JPWO2008105223A1 - シリコン膜用cmpスラリー - Google Patents
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Abstract
Description
(式中、R1は主鎖の炭素数が8〜18である1価のアルキル基、R2はそれぞれ独立に一価の置換基を示す。)
前記一般式(1)で表される脂肪族アンモニウム塩は、R1として長鎖の1価のアルキル基を有し、シリコン膜の研磨速度とスラリーの保存安定性の点で、R1は主鎖の炭素数が8〜18である1価のアルキル基が好ましく、10〜16である1価のアルキル基がより好ましい。前記炭素数が小さ過ぎるとシリコン膜の研磨速度が遅くなる傾向にあるため、8以上が好ましく、10以上がより好ましい。前記炭素数が大きすぎるとCMPスラリーの安定性が悪くなる傾向にあるため、18以下が好ましく、16以下がより好ましい。前記一般式(1)においてXは、カチオン部分に対するマイナスイオンとなるものであれば特に制限はないが、例えば、Cl、Br、NO3、CH3COO、OH等を挙げることができる。また、前記一般式(1)で表される脂肪族アンモニウム塩は、最終的にCMPスラリー中で一般式(1)で表される化合物になっていればよく、CMPスラリー中で[R1N(R2)3]+となる物質とX−となる物質とを水中で混合することで得ても良い。テトラエチルアンモニウムヒドロキシドのような、長鎖アルキル基を有しない4級アンモニウム塩を用いた場合は、特にpH6.0〜8.0の中性領域において、シリコン膜の研磨速度が遅くなり、シリコン酸化膜の研磨速度が速くなってしまう。
(式中、nは8〜18の整数である。)
また、上記一般式(1)で表される脂肪族アンモニウム塩として、R1が主鎖の炭素数が8〜18である1価のアルキル基であり、R2の一つがR1と同じでその他がメチル基であるジアルキルジメチルアンモニウム、R2の一つがベンジル基、その他がメチル基であるアルキルジメチルベンジルアンモニウムを使用することも好ましい。
(式中、R3は主鎖の炭素数が8〜18である2価のアルキル基を示す。)
また、脂肪族アンモニウムの塩としては、下記一般式(4)で表されるメトニウム化合物を使用することが好ましい。
(式中、R3は主鎖の炭素数が8〜18である2価のアルキル基を示す。)
前記一般式(3)又は(4)で表される化合物は、一般式(1)で表される化合物と同等の特性が得られるが、CMPスラリーの泡立ちを低減できる点で優れている。前記一般式(3)又は(4)において、R3は主鎖の炭素数が小さ過ぎるとシリコン膜の研磨速度が遅くなる傾向にあるため、8以上が好ましく、10以上がより好ましい。前記炭素数が大きすぎるとCMPスラリーの安定性が悪くなる傾向にあるため、18以下が好ましく、16以下がより好ましい。前記一般式(4)においてXは、カチオン部分に対するマイナスイオンとなるものであれば特に制限はないが、例えば、Cl、Br、NO3、CH3COO、OHなどを挙げることができる。
R(SiN)/R(SiO2)>2 ・・・・・(6)
前記式(5)は、シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比を示すものであり、R(pSi)/R(SiN)の値は5より大きいことが好ましく、5より大きく50以下であることがより好ましく、9以上50以下であることが特に好ましい。前記R(pSi)/R(SiN)の値が5以下である場合は、不要なポリシリコン膜を除去するためオーバー研磨するときに、シリコン窒化膜が過剰に研磨され、平坦性が低下する傾向にある。前記式(6)は、シリコン酸化膜の研磨速度に対するシリコン窒化膜の研磨速度比を示すものであり、R(SiN)/R(SiO2)の値は2より大きいことが好ましく、2より大きく20以下であることがより好ましく、2.5以上20以下であることが特に好ましい。前記R(SiN)/R(SiO2)の値が2以下である場合は、平坦性が悪化する傾向にある。
実施例1〜15は、水、コロイダルシリカ、表1又は2に示すカチオン性界面活性剤を混合後、りんご酸を添加して表1又は2のpHになるよう調整してCMPスラリーを作製した。pHは、pHメータ(東亜ディーケーケー株式会社製の型番HM−21P)で測定した。具体的には、標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液pH:4.01(25℃)、中性りん酸塩pH緩衝液pH6.86(25℃)、ホウ酸塩標準液pH:9.18(25℃))を用いて、3点校正した後、電極をCMPスラリーに入れて、10分以上経過して安定した後の値を測定した。
ポリシリコン膜のCMP用としては、直径(φ)8インチのシリコンウエハーにシリコン酸化膜100nmを形成後、CVD(Chemical Vapor Deposition)によってポリシリコン膜500nmを形成したウエハーを用いた。
