JPWO2007105407A1 - Ddr型ゼオライト膜の製造方法 - Google Patents

Ddr型ゼオライト膜の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007105407A1
JPWO2007105407A1 JP2008505009A JP2008505009A JPWO2007105407A1 JP WO2007105407 A1 JPWO2007105407 A1 JP WO2007105407A1 JP 2008505009 A JP2008505009 A JP 2008505009A JP 2008505009 A JP2008505009 A JP 2008505009A JP WO2007105407 A1 JPWO2007105407 A1 JP WO2007105407A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type zeolite
ddr type
zeolite membrane
silica
seed crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008505009A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5356016B2 (ja
Inventor
谷島 健二
健二 谷島
中山 邦雄
邦雄 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2008505009A priority Critical patent/JP5356016B2/ja
Publication of JPWO2007105407A1 publication Critical patent/JPWO2007105407A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5356016B2 publication Critical patent/JP5356016B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B39/00Compounds having molecular sieve and base-exchange properties, e.g. crystalline zeolites; Their preparation; After-treatment, e.g. ion-exchange or dealumination
    • C01B39/02Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof; Direct preparation thereof; Preparation thereof starting from a reaction mixture containing a crystalline zeolite of another type, or from preformed reactants; After-treatment thereof
    • C01B39/46Other types characterised by their X-ray diffraction pattern and their defined composition
    • C01B39/48Other types characterised by their X-ray diffraction pattern and their defined composition using at least one organic template directing agent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/22Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
    • B01D53/228Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion characterised by specific membranes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D67/00Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0039Inorganic membrane manufacture
    • B01D67/0051Inorganic membrane manufacture by controlled crystallisation, e,.g. hydrothermal growth
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02Inorganic material
    • B01D71/028Molecular sieves
    • B01D71/0281Zeolites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2323/00Details relating to membrane preparation
    • B01D2323/12Specific ratios of components used

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)

Abstract

1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有する原料溶液に多孔質基体を浸漬し、DDR型ゼオライト種結晶(種結晶)の存在下、DDR型ゼオライトを水熱合成して多孔質基体表面にDDR型ゼオライト膜を形成するDDR型ゼオライト膜の製造方法であって、1−アダマンタンアミンとシリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002〜0.4、水とシリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10〜500とし、種結晶の平均粒子径を300nm以下とするDDR型ゼオライト膜の製造方法。膜厚が均一で薄く、ガス透過量の多いDDR型ゼオライト膜を安定的に製造することが可能なDDR型ゼオライト膜の製造方法を提供する。

