要な部分にアルカリプリカーサという異物が存在するものであるから、太陽電池の高性能化を図る上で性
能劣化を招きかねない懸案事項であった。
特に、近年、薄膜系太陽電池の中でも最も高性能のCIS系太陽電池の特徴を生かしたフレキシブル型太陽電池等への関心が高まっており、プラスチックを初めとする各種フレキシブル基板等、無アルカリあるいは低アルカリの基板を用いた高性能のCIS系太陽電池を実用化するために、光電変換層にナトリウム(Na)等のアルカリ金属を添加するための簡便かつ機能的な方法の開発が望まれていた。
[0007]
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、CIS系太陽電池の光電変換層にナトリウム(Na)等のアルカリ金属を簡便かつ機能的に添加した太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008]
本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、基板と下部電極層との間にケイ酸塩層を設ければ、このケイ酸塩層に由来するアルカリ金属が裏面電極層を通過してCIS系薄膜中に拡散されるため、Cu(In1−xGax)(SeyS1−y)2(0≦x≦1、0≦y≦1)を主成分とするCIS系太陽電池のさらなる高効率化が可能であり、特性劣化等の虞も無く、製造工程における変質や製造コストの上昇等も無いことを見出し、本発明を完成するに至った。
[0009]
すなわち、本発明の太陽電池は、基板上に、下部電極層、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含むカルコパイライト構造の光電変換層、上部電極層を順次形成してなる太陽電池において、前記基板と前記下部電極層との間にケイ酸塩層を備えてなることを特徴とする。
[0010]
前記カルコパイライト構造の光電変換層は、Cu(In1−xGax)(SeyS1−y)2(0≦x≦1、0≦y≦1)を主成分とするCIS系光電変換層であることが好ましい。
前記ケイ酸塩層は、aX2O・bYO・cSiO2(a、b、cは正の整数、XはIa族アルカリ金属元素、YはIIa族アルカリ土類金属元素)を主成分としたことが好ましい。
前記基板は、耐熱性ポリイミドからなることが好ましい。
[0011]
前記耐熱性ポリイミドは、下記式(I)
[化1]
(ただし、Ar1は炭素数6〜20の4価の芳香族基であり、Ar2は炭素数6〜20の非反応性の置換基を含んでもよい2価の芳香族基である)
からなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドであることが好ましい。
[0012]
本発明の太陽電池の製造方法は、基板上に、ケイ酸塩層、下部電極層、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含むカルコパイライト構造の光電変換層、上部電極層を順次形成してなる太陽電池の製造方法であって、前記基板上に、マグネトロンスパッタリングにより前記ケイ酸塩層を成膜することを特徴とする。
[0013]
前記マグネトロンスパッタリングは、高周波マグネトロンスパッタリングであることが好ましい。
発明の効果
[0014]
本発明の太陽電池によれば、基板と下部電極層との間に、吸湿性、潮解性等を有しないケイ酸塩層を備えたので、従来のように下部電極層上や光電変換層上にフッ化ナトリウム(NaF)等のアルカリプリカーサを蒸着する場合と異なり、基板と下部電極層との界面や光電変換層とバッファ層との界面における接合性を損なうこと無く、CIS系太陽電池を高性能化することができる。
[0015]
また、基板と下部電極層との間にケイ酸塩層を備えたことで、基板材料として無アルカリガラスや低アルカリガラス、ポリイミド等のプラスチック等を広く用いることができる。したがって、基板材料の選択肢が拡がり、軽量フレキシブル等、多種多様の形状や特性を有するCIS系太陽電池を実現することができる。
[0016]
本発明の太陽電池の製造方法によれば、基板上に、マグネトロンスパッタリングによりケイ酸塩層を成膜するので、基板と下部電極層との界面や光電変換層とバッファ層
との界面における接合性を損なうことが無く、高性能のCIS系太陽電池を容易かつ低コストにて作製することができる。
また、基板上に、マグネトロンスパッタリングによりケイ酸塩層を成膜するので、基板材料として無アルカリガラスや低アルカリガラス、ポリイミド等のプラスチック等を広く用いることができ、したがって、多種多様の形状や特性を有するCIS系太陽電池を作製することができる。
図面の簡単な説明
[0017]
[図1]本発明の一実施形態のCIS系太陽電池を示す断面図である。
[図2]本発明の一実施形態のCIS系太陽電池及び従来のCIS系太陽電池それぞれの電流−電圧特性曲線を示す図である。
符号の説明
[0018]
1 基板
2 ケイ酸塩層
3 裏面電極層
4 CIS系光電変換層
5 バッファ層
6 高抵抗酸化亜鉛層
7 透明導電層
8 グリッド電極
発明を実施するための最良の形態
[0019]
本発明の太陽電池及びその製造方法を実施するための最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
[0020]
図1は、本発明の一実施形態のCIS系太陽電池の積層構造を示す断面図であり、図1において、1は基板、2はケイ酸塩層、3はモリブデン(Mo)等の高融点金属からなる裏面電極層(下部電極層)、4はCIS系光電変換層、5は硫化カドミウム(CdS)等からなるバッファ層、6は高抵抗酸化亜鉛層、7は酸化亜鉛系透明導電材料からなる
透明導電層(上部電極層)、8はアルミニウム(Al)からなるグリッド電極である。
[0021]
基板1の材料としては、無アルカリガラス、低アルカリガラス、セラミックス、耐熱性ポリイミド等のプラスチックを用いることができる。この基板1の形状は、板状、シート状、フィルム状等、その用途や特性に応じて適宜選択して使用することができる。
[0022]
耐熱性ポリイミドは、下記式(I)
[化2]
(ただし、Ar1は炭素数6〜20の4価の芳香族基であり、Ar2は炭素数6〜20の非反応性の置換基を含んでもよい2価の芳香族基である)
からなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドが好適に用いられる。
[0023]
好ましいAr1およびAr2の具体例としては、以下の芳香族テトラカルボン酸成分および芳香族ジアミン成分を構成するものが挙げられる。
ポリイミドを構成する芳香族テトラカルボン酸成分としては、ピロメリット酸を挙げることができるが、使用する芳香族テトラカルボン酸成分として、25モル%を超えない範囲で他の芳香族テトラカルボン酸を使用しても良い。
[0024]
使用可能な芳香族テトラカルボン酸としては、例えば1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸、2,3,4,5−チオフェンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,3’,3,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−p−テルフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−p−テルフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−p−テルフェニルテトラカルボン酸、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレ
陽電池の変換効率は14.7%、開放電圧は0.619V、短絡電流密度は36.0mA/cm2、曲線因子は0.658、実効面積は0.496cm2であった。
一方、従来のCIS系太陽電池の変換効率は7.6%、開放電圧は0.541V、短絡電流密度は33.1mA/cm2、曲線因子は0.426、実効面積は0.506cm2である。
