JPWO2009110338A1 - セラミック基板の製造方法およびセラミック基板 - Google Patents
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Abstract
Description
セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接するようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴としている。
セラミック粉末とガラス材料とを含有するとともに表面に電極が形成され、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と拘束層との間に両者の反応により生成する反応層を備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接するようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備え、
前記第3の工程において、前記電極の少なくとも一部を露出させるとともに、前記電極の周縁部と前記電極の周囲の前記焼結基材層との境界部に前記反応層を残存させること
を特徴としている。
なお、本発明において、反応層とは、拘束層に含まれているセラミック成分と基材層に含まれているガラス成分からなる層をいう。より詳しくは、基材層に含まれていたガラス成分が拘束層中に浸透し、拘束層中のセラミック成分が当該ガラス成分により固着されるか、もしくは拘束層中のセラミック成分と基材層から浸透したがガラス成分とが原子レベルで混じり合って形成された層をいう。
すなわち、メディアが振動するため、微視的にみるとメディアと拘束層が接していない状態になるタイミングはあるが、ほぼ連続的にメディアが拘束層に接した状態を保つことが可能になり、拘束層を効率よく除去することが可能になる。
なお、焼成後の拘束層のうち、基材層との境界部に近い部分には、基材層に含まれるガラス成分と拘束層の構成材料との反応により生成する反応層が形成されやすい。この反応層は基材層との密着性が強く、除去しにくいため、拘束層の除去に関しては、この反応層の除去が問題となる場合が多い。しかし、通常、ガラス成分との反応により生じる反応層は、拘束層の構成材料自体(例えばアルミナなど)よりも硬度が低くなる。そのため、ジルコニア製のメディアを用いた場合、メディアの方が反応層よりも硬度が高くなることが多く、効率よく反応層を除去することができる。
また、拘束層と基材層との境界部に、基材層に含まれるガラス成分と拘束層の構成材料との反応により生成した反応層は、例えば電極上において数μm程度隆起することがある。この隆起した反応層に対応するように、メディアの振動の強さ、大きさを制御することにより、隆起した部分が選択的に除去され、なだらかな形状となった反応層を残存させることが可能になる。
1a 基材層用セラミックグリーンシート
2(2a,2b) 拘束層用セラミックグリーンシート
10 くし型電極
11 未焼成積層体
12 メディア(ジルコニアボール)
13 トレー
14 処理液
15 超音波洗浄槽
16 超音波発振子
21 焼成積層体
31 絶縁性セラミック層
32 内部導体
33 積層体
34 表面導体
35 ビアホール導体
101 絶縁性セラミック層
101a 基材層用セラミックグリーンシート
102 貫通孔
112 メディア(ジルコニアボール)
113 トレー
114 処理液
115 超音波洗浄槽
116 超音波発振子
121 表面電極
121a 未焼結の表面電極
122 内部導体
122a 未焼結の内部導体
123 ビアホール導体
123a 未焼結のビアホール導体
124 反応層
131 拘束層
132 未焼成積層体
133 焼成積層体
141 めっき層
A 基材層(未焼成のセラミック基板)
AF 焼結基材層
B セラミック多層基板
セラミック粉末としてはアルミナ粉末を用意するとともに、ガラス粉末として、SiO2を:59重量%、B2O3:10重量%、CaO:25重量%、Al2O3:6重量%の割合で含有する組成のホウケイ酸ガラス粉末を用意した。
そして、複数の基材層用グリーンシートを積層することにより形成される基材層Aの上面を形成する基材層用グリーンシートには、特性を評価するために、ラインL/スペースS=0.1mm(幅)/0.1mm(幅)のくし型電極(信頼性評価用)10(図1(a),(b))が形成された基材層用セラミックグリーンシートを用意した。なお、くし型電極10はAg電極ペーストをスクリーン印刷することにより形成した。
まず、上記基材層用セラミックグリーンシートの焼成温度では実質的に焼結しないセラミック粉末、この実施例1では、平均粒径1.0μmのAl2O3粉末を有機バインダ、有機溶剤、可塑剤などからなる有機ピヒクル中に分散させてスラリーを調製した。
この拘束層用セラミックグリーンシートの焼結温度は、1400〜1600℃であり、基材層用セラミックグリーンシートの焼結温度では実質的に焼結しないものである。
また、この実施例1では基材層Aの上下両側に拘束層2を配設するようにしているが、拘束層2は基材層Aの一方主面にのみ配設するように構成することも可能である。
また、この実施例1では、拘束層2を、一枚の拘束層用セラミックグリーンシートから形成するようにしているが、拘束層用セラミックグリーンシートを複数枚積層することにより形成してもよい。
その後、基材層は焼結するが、拘束層を構成するセラミック粉末は焼結しない条件で900℃に昇温して焼成した。これにより、図1(b)に示すように、焼結基材層AFの両主面側に、焼結していない拘束層2(2a,2b)を備えた焼成積層体21を得た。
まず、図2に示すように、球状で直径が2mmのジルコニア(ZrO2)製のメディア(以下、ジルコニアボールともいう)12をステンレス製のトレー13上に敷き詰め、その上に、焼結基材層AF(図1(b))の両主面側に焼結していない拘束層2(図1(b))を備えた焼成積層体21を載置する。さらに、焼成積層体21上に、メディアとして、ジルコニアボール12を一層あるいは二層程度になるように載置する(図2では、ジルコニアボール12を一層となるように載置した状態を示している)。
なお、処理液14としては、超音波を印加した際の音圧を高めるために、脱気処理を施した水を使用した。
それから、Niめっき膜上に、Pdめっきを施して、Niめっき膜上に厚さ0.2μmのPdめっき膜を形成し、さらに、その上にAuめっきを施して、Pdめっき膜上に、厚さ0.1μmのAuめっき膜を形成し、Ag電極の上に三層構造のめっき膜を備えた電極を形成した。
それから、実施例1の方法で拘束層を除去して得た試料(セラミック基板)および比較例の方法で拘束層を除去して得た試料(セラミック基板)について、電極(くし型電極)の表面粗さRa、電極のワイヤプル強度(W/Bプル強度)および抗折強度を測定するとともに、信頼性試験を行って信頼性を評価した。その結果を表1に示す。
(1)表面粗さRa
レーザー顕微鏡を用いてくし型電極の線粗さを測定することにより表面粗さRaを求めた。
(2)ワイヤプル強度
直径20μm、長さ800μmのAuワイヤをくし型電極にワイヤ接合し、ワイヤプル試験機にてワイヤを引張り、ワイヤが切断、あるいは接合部およびその近傍が破断あるいは剥離したときの引張り力をワイヤプル強度とした。
(3)抗折強度
L(長さ)×W(幅)×T(厚さ)=30mm×4mm×0.3mmの試験片を3点曲げ試験機にかけ、破壊したときの荷重を抗折強度とした。
(4)信頼性試験
ライン/スペース=100μm/100μmのくし型電極を形成したセラミック基板を85℃、85%RHの雰囲気中で、電圧20V、120hの条件で電圧を印加し、IR劣化がなく、Agマイグレーションが発生しない場合を良とし、IR劣化もしくはAgマイグレーションの発生が確認された場合を不良として評価した。
発明者等の知見によると、上述の実施例の方法によれば、振動によりメディアが瞬間的に拘束層から浮き上がることがあるものの、巨視的には、メディアがほぼ継続して拘束層上に載置された状態が維持されるため、メディアが沈降するときに焼成積層体に加わるエネルギーを小さくすることができる。したがって、セラミック表面や電極などへのダメージを最小限に抑えることができる。
また、表面粗さが小さくなることにより、電極表面のAuめっき膜に粒界が形成されにくくなり、熱処理時に、粒界を通じてNiが表面に出てくる現象が抑制される。そして、このことも、ワイヤプル強度の向上に寄与しているものと考えられる。
これは、直径が1mmのジルコニアボールを用いた場合、質量が小さすぎて、超音波を印加してメディアを振動させても、焼結基材層と拘束層との間に形成される反応層を破壊するのに十分なエネルギーを与えることができなかったことによる。また、大きなエネルギーを与えるべく、超音波の出力を上げた場合(すなわち、音圧を上げた場合)、メディアの質量が小さすぎて、トレーの外に飛び出してしまい、所望の効果を得ることはできなかった。
これは、直径が3mmのジルコニアボールを用いた場合、質量が大きく、十分なエネルギーを与えることはできるが、メディアの曲率が大きすぎて、接触点の間隔が大きくなってしまい、拘束層の除去状態にムラが生じることによる。なお、直径が3mmのジルコニアボールを用い、基板表面全体をメディアによりムラなく擦って拘束層を確実に除去するためには、拘束層除去工程にかける時間を長くすることが必要になり、生産性が低下することになる。
ただし、メディアの直径の好ましい範囲は、拘束層の厚みや、拘束層の構成材料、処理液の比重などに影響を受けることから、メディアの直径の好ましい範囲は、必ずしも上記範囲に限られるものではない。
セラミック粉末としてアルミナ粉末を用意するとともに、ガラス粉末として、SiO2:59重量%、B2O3:10重量%、CaO:25重量%、Al2O3:6重量%の割合で含有する組成のホウケイ酸ガラス粉末を用意した。
そして、得られたスラリーをシート状に成形して、拘束層用セラミックグリーンシートを作製した。
なお、この実施例3では、十分な拘束力を確保することができるように、拘束層セラミックグリーンシートの厚みを300μmとした。
この実施例3では、未焼成の基材層(未焼成のセラミック基板)Aの厚みが300μm、その上下両主面側の拘束層131の厚みがそれぞれ300μmとなるようにした。
また、この実施例3では基材層Aの上下両側に拘束層131を配設するようにしているが、拘束層131は基材層Aの一方主面にのみ配設するように構成することも可能である。
また、この実施例3では、拘束層131を、一枚の拘束層用セラミックグリーンシートから形成するようにしているが、拘束層用セラミックグリーンシートを複数枚積層することにより形成してもよい。
その後、基材層Aは焼結するが、拘束層131を構成するセラミック粉末は焼結しない条件で900℃に昇温して焼成した。これにより、図5に示すように、焼結基材層AFの両主面側に、焼結していない拘束層131を備えた焼成積層体133を得た。なお、焼結基材層AFは、拘束層131を除去した後に、セラミック基板(セラミック多層基板)となるものであり、表面に形成された電極(表面電極)121と、積層された複数の絶縁性セラミック層101の間に配設された内部導体122とを備え、内部導体122どうし、あるいは、内部導体122と表面電極121とがビアホール導体123により接続された構造を有している。
まず、図6に示すように、球状で直径が2mmのジルコニア(ZrO2)製のメディア(以下、ジルコニアボールともいう)112をステンレス製のトレー113上に敷き詰め、その上に、焼結基材層AF(図5)の両主面側に焼結していない拘束層131(図5)を備えた焼成積層体133を載置する。さらに、焼成積層体133上に、メディアとして、ジルコニアボール112を一層あるいは二層程度になるように載置する(図6では、ジルコニアボール112を一層となるように載置した状態を示している)。
なお、ここでは、焼結基材層AFの表面に形成された表面電極121の少なくとも一部が露出するとともに、表面電極121の周縁部から焼結基材層(セラミック基板)AFの表面にかけて、反応層124が残存するような態様で拘束層131を除去した。
また、処理液114としては、超音波を印加した際の音圧を高めるために、脱気処理を施した水を使用した。
それから、Niめっき膜上に、Pdめっきを施して、Niめっき膜上に厚さ0.2μmのPdめっき膜を形成し、さらに、その上にAuめっきを施して、Pdめっき膜上に、厚さ0.1μmのAuめっき膜を形成し、Ag電極の上に三層構造のめっき膜141(図7(b)および図8参照))を備えた電極(表面電極)121を形成した。
それから、実施例3および比較例の方法で作製した試料(セラミック基板)について、めっき膜を有する表面電極と焼結基材層(セラミック基板)の高さの差ΔHを調べた。その結果を表2に示す。
すなわち、本発明の方法が、メディアによって電極上の拘束層粒子を擦り取る工法であり、メディアの振動エネルギーがそれほど大きくないため、拘束層除去処理の条件(処理時間、メディアの大きさ,印加するパワーの大きさなど)を適正に設定することにより、拘束層は十分に除去されるが、緻密な反応層が削り取られることはほとんどなく、反応層は大部分がそのまま残存するようにすることが可能になる。その結果、セラミック基板(焼結基材層)の表面に通常は、数ミクロン〜数十ミクロンの厚みで残存する反応層により、メディアの振動を作用させた後にも高さが変わらない表面電極の表面とセラミック基板(焼結基材層)の表面との高低差を減少させることが可能になり、コプラナリティーを大きく改善することが可能になる。