Description

本発明は、DDR型ゼオライト膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、膜厚が薄く均一であり、ガス透過量の多いDDR型ゼオライト膜の製造方法に関する。
ゼオライトは、触媒、触媒担体、吸着材等として利用されており、また、金属やセラミックスからなる多孔質基体上に成膜されたゼオライト積層複合体は、ゼオライトの分子篩作用を利用し、ガス分離膜や浸透気化膜に用いられるようになってきている。このような状況に伴い、種々の多孔質基体を用いたゼオライト積層複合体及びその製造方法が提案されている。
ゼオライトは、その結晶構造により、LTA、MFI、MOR、AFI、FER、FAU、DDRといった数多くの種類が存在する。これらの中でDDR(Deca−Dodecasil 3R)は、主成分がシリカからなる結晶であり、その細孔は酸素8員環を含む多面体によって形成されているとともに、酸素8員環の細孔径は4.4×3.6オングストロームであることが知られている(W. M. Meier, D. H. Olson, Ch. Baerlocher, Atlas of zeolite structure types, Elsevier(1996)参照。)。
このような構造上の特徴を有するDDR型ゼオライトは、ゼオライトの中では比較的細孔径が小さいものであり、二酸化炭素(CO2)、メタン(CH4)、エタン(C26)といった低分子ガスの分子篩膜として適用できる可能性を有する。
このようなDDR型ゼオライトの製造方法としては、例えば、テトラメトキシシラン、1−アダマンタンアミン、エチレンジアミン等を原料として使用し、水熱合成によりDDR型ゼオライト粉末を製造する方法が開示されている(例えば、非特許文献1参照)。
この方法では、ゼオライト合成に長時間を要し、さらに粒子径が5〜25μm程度の粉末状のDDR型ゼオライトしか得ることができなかった。そのため、例えば石油化学工業等の産業分野において、ガス分離プロセス等を構成するために充分な膜厚を有する緻密な分離膜等を製造することはできなかった。
これに対し、原料溶液中の、1−アダマンタンアミン、シリカ、水及びエチレンジアミンの含有割合を特定の割合とすることにより、短時間で緻密なDDR型ゼオライト膜を製造することが可能な製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。この方法は、短時間で緻密なDDR型ゼオライト膜を製造することが可能であるという優れた効果を奏するが、膜厚を薄く均一にするという観点からは、更なる改良が望まれていた。
M. J. den Exter, J. C. Jansen, H. van Bekkum, Studies in Surface Science and Catalysis vol.84, Ed. by J. Weitkamp et al., Elsevier (1994)1159-1166 特開2003−159518号公報
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、膜厚が薄く均一で、ガス透過量の多いDDR型ゼオライト膜を安定的に製造することが可能なDDR型ゼオライト膜の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明によって以下のDDR型ゼオライト膜の製造方法が提供される。
[1] 1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有する原料溶液に多孔質基体を浸漬し、DDR型ゼオライト種結晶(種結晶)の存在下、DDR型ゼオライトを水熱合成して前記多孔質基体表面にDDR型ゼオライト膜を形成するDDR型ゼオライト膜の製造方法であって、前記1−アダマンタンアミンと前記シリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002〜0.4、前記水と前記シリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10〜500とし、前記種結晶の平均粒子径を300nm以下とするDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[2] 前記1−アダマンタンアミンと前記シリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002以上、0.03未満、前記水と前記シリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10以上、20未満とし、前記種結晶の、前記多孔質基体の単位表面積当りの質量を0.03〜50μg/cmとする[1]に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[3] 前記原料溶液にエチレンジアミンを含有する[1]又は[2]に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[4] 前記DDR型ゼオライト膜の厚さが、15μm以下である[1]〜[3]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[5] 前記種結晶を、前記原料溶液中に分散させて、前記多孔質基体を浸漬する[1]〜[4]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[6] 前記種結晶を、前記多孔質基体に塗布し、前記種結晶を塗布した前記多孔質基体を前記原料溶液中に浸漬する[1]〜[4]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
[7] 前記多孔質基体の形状が、板状、筒状、ハニカム状、又は、複数の筒状管を一体化してなるモノリス形状である[1]〜[6]のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
このように、本発明のDDR型ゼオライト膜の製造方法によれば、DDR型ゼオライトを水熱合成するときに多孔質基材表面に存在させる種結晶の平均粒子径を300nm以下とし、種結晶の、多孔質基体の単位表面積当りの質量を0.03〜50μg/cmとしたため、粒子径の小さい種結晶が多孔質基材表面上に適度に分散した状態を形成することができ、さらに、1−アダマンタンアミンとシリカとの含有割合をモル比率で0.002〜0.4とし、水とシリカとの含有割合をモル比率で10〜500としたため、1−アダマンタンアミン等の原料が原料溶液中に好適なバランスで配合され、多孔質基材表面に均一な薄膜が安定的に形成されるように種結晶を成長させることが可能となる。
ガス透過試験に使用するガス透過試験装置の構成を示した模式図である。
符号の説明
1:測定管、2:DDR型ゼオライト膜、3:管状炉、4:炉芯管、5:石英管、6:ガス導入口、10:ガス透過試験装置。
次に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。また、各図面において、同一の符号を付したものは、同一の構成要素を示すものとする。
本発明のゼオライト膜の製造方法の一の実施形態は、1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有する原料溶液に多孔質基体を浸漬し、粉末状のDDR型ゼオライト種結晶(種結晶)の存在下、DDR型ゼオライトを水熱合成して前記多孔質基体表面にDDR型ゼオライト膜を形成するDDR型ゼオライト膜の製造方法である。そして、1−アダマンタンアミンとシリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002〜0.4、水とシリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10〜500とし、種結晶の平均粒子径を300nm以下とし、種結晶の、多孔質基体の単位表面積当りの質量を0.03〜50μg/cmとするDDR型ゼオライト膜の製造方法である。尚、以降、1−アダマンタンアミンとシリカとの含有割合(モル比率)については「1−アダマンタンアミン/シリカ比」と、水とシリカとの含有割合(モル比率)については「水/シリカ比」と記すことがある。
本実施形態では、DDR型ゼオライト膜を形成するための鋳型剤として1−アダマンタンアミンを用いる。まず、1−アダマンタンアミンとシリカゾル、水、その他要すればエチレンジアミン、その他添加剤を使用して原料溶液を調製する。例えば、添加剤として微量のアルミン酸ナトリウム、および水酸化ナトリウムを使用すると、DDR型ゼオライト膜を構成するSiの一部をAlで置換することもできる。このように置換することにより、形成されるDDR型ゼオライト膜に分離機能に加えて触媒作用等を付加することも可能である。原料溶液の調製に際して、本発明では、1−アダマンタンアミン/シリカ比、水/シリカ比を厳密に調整する。
1−アダマンタンアミン/シリカ比は、0.002〜0.4であり、0.002以上、0.03未満が好ましく、0.003以上、0.03未満が更に好ましい。特に、0.03未満とし、鋳型剤を減らすことにより、DDR型ゼオライト膜の膜厚を薄く均一にする効果が特に発揮される。また、1−アダマンタンアミンは高価であるため、配合量を減らすことは、製造コストの面でも大きな効果を奏することになる。0.002未満であると、鋳型剤の1−アダマンタンアミンが不足してDDR型ゼオライト膜を形成し難くなるために好ましくない。0.4より大きいと、DDR型ゼオライト膜の膜厚を薄く、均一にすることが困難となるため好ましくない。また、高価な1−アダマンタンアミンをこれ以上多量に添加することは製造コスト面において好ましくない。
水/シリカ比は、10〜500であり、10〜170が好ましく、10以上、20未満が更に好ましい。10未満であると、原料溶液のシリカ濃度が高すぎるために緻密なDDR型ゼオライト膜を形成することが困難となるために好ましくない。500を超えると、原料溶液のシリカ濃度が低すぎるためにDDR型ゼオライト膜を形成することができなくなるために好ましくない。
原料溶液中には、エチレンジアミンを含有させることが好ましい。エチレンジアミンを添加して原料溶液を調製することにより、1−アダマンタンアミンを容易に溶解することが可能となり、均一な結晶サイズ、膜厚を有する緻密なDDR型ゼオライト膜を製造することが可能となるからである。エチレンジアミンと1−アダマンタンアミンとの含有割合(エチレンジアミン/1−アダマンタンアミン)は、モル比率で5〜32であることが好ましく、8〜24とすることが更に好ましく、10〜16とすることが特に好ましい。比率を5未満とした場合には、1−アダマンタンアミンを溶かし易くするための量としては不充分であり、32超とした場合には、反応に寄与しないエチレンジアミンが過剰となり製造コストがかかるために好ましくない。
また、本発明においては、1−アダマンタンアミンを予めエチレンジアミンに溶解することにより1−アダマンタンアミン溶液を調製することが好ましい。このように調製した1−アダマンタンアミン溶液と、シリカを含むシリカゾル溶液とを混合して調製した原料溶液を用いることが、より簡便かつ完全に1−アダマンタンアミンを溶解し、均一な結晶サイズ、膜厚を有する緻密なDDR型ゼオライト膜を製造することが可能となるために好ましい。なお、シリカゾル溶液は、微粉末状シリカを水に溶解すること、又は、アルコキシドを加水分解することにより調製することができるが、シリカゾル市販品のシリカ濃度を調整して用いることもできる。
本実施形態では、原料溶液に多孔質基体を浸漬し、粉末状のDDR型ゼオライト種結晶(種結晶)の存在下、DDR型ゼオライトを水熱合成して多孔質基体表面にDDR型ゼオライト膜を形成する。ここで、「種結晶の存在下」とは、種結晶が、水熱合成時に、多孔質基体表面に接触した状態で存在していることをいう。従って、種結晶を予め原料溶液中に分散させておき、そこに多孔質基体を浸漬して水熱合成してもよいし、種結晶を多孔質基体表面に予め塗布しておき、その多孔質基体を原料溶液中に浸漬して水熱合成してもよい。また、種結晶を原料溶液に分散させるとともに、多孔質基体表面にも塗布しておき、多孔質基体を原料溶液に浸漬して水熱合成してもよい。種結晶を、均一に多孔質基体表面に配置させるという観点からは、多孔質基体表面に種結晶を予め塗布することが好ましい。種結晶を、モノリス形状の流通孔の内壁のような塗布し難い部分に配置させたい場合には、作業効率の観点から原料溶液中に種結晶を予め分散させてもよい。
種結晶の平均粒子径は、300nm以下であり、200nm以下が好ましく、4.1〜200nmが更に好ましい。このように、種結晶の平均粒子径を小さくすることにより、膜厚を薄く均一に形成することが可能となる。300nmより大きいと、DDR型ゼオライト膜の膜厚が厚くなり、また、膜が均一に形成されにくいため好ましくない。また、DDR型ゼオライト結晶の単位格子の一辺が4.1nmであるため、4.1nm未満の場合には種結晶としての機能を発現しにくいため、4.1nm以上が好ましい。種結晶の平均粒子径は、動的光散乱装置(例えば、DLS7000(大塚電子社製))を使用して測定した値である。
種結晶の、多孔質基体の単位表面積当りの質量は、0.03〜50μg/cmであることが好ましく、0.1〜50μg/cmであることが更に好ましい。このように種結晶の添加量範囲を規定することにより、種結晶を小さくしても、欠陥が生じたりすることなく、緻密な膜を形成することが可能となる。0.03μg/cmより小さいと、DDR型ゼオライト膜が緻密にならないことがある。50μg/cmより大きいと、膜厚が厚くなることがある。ここで、「種結晶の、多孔質基体の単位表面積当りの質量」とは、種結晶の質量を、種結晶を存在させる多孔質基体の表面の面積で除した値である。従って、多孔質基体の表面であっても、種結晶を存在させない部分(例えば、塗布しない部分)は含まない。種結晶の質量とは、種結晶を原料溶液に分散させる場合には、原料溶液中に添加する種結晶の全質量であり、種結晶を多孔質基体に塗布するときは、多孔質基体に塗布された種結晶の全質量である。
原料溶液に種結晶を分散させる方法としては、一般的な撹拌方法を採用すればよいが、超音波処理等の方法を採用してもよく、均一に分散させることにより、より緻密で均一な膜厚のDDR型ゼオライト膜を形成することができる。
また、種結晶を多孔質基体に塗布する方法としては、ディップコート法、濾過コート法、滴下法、スピンコート法、印刷法等を目的に応じて選択できる。
原料溶液に多孔質基体を浸漬し、DDR型ゼオライトを水熱合成する方法としては、特に限定されないが、例えば、種結晶を分散させた原料溶液を使用する場合には、以下の方法が挙げられる。
種結晶となるDDR型ゼオライト粉末を分散させた原料溶液を適当な容器、例えば耐圧容器等に、多孔質基体とともに入れて水熱合成することにより、DDR型ゼオライト膜を製造する。本実施形態においては、水熱合成に際しての温度条件を90〜200℃とすることが好ましく、90〜180℃とすることが更に好ましく、100〜160℃とすることが特に好ましい。90℃未満で水熱合成を行った場合には、DDR型ゼオライト膜を形成し難いことがあり、200℃超で水熱合成を行った場合には、異相のDOH相が形成されることがある。また、水熱合成に際しての処理時間は、1時間〜20日間であればよい。
形成されるDDR型ゼオライト膜の膜厚は15μm以下であることが好ましく、7μm以下であることが更に好ましく、3μm以下であることが特に好ましく、0.1〜2μmであることが最も好ましい。15μmより厚いと、ガスの透過量が少なくなるため好ましくない。ここで、多孔質基体の表面に膜を形成すると、多孔質基体表面には多数の細孔が開いているため、多孔質基体表面上だけでなく、多孔質体の細孔内に入り込んだ部分を有する膜となる場合がある。本実施の形態において「膜厚」というときは、このように、多孔質基体の細孔内に入り込んだ部分も含めた厚さをいう。また、DDR型ゼオライト膜の膜厚は、厚さ方向に沿って切断した断面の電子顕微鏡写真により測定した5ヶ所の断面位置での平均値である。
多孔質基体は、三次元的に連続した多数の細孔を有するものであり、このため気体の透過性を有する。DDR型ゼオライト膜を形成する側における多孔質基体の細孔径は、0.003〜1μmが好ましい。細孔径が0.003μmより小さいと、気体が透過する時の抵抗が大きくなることがあり、また、1μmを超えるとDDR型ゼオライト膜に欠陥が生じ易くなることがある。なお、本実施形態においては、アルミナ、ジルコニア、若しくはムライト等を始めとするセラミックス、又はガラス、ゼオライト、粘土、金属、若しくは炭素等を原材料とする多孔質基体を好適に用いることができる。細孔径と強度の面から、アルミナ質の多孔質基体が好ましい。更に、多孔質基体の形状としては、板状、筒状、ハニカム形状、又は、複数の筒状管を一体化してなるモノリス形状等を好適例として挙げることができる。なお、本実施形態にいう「モノリス形状」とは、複数の筒状管を配置し一体化してなるものであって、軸方向に延びる複数の流通路を有し、その断面が例えば蓮根状になっているものをいう。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(DDR型ゼオライト粉末(種結晶)分散液の製造)
「M. J. den Exter, J. C. Jansen, H. van Bekkum, Studies in Surface Science andCatalysis vol.84, Ed. by J. Weitkamp et al., Elsevier(1994)1159-1166」に記載のDDR型ゼオライトを製造する方法に従って、DDR型ゼオライト粉末を製造し、これを微粉末に粉砕して種結晶として使用した。粉砕後の種結晶を水に分散させた後、粗い粒子を除去し、種結晶分散液とした。
(実施例1)
フッ素樹脂製の100ml広口瓶に2.10gのエチレンジアミン(和光純薬工業社製)を入れた後、0.33gの1−アダマンタンアミン(アルドリッチ社製)を加え、1−アダマンタンアミンの沈殿が残らないように溶解した。別のビーカーに23.80gの水を入れ、16.31gの30質量%シリカゾル(スノーテックスS、日産化学社製)を加え、さらに上述の「DDR型ゼオライト種結晶分散液の製造」により製造したDDR型ゼオライト種結晶分散液を添加して軽く撹拌した後、これをエチレンジアミンと1−アダマンタンアミンを混ぜておいた広口瓶に加えて強く振り混ぜ、原料溶液を調製した。このとき、1−アダマンタンアミン/シリカ比は0.0268、水/シリカ比は24、エチレンジアミン/1−アダマンタンアミン比は16、多孔質基体の単位表面積当たりの種結晶量(単位面積種結晶量)は0.726μg/cmであった。本実施例において、動的光散乱装置DLS7000(大塚電子社製)で測定した、種結晶の平均粒子径は190nmであった。
原料溶液を入れた広口瓶をシェーカーにセットし、500rpmでさらに1時間振り混ぜた。その後、原料溶液を内容積100mlのフッ素樹脂製内筒付きステンレス製耐圧容器に移し、成膜用の多孔質基体となる直径15mmφ×厚さ1.5mmのアルミナ製の平板を容器内に配置し、150℃で72時間、加熱処理(水熱合成)を行った。
加熱処理後、この平板表面に膜が形成されていた。水洗、乾燥した後、大気中、電気炉で0.1℃/minの速度で750℃まで昇温して4時間保持後、1℃/minの速度で室温まで冷却した。
次に、得られた膜の結晶相をX線回折で調べることにより結晶相の評価を行ったところ、DDR型ゼオライトおよび基体であるアルミナの回折ピークのみが検出された。なお、X線回折における「DDR型ゼオライトの回折ピーク」とは、International Center for Diffraction Data (ICDD) 「Powder Diffraction File」に示されるDeca−dodecasil 3Rに対応するNo.38−651、又は41−571に記載される回折ピークである。
また、これを電子顕微鏡で観察したところ、多結晶からなるDDR型ゼオライト膜であることが確認できた。また、破断面の電子顕微鏡像から平均膜厚が11.2μmであることを確認できた。さらに、表面の電子顕微鏡像から基体であるアルミナ平板を構成するアルミナ粒子の露出はなく、DDR型ゼオライト結晶が一様に基体表面を覆っていることを確認できた。
(ガス透過試験)
実施例1で作製したDDR型ゼオライト膜を用いてガス透過試験を行った。図1は、ガス透過試験に使用するガス透過試験装置10の構成を説明する模式図であり、アルミナ製の測定管1(内径15mmφ)の先端部に、DDR型ゼオライト膜2を取り付け、これを管状炉の炉芯管4(内径25mmφ)に入れ、測定管1の内側に内径6mmφの石英管5をDDR型ゼオライト膜2の近傍まで通して三重管構造とした状態を示している。測定管1の外側(炉芯管の内側)には、CO/CH混合ガス(供給ガス、100ml/min)を導入し、測定管1の内側の石英管5にはDDR型ゼオライト膜2を透過したガス(透過ガス)を回収するためのHeガス(スイープガス、100ml/min)を流した。この状態で管状炉3を試験温度(100℃)にし、10分以上放置して定常状態とした。DDR型ゼオライト膜2を透過したガスを含む回収ガスを分取し、ガスクロマトグラフにて分析を行い、CO、CHの透過係数(mol・m−2・s−1・Pa−1)、およびCO/CH分離係数αを評価した。ここで、分離係数αとは、下記式で表す数値である。
分離係数α=(透過CO濃度/透過CH濃度)/(供給CO濃度/供給CH濃度)
原料溶液の組成比(1−アダマンタンアミン/シリカ比、及び水/シリカ比)、種結晶条件(種結晶平均粒子径、単位面積種結晶量)、熱処理条件(温度、時間)、および形成されたDDR型ゼオライト膜の外観(膜外観)、CO透過量、CO/CH分離係数、平均膜厚(μm)を表1に示す。
(実施例2〜8)
原料溶液の組成比、熱処理条件を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(実施例9)
単位面積種結晶量を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(実施例10)
単位面積種結晶量、及び合成時間を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(実施例11,12,14)
原料溶液の組成、熱処理条件、及び単位面積種結晶量を表1に示すように変え、多孔質基体を直径14mmφ×厚さ1.5mmのアルミナ製の平板とし、種結晶を多孔質基体に塗布した以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(実施例13)
原料溶液の組成、熱処理条件、及び単位面積種結晶量を表1に示すように変え、多孔質基体を11.8mmφ×40mmLのアルミナ製の単管とし、種結晶を多孔質基体に塗布した以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(実施例15〜17)
原料溶液の組成、種結晶平均粒子径、熱処理条件、及び単位面積種結晶量を表1に示すように変え、多孔質基体を外径30mm×長さ40mm、細管径3mm×37細管のアルミナ製のモノリスとし、種結晶を多孔質基体に塗布した以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(比較例1,2)
原料溶液の組成比を変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
(比較例3)
種結晶平均粒子径を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、DDR型ゼオライト膜を形成した。
実施例2〜12,14及び比較例1〜3で得られたDDR型ゼオライト膜について、実施例1の場合と同様、X線回折で調べることにより結晶相の評価を行ったところ、DDR型ゼオライトおよび多孔質基体であるアルミナの回折ピークのみが検出された。また、これらを電子顕微鏡で観察したところ、多結晶からなるDDR型ゼオライト膜であることが確認できた。実施例13、15〜17については、膜形成面が曲面であるため、X線回折による評価を実施していないが、電子顕微鏡での観察結果から、多結晶からなるDDR型ゼオライト膜であることが推測できた。さらに、実施例2〜14のDDR型ゼオライトについて、実施例1のDDR型ゼオライト膜の場合と同様にして、ガス透過試験を行った。実施例15〜17については、モノリス形状に適した測定管を用いて26℃でガス透過試験を行った。
実施例2〜17及び比較例1〜3について、実施例1と同様に原料溶液の組成比(1−アダマンタンアミン/シリカ比、及び水/シリカ比)、種結晶条件(種結晶平均粒子径、種結晶量、基体の単位表面積当り種結晶量)、熱処理条件(温度、時間)、および形成されたDDR型ゼオライト膜の外観、CO透過量、CO/CH分離係数、平均膜厚を表1に示す。尚、比較例1〜3については、基体が露出し、COとCHとが膜分離されない状態となったため、「CO透過量」及び「CO/CH分離係数」は測定できなかった。
Figure 2007105407
表1より、実施例1〜17で得られたDDR型ゼオライト膜は、基体表面の露出もなく、均一に形成されていることが分かる。これに対し、比較例1〜3で得られたDDR型ゼオライト膜は、基体表面が露出し、欠陥を有する不均一な膜が形成されていることが分かる。比較例1〜3の「平均膜厚」については、膜厚が不均一であり、ばらつきが大きすぎるため測定できなかった。尚、比較例1〜3についての膜厚は、基体表面が露出している部分を除くと、10〜25μm程度であった。
分子篩機能を有するDDR型ゼオライトをガス分離膜として使用するために、薄く均一な膜状に形成する方法として利用することができ、これにより、ガス透過量の多いゼオライト膜を製造することができる。

Claims (7)

  1. 1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有する原料溶液に多孔質基体を浸漬し、DDR型ゼオライト種結晶(種結晶)の存在下、DDR型ゼオライトを水熱合成して前記多孔質基体表面にDDR型ゼオライト膜を形成するDDR型ゼオライト膜の製造方法であって、
    前記1−アダマンタンアミンと前記シリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002〜0.4、前記水と前記シリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10〜500とし、
    前記種結晶の平均粒子径を300nm以下とするDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  2. 前記1−アダマンタンアミンと前記シリカとの含有割合(1−アダマンタンアミン/シリカ)をモル比率で0.002以上、0.03未満、前記水と前記シリカとの含有割合(水/シリカ)をモル比率で10以上、20未満とし、
    前記種結晶の、前記多孔質基体の単位表面積当りの質量を0.03〜50μg/cmとする請求項1に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  3. 前記原料溶液にエチレンジアミンを含有する請求項1又は2に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  4. 前記DDR型ゼオライト膜の厚さが、15μm以下である請求項1〜3のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  5. 前記種結晶を、前記原料溶液中に分散させて、前記多孔質基体を浸漬する請求項1〜4のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  6. 前記種結晶を、前記多孔質基体に塗布し、前記種結晶を塗布した前記多孔質基体を前記原料溶液中に浸漬する請求項1〜4のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
  7. 前記多孔質基体の形状が、板状、筒状、ハニカム状、又は、複数の筒状管を一体化してなるモノリス形状である請求項1〜6のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
JP2008505009A 2006-03-14 2007-02-15 Ddr型ゼオライト膜の製造方法 Active JP5356016B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008505009A JP5356016B2 (ja) 2006-03-14 2007-02-15 Ddr型ゼオライト膜の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006069366 2006-03-14
JP2006069366 2006-03-14
PCT/JP2007/052785 WO2007105407A1 (ja) 2006-03-14 2007-02-15 Ddr型ゼオライト膜の製造方法
JP2008505009A JP5356016B2 (ja) 2006-03-14 2007-02-15 Ddr型ゼオライト膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007105407A1 true JPWO2007105407A1 (ja) 2009-07-30
JP5356016B2 JP5356016B2 (ja) 2013-12-04