[0045]
図2によれば、ケイ酸塩層を有する本実施形態のCIS系太陽電池は、ケイ酸塩層を有しない従来のCIS系太陽電池と比べて、アルカリ金属添加効果特有の高開放電圧化が見られ、高効率であることが分かった。
したがって、基板1と裏面電極層3との間にケイ酸塩層2を設けることにより、無アルカリガラスや低アルカリガラス、耐熱性ポリイミド等のプラスチック等を基板材料としても、高効率のCIS系太陽電池を作製することができることが分かった。
[0046]
本実施形態のCIS系太陽電池によれば、基板1と裏面電極層3との間にケイ酸塩層2を設けたので、基板1と裏面電極層3との界面における接合性を損なうこと無く、CIS系太陽電池を高性能化することができる。
また、基板1と裏面電極層3との間にケイ酸塩層2を設けたので、無アルカリガラスや低アルカリガラス、耐熱性ポリイミド等のプラスチック等の材料を基板に用いることができ、したがって、軽量フレキシブル等、多種多様の形状や特性を有するCIS系太陽電池を実現することができる。
[0047]
本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、基板1上に、高周波(RF)マグネトロンスパッタリングによりケイ酸塩層2を成膜するので、基板1と裏面電極層3との界面における接合性を損なうこと無く、高性能のCIS系太陽電池を容易かつ低コストにて作製することができる。
[0048]
なお、本実施形態のCIS系太陽電池は、作製後に太陽電池部分を、基板1とケイ酸塩層2との界面、ケイ酸塩層2と裏面電極層3との界面、のいずれかで分離しても太陽電池としての機能を維持することができる。したがって、作製後に基板1を剥離することも可能であり、作製後は、必ずしも基板1、ケイ酸塩層2、裏面電極層3、CIS系光電変換層4、バッファ層5、高抵抗酸化亜鉛層6及び透明導電層7の構造を維持する必要はない。
Claims (7)
- 基板上に、下部電極層、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含むカルコパイライト構造の光電変換層、上部電極層を順次形成してなる太陽電池において、
前記基板と前記下部電極層との間にケイ酸塩層を備えてなることを特徴とする太陽電池。 - 前記カルコパイライト構造の光電変換層は、Cu(In1−xGax)(SeyS1−y)2(0≦x≦1、0≦y≦1)を主成分とするCIS系光電変換層であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 前記ケイ酸塩層は、aX2O・bYO・cSiO2(a、b、cは正の整数、XはIa族アルカリ金属元素、YはIIa族アルカリ土類金属元素)を主成分としたことを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池。
- 前記基板は、耐熱性ポリイミドからなることを特徴とする請求項1、2または3記載の太陽電池。
- 基板上に、ケイ酸塩層、下部電極層、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含むカルコパイライト構造の光電変換層、上部電極層を順次形成してなる太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に、マグネトロンスパッタリングにより前記ケイ酸塩層を成膜することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記マグネトロンスパッタリングは、高周波マグネトロンスパッタリングであることを特徴とする請求項6記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010503927A JP5366154B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-03-19 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074429 | 2008-03-21 | ||
JP2008074429 | 2008-03-21 | ||
JP2010503927A JP5366154B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-03-19 | 太陽電池及びその製造方法 |
PCT/JP2009/055444 WO2009116626A1 (ja) | 2008-03-21 | 2009-03-19 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009116626A1 true JPWO2009116626A1 (ja) | 2011-07-21 |
JP5366154B2 JP5366154B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=41091024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010503927A Active JP5366154B2 (ja) | 2008-03-21 | 2009-03-19 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8921691B2 (ja) |
EP (1) | EP2259330A1 (ja) |
JP (1) | JP5366154B2 (ja) |
WO (1) | WO2009116626A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101210168B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
JP5418463B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-02-19 | 住友金属鉱山株式会社 | Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2013012717A (ja) * | 2011-06-03 | 2013-01-17 | Nitto Denko Corp | 太陽電池の製造方法 |
US20140102536A1 (en) * | 2012-03-16 | 2014-04-17 | Nanosensing Technologies, Inc. | Composite Metallic Solar Cells |
KR101349417B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2014-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
WO2014196256A1 (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光学素子及びその製造方法 |
JP2015135899A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
JP6657073B2 (ja) | 2014-03-25 | 2020-03-04 | 株式会社カネカ | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
JP6652111B2 (ja) | 2017-07-18 | 2020-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