なお、大きなエネルギーを与えるべく、超音波の出力を上げた場合(すなわち、音圧を上げた場合)、メディアの質量が小さすぎて、トレーの外に飛び出してしまい、所望の効果を得ることはできなかった。
ただし、メディアの直径の好ましい範囲は、拘束層の厚みや、拘束層の構成材料、処理液の比重などに影響を受けることから、メディアの直径の好ましい範囲は、必ずしも上記範囲に限られるものではない。
したがって、本発明は、拘束焼成の工程を経て製造されるセラミック基板の製造技術の分野に広く利用することが可能できる。
セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接した状態が維持されるようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴としている。
セラミック粉末とガラス材料とを含有するとともに表面に電極が形成され、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と拘束層との間に両者の反応により生成する反応層を備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接した状態が維持されるようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備え、
前記第3の工程において、前記電極の少なくとも一部を露出させるとともに、前記電極の周縁部と前記電極の周囲の前記焼結基材層との境界部に前記反応層を残存させること
を特徴としている。
なお、本発明において、反応層とは、拘束層に含まれているセラミック成分と基材層に含まれているガラス成分からなる層をいう。より詳しくは、基材層に含まれていたガラス成分が拘束層中に浸透し、拘束層中のセラミック成分が当該ガラス成分により固着されるか、もしくは拘束層中のセラミック成分と基材層から浸透したがガラス成分とが原子レベルで混じり合って形成された層をいう。
セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
メディアを敷き詰めたトレーに、前記拘束層が前記メディアと接するような態様で、前記焼成積層体を載置し、前記焼成積層体と前記メディアとが処理液に浸漬した状態で超音波を印加し、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴としている。
セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
トレーに前記拘束層が上側に位置するような態様で前記焼成積層体を載置し、さらに前記焼成積層体上に前記メディアを敷き詰めて、前記拘束層が前記メディアと接し、かつ、前記焼成積層体と前記メディアが処理液に浸漬した状態で超音波を印加し、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴としている。
セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の一方主面と他方主面の両方に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
メディアを敷き詰めたトレーに前記焼成積層体を載置し、さらに前記焼成積層体上に前記メディアを敷き詰めて、前記焼成積層体の一方主面側と他方主面側の両方の拘束層が前記メディアと接し、かつ、前記焼成積層体と前記メディアが処理液に浸漬した状態で超音波を印加し、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴としている。
セラミック粉末とガラス材料とを含有するとともに表面に電極が形成され、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の一方主面と他方主面の両方に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と拘束層との間に両者の反応により生成する反応層を備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
