JP5599777B2 - Ddr型ゼオライト膜の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のDDR型ゼオライト膜の製造方法の一の実施形態において、種結晶形成工程は、1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有しDDR型ゼオライト粉末を分散させた種結晶形成用原料溶液に、多孔質基体を浸漬し、水熱合成して、多孔質基体の表面に複数のDDR型ゼオライト結晶粒子を形成する工程である。この工程において得られたDDR型ゼオライト結晶粒子が、膜形成工程においてDDR型ゼオライト膜を形成する際の種結晶の役割を果たす。この工程は、本発明のDDR型ゼオライト結晶粒子の製造方法の一の実施形態でもある。従って、「(1)種結晶形成工程」の説明は、本発明のDDR型ゼオライト結晶粒子の製造方法の説明でもある。
種結晶形成用原料溶液は、1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有し、DDR型ゼオライト粉末を分散させたものであるが、エチレンジアミン及びその他添加剤を混合してもよい。1−アダマンタンアミンは、DDR型ゼオライト結晶粒子を形成するための構造規定剤である。例えば、添加剤として微量のアルミン酸ナトリウムを使用すると、DDR型ゼオライト膜を構成するSiの一部をAlで置換することもできる。このように置換することにより、形成されるDDR型ゼオライト膜に分離機能に加えて触媒作用等を付加することも可能である。種結晶形成用原料溶液の調製に際して、シリカに対する1−アダマンタンアミンの比の値(1−アダマンタンアミン/シリカ(モル比))は、0.002〜0.5が好ましく、0.002〜0.2が更に好ましい。0.002より小さいと構造規定剤である1−アダマンタンアミンが不足してDDR型ゼオライトが形成しにくいことがあり、0.5より大きいと高価な1−アダマンタンアミンの使用量が増えるため製造コスト増につながることがある。シリカに対する水の比の値(水/シリカ(モル比))は、10〜500が好ましく、10〜200が更に好ましい。10より小さいとシリカ濃度が高すぎてDDR型ゼオライトが形成し難いことがあり、500より大きいとシリカ濃度が低すぎてDDR型ゼオライトが形成し難いことがある。
本実施形態のDDR型ゼオライト膜の製造方法において用いる多孔質基体の形状は、特に限定されず、用途に応じて任意の形状とすることができる。例えば、板状、筒状、ハニカム形状、又は、モノリス形状等を好適例として挙げることができる。これらの中でも、単位体積当たりの膜面積を大きくすることが可能であるとともに、膜面積当たりのシール部分面積を小さくすることが可能であるため、モノリス形状が好ましい。なお、本実施形態にいう「モノリス形状」とは、中心軸方向に貫通する複数の貫通孔が形成された柱状を意味し、例えば、その中心軸方向に直交する断面が蓮根状になっているものをいう。以下、多孔質基体が、上記モノリス形状である場合(モノリス形状基体)について説明するが、上記のように多孔質基体の形状はこれに限定されるものではない。
DDR型ゼオライト粉末を含有する種結晶形成用原料溶液に多孔質基体を浸漬し、水熱合成することにより多孔質基体の表面に、DDR型ゼオライト結晶粒子を形成する。水熱合成により多孔質基体の表面にDDR型ゼオライト結晶粒子を形成する場合、多孔質基体の表面の中のDDR型ゼオライト結晶粒子を形成しない部分に、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)シールテープ等によりマスキングを施し、DDR型ゼオライト結晶粒子が形成されないようにすることが好ましい。種結晶形成用原料溶液に多孔質基体を浸漬し、DDR型ゼオライトを水熱合成する方法としては、以下の方法が挙げられる。