研磨装置:定盤寸法600mmφ、ロータリータイプ
研磨パッド:発泡ポリウレタン樹脂
パッドグルーブ:同心円状のもの
研磨圧力:210hPa
ウエハー基板の回転数:80min−1
研磨定盤の回転数:80min−1
スラリー流量:200ml/min
研磨時間:各膜当たり1分
カチオン性界面活性剤の代わりにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用い、CMPスラリー中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの濃度が100ppmになるように添加し、pHが7.2になるようにりんご酸を添加すること以外は実施例と同様にしてCMPスラリーを作製し、各膜の研磨速度を測定した。結果を表3に示す。
カチオン性界面活性剤の代わりにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用い、CMPスラリー中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの濃度が100ppmになるように添加し、pHが6.9になるようにりんご酸を添加すること以外は実施例と同様にしてCMPスラリーを作製し、各膜の研磨速度を測定した。結果を表3に示す。
カチオン性界面活性剤として塩化ラウリルトリメチルアンモニウムを用い、CMPスラリー中の塩化ラウリルトリメチルアンモニウムの濃度が100ppmになるように添加し、pHが5.7になるようにりんご酸を添加すること以外は実施例と同様にしてCMPスラリーを作製し、各膜の研磨速度を測定した。結果を表3に示す。
カチオン性界面活性剤として塩化ラウリルトリメチルアンモニウムを用い、CMPスラリー中の塩化ラウリルトリメチルアンモニウムの濃度が100ppmになるように添加し、pHが8.3になるようにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを添加すること以外は実施例と同様にしてCMPスラリーを作製し、各膜の研磨速度を測定した。結果を表3に示す。
Claims (9)
- 砥粒、カチオン性界面活性剤及び水を含有してなるpH6.0〜8.0のシリコン膜用CMPスラリー。
- 前記カチオン性界面活性剤が、脂肪族アミンまたはその塩、脂肪族アンモニウム塩から選択される一種以上である請求項1記載のシリコン膜用CMPスラリー。
- 前記カチオン性界面活性剤が、下記一般式(1)で表される脂肪族アンモニウム塩である請求項1又は2記載のシリコン膜用CMPスラリー。
[R1N(R2)3]+X− ・・・・・(1)
(式中、R1は主鎖の炭素数が8〜18である1価のアルキル基、R2はそれぞれ独立に一価の置換基を示す。) - 上記カチオン性界面活性剤が、下記一般式(2)で表される脂肪族アンモニウム塩である請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコン膜用CMPスラリー。
[CnH2n+1N(CH3)3]+X− ・・・・(2)
(式中、nは8〜18の整数である。) - 前記カチオン性界面活性剤が、アルキルトリメチルアンモニウム、ジアルキルジメチルアンモニウム、アルキルジメチルベンジルアンモニウムから選択される一種以上の脂肪族アンモニウム塩である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコン膜用CMPスラリー。
- 前記カチオン性界面活性剤が、下記一般式(3)で表される脂肪族アミンである請求項1又は2記載のシリコン膜用CMPスラリー。
H2N−R3−NH2 ・・・・・(3)
(式中、R3は主鎖の炭素数が8〜18である2価のアルキル基を示す。) - 前記カチオン性界面活性剤が、下記一般式(4)で表される脂肪族アンモニウムの塩である請求項1又は2記載のシリコン膜用CMPスラリー。
((CH3)3N−R3−N(CH3)3)2+2X− ・・・・・(4)
(式中、R3は主鎖の炭素数が8〜18である2価のアルキル基を示す。) - シリコン膜の研磨速度R(pSi)が100nm/分以上、シリコン窒化膜の研磨速度R(SiN)が5.0〜30nm/分、シリコン酸化膜の研磨速度R(SiO2)が0.3〜3nm/分である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のシリコン膜用CMPスラリー。
- シリコン窒化膜の研磨速度に対するシリコン膜の研磨速度比:R(pSi)/R(SiN)が5より大きく、かつ、シリコン酸化膜の研磨速度に対するシリコン窒化膜の研磨速度比:R(SiN)/R(SiO2)が2より大きい、請求項1〜8のいずれか一項に記載のシリコン膜用CMPスラリー。
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