メディアを敷き詰めたトレーに前記焼成積層体を載置し、さらに前記焼成積層体上に前記メディアを敷き詰めて、前記焼成積層体の一方主面側と他方主面側の両方の拘束層が前記メディアと接し、かつ、前記焼成積層体と前記メディアが処理液に浸漬した状態で超音波を印加し、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備え、
前記第3の工程において、前記電極の少なくとも一部を露出させるとともに、前記電極の周縁部と前記電極の周囲の前記焼結基材層との境界部に前記反応層を残存させること
を特徴としている。
なお、本発明において、反応層とは、拘束層に含まれているセラミック成分と基材層に含まれているガラス成分からなる層をいう。より詳しくは、基材層に含まれていたガラス成分が拘束層中に浸透し、拘束層中のセラミック成分が当該ガラス成分により固着されるか、もしくは拘束層中のセラミック成分と基材層から浸透したがガラス成分とが原子レベルで混じり合って形成された層をいう。
すなわち、メディアが振動するため、微視的にみるとメディアと拘束層が接していない状態になるタイミングはあるが、ほぼ連続的にメディアが拘束層に接した状態を保つことが可能になり、拘束層を効率よく除去することが可能になる。
また、トレーに、拘束層が上側に位置するような態様で焼成積層体を載置し、焼成積層体上にメディアを敷き詰めて、拘束層がメディアと接するような状態で超音波を印加するようにした場合にも、ほぼ同様の効果を得ることができる。
なお、焼成後の拘束層のうち、基材層との境界部に近い部分には、基材層に含まれるガラス成分と拘束層の構成材料との反応により生成する反応層が形成されやすい。この反応層は基材層との密着性が強く、除去しにくいため、拘束層の除去に関しては、この反応層の除去が問題となる場合が多い。しかし、通常、ガラス成分との反応により生じる反応層は、拘束層の構成材料自体(例えばアルミナなど)よりも硬度が低くなる。そのため、ジルコニア製のメディアを用いた場合、メディアの方が反応層よりも硬度が高くなることが多く、効率よく反応層を除去することができる。
また、拘束層と基材層との境界部に、基材層に含まれるガラス成分と拘束層の構成材料との反応により生成した反応層は、例えば電極上において数μm程度隆起することがある。この隆起した反応層に対応するように、メディアの振動の強さ、大きさを制御することにより、隆起した部分が選択的に除去され、なだらかな形状となった反応層を残存させることが可能になる。
1a 基材層用セラミックグリーンシート
2(2a,2b) 拘束層用セラミックグリーンシート
10 くし型電極
11 未焼成積層体
12 メディア(ジルコニアボール)
13 トレー
14 処理液
15 超音波洗浄槽
16 超音波発振子
21 焼成積層体
31 絶縁性セラミック層
32 内部導体
33 積層体
34 表面導体
35 ビアホール導体
101 絶縁性セラミック層
101a 基材層用セラミックグリーンシート
102 貫通孔
112 メディア(ジルコニアボール)
113 トレー
114 処理液
115 超音波洗浄槽
116 超音波発振子
121 表面電極
121a 未焼結の表面電極
122 内部導体
122a 未焼結の内部導体
123 ビアホール導体
123a 未焼結のビアホール導体
124 反応層
131 拘束層
132 未焼成積層体
133 焼成積層体
141 めっき層
A 基材層(未焼成のセラミック基板)
AF 焼結基材層
B セラミック多層基板
セラミック粉末としてはアルミナ粉末を用意するとともに、ガラス粉末として、SiO2を:59重量%、B2O3:10重量%、CaO:25重量%、Al2O3:6重量%の割合で含有する組成のホウケイ酸ガラス粉末を用意した。
そして、複数の基材層用グリーンシートを積層することにより形成される基材層Aの上面を形成する基材層用グリーンシートには、特性を評価するために、ラインL/スペースS=0.1mm(幅)/0.1mm(幅)のくし型電極(信頼性評価用)10(図1(a),(b))が形成された基材層用セラミックグリーンシートを用意した。なお、くし型電極10はAg電極ペーストをスクリーン印刷することにより形成した。
まず、上記基材層用セラミックグリーンシートの焼成温度では実質的に焼結しないセラミック粉末、この実施例1では、平均粒径1.0μmのAl2O3粉末を有機バインダ、有機溶剤、可塑剤などからなる有機ピヒクル中に分散させてスラリーを調製した。
この拘束層用セラミックグリーンシートの焼結温度は、1400〜1600℃であり、基材層用セラミックグリーンシートの焼結温度では実質的に焼結しないものである。
また、この実施例1では基材層Aの上下両側に拘束層2を配設するようにしているが、拘束層2は基材層Aの一方主面にのみ配設するように構成することも可能である。
また、この実施例1では、拘束層2を、一枚の拘束層用セラミックグリーンシートから形成するようにしているが、拘束層用セラミックグリーンシートを複数枚積層することにより形成してもよい。
その後、基材層は焼結するが、拘束層を構成するセラミック粉末は焼結しない条件で900℃に昇温して焼成した。これにより、図1(b)に示すように、焼結基材層AFの両主面側に、焼結していない拘束層2(2a,2b)を備えた焼成積層体21を得た。
まず、図2に示すように、球状で直径が2mmのジルコニア(ZrO2)製のメディア(以下、ジルコニアボールともいう)12をステンレス製のトレー13上に敷き詰め、その上に、焼結基材層AF(図1(b))の両主面側に焼結していない拘束層2(図1(b))を備えた焼成積層体21を載置する。さらに、焼成積層体21上に、メディアとして、ジルコニアボール12を一層あるいは二層程度になるように載置する(図2では、ジルコニアボール12を一層となるように載置した状態を示している)。
なお、処理液14としては、超音波を印加した際の音圧を高めるために、脱気処理を施した水を使用した。
それから、Niめっき膜上に、Pdめっきを施して、Niめっき膜上に厚さ0.2μmのPdめっき膜を形成し、さらに、その上にAuめっきを施して、Pdめっき膜上に、厚さ0.1μmのAuめっき膜を形成し、Ag電極の上に三層構造のめっき膜を備えた電極を形成した。
それから、実施例1の方法で拘束層を除去して得た試料(セラミック基板)および比較例の方法で拘束層を除去して得た試料(セラミック基板)について、電極(くし型電極)の表面粗さRa、電極のワイヤプル強度(W/Bプル強度)および抗折強度を測定するとともに、信頼性試験を行って信頼性を評価した。その結果を表1に示す。
(1)表面粗さRa
レーザー顕微鏡を用いてくし型電極の線粗さを測定することにより表面粗さRaを求めた。
(2)ワイヤプル強度
直径20μm、長さ800μmのAuワイヤをくし型電極にワイヤ接合し、ワイヤプル試験機にてワイヤを引張り、ワイヤが切断、あるいは接合部およびその近傍が破断あるいは剥離したときの引張り力をワイヤプル強度とした。
(3)抗折強度
L(長さ)×W(幅)×T(厚さ)=30mm×4mm×0.3mmの試験片を3点曲げ試験機にかけ、破壊したときの荷重を抗折強度とした。 (4)信頼性試験
ライン/スペース=100μm/100μmのくし型電極を形成したセラミック基板を85℃、85%RHの雰囲気中で、電圧20V、120hの条件で電圧を印加し、IR劣化がなく、Agマイグレーションが発生しない場合を良とし、IR劣化もしくはAgマイグレーションの発生が確認された場合を不良として評価した。
発明者等の知見によると、上述の実施例の方法によれば、振動によりメディアが瞬間的に拘束層から浮き上がることがあるものの、巨視的には、メディアがほぼ継続して拘束層上に載置された状態が維持されるため、メディアが沈降するときに焼成積層体に加わるエネルギーを小さくすることができる。したがって、セラミック表面や電極などへのダメージを最小限に抑えることができる。
また、表面粗さが小さくなることにより、電極表面のAuめっき膜に粒界が形成されにくくなり、熱処理時に、粒界を通じてNiが表面に出てくる現象が抑制される。そして、このことも、ワイヤプル強度の向上に寄与しているものと考えられる。
これは、直径が1mmのジルコニアボールを用いた場合、質量が小さすぎて、超音波を印加してメディアを振動させても、焼結基材層と拘束層との間に形成される反応層を破壊するのに十分なエネルギーを与えることができなかったことによる。また、大きなエネルギーを与えるべく、超音波の出力を上げた場合(すなわち、音圧を上げた場合)、メディアの質量が小さすぎて、トレーの外に飛び出してしまい、所望の効果を得ることはできなかった。
これは、直径が3mmのジルコニアボールを用いた場合、質量が大きく、十分なエネルギーを与えることはできるが、メディアの曲率が大きすぎて、接触点の間隔が大きくなってしまい、拘束層の除去状態にムラが生じることによる。なお、直径が3mmのジルコニアボールを用い、基板表面全体をメディアによりムラなく擦って拘束層を確実に除去するためには、拘束層除去工程にかける時間を長くすることが必要になり、生産性が低下することになる。
ただし、メディアの直径の好ましい範囲は、拘束層の厚みや、拘束層の構成材料、処理液の比重などに影響を受けることから、メディアの直径の好ましい範囲は、必ずしも上記範囲に限られるものではない。
セラミック粉末としてアルミナ粉末を用意するとともに、ガラス粉末として、SiO2:59重量%、B2O3:10重量%、CaO:25重量%、Al2O3:6重量%の割合で含有する組成のホウケイ酸ガラス粉末を用意した。
そして、得られたスラリーをシート状に成形して、拘束層用セラミックグリーンシートを作製した。
なお、この実施例3では、十分な拘束力を確保することができるように、拘束層セラミックグリーンシートの厚みを300μmとした。
この実施例3では、未焼成の基材層(未焼成のセラミック基板)Aの厚みが300μm、その上下両主面側の拘束層131の厚みがそれぞれ300μmとなるようにした。
また、この実施例3では基材層Aの上下両側に拘束層131を配設するようにしているが、拘束層131は基材層Aの一方主面にのみ配設するように構成することも可能である。
また、この実施例3では、拘束層131を、一枚の拘束層用セラミックグリーンシートから形成するようにしているが、拘束層用セラミックグリーンシートを複数枚積層することにより形成してもよい。
その後、基材層Aは焼結するが、拘束層131を構成するセラミック粉末は焼結しない条件で900℃に昇温して焼成した。これにより、図5に示すように、焼結基材層AFの両主面側に、焼結していない拘束層131を備えた焼成積層体133を得た。なお、焼結基材層AFは、拘束層131を除去した後に、セラミック基板(セラミック多層基板)となるものであり、表面に形成された電極(表面電極)121と、積層された複数の絶縁性セラミック層101の間に配設された内部導体122とを備え、内部導体122どうし、あるいは、内部導体122と表面電極121とがビアホール導体123により接続された構造を有している。
まず、図6に示すように、球状で直径が2mmのジルコニア(ZrO2)製のメディア(以下、ジルコニアボールともいう)112をステンレス製のトレー113上に敷き詰め、その上に、焼結基材層AF(図5)の両主面側に焼結していない拘束層131(図5)を備えた焼成積層体133を載置する。さらに、焼成積層体133上に、メディアとして、ジルコニアボール112を一層あるいは二層程度になるように載置する(図6では、ジルコニアボール112を一層となるように載置した状態を示している)。
なお、ここでは、焼結基材層AFの表面に形成された表面電極121の少なくとも一部が露出するとともに、表面電極121の周縁部から焼結基材層(セラミック基板)AFの表面にかけて、反応層124が残存するような態様で拘束層131を除去した。
また、処理液114としては、超音波を印加した際の音圧を高めるために、脱気処理を施した水を使用した。
それから、Niめっき膜上に、Pdめっきを施して、Niめっき膜上に厚さ0.2μmのPdめっき膜を形成し、さらに、その上にAuめっきを施して、Pdめっき膜上に、厚さ0.1μmのAuめっき膜を形成し、Ag電極の上に三層構造のめっき膜141(図7(b)および図8参照))を備えた電極(表面電極)121を形成した。
それから、実施例3および比較例の方法で作製した試料(セラミック基板)について、めっき膜を有する表面電極と焼結基材層(セラミック基板)の高さの差ΔHを調べた。その結果を表2に示す。
すなわち、本発明の方法が、メディアによって電極上の拘束層粒子を擦り取る工法であり、メディアの振動エネルギーがそれほど大きくないため、拘束層除去処理の条件(処理時間、メディアの大きさ,印加するパワーの大きさなど)を適正に設定することにより、拘束層は十分に除去されるが、緻密な反応層が削り取られることはほとんどなく、反応層は大部分がそのまま残存するようにすることが可能になる。その結果、セラミック基板(焼結基材層)の表面に通常は、数ミクロン〜数十ミクロンの厚みで残存する反応層により、メディアの振動を作用させた後にも高さが変わらない表面電極の表面とセラミック基板(焼結基材層)の表面との高低差を減少させることが可能になり、コプラナリティーを大きく改善することが可能になる。
なお、大きなエネルギーを与えるべく、超音波の出力を上げた場合(すなわち、音圧を上げた場合)、メディアの質量が小さすぎて、トレーの外に飛び出してしまい、所望の効果を得ることはできなかった。
ただし、メディアの直径の好ましい範囲は、拘束層の厚みや、拘束層の構成材料、処理液の比重などに影響を受けることから、メディアの直径の好ましい範囲は、必ずしも上記範囲に限られるものではない。