本実施形態のDDR型ゼオライト膜の製造方法において、膜形成工程は、DDR型ゼオライト結晶粒子が表面に形成された多孔質基体を、1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有するとともにDDR型ゼオライト粉末を含有しない膜形成用原料溶液に浸漬し、水熱合成して、多孔質基体の表面に「DDR型ゼオライト膜」を形成する工程である。多孔質基体の表面に形成されるDDR型ゼオライト膜は、多孔質基体の表面に形成された複数のDDR型ゼオライト結晶粒子が、水熱合成により膜状に成長したものである。
(DDR型ゼオライト粉末の作製)
「M.J.den Exter,J.C.Jansen,H.van Bekkum,Studies in Surface Science and Catalysis vol.84,Ed.by J.Weitkamp et al.,Elsevier(1994)1159−1166」に記載のDDR型ゼオライトを製造する方法に基づき、DDR型ゼオライト結晶粉末を製造し、これを粉砕した。そして、粉砕したDDR型ゼオライト結晶粉末を水に分散させた後、粗い粒子を除去して、DDR型ゼオライト粉末として使用した。DDR型ゼオライト粉末(粗い粒子を除去した後のDDR型ゼオライト結晶粉末)の平均粒子径は、1μm以下であった。
フッ素樹脂製の100ml(ミリリットル)広口瓶に10.93gのエチレンジアミン(和光純薬工業社製)を入れた後、1.719gの1−アダマンタンアミン(アルドリッチ社製)(構造規定剤)を加え、1−アダマンタンアミンの沈殿が残らないように溶解した。別の容器に85.0gの30質量%シリカゾル(スノーテックスS、日産化学社製)と124.03gのイオン交換水を入れ軽く攪拌した後、これをエチレンジアミンと1−アダマンタンアミンを混ぜておいた広口瓶に加えて強く振り混ぜ、混合溶液を調製した。その後、混合溶液を入れた広口瓶をシェーカーにセットし、500rpmで1時間振り混ぜ、その後DDR型ゼオライト粉末を0.337質量%含むDDR型ゼオライト粉末分散液を1000μl(マイクロリットル)入れて、再度シェーカーで500rpmで5分振り混ぜ、種結晶形成用原料溶液とした。
フッ素樹脂製の100ml広口瓶に7.35gのエチレンジアミン(和光純薬工業社製)を入れた後、1.156gの1−アダマンタンアミン(アルドリッチ社製)を加え、1−アダマンタンアミンの沈殿が残らないように溶解した。別の容器に98.0gの30重量%シリカゾル(スノーテックスS、日産化学社製)と116.55gのイオン交換水を入れ軽く攪拌した後、これをエチレンジアミンと1−アダマンタンアミンを混ぜておいた広口瓶に加えて強く振り混ぜ、膜形成用原料溶液を調製した。尚、膜形成用原料溶液にはDDR型ゼオライト粉末を添加しなかった。その後、膜形成用原料溶液を入れた広口瓶をシェーカーにセットし、500rpmで1時間振り混ぜた。内容積100mlのフッ素樹脂製内筒付きステンレス製耐圧容器内に「DDR型ゼオライト結晶粒子が表面に形成された多孔質基体」を配置し、膜形成用原料溶液を入れ、150℃にて84時間(h)、加熱処理(水熱合成)を行った。加熱処理後、水洗、乾燥して、多孔質基体の表面に形成された「DDR型ゼオライト膜」を得た。
「DDR型ゼオライト膜」が形成された多孔質基体を電気炉内に入れ、空気雰囲気において、500℃で50時間(h)加熱し、DDR型ゼオライト膜の細孔内の1−アダマンタンアミンを燃焼除去し、多孔質基体の表面に形成されたDDR型ゼオライト膜を得た。
膜化工程後のDDR型ゼオライト膜の表面(多孔質基体に接していない側の面)にHeガスを接触させ、DDR型ゼオライト膜を透過するガスの量を測定した。測定時に流したHeガスの流量とその圧力からHe透過量(L/(分・m2・kPa))を算出した。「He透過量=He流量/時間/膜面積/圧力」の式で算出される値である。
得られた構造規定剤除去後のDDR型ゼオライト膜の結晶相をX線回折測定し、DDR型ゼオライトが形成されていることを確認した。実施例1〜18及び比較例1,2のDDR型ゼオライト膜の製造方法により得られたDDR型ゼオライト膜の結晶相の評価を行ったところ、DDR型ゼオライト及び多孔質基体であるアルミナの回折ピークのみが検出された。尚、X線回折における「DDR型ゼオライトの回折ピーク」とは、International Center for Diffraction Data(ICDD)「Powder Diffraction File」に示される「Deca−dodecasil 3R」に対応するNo.38−651、又はNo.41−571に記載される回折ピークである。これにより、実施例1〜18及び比較例1,2において、DDR型ゼオライト膜が形成されていることが確認された。
電子顕微鏡により、「多孔質基体の表面に形成された複数のDDR型ゼオライト結晶粒子」及び構造規定剤除去後の「DDR型ゼオライト膜」を観察した。電子顕微鏡としては、日本電子社製、JSM−5410を使用した。
構造規定剤除去後のDDR型ゼオライト膜の表面(多孔質基体に接していない側の面)に二酸化炭素(CO2)とメタン(CH4)の混合ガス(各ガスの体積比を50:50とし、各ガスの分圧を0.3MPaとした。)を接触させ、DDR型ゼオライト膜を透過するガスの量を測定した。表1には、CO2の透過量「CO2透過量」を記載している。更に、DDR型ゼオライト膜を透過したガスを回収し、ガスクロマトグラフを用いて成分分析を行った。そして、二酸化炭素(CO2)とメタン(CH4)の透過量(×10−9モル/(m2・Pa・s))、及び「二酸化炭素/メタン」の分離係数αを算出した。分離係数αは「分離係数α=(透過CO2濃度/透過CH4濃度)/(供給CO2濃度/供給CH4濃度)」の式で算出される値である。表1においては、分離係数αは「CO2/CH4分離係数」の欄に記載している。
DDR型ゼオライト結晶粒子の作製(種付け)時のDDR型ゼオライト粉末分散液のDDR粉末濃度、水熱合成の温度、時間及び回数を表1に示すように変え、「DDR型ゼオライト膜」の作製(膜化)時の水熱合成の温度、時間及び回数を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にしてDDR型ゼオライト膜を作製した。実施例1と同様にして、「粒子の固着」の有無を確認し、膜化工程後のDDR型ゼオライト膜の「ヘリウム(He)透過量測定」、構造規定剤除去後のDDR型ゼオライト膜の「X線回折測定」及び「ガス透過試験」を行った。「X線回折測定」を除く結果を表1に示す。表1の「基材長さ」の欄には、「DDR型ゼオライト膜が形成される多孔質基体」の中心軸方向長さが示されている。
「DDR型ゼオライト膜が形成される多孔質基体」の中心軸方向長さを160mmとし、「種付け」及び「膜化」において「内容積300mlのフッ素樹脂製内筒付きステンレス製耐圧容器」を用い、DDR型ゼオライト結晶粒子の作製(種付け)時のDDR型ゼオライト粉末分散液のDDR粉末濃度、水熱合成の温度、時間及び回数を表1に示すように変え、「DDR型ゼオライト膜」の作製(膜化)時の水熱合成の温度、時間及び回数を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にしてDDR型ゼオライト膜を作製した。実施例1と同様にして、「粒子の固着」の有無を確認し、膜化工程後のDDR型ゼオライト膜の「ヘリウム(He)透過量測定」、構造規定剤除去後のDDR型ゼオライト膜の「X線回折測定」及び「ガス透過試験」を行った。「X線回折測定」を除く結果を表1に示す。
フッ素樹脂製の100ml(ミリリットル)広口瓶に10.93gのエチレンジアミン(和光純薬工業社製)を入れた後、1.719gの1−アダマンタンアミン(アルドリッチ社製)を加え、1−アダマンタンアミンの沈殿が残らないように溶解した。別の容器に85.0gの30質量%シリカゾル(スノーテックスS、日産化学社製)と124.03gのイオン交換水を入れ軽く攪拌した後、これをエチレンジアミンと1−アダマンタンアミンを混ぜておいた広口瓶に加えて強く振り混ぜ、混合溶液を調製した。その後、混合溶液を入れた広口瓶をシェーカーにセットし、500rpmで1時間振り混ぜ、その後DDR型ゼオライト粉末を0.337質量%含むDDR型ゼオライト粉末分散液を1000μl(マイクロリットル)入れて、再度シェーカーで500rpmで5分振り混ぜ、膜形成用原料溶液を調製した。内容積300mlのフッ素樹脂製内筒付きステンレス製耐圧容器内にDDR型ゼオライト結晶粒子が形成されていない多孔質基体を配置し、膜形成用原料溶液を入れ、135℃にて96時間(h)、加熱処理(水熱合成)を行った。加熱処理後、水洗、乾燥して、多孔質基体の表面に形成された「DDR型ゼオライト膜」を得た。尚、使用した多孔質基体は、底面の直径が30mm、長さ(中心軸方向の長さ)が160mmの円柱状であり、貫通孔(長さ方向に直交する断面形状が円形であり、円形の断面の直径が3mm)が37本形成されたものであった。実施例1と同様にして、「粒子の固着」の有無を確認し、膜化工程後の「ヘリウム(He)透過量測定」、構造規定剤除去後の「X線回折測定」及び「ガス透過試験」を行った。「X線回折測定」を除く結果を表1に示す。
水熱合成の温度、時間を表1に示すように変えた以外は、比較例1と同様にしてDDR型ゼオライト膜を作製した。実施例1と同様にして、「粒子の固着」の有無を確認し、膜化工程後の「ヘリウム(He)透過量測定」、構造規定剤除去後の「X線回折測定」及び「ガス透過試験」を行った。「X線回折測定」を除く結果を表1に示す。
Claims (7)
- 1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有しDDR型ゼオライト粉末を分散させた種結晶形成用原料溶液に、多孔質基体を浸漬し、水熱合成して、前記多孔質基体の表面に複数のDDR型ゼオライト結晶粒子を形成する種結晶形成工程と、
前記DDR型ゼオライト結晶粒子が表面に形成された多孔質基体を、1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有するとともにDDR型ゼオライト粉末を含有しない膜形成用原料溶液に浸漬し、水熱合成して、前記多孔質基体の表面にDDR型ゼオライト膜を形成する膜形成工程とを有し、
前記多孔質基体の表面に形成されたDDR型ゼオライト結晶粒子の粒子径が10μm以下であり、前記多孔質基体の表面に形成されたDDR型ゼオライト結晶粒子の質量が、多孔質基体の表面の単位面積(m 2 )当たり200g/m 2 以下であるDDR型ゼオライト膜の製造方法。 - 前記種結晶形成工程を複数回行い、各回毎に、新たに調製した前記種結晶形成用原料溶液を使用する請求項1に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
- 前記膜形成工程を複数回行い、各回毎に、新たに調製した前記膜形成用原料溶液を使用する請求項1又は2に記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
- 前記種結晶形成工程において使用する前記種結晶形成用原料溶液、及び前記膜形成工程において使用する前記膜形成用原料溶液の両方にエチレンジアミンが含有される請求項1〜3のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
- 前記種結晶形成工程における水熱合成、及び前記膜形成工程における水熱合成を、100〜200℃で行う請求項1〜4のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
- 得られるDDR型ゼオライト膜の厚さが0.1〜100μmである請求項1〜5のいずれかに記載のDDR型ゼオライト膜の製造方法。
- 1−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有しDDR型ゼオライト粉末を分散させた原料溶液に、多孔質基体を浸漬し、水熱合成して、前記多孔質基体の表面にDDR型ゼオライト結晶粒子を形成し、
前記多孔質基体の表面に形成されたDDR型ゼオライト結晶粒子の粒子径が10μm以下であり、前記多孔質基体の表面に形成されたDDR型ゼオライト結晶粒子の質量が、多孔質基体の表面の単位面積(m 2 )当たり200g/m 2 以下であるDDR型ゼオライト結晶粒子の製造方法。
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