Family

ID=38509245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008505009A Active JP5356016B2 (ja) 2006-03-14 2007-02-15 Ddr型ゼオライト膜の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090011926A1 (ja)
EP (1) EP1995215B1 (ja)
JP (1) JP5356016B2 (ja)
CN (1) CN101400605B (ja)
WO (1) WO2007105407A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10987637B2 (en) 2015-03-31 2021-04-27 Ngk Insulators, Ltd. DDR-type zeolite seed crystal and method for manufacturing DDR-type zeolite membrane

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4875648B2 (ja) * 2008-03-12 2012-02-15 日本碍子株式会社 分離膜配設体
JP2010158665A (ja) 2008-12-10 2010-07-22 Ngk Insulators Ltd Ddr型ゼオライト膜配設体の製造方法
JP5632750B2 (ja) * 2009-02-05 2014-11-26 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライト粉体、及びddr型ゼオライト粉体の製造方法
WO2010101035A1 (ja) 2009-03-06 2010-09-10 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライト膜の製造方法
EP2484636B1 (en) * 2009-09-29 2021-05-19 NGK Insulators, Ltd. Process for producing zeolite film
JP5734196B2 (ja) 2009-10-16 2015-06-17 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライトの製造方法
WO2011070879A1 (ja) * 2009-12-10 2011-06-16 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライトの製造方法
CN102791366B (zh) * 2010-02-25 2015-05-06 日本碍子株式会社 沸石膜以及沸石膜的制造方法
NO331357B1 (no) * 2010-03-18 2011-12-12 Companybook As Metode og arrangement ved bruk av moderne Database, Search & Matching teknologi integrert med Sosialt Media
KR101248880B1 (ko) * 2010-07-06 2013-03-29 한국에너지기술연구원 열균열이 방지된 제올라이트 분리막 및 그 제조 방법
WO2012138419A1 (en) 2011-04-04 2012-10-11 Georgia Tech Research Corporation Mof nanocrystals
WO2012138418A1 (en) 2011-04-04 2012-10-11 Georgia Tech Research Corporation Zeolite ddr nanocrystals
US8821616B2 (en) 2011-04-04 2014-09-02 Georgia Tech Research Corporation Zeolite DDR nanoparticles
US9375678B2 (en) 2012-05-25 2016-06-28 Georgia Tech Research Corporation Metal-organic framework supported on porous polymer
CN102786065A (zh) * 2012-08-21 2012-11-21 浙江师范大学 一种制备纯相、晶体形貌和尺寸均一的全硅型dd3r沸石分子筛的方法
WO2014069676A1 (ja) * 2012-11-01 2014-05-08 日本碍子株式会社 セラミック分離膜構造体、およびその補修方法
CN104755155B (zh) * 2012-11-01 2017-03-15 日本碍子株式会社 沸石膜的再生方法
CN105073640B (zh) * 2013-03-29 2018-09-14 日本碍子株式会社 Ddr型沸石晶体的制造方法以及ddr型沸石膜的制造方法
JP6301313B2 (ja) 2013-03-29 2018-03-28 日本碍子株式会社 ゼオライト膜の製造方法
US9994501B2 (en) 2013-05-07 2018-06-12 Georgia Tech Research Corporation High efficiency, high performance metal-organic framework (MOF) membranes in hollow fibers and tubular modules
US9687791B2 (en) 2013-05-07 2017-06-27 Georgia Tech Research Corporation Flow processing and characterization of metal-organic framework (MOF) membranes in hollow fiber and tubular modules
KR101633429B1 (ko) * 2014-03-14 2016-06-24 고려대학교 산학협력단 비씨앗 성장과 씨앗 성장으로 제조한 순수 실리카 ddr 제올라이트 및 이의 제조방법
JP6559146B2 (ja) 2014-09-30 2019-08-14 日本碍子株式会社 分離膜構造体の製造方法
CN106745026B (zh) * 2016-12-16 2019-01-11 南京工业大学 一种无缺陷ddr分子筛膜的制备方法
KR101927889B1 (ko) * 2017-01-03 2018-12-11 고려대학교 산학협력단 Ddr 유형 제올라이트 분리막의 제조방법 및 이로부터 제조된 분리막
CN106621858B (zh) * 2017-02-04 2017-10-31 曾桂红 一种dd3r分子筛膜的高合格率合成方法
CN108246121B (zh) * 2017-04-08 2020-11-10 南京蓝恒环保设备有限公司 一种片式分子筛膜的制备方法
CN107362695B (zh) * 2017-09-06 2018-03-13 孔杰 一种中空纤维Silicalite‑1分子筛膜的合成装置及合成方法
JPWO2020066298A1 (ja) 2018-09-28 2021-09-09 日本碍子株式会社 支持体、ゼオライト膜複合体、ゼオライト膜複合体の製造方法、および、分離方法
CN110605029A (zh) * 2019-08-22 2019-12-24 上海工程技术大学 一种合成ddr分子筛膜的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1437172B1 (en) * 2001-09-17 2009-02-11 Ngk Insulators, Ltd. Method for preparing ddr type zeolite film, ddr type zeolite film, and composite ddr type zeolite film, and method for preparation thereof
JP4204270B2 (ja) 2001-09-17 2009-01-07 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライト膜の製造方法
JP4204273B2 (ja) * 2002-08-09 2009-01-07 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライト膜複合体及びその製造方法
JP4355478B2 (ja) * 2002-08-29 2009-11-04 日本碍子株式会社 Ddr型ゼオライトの製造方法
JP2005053747A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Ngk Insulators Ltd ゼオライト膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10987637B2 (en) 2015-03-31 2021-04-27 Ngk Insulators, Ltd. DDR-type zeolite seed crystal and method for manufacturing DDR-type zeolite membrane

Also Published As

Publication number Publication date
CN101400605B (zh) 2011-08-10
EP1995215A1 (en) 2008-11-26
EP1995215A4 (en) 2012-01-18
JP5356016B2 (ja) 2013-12-04
WO2007105407A1 (ja) 2007-09-20
CN101400605A (zh) 2009-04-01
EP1995215B1 (en) 2014-10-22
US20090011926A1 (en) 2009-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5356016B2 (ja) Ddr型ゼオライト膜の製造方法
JP2010158665A (ja) Ddr型ゼオライト膜配設体の製造方法
JP5599777B2 (ja) Ddr型ゼオライト膜の製造方法
JP4204273B2 (ja) Ddr型ゼオライト膜複合体及びその製造方法
JP5324067B2 (ja) ゼオライト膜の製造方法
JP5690325B2 (ja) ゼオライト膜、及びゼオライト膜の製造方法
EP2832694B1 (en) Method for manufacturing a ddr zeolite type seed crystal
US7510598B2 (en) Gas separating body and method for producing same
JP2018118250A (ja) ゼオライト膜の再生方法
JP4204270B2 (ja) Ddr型ゼオライト膜の製造方法
WO2013147272A1 (ja) ハニカム形状セラミック多孔質体、その製造方法、及びハニカム形状セラミック分離膜構造体
JP5051815B2 (ja) マーリノアイト型ゼオライト複合膜及びその製造方法
JP5051816B2 (ja) フィリップサイト型ゼオライト複合膜及びその製造方法
JP2008018387A (ja) 多孔質基材への種結晶塗布方法
JP5662937B2 (ja) ゼオライト膜の製造方法、およびその製造方法により得られたゼオライト膜

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130828

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5356016

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150