したがって、本発明は、拘束焼成の工程を経て製造されるセラミック基板の製造技術の分野に広く利用することが可能できる。
Claims (13)
- セラミック粉末とガラス材料とを含有し、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と未焼結の拘束層とを備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接するようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 前記第3の工程において、前記焼成積層体と前記メディアを処理液に浸漬した状態で超音波を印加し、前記メディアを振動させることを特徴とする請求項1に記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記第3の工程において、前記メディアを敷き詰めたトレーに、前記拘束層が前記メディアと接するような態様で、前記焼成積層体を載置した状態で超音波を印加することを特徴とする請求項2に記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記第3の工程において、トレーに前記拘束層が上側に位置するような態様で、前記焼成積層体を載置し、さらに前記焼成積層体上に前記メディアを敷き詰めて、前記拘束層が前記メディアと接するような状態で超音波を印加することを特徴とする請求項2に記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記焼成積層体を構成する前記拘束層が前記焼結基材層の一方主面側と他方主面側の両方に配置されている場合に、前記第3の工程において、前記メディアを敷き詰めたトレーに前記焼成積層体を載置し、さらに前記焼成積層体上に前記メディアを敷き詰めて、前記焼成積層体の一方主面側と他方主面側の両方の拘束層が前記メディアと接するような状態で超音波を印加することを特徴とする請求項2に記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記処理液として、脱気水を用いることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記メディアの比重が、前記処理液の比重よりも大きいことを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記メディアの硬度が、前記拘束層の硬度よりも高いことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記メディアの形状が、球状であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
- 前記メディアがジルコニアからなるものであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
- セラミック粉末とガラス材料とを含有するとともに表面に電極が形成され、焼成後にセラミック基板となる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に接するように配置され、かつ前記基材層の焼結温度では焼結しないセラミック粉末を主たる成分とする拘束層と、
を備える未焼成積層体を形成する第1の工程と、
前記未焼成積層体を焼成して前記基材層を焼結させることにより、焼結基材層と拘束層との間に両者の反応により生成する反応層を備えた焼成積層体を得る第2の工程と、
前記拘束層に接するようにメディアを配した状態で、前記メディアを振動させることにより、前記拘束層を前記焼結基材層から除去する第3の工程と、
を備え、
前記第3の工程において、前記電極の少なくとも一部を露出させるとともに、前記電極の周縁部と前記電極の周囲の前記焼結基材層との境界部に前記反応層を残存させること
を特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 前記反応層を前記電極の周縁部と前記電極の周囲の前記焼結基材層との境界部のみならず、前記焼結基材層の表面の他の領域にも残存させることを特徴とする請求項11に記載のセラミック基板の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかの方法により製造されたものであることを特徴とするセラミック基板。
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