RU2682836C1 (ru) * | 2018-05-29 | 2019-03-21 | Общество с ограниченной ответственностью "Солартек" | Способ изготовления светопроницаемого тонкопленочного солнечного модуля на основе халькопирита |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259494A (ja) | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Fuji Electric Co Ltd | フレキシブル型太陽電池の製造方法 |
DE4442824C1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
JPH1154773A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
US6441301B1 (en) * | 2000-03-23 | 2002-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
JP3503824B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-03-08 | 松下電器産業株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
US6734276B2 (en) * | 2000-08-11 | 2004-05-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polyimide and circuit substrate comprising the same |
JP2004079858A (ja) | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2005217067A (ja) | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2007201069A (ja) | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Teijin Ltd | 太陽電池形成用ポリイミドフィルム |
WO2008036769A2 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Itn Energy Systems, Inc. | Semi-transparent dual layer back contact for bifacial and tandem junction thin-film photovolataic devices |
-
2009
- 2009-03-19 US US12/922,996 patent/US8921691B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-19 EP EP09722699A patent/EP2259330A1/en not_active Withdrawn
- 2009-03-19 JP JP2010503927A patent/JP5366154B2/ja active Active
- 2009-03-19 WO PCT/JP2009/055444 patent/WO2009116626A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8921691B2 (en) | 2014-12-30 |
JP5366154B2 (ja) | 2013-12-11 |
US20110023963A1 (en) | 2011-02-03 |
WO2009116626A1 (ja) | 2009-09-24 |
EP2259330A1 (en) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5366154B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
Shi et al. | Recent progress in the high-temperature-resistant PI substrate with low CTE for CIGS thin-film solar cells | |
Tiwari et al. | 12.8% efficiency Cu (In, Ga) Se2 solar cell on a flexible polymer sheet | |
CN100463230C (zh) | 黄铜矿型薄膜太阳能电池的制造方法 | |
JP5278160B2 (ja) | 芳香族ポリイミドフィルム、積層体および太陽電池 | |
EP2287239B1 (en) | Polyimide metal laminate and solar cell | |
TW201121914A (en) | Glass sheet for cu-in-ga-se solar cells, and solar cells using same | |
TW201231429A (en) | Glass substrate for Cu-In-Ga-Se solar cells and solar cell using same | |
Wu et al. | Ultralight flexible perovskite solar cells | |
JP5481929B2 (ja) | ポリイミド金属積層体および太陽電池 | |
CN108010985B (zh) | 柔性薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
JP6657073B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池の製造方法 | |
JP2007201069A (ja) | 太陽電池形成用ポリイミドフィルム | |
JP6011730B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
CN108574047A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
JP5246105B2 (ja) | 樹脂/金属積層体およびcis系太陽電池 | |
JP2010004029A (ja) | ポリイミド金属積層体および太陽電池 | |
JP2004327849A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
KR102280892B1 (ko) | 폴리이미드 적층체와 그 제조방법 및 태양전지 | |
KR20180020193A (ko) | Cigs 박막의 형성방법, 이를 이용한 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 cigs 박막과 태양전지 | |
Ishizuka et al. | Monolithically integrated CIGS submodules fabricated on flexible substrates | |
CN117683231A (zh) | 一种聚酰亚胺树脂溶液、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 | |
KR20180001357A (ko) | Cigs 박막의 형성방법, 이를 이용한 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 cigs 박막과 태양전지 | |
JP2014067903A (ja) | 太陽電池用ガラス基板、太陽電池、および太陽電池の製造方法 | |
JP2010163511A (ja) | 太陽電池基材用フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5